JPH1093369A - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1093369A JPH1093369A JP17643697A JP17643697A JPH1093369A JP H1093369 A JPH1093369 A JP H1093369A JP 17643697 A JP17643697 A JP 17643697A JP 17643697 A JP17643697 A JP 17643697A JP H1093369 A JPH1093369 A JP H1093369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal film
- conductor pattern
- film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波装置においてボンディングパッド
やすだれ状電極等の導電パターンを嵩上げするに際し、
装置を大型化させず、かつ信頼性を損なわない。 【解決手段】 圧電性基板１０上に、第１の導体パター
ン１１と、これよりも厚い第２の導体パターン１３とを
備えた弾性表面波装置を製造する方法において、第１の
金属膜１をエッチングすることにより、第１の導体パタ
ーン１１と、第２の導体パターンの下部１３１とを形成
する工程と、この上に、第２の金属膜２と第３の金属膜
３とを順次形成する工程と、第３の金属膜３を選択的に
エッチングして第２の導体パターンの上部１３３を形成
する工程と、第２の金属膜２を選択的にエッチングして
第２の導体パターンの中間部１３２を形成すると共に第
１の導体パターン１１を露出させる工程とを設ける。
やすだれ状電極等の導電パターンを嵩上げするに際し、
装置を大型化させず、かつ信頼性を損なわない。 【解決手段】 圧電性基板１０上に、第１の導体パター
ン１１と、これよりも厚い第２の導体パターン１３とを
備えた弾性表面波装置を製造する方法において、第１の
金属膜１をエッチングすることにより、第１の導体パタ
ーン１１と、第２の導体パターンの下部１３１とを形成
する工程と、この上に、第２の金属膜２と第３の金属膜
３とを順次形成する工程と、第３の金属膜３を選択的に
エッチングして第２の導体パターンの上部１３３を形成
する工程と、第２の金属膜２を選択的にエッチングして
第２の導体パターンの中間部１３２を形成すると共に第
１の導体パターン１１を露出させる工程とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、すだれ状電極やボ
ンディングパッド等の導体パターンを含む弾性表面波装
置およびその製造方法に関する。
ンディングパッド等の導体パターンを含む弾性表面波装
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、弾性表面波装置、特に弾性表面波
フィルタは、自動車電話・携帯電話等のＲＦ帯フィルタ
において、誘電体フィルタに替わって盛んに利用される
ようになってきた。この理由として、弾性表面波装置、
特に弾性表面波フィルタは、誘電体フィルタに比べて素
子寸法が小さいこと、また同じ素子寸法で比較すると電
気特性が優れていること等が挙げられる。
フィルタは、自動車電話・携帯電話等のＲＦ帯フィルタ
において、誘電体フィルタに替わって盛んに利用される
ようになってきた。この理由として、弾性表面波装置、
特に弾性表面波フィルタは、誘電体フィルタに比べて素
子寸法が小さいこと、また同じ素子寸法で比較すると電
気特性が優れていること等が挙げられる。
【０００３】しかし、特に１GHz前後、あるいはそれ以
上のＲＦ帯で利用する場合、弾性表面波装置に使用され
るすだれ状電極の電極膜厚が薄くなり、組立時のワイヤ
ボンディング、バンプボンディング等において、ボンデ
ィング強度が弱いという課題があった。
上のＲＦ帯で利用する場合、弾性表面波装置に使用され
るすだれ状電極の電極膜厚が薄くなり、組立時のワイヤ
ボンディング、バンプボンディング等において、ボンデ
ィング強度が弱いという課題があった。
【０００４】弾性表面波装置の動作周波数ｆを決めてい
るのは、圧電性基板の弾性表面波速度Ｖ、および圧電性
基板表面上に弾性表面波波長に対応して形成されるすだ
れ状電極の電極指ピッチλで、概ね次のように表され
る。
るのは、圧電性基板の弾性表面波速度Ｖ、および圧電性
基板表面上に弾性表面波波長に対応して形成されるすだ
れ状電極の電極指ピッチλで、概ね次のように表され
る。
【０００５】ｆ＝Ｖ／λ ・・・・・ （１）
【０００６】この関係式から、動作周波数ｆを高くする
には、電極指ピッチλを小さくする必要があることがわ
かる。
には、電極指ピッチλを小さくする必要があることがわ
かる。
【０００７】ＲＦ帯弾性表面波フィルタを構成するのに
多用されている圧電性基板としては、ニオブ酸リチウム
やタンタル酸リチウムなどの単結晶が挙げられる。これ
ら単結晶基板の弾性表面波速度は４０００m/s程度であ
る。従って、動作周波数を１GHz程度とするには、すだ
れ状電極の電極指ピッチλを４μm程度とする必要があ
る。ところで、このすだれ状電極の電極膜厚は、膜厚ｈ
を電極指ピッチλで規格化した規格化膜厚で表現する
と、通常、ｈ／λ＝７％以下の値が採用される。これ
は、あまり電極膜厚を厚くすると、バルク波へのモード
変換による損失が増大するのと、電極指線幅の小さなば
らつきが電極指質量の大きな変動となって現れ、その結
果、動作周波数を大きくばらつかせてしまうからであ
る。
多用されている圧電性基板としては、ニオブ酸リチウム
やタンタル酸リチウムなどの単結晶が挙げられる。これ
ら単結晶基板の弾性表面波速度は４０００m/s程度であ
る。従って、動作周波数を１GHz程度とするには、すだ
れ状電極の電極指ピッチλを４μm程度とする必要があ
る。ところで、このすだれ状電極の電極膜厚は、膜厚ｈ
を電極指ピッチλで規格化した規格化膜厚で表現する
と、通常、ｈ／λ＝７％以下の値が採用される。これ
は、あまり電極膜厚を厚くすると、バルク波へのモード
変換による損失が増大するのと、電極指線幅の小さなば
らつきが電極指質量の大きな変動となって現れ、その結
果、動作周波数を大きくばらつかせてしまうからであ
る。
【０００８】ｈ／λ＝７％とした場合、１GHzでの弾性
表面波波長をλ＝４μmとすると、具体的な電極膜厚は
４×０．０７＝０．２８［μm］となる。そこで、電極
指とボンディングパッドとを同一工程で形成した場合、
ボンディングパッドの厚さも０．２８μmとなり、この
ような薄いボンディングパッドにボンディングを行う
と、ボンディングパッドが破れたり、ボンディングがう
まくできたとしてもボンディング強度が弱くなるという
問題があった。
表面波波長をλ＝４μmとすると、具体的な電極膜厚は
４×０．０７＝０．２８［μm］となる。そこで、電極
指とボンディングパッドとを同一工程で形成した場合、
ボンディングパッドの厚さも０．２８μmとなり、この
ような薄いボンディングパッドにボンディングを行う
と、ボンディングパッドが破れたり、ボンディングがう
まくできたとしてもボンディング強度が弱くなるという
問題があった。
【０００９】これを改善するため、ボンディングパッド
のみを嵩上げすること、すなわち、ボンディングパッド
を厚くするという手段がとられる。図４に、リフトオフ
法と呼ばれる弾性表面波装置のボンディングパッドの二
層蒸着を行うための製造工程図を示す。この例では、図
４（ａ）に示すように、圧電性基板１０上に、まず、第
１の金属膜１を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すよ
うに、これをパターニングして、すだれ状電極１１と、
ボンディングパッドの下部となる第１の金属部１３１と
を同時に形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、こ
の上にフォトレジスト膜１６を形成する。このフォトレ
ジスト膜１６は、ボンディングパッドの第１の金属部１
３１に相当する領域に窓が開いたものである。次に、図
４（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜１６の上か
ら、ボンディングパッド嵩上げのために、第２の金属膜
２を形成する。第２の金属膜２は、フォトレジスト膜１
６上と第１の金属部１３１上とに形成される。次いで、
フォトレジスト膜１６を剥離する。このとき、第２の金
属膜は第１の金属部１３１上だけに残り、これがボンデ
ィングパッドの上部（第２の金属部１３２）となる。こ
のようにして、図４（ｅ）に示すように、すだれ状電極
１１よりも厚いボンディングパッド１３を形成すること
ができる。
のみを嵩上げすること、すなわち、ボンディングパッド
を厚くするという手段がとられる。図４に、リフトオフ
法と呼ばれる弾性表面波装置のボンディングパッドの二
層蒸着を行うための製造工程図を示す。この例では、図
４（ａ）に示すように、圧電性基板１０上に、まず、第
１の金属膜１を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すよ
うに、これをパターニングして、すだれ状電極１１と、
ボンディングパッドの下部となる第１の金属部１３１と
を同時に形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、こ
の上にフォトレジスト膜１６を形成する。このフォトレ
ジスト膜１６は、ボンディングパッドの第１の金属部１
３１に相当する領域に窓が開いたものである。次に、図
４（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜１６の上か
ら、ボンディングパッド嵩上げのために、第２の金属膜
２を形成する。第２の金属膜２は、フォトレジスト膜１
６上と第１の金属部１３１上とに形成される。次いで、
フォトレジスト膜１６を剥離する。このとき、第２の金
属膜は第１の金属部１３１上だけに残り、これがボンデ
ィングパッドの上部（第２の金属部１３２）となる。こ
のようにして、図４（ｅ）に示すように、すだれ状電極
１１よりも厚いボンディングパッド１３を形成すること
ができる。
【００１０】図５に、弾性表面波装置のボンディングパ
ッドの嵩上げを行う方法の他の例を示す。この例では、
図５（ａ）に示すように、まず、圧電性基板１０上にボ
ンディングパッドの下部（第１の金属部１３１）を形成
する。この上に、図５（ｂ）に示すように、すだれ状電
極形成用金属膜２１を形成する。次いで、フォトエッチ
ング等の手段を用いてすだれ状電極形成用金属膜２１を
パターニングし、図５（ｃ）に示すようにすだれ状電極
１１を形成する。このとき、同時にボンディングパッド
の上部（第２の金属部１３２）が形成され、ボンディン
グパッド１３が完成する。この際、ボンディングパッド
１３とすだれ状電極１１との間に５０μm以上の距離を
設け、短絡欠陥が発生しないようにする。
ッドの嵩上げを行う方法の他の例を示す。この例では、
図５（ａ）に示すように、まず、圧電性基板１０上にボ
ンディングパッドの下部（第１の金属部１３１）を形成
する。この上に、図５（ｂ）に示すように、すだれ状電
極形成用金属膜２１を形成する。次いで、フォトエッチ
ング等の手段を用いてすだれ状電極形成用金属膜２１を
パターニングし、図５（ｃ）に示すようにすだれ状電極
１１を形成する。このとき、同時にボンディングパッド
の上部（第２の金属部１３２）が形成され、ボンディン
グパッド１３が完成する。この際、ボンディングパッド
１３とすだれ状電極１１との間に５０μm以上の距離を
設け、短絡欠陥が発生しないようにする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図４および図５に示さ
れる従来の方法には、下記の解決すべき課題があった。
れる従来の方法には、下記の解決すべき課題があった。
【００１２】（１）図４に示す第１の従来例で示したリ
フトオフ法においては、ボンディングパッド嵩上げ用金
属膜（第２の金属膜２）の成膜時に遮蔽材としてフォト
レジスト膜１６を使うため、第２の金属膜２成膜時に基
板温度を上げることができない。このため、ボンディン
グパッドの下部（第１の金属部１３１）と上部（第２の
金属部１３２）との界面における両者の密着性に問題が
生じる。電極膜成膜時には、通常、膜の密着性向上のた
めに基板加熱が行われるが、一般にフォトレジスト膜の
耐熱温度上限は１３０〜１５０℃なので、前記基板加熱
もこのような比較的低温で行う必要がある。このため、
密着性が不十分となり、ボンディングパッドの信頼性の
点で問題がある。
フトオフ法においては、ボンディングパッド嵩上げ用金
属膜（第２の金属膜２）の成膜時に遮蔽材としてフォト
レジスト膜１６を使うため、第２の金属膜２成膜時に基
板温度を上げることができない。このため、ボンディン
グパッドの下部（第１の金属部１３１）と上部（第２の
金属部１３２）との界面における両者の密着性に問題が
生じる。電極膜成膜時には、通常、膜の密着性向上のた
めに基板加熱が行われるが、一般にフォトレジスト膜の
耐熱温度上限は１３０〜１５０℃なので、前記基板加熱
もこのような比較的低温で行う必要がある。このため、
密着性が不十分となり、ボンディングパッドの信頼性の
点で問題がある。
【００１３】（２）図５に示す第２の従来例では、厚い
第１の金属部１３１を最初に形成してしまうので、薄く
て微細なすだれ状電極１１を形成する工程でこの第１の
金属部１３１が邪魔となる。したがって、すだれ状電極
１１と第１の金属部１３１とをある程度離す必要があ
る。このため、薄膜配線パターンが長くなることによる
抵抗損失の増大、および素子が小型化しにくいという課
題があった。
第１の金属部１３１を最初に形成してしまうので、薄く
て微細なすだれ状電極１１を形成する工程でこの第１の
金属部１３１が邪魔となる。したがって、すだれ状電極
１１と第１の金属部１３１とをある程度離す必要があ
る。このため、薄膜配線パターンが長くなることによる
抵抗損失の増大、および素子が小型化しにくいという課
題があった。
【００１４】ところで、弾性表面波装置において、同一
圧電性基板上に２種の導電パターンを設けるに際に両者
を異なる厚さとすることは、上述したすだれ状電極とボ
ンディングパッドとの組み合わせに限らず、例えば２種
のすだれ状電極についても必要とされることがある。例
えば、通過帯域中心周波数の異なる２つの弾性表面波フ
ィルタおよびその変換器（一対のすだれ状電極）を同一
圧電性基板上に形成する場合、それぞれのフィルタで適
正な電極膜厚が異なる。このような２種の変換器を形成
する場合も、図４や図５に示すような方法を用いること
が可能であるが、その場合には、やはり上述したような
問題が生じてしまう。
圧電性基板上に２種の導電パターンを設けるに際に両者
を異なる厚さとすることは、上述したすだれ状電極とボ
ンディングパッドとの組み合わせに限らず、例えば２種
のすだれ状電極についても必要とされることがある。例
えば、通過帯域中心周波数の異なる２つの弾性表面波フ
ィルタおよびその変換器（一対のすだれ状電極）を同一
圧電性基板上に形成する場合、それぞれのフィルタで適
正な電極膜厚が異なる。このような２種の変換器を形成
する場合も、図４や図５に示すような方法を用いること
が可能であるが、その場合には、やはり上述したような
問題が生じてしまう。
【００１５】本発明は、以上に挙げた問題点を解決する
ためになされたものである。本発明の目的は、弾性表面
波装置においてボンディングパッドやすだれ状電極等の
導電パターンを嵩上げするに際し、装置を大型化させ
ず、かつ信頼性を損なわないことである。
ためになされたものである。本発明の目的は、弾性表面
波装置においてボンディングパッドやすだれ状電極等の
導電パターンを嵩上げするに際し、装置を大型化させ
ず、かつ信頼性を損なわないことである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（１１）のいずれかの構成によって達成される。 （１） 圧電性基板上に、すだれ状電極パターンである
第１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも
厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置を製
造する方法であって、前記圧電性基板上に第１の金属膜
を形成する工程と、前記第１の金属膜をエッチングする
ことにより、前記第１の導体パターンと、前記第２の導
体パターンの下部とを形成する工程と、前記第１の導体
パターンと、前記第２の導体パターンの下部とが存在す
る前記圧電性基板上に、第２の金属膜を形成する工程
と、前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成する工程
と、前記第３の金属膜を選択的にエッチングすることに
より、前記第２の導体パターンの上部を形成する工程
と、前記第２の金属膜を選択的にエッチングすることに
より、前記第２の導体パターンの中間部を形成すると共
に前記第１の導体パターンを露出させる工程とを含む弾
性表面波装置の製造方法。 （２） 圧電性基板上に、すだれ状電極パターンである
第１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも
厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置を製
造する方法であって、前記圧電性基板上に第１の金属膜
を形成する工程と、前記第１の金属膜をエッチングする
ことにより、前記第１の導体パターンを形成する工程
と、前記第１の導体パターンが存在する前記圧電性基板
上に第２の金属膜を形成する工程と、前記第２の金属膜
上に第３の金属膜を形成する工程と、前記第３の金属膜
を選択的にエッチングすることにより、前記第２の導体
パターンの上部を形成する工程と、前記第２の金属膜を
選択的にエッチングすることにより、前記第２の導体パ
ターンの下部を形成すると共に前記第１の導体パターン
を露出させる工程とを含む弾性表面波装置の製造方法。 （３） すだれ状電極パターンである第１の導体パター
ンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２の導体パ
ターンとを備えた弾性表面波装置を製造する方法であっ
て、前記圧電性基板上に、第１の金属膜と第２の金属膜
と第３の金属膜とがこの順で積層された金属膜積層体を
形成する工程と、前記金属膜積層体をエッチングするこ
とにより、２つの導体パターンを形成する工程と、前記
２つの導体パターンの一方をレジスト膜により保護した
後、他方の導体パターンの上部を構成する前記第３の金
属膜を選択的にエッチングして除去することにより、前
記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとを得
る導体パターン形成工程とを含む弾性表面波装置の製造
方法。 （４） 前記導体パターン形成工程において、前記他方
の導体パターンの上部および中間部をそれぞれ構成する
前記第３の金属膜および前記第２の金属膜を選択的にエ
ッチングして除去する上記（３）の弾性表面波装置の製
造方法。 （５） 前記第２の導体パターンがすだれ状電極パター
ンおよび／またはボンディングパッドである上記（１）
〜（４）のいずれかの弾性表面波装置の製造方法。 （６） 前記第３の金属膜のエッチングおよび／または
前記第２の金属膜のエッチングを、ドライエッチング法
により行う上記（１）〜（５）のいずれかの弾性表面波
装置の製造方法。 （７） 前記第１の金属膜がＡｌまたはＡｌ合金から構
成され、前記第２の金属膜がＣｒから構成され、前記第
３の金属膜がＡｌまたはＡｌ合金から構成される上記
（１）〜（６）のいずれかの弾性表面波装置の製造方
法。 （８） 前記第１の金属膜と前記第３の金属膜とが同一
の材質から構成される上記（１）〜（７）のいずれかの
弾性表面波装置の製造方法。 （９） 圧電性基板上に、すだれ状電極である第１の導
体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２
の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であって、前
記第１の導体パターンが、第１の金属から構成され、前
記第２の導体パターンが、前記第１の金属からなる下部
と、第２の金属からなる中間部と、第３の金属からなる
上部とから構成され、前記第２の金属と前記第３の金属
との間および前記第１の金属と前記第２の金属との間
に、エッチング速度の選択比が存在する弾性表面波装
置。 （１０） 圧電性基板上に、すだれ状電極である第１の
導体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第
２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であって、
前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成され、
前記第２の導体パターンが、第２の金属からなる下部
と、第３の金属からなる上部とから構成され、前記第２
の金属と前記第３の金属との間および前記第１の金属と
前記第２の金属との間に、エッチング速度の選択比が存
在する弾性表面波装置。 （１１） 圧電性基板上に、すだれ状電極である第１の
導体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第
２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であって、
前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成される
か、第１の金属からなる下部と、第２の金属からなる上
部とから構成され、前記第２の導体パターンが、前記第
１の金属からなる下部と、前記第２の金属からなる中間
部と、第３の金属からなる上部とから構成され、前記第
２の金属と前記第３の金属との間および前記第１の金属
と前記第２の金属との間に、エッチング速度の選択比が
存在する弾性表面波装置。
〜（１１）のいずれかの構成によって達成される。 （１） 圧電性基板上に、すだれ状電極パターンである
第１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも
厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置を製
造する方法であって、前記圧電性基板上に第１の金属膜
を形成する工程と、前記第１の金属膜をエッチングする
ことにより、前記第１の導体パターンと、前記第２の導
体パターンの下部とを形成する工程と、前記第１の導体
パターンと、前記第２の導体パターンの下部とが存在す
る前記圧電性基板上に、第２の金属膜を形成する工程
と、前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成する工程
と、前記第３の金属膜を選択的にエッチングすることに
より、前記第２の導体パターンの上部を形成する工程
と、前記第２の金属膜を選択的にエッチングすることに
より、前記第２の導体パターンの中間部を形成すると共
に前記第１の導体パターンを露出させる工程とを含む弾
性表面波装置の製造方法。 （２） 圧電性基板上に、すだれ状電極パターンである
第１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも
厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置を製
造する方法であって、前記圧電性基板上に第１の金属膜
を形成する工程と、前記第１の金属膜をエッチングする
ことにより、前記第１の導体パターンを形成する工程
と、前記第１の導体パターンが存在する前記圧電性基板
上に第２の金属膜を形成する工程と、前記第２の金属膜
上に第３の金属膜を形成する工程と、前記第３の金属膜
を選択的にエッチングすることにより、前記第２の導体
パターンの上部を形成する工程と、前記第２の金属膜を
選択的にエッチングすることにより、前記第２の導体パ
ターンの下部を形成すると共に前記第１の導体パターン
を露出させる工程とを含む弾性表面波装置の製造方法。 （３） すだれ状電極パターンである第１の導体パター
ンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２の導体パ
ターンとを備えた弾性表面波装置を製造する方法であっ
て、前記圧電性基板上に、第１の金属膜と第２の金属膜
と第３の金属膜とがこの順で積層された金属膜積層体を
形成する工程と、前記金属膜積層体をエッチングするこ
とにより、２つの導体パターンを形成する工程と、前記
２つの導体パターンの一方をレジスト膜により保護した
後、他方の導体パターンの上部を構成する前記第３の金
属膜を選択的にエッチングして除去することにより、前
記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとを得
る導体パターン形成工程とを含む弾性表面波装置の製造
方法。 （４） 前記導体パターン形成工程において、前記他方
の導体パターンの上部および中間部をそれぞれ構成する
前記第３の金属膜および前記第２の金属膜を選択的にエ
ッチングして除去する上記（３）の弾性表面波装置の製
造方法。 （５） 前記第２の導体パターンがすだれ状電極パター
ンおよび／またはボンディングパッドである上記（１）
〜（４）のいずれかの弾性表面波装置の製造方法。 （６） 前記第３の金属膜のエッチングおよび／または
前記第２の金属膜のエッチングを、ドライエッチング法
により行う上記（１）〜（５）のいずれかの弾性表面波
装置の製造方法。 （７） 前記第１の金属膜がＡｌまたはＡｌ合金から構
成され、前記第２の金属膜がＣｒから構成され、前記第
３の金属膜がＡｌまたはＡｌ合金から構成される上記
（１）〜（６）のいずれかの弾性表面波装置の製造方
法。 （８） 前記第１の金属膜と前記第３の金属膜とが同一
の材質から構成される上記（１）〜（７）のいずれかの
弾性表面波装置の製造方法。 （９） 圧電性基板上に、すだれ状電極である第１の導
体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２
の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であって、前
記第１の導体パターンが、第１の金属から構成され、前
記第２の導体パターンが、前記第１の金属からなる下部
と、第２の金属からなる中間部と、第３の金属からなる
上部とから構成され、前記第２の金属と前記第３の金属
との間および前記第１の金属と前記第２の金属との間
に、エッチング速度の選択比が存在する弾性表面波装
置。 （１０） 圧電性基板上に、すだれ状電極である第１の
導体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第
２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であって、
前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成され、
前記第２の導体パターンが、第２の金属からなる下部
と、第３の金属からなる上部とから構成され、前記第２
の金属と前記第３の金属との間および前記第１の金属と
前記第２の金属との間に、エッチング速度の選択比が存
在する弾性表面波装置。 （１１） 圧電性基板上に、すだれ状電極である第１の
導体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第
２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であって、
前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成される
か、第１の金属からなる下部と、第２の金属からなる上
部とから構成され、前記第２の導体パターンが、前記第
１の金属からなる下部と、前記第２の金属からなる中間
部と、第３の金属からなる上部とから構成され、前記第
２の金属と前記第３の金属との間および前記第１の金属
と前記第２の金属との間に、エッチング速度の選択比が
存在する弾性表面波装置。
【００１７】
【作用および効果】本発明では、圧電性基板上に厚さの
異なる２つの導体パターンを形成するために、複数の金
属膜を積層し、かつこれらを選択的にエッチングする。
すなわち、金属膜をエッチングストッパーとして使用す
る。従来の方法、例えば図４に示すリフトオフ法ではフ
ォトレジスト膜１６を用いるため、基板温度を上げられ
ず、金属膜同士の密着性が不十分となっていた。しか
し、本発明では金属膜をエッチングストッパーとして用
いるため、基板温度を高くすることができるので、厚い
ほうの導体パターン（第２の導体パターン）を構成する
複数の金属膜間の密着性を高くすることができ、高信頼
性が得られる。
異なる２つの導体パターンを形成するために、複数の金
属膜を積層し、かつこれらを選択的にエッチングする。
すなわち、金属膜をエッチングストッパーとして使用す
る。従来の方法、例えば図４に示すリフトオフ法ではフ
ォトレジスト膜１６を用いるため、基板温度を上げられ
ず、金属膜同士の密着性が不十分となっていた。しか
し、本発明では金属膜をエッチングストッパーとして用
いるため、基板温度を高くすることができるので、厚い
ほうの導体パターン（第２の導体パターン）を構成する
複数の金属膜間の密着性を高くすることができ、高信頼
性が得られる。
【００１８】また、本発明では、図５に示す従来の方法
とも異なり、最初に厚い嵩上げ部（図中の第１の金属部
１３１）を形成する必要がないため、第１の導体パター
ンと第２の導体パターンとを近接配置することが可能と
なり、薄膜配線に伴う抵抗損失を低減できるばかりでな
く、装置の小型化が達成できる。
とも異なり、最初に厚い嵩上げ部（図中の第１の金属部
１３１）を形成する必要がないため、第１の導体パター
ンと第２の導体パターンとを近接配置することが可能と
なり、薄膜配線に伴う抵抗損失を低減できるばかりでな
く、装置の小型化が達成できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の製造方法は、以下に説明
する構成１、構成２および構成３を含む。
する構成１、構成２および構成３を含む。
【００２０】構成１ 図１に、構成１の製造方法の概略工程図を示す。
【００２１】この方法では、図１（ａ）に示すように、
圧電性基板１０上に、スパッタ法や真空蒸着法等の薄膜
形成法により第１の金属膜１を形成し、これをフォトリ
ソグラフィを利用したエッチングにより加工して、図１
（ｂ）に示すように、すだれ状電極１１（第１の導体パ
ターン）と、ボンディングパッド（第２の導体パター
ン）の下部となる第１の金属部１３１とを形成する。
圧電性基板１０上に、スパッタ法や真空蒸着法等の薄膜
形成法により第１の金属膜１を形成し、これをフォトリ
ソグラフィを利用したエッチングにより加工して、図１
（ｂ）に示すように、すだれ状電極１１（第１の導体パ
ターン）と、ボンディングパッド（第２の導体パター
ン）の下部となる第１の金属部１３１とを形成する。
【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、この上に
第２の金属膜２と、第３の金属膜３とを、薄膜形成法に
より順次形成する。
第２の金属膜２と、第３の金属膜３とを、薄膜形成法に
より順次形成する。
【００２３】次いで、第３の金属膜３上にフォトレジス
ト膜を形成し、パターン露光と現像とを行って、図１
（ｄ）に示すように、第１の金属部１３１形成領域に相
当する領域だけがフォトレジスト膜１６で保護される構
成とする。
ト膜を形成し、パターン露光と現像とを行って、図１
（ｄ）に示すように、第１の金属部１３１形成領域に相
当する領域だけがフォトレジスト膜１６で保護される構
成とする。
【００２４】この状態で第３の金属膜３のエッチングを
行い、図１（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１６
の下に存在する領域だけを残して第３の金属膜３を除去
し、ボンディングパッドの上部となる第３の金属部１３
３を形成する。
行い、図１（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１６
の下に存在する領域だけを残して第３の金属膜３を除去
し、ボンディングパッドの上部となる第３の金属部１３
３を形成する。
【００２５】本発明では、第２の金属膜と第３の金属膜
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第３の金属膜３のエッチングが進行して第２の
金属膜２の表面に到達すると、第２の金属膜２がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第３の金属膜を
選択的にエッチングでき、図１（ｅ）に示す状態が安定
して得られる。
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第３の金属膜３のエッチングが進行して第２の
金属膜２の表面に到達すると、第２の金属膜２がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第３の金属膜を
選択的にエッチングでき、図１（ｅ）に示す状態が安定
して得られる。
【００２６】なお、第３の金属膜３のエッチングには、
ウェットエッチング法を用いてもよく、ドライエッチン
グ法を用いてもよいが、微細なパターンを精度よく形成
できる点で、ドライエッチング法が好ましい。これは、
後述する他の構成においても同様である。
ウェットエッチング法を用いてもよく、ドライエッチン
グ法を用いてもよいが、微細なパターンを精度よく形成
できる点で、ドライエッチング法が好ましい。これは、
後述する他の構成においても同様である。
【００２７】次に、第２の金属膜２のエッチングを行
い、図１（ｆ）に示すように、第１の金属部１３１と第
３の金属部１３３とに挟まれた領域だけを残して第２の
金属膜２を除去し、ボンディングパッドの中間部となる
第２の金属部１３２を形成する。これにより、第１の金
属部１３１、第２の金属部１３２および第３の金属部１
３３からなるボンディングパッド１３の形成が完了す
る。
い、図１（ｆ）に示すように、第１の金属部１３１と第
３の金属部１３３とに挟まれた領域だけを残して第２の
金属膜２を除去し、ボンディングパッドの中間部となる
第２の金属部１３２を形成する。これにより、第１の金
属部１３１、第２の金属部１３２および第３の金属部１
３３からなるボンディングパッド１３の形成が完了す
る。
【００２８】本発明では、第１の金属膜と第２の金属膜
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第２の金属膜２のエッチングが進行して第１の
金属膜１の表面に到達すると、第１の金属膜１がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第２の金属膜を
選択的にエッチングでき、図１（ｆ）に示す状態が安定
して得られる。最後に、フォトレジスト膜１６を剥離
し、図１（ｇ）に示す状態とする。
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第２の金属膜２のエッチングが進行して第１の
金属膜１の表面に到達すると、第１の金属膜１がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第２の金属膜を
選択的にエッチングでき、図１（ｆ）に示す状態が安定
して得られる。最後に、フォトレジスト膜１６を剥離
し、図１（ｇ）に示す状態とする。
【００２９】第２の金属膜のエッチングには、ウェット
エッチング法を用いてもドライエッチング法を用いても
よい。ただし、第２の金属膜のエッチングにドライエッ
チング法を用いる場合、具体的には例えば、第２の金属
膜をＣｒから構成し、エッチングガスとしてＣＦ4とＯ2
との混合ガスを用いる場合、第２の金属膜２のエッチン
グと同時にフォトレジスト膜１６のアッシングが可能で
あり、図１（ｅ）に示す状態から図１（ｇ）に示す状態
が１回のドライエッチングで得られるので、製造工程の
短縮が可能である。また、前述したように、微細なパタ
ーンを精度よく形成できる点でもドライエッチング法が
好ましく、これは、後述する他の構成においても同様で
ある。
エッチング法を用いてもドライエッチング法を用いても
よい。ただし、第２の金属膜のエッチングにドライエッ
チング法を用いる場合、具体的には例えば、第２の金属
膜をＣｒから構成し、エッチングガスとしてＣＦ4とＯ2
との混合ガスを用いる場合、第２の金属膜２のエッチン
グと同時にフォトレジスト膜１６のアッシングが可能で
あり、図１（ｅ）に示す状態から図１（ｇ）に示す状態
が１回のドライエッチングで得られるので、製造工程の
短縮が可能である。また、前述したように、微細なパタ
ーンを精度よく形成できる点でもドライエッチング法が
好ましく、これは、後述する他の構成においても同様で
ある。
【００３０】構成２ 図２に、構成２の製造方法の概略工程図を示す。
【００３１】この方法では、図２（ａ）に示すように、
圧電性基板１０上に、スパッタ法や真空蒸着法等の薄膜
形成法により第１の金属膜１を形成し、これをフォトリ
ソグラフィを利用したエッチングにより加工して、図２
（ｂ）に示すように、すだれ状電極１１（第１の導体パ
ターン）を形成する。
圧電性基板１０上に、スパッタ法や真空蒸着法等の薄膜
形成法により第１の金属膜１を形成し、これをフォトリ
ソグラフィを利用したエッチングにより加工して、図２
（ｂ）に示すように、すだれ状電極１１（第１の導体パ
ターン）を形成する。
【００３２】次に、図２（ｃ）に示すように、この上に
第２の金属膜２と、第３の金属膜３とを、薄膜形成法に
より順次形成する。
第２の金属膜２と、第３の金属膜３とを、薄膜形成法に
より順次形成する。
【００３３】次いで、第３の金属膜３上にフォトレジス
ト膜を形成し、パターン露光と現像とを行って、図２
（ｄ）に示すように、第２のすだれ状電極形成領域に相
当する領域だけがフォトレジスト膜１６で保護される構
成とする。
ト膜を形成し、パターン露光と現像とを行って、図２
（ｄ）に示すように、第２のすだれ状電極形成領域に相
当する領域だけがフォトレジスト膜１６で保護される構
成とする。
【００３４】この状態で第３の金属膜３のエッチングを
行い、図２（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１６
の下に存在する領域だけを残して第３の金属膜３を除去
し、第２のすだれ状電極（第２の導体パターン）の上部
となる第３の金属部１２３を形成する。本発明では、第
２の金属膜と第３の金属膜との間に、エッチング速度の
大きな選択比をもたせてあるため、第３の金属膜３のエ
ッチングが進行して第２の金属膜２の表面に到達する
と、第２の金属膜２がエッチングのストッパーとなる。
したがって、第３の金属膜を選択的にエッチングでき、
図２（ｅ）に示す状態が安定して得られる。
行い、図２（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１６
の下に存在する領域だけを残して第３の金属膜３を除去
し、第２のすだれ状電極（第２の導体パターン）の上部
となる第３の金属部１２３を形成する。本発明では、第
２の金属膜と第３の金属膜との間に、エッチング速度の
大きな選択比をもたせてあるため、第３の金属膜３のエ
ッチングが進行して第２の金属膜２の表面に到達する
と、第２の金属膜２がエッチングのストッパーとなる。
したがって、第３の金属膜を選択的にエッチングでき、
図２（ｅ）に示す状態が安定して得られる。
【００３５】次に、第２の金属膜２のエッチングを行
い、図２（ｆ）に示すように、絶縁性基板１０と第３の
金属部１２３とに挟まれた領域だけを残して第２の金属
膜２を除去し、第２のすだれ状電極の下部となる第２の
金属部１２２を形成する。これにより、第２の金属部１
２２と第３の金属部１２３とからなる第２のすだれ状電
極１２の形成が完了する。第２のすだれ状電極１２は、
他のすだれ状電極１１よりも厚くなる。
い、図２（ｆ）に示すように、絶縁性基板１０と第３の
金属部１２３とに挟まれた領域だけを残して第２の金属
膜２を除去し、第２のすだれ状電極の下部となる第２の
金属部１２２を形成する。これにより、第２の金属部１
２２と第３の金属部１２３とからなる第２のすだれ状電
極１２の形成が完了する。第２のすだれ状電極１２は、
他のすだれ状電極１１よりも厚くなる。
【００３６】本発明では、第１の金属膜と第２の金属膜
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第２の金属膜２のエッチングが進行して第１の
金属膜１の表面に到達すると、第１の金属膜１がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第２の金属膜を
選択的にエッチングでき、図２（ｆ）に示す状態が安定
して得られる。最後に、フォトレジスト膜１６を剥離
し、図２（ｇ）に示す状態とする。
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第２の金属膜２のエッチングが進行して第１の
金属膜１の表面に到達すると、第１の金属膜１がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第２の金属膜を
選択的にエッチングでき、図２（ｆ）に示す状態が安定
して得られる。最後に、フォトレジスト膜１６を剥離
し、図２（ｇ）に示す状態とする。
【００３７】第２の金属膜のエッチングには、ウェット
エッチング法を用いてもドライエッチング法を用いても
よい。ただし、第２の金属膜のエッチングにドライエッ
チング法を用いる場合、具体的には例えば、第２の金属
膜をＣｒから構成し、エッチングガスとしてＣＦ4とＯ2
との混合ガスを用いる場合、第２の金属膜２のエッチン
グと同時にフォトレジスト膜１６のアッシングが可能で
あり、図２（ｅ）に示す状態から図２（ｇ）に示す状態
が直接得られるので、製造工程の短縮が可能である。
エッチング法を用いてもドライエッチング法を用いても
よい。ただし、第２の金属膜のエッチングにドライエッ
チング法を用いる場合、具体的には例えば、第２の金属
膜をＣｒから構成し、エッチングガスとしてＣＦ4とＯ2
との混合ガスを用いる場合、第２の金属膜２のエッチン
グと同時にフォトレジスト膜１６のアッシングが可能で
あり、図２（ｅ）に示す状態から図２（ｇ）に示す状態
が直接得られるので、製造工程の短縮が可能である。
【００３８】構成３ 図３に、構成３の製造方法の概略工程図を示す。
【００３９】この方法では、図３（ａ）に示すように、
圧電性基板１０上に、スパッタ法や真空蒸着法等の薄膜
形成法により第１の金属膜１、第２の金属膜２および第
３の金属膜３を順次形成し、これらの金属膜の積層体を
フォトリソグラフィを利用したエッチングにより加工し
て、図３（ｂ）に示すように、それぞれすだれ状電極に
対応する２つの導体パターンを形成する。一方の導体パ
ターンは、第１の金属膜１、第２の金属膜２および第３
の金属膜３にそれぞれ対応する第１の金属部１１１、第
２の金属部１１２および第３の金属部１１３からなる。
他方の導体パターンは、第２のすだれ状電極１２（第２
の導体パターン）であり、第１の金属膜、第２の金属膜
および第３の金属膜にそれぞれ対応する第１の金属部１
２１（下部）、第２の金属部１２２（中間部）および第
３の金属部１２３（上部）からなる。
圧電性基板１０上に、スパッタ法や真空蒸着法等の薄膜
形成法により第１の金属膜１、第２の金属膜２および第
３の金属膜３を順次形成し、これらの金属膜の積層体を
フォトリソグラフィを利用したエッチングにより加工し
て、図３（ｂ）に示すように、それぞれすだれ状電極に
対応する２つの導体パターンを形成する。一方の導体パ
ターンは、第１の金属膜１、第２の金属膜２および第３
の金属膜３にそれぞれ対応する第１の金属部１１１、第
２の金属部１１２および第３の金属部１１３からなる。
他方の導体パターンは、第２のすだれ状電極１２（第２
の導体パターン）であり、第１の金属膜、第２の金属膜
および第３の金属膜にそれぞれ対応する第１の金属部１
２１（下部）、第２の金属部１２２（中間部）および第
３の金属部１２３（上部）からなる。
【００４０】両導体パターン形成後、フォトレジスト膜
を形成し、パターン露光と現像とを行って、図３（ｃ）
に示すように、第２のすだれ状電極１２がフォトフォト
レジスト膜１６で保護される構成とする。
を形成し、パターン露光と現像とを行って、図３（ｃ）
に示すように、第２のすだれ状電極１２がフォトフォト
レジスト膜１６で保護される構成とする。
【００４１】この状態で前記一方の導体パターンのエッ
チングを行って、第３の金属部１１３を除去し、図３
（ｄ）に示す状態とする。本発明では、第２の金属膜と
第３の金属膜との間に、エッチング速度の大きな選択比
をもたせてあるため、第３の金属部１１３のエッチング
が進行して第２の金属部１１２の表面に到達すると、第
２の金属部１１２がエッチングのストッパーとなる。し
たがって、第３の金属膜を選択的にエッチングでき、図
３（ｄ）に示す状態が安定して得られる。
チングを行って、第３の金属部１１３を除去し、図３
（ｄ）に示す状態とする。本発明では、第２の金属膜と
第３の金属膜との間に、エッチング速度の大きな選択比
をもたせてあるため、第３の金属部１１３のエッチング
が進行して第２の金属部１１２の表面に到達すると、第
２の金属部１１２がエッチングのストッパーとなる。し
たがって、第３の金属膜を選択的にエッチングでき、図
３（ｄ）に示す状態が安定して得られる。
【００４２】前記一方の導体パターンは、図３（ｄ）に
示すように第３の金属部１１３を除去した段階ですだれ
状電極１１（第１の導体パターン）として利用すること
もできる。この場合には、第３の金属部１１３のエッチ
ング後、フォトレジスト膜１６を剥離すればよい。
示すように第３の金属部１１３を除去した段階ですだれ
状電極１１（第１の導体パターン）として利用すること
もできる。この場合には、第３の金属部１１３のエッチ
ング後、フォトレジスト膜１６を剥離すればよい。
【００４３】また、前記一方の導体パターンにおいて、
第３の金属部１１３を除去した後、図３（ｅ）に示すよ
うに第２の金属部１１２も除去し、残った第１の金属部
１１１だけからすだれ状電極１１を構成してもよい。
第３の金属部１１３を除去した後、図３（ｅ）に示すよ
うに第２の金属部１１２も除去し、残った第１の金属部
１１１だけからすだれ状電極１１を構成してもよい。
【００４４】本発明では、第１の金属膜と第２の金属膜
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第２の金属膜２のエッチングが進行して第１の
金属膜１の表面に到達すると、第１の金属膜１がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第２の金属膜を
選択的にエッチングでき、図３（ｅ）に示す状態が安定
して得られる。最後に、フォトレジスト膜１６を剥離
し、図３（ｆ）に示す状態とする。
との間に、エッチング速度の大きな選択比をもたせてあ
るため、第２の金属膜２のエッチングが進行して第１の
金属膜１の表面に到達すると、第１の金属膜１がエッチ
ングのストッパーとなる。したがって、第２の金属膜を
選択的にエッチングでき、図３（ｅ）に示す状態が安定
して得られる。最後に、フォトレジスト膜１６を剥離
し、図３（ｆ）に示す状態とする。
【００４５】第２の金属部１１２のエッチングには、ウ
ェットエッチング法を用いてもドライエッチング法を用
いてもよい。ただし、第２の金属部１１２のエッチング
にドライエッチング法を用いる場合、具体的には例え
ば、第２の金属部１１２をＣｒから構成し、エッチング
ガスとしてＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いる場合、第２
の金属部１１２のエッチングと同時にフォトレジスト膜
１６のアッシングが可能であり、図３（ｄ）に示す状態
から図３（ｆ）に示す状態が直接得られるので、製造工
程の短縮が可能である。
ェットエッチング法を用いてもドライエッチング法を用
いてもよい。ただし、第２の金属部１１２のエッチング
にドライエッチング法を用いる場合、具体的には例え
ば、第２の金属部１１２をＣｒから構成し、エッチング
ガスとしてＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いる場合、第２
の金属部１１２のエッチングと同時にフォトレジスト膜
１６のアッシングが可能であり、図３（ｄ）に示す状態
から図３（ｆ）に示す状態が直接得られるので、製造工
程の短縮が可能である。
【００４６】導体パターン 本発明は、すだれ状電極パターンである第１の導体パタ
ーンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２の導体
パターンとを備えた弾性表面波装置に適用される。
ーンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２の導体
パターンとを備えた弾性表面波装置に適用される。
【００４７】構成１の具体例として図１に示した製造工
程は、第２の導体パターンとしてボンディングパッドを
設ける場合のものであり、構成２の具体例および構成３
の具体例としてそれぞれ図２および図３に示した製造工
程は、第２の導体パターンとして第２のすだれ状電極を
設ける場合のものであるが、構成１〜３における第２の
導体パターンは、ボンディングパッドまたは第２のすだ
れ状電極のいずれであってもよい。また、第２の導体パ
ターンとしてボンディングパッドと第２のすだれ状電極
との両者を設ける場合にも本発明は適用可能である。
程は、第２の導体パターンとしてボンディングパッドを
設ける場合のものであり、構成２の具体例および構成３
の具体例としてそれぞれ図２および図３に示した製造工
程は、第２の導体パターンとして第２のすだれ状電極を
設ける場合のものであるが、構成１〜３における第２の
導体パターンは、ボンディングパッドまたは第２のすだ
れ状電極のいずれであってもよい。また、第２の導体パ
ターンとしてボンディングパッドと第２のすだれ状電極
との両者を設ける場合にも本発明は適用可能である。
【００４８】第１の金属膜、第２の金属膜および第３の
金属膜をそれぞれ構成する第１の金属、第２の金属およ
び第３の金属の好ましい組み合わせとしては、例えば、
第１の金属がＡｌ合金、第２の金属がＣｒ、第３の金属
がＡｌであるものが挙げられる。この組み合わせでは、
第１の金属と第２の金属との間、および第３の金属と第
２の金属との間にエッチング速度の大きな選択比が存在
し得るので、前述したようなエッチングストッパーとし
ての働きが十分に期待できる。また、微細なすだれ状電
極の少なくとも一部がＡｌ合金から構成されることにな
るため、耐電力性が向上する。また、ボンディングパッ
ド上部がＡｌ合金より軟らかいＡｌから構成されるの
で、ボンディングがしやすくなる。
金属膜をそれぞれ構成する第１の金属、第２の金属およ
び第３の金属の好ましい組み合わせとしては、例えば、
第１の金属がＡｌ合金、第２の金属がＣｒ、第３の金属
がＡｌであるものが挙げられる。この組み合わせでは、
第１の金属と第２の金属との間、および第３の金属と第
２の金属との間にエッチング速度の大きな選択比が存在
し得るので、前述したようなエッチングストッパーとし
ての働きが十分に期待できる。また、微細なすだれ状電
極の少なくとも一部がＡｌ合金から構成されることにな
るため、耐電力性が向上する。また、ボンディングパッ
ド上部がＡｌ合金より軟らかいＡｌから構成されるの
で、ボンディングがしやすくなる。
【００４９】上記組み合わせにおいて用いるＡｌ合金と
しては、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｗ合
金、Ａｌ−Ｔａ合金などが好ましい。
しては、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｗ合
金、Ａｌ−Ｔａ合金などが好ましい。
【００５０】また、この他の好ましい例としては、第１
の金属と第３の金属とを同じ材質、例えば両者ともＡｌ
またはＡｌ合金から構成する組み合わせが挙げられる。
この組み合わせでは、第１の金属膜形成工程と第３の金
属膜形成工程とにおいて、同一の装置、工程、ターゲッ
ト等が使用できるため、製造工程の単純化が図れる。な
お、この場合、第２の金属と第１の金属との間、および
第３の金属と第２の金属との間のエッチング速度の選択
比は、第２の金属の種類とエッチング手段とを適宜選択
することにより、十分に大きくすることができるので、
問題はない。この場合の第２の金属としては、例えばＣ
ｒを用いることが好ましい。
の金属と第３の金属とを同じ材質、例えば両者ともＡｌ
またはＡｌ合金から構成する組み合わせが挙げられる。
この組み合わせでは、第１の金属膜形成工程と第３の金
属膜形成工程とにおいて、同一の装置、工程、ターゲッ
ト等が使用できるため、製造工程の単純化が図れる。な
お、この場合、第２の金属と第１の金属との間、および
第３の金属と第２の金属との間のエッチング速度の選択
比は、第２の金属の種類とエッチング手段とを適宜選択
することにより、十分に大きくすることができるので、
問題はない。この場合の第２の金属としては、例えばＣ
ｒを用いることが好ましい。
【００５１】第１、第２、第３の各金属膜の厚さは特に
限定されず、第１の導体パターンおよび第２の導体パタ
ーンにそれぞれ必要とされる厚さに応じ、また、利用す
る製造方法を考慮して、適宜決定すればよい。
限定されず、第１の導体パターンおよび第２の導体パタ
ーンにそれぞれ必要とされる厚さに応じ、また、利用す
る製造方法を考慮して、適宜決定すればよい。
【００５２】圧電性基板 圧電性基板１０は、弾性表面波装置に使用可能な各種材
料、例えば、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、水晶、ランガ
サイト等の各種単結晶材料や、ＺｎＯ等の圧電薄膜、あ
るいはこれらを組み合わせたものなどのいずれを用いて
もよい。
料、例えば、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、水晶、ランガ
サイト等の各種単結晶材料や、ＺｎＯ等の圧電薄膜、あ
るいはこれらを組み合わせたものなどのいずれを用いて
もよい。
【００５３】
【実施例】図１に示す工程にしたがって、以下の条件で
弾性表面波装置を作製した。
弾性表面波装置を作製した。
【００５４】圧電性基板１０には、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）単結晶を用いた。この上に、図１
（ａ）に示す第１の金属膜１（厚さ０．１７μmのＡｌ
−０．５重量％Ｃｕ膜）を、スパッタ法により形成し
た。この第１の金属膜１を、フォトリソグラフィを利用
したエッチングにより加工して、図１（ｂ）に示すすだ
れ状電極１１とボンディングパッド下部（第１の金属部
１３１）とを形成した。
（ＬｉＮｂＯ3）単結晶を用いた。この上に、図１
（ａ）に示す第１の金属膜１（厚さ０．１７μmのＡｌ
−０．５重量％Ｃｕ膜）を、スパッタ法により形成し
た。この第１の金属膜１を、フォトリソグラフィを利用
したエッチングにより加工して、図１（ｂ）に示すすだ
れ状電極１１とボンディングパッド下部（第１の金属部
１３１）とを形成した。
【００５５】次に、図１（ｃ）に示すように、第２の金
属膜２（厚さ０．０５μmのＣｒ膜）と第３の金属膜３
（厚さ０．５μmのＡｌ膜）とを、真空蒸着法により順
次形成した。
属膜２（厚さ０．０５μmのＣｒ膜）と第３の金属膜３
（厚さ０．５μmのＡｌ膜）とを、真空蒸着法により順
次形成した。
【００５６】次いで、第３の金属膜３上にフォトレジス
ト膜を形成し、パターン露光と現像とを行って、図１
（ｄ）に示すように、第１の金属部１３１形成領域に相
当する領域だけがフォトレジスト膜１６で保護される構
成とした。
ト膜を形成し、パターン露光と現像とを行って、図１
（ｄ）に示すように、第１の金属部１３１形成領域に相
当する領域だけがフォトレジスト膜１６で保護される構
成とした。
【００５７】この状態で第３の金属膜３のエッチングを
行い、図１（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１６
の下に存在する領域だけを残して第３の金属膜３を除去
し、第３の金属部１３３を形成した。なお、第３の金属
膜のエッチングに際しては、硝酸、燐酸および酢酸を混
合したエッチング液によるウェットエッチングと、ＢＣ
ｌ3およびＣｌ2を混合したエッチングガスによるドライ
エッチングとの両方を試みた。この両方とも、第３の金
属膜３のエッチングが進行し、第２の金属膜２に到達す
ると、第２の金属膜２がエッチングのストッパーとなっ
て、エッチングが進行しなくなることが確認できた。
行い、図１（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１６
の下に存在する領域だけを残して第３の金属膜３を除去
し、第３の金属部１３３を形成した。なお、第３の金属
膜のエッチングに際しては、硝酸、燐酸および酢酸を混
合したエッチング液によるウェットエッチングと、ＢＣ
ｌ3およびＣｌ2を混合したエッチングガスによるドライ
エッチングとの両方を試みた。この両方とも、第３の金
属膜３のエッチングが進行し、第２の金属膜２に到達す
ると、第２の金属膜２がエッチングのストッパーとなっ
て、エッチングが進行しなくなることが確認できた。
【００５８】次に、第２の金属膜２のエッチングによる
除去を行った。この場合もウェットエッチング、ドライ
エッチングの両方を検討した。ウェットエッチング液に
は、硝酸第二セリウムアンモニウム、硝酸および水から
なる混合液を用いた。この場合、第２の金属膜２のエッ
チングが進行してすだれ状電極１１に到達すると、それ
以上エッチングが進行しないことを確認できた。このこ
とから、すだれ状電極１１にダメージを与えることな
く、ボンディングパッド１３の嵩上げが可能なことが確
認できた。一方、ドライエッチングによる方法では、基
板バイアス機構を備えたアッシング装置にＣＦ4とＯ2と
の混合ガスを導入して、ボンディングパッド嵩上げ部の
フォトレジスト膜１６のアッシングと、第２の金属膜２
の除去とを同時に行うことを試みた。その結果、フォト
レジスト膜１６のアッシングは、その直下の第３の金属
部１３３が露出した時点で停止し、一方、第２の金属膜
２の除去は、第２の金属膜２の下のすだれ状電極１１が
露出した時点で停止した。したがって、すだれ状電極１
１へのダメージを与えず、第２の金属膜２だけを除去で
きた。すなわち、一回のドライエッチングだけで、図１
（ｅ）の状態から図１（ｇ）の状態へ移行させることが
でき、弾性表面波装置の製造工程の短縮が可能であるこ
とが確認できた。
除去を行った。この場合もウェットエッチング、ドライ
エッチングの両方を検討した。ウェットエッチング液に
は、硝酸第二セリウムアンモニウム、硝酸および水から
なる混合液を用いた。この場合、第２の金属膜２のエッ
チングが進行してすだれ状電極１１に到達すると、それ
以上エッチングが進行しないことを確認できた。このこ
とから、すだれ状電極１１にダメージを与えることな
く、ボンディングパッド１３の嵩上げが可能なことが確
認できた。一方、ドライエッチングによる方法では、基
板バイアス機構を備えたアッシング装置にＣＦ4とＯ2と
の混合ガスを導入して、ボンディングパッド嵩上げ部の
フォトレジスト膜１６のアッシングと、第２の金属膜２
の除去とを同時に行うことを試みた。その結果、フォト
レジスト膜１６のアッシングは、その直下の第３の金属
部１３３が露出した時点で停止し、一方、第２の金属膜
２の除去は、第２の金属膜２の下のすだれ状電極１１が
露出した時点で停止した。したがって、すだれ状電極１
１へのダメージを与えず、第２の金属膜２だけを除去で
きた。すなわち、一回のドライエッチングだけで、図１
（ｅ）の状態から図１（ｇ）の状態へ移行させることが
でき、弾性表面波装置の製造工程の短縮が可能であるこ
とが確認できた。
【００５９】なお、第２の金属膜２のエッチングをウェ
ットプロセスで行う方法では、ボンディングパッド上に
残っていたフォトレジスト膜１６を、レジスト剥離液に
より剥離することにより、図１（ｇ）に示す状態とし
た。
ットプロセスで行う方法では、ボンディングパッド上に
残っていたフォトレジスト膜１６を、レジスト剥離液に
より剥離することにより、図１（ｇ）に示す状態とし
た。
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の弾性表面波装置の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の弾性表面波装置の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の弾性表面波装置の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、従来のリフトオフ法による
弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、従来の他の手段による弾性
表面波装置の製造工程を示す断面図である。
表面波装置の製造工程を示す断面図である。
１ 第１の金属膜 ２ 第２の金属膜 ３ 第３の金属膜 １０ 圧電性基板 １１ すだれ状電極 １１１ 第１の金属部 １１２ 第２の金属部 １１３ 第３の金属部 １２ 第２のすだれ状電極 １２１ 第１の金属部 １２２ 第２の金属部 １２３ 第３の金属部 １３ ボンディングパッド １３１ 第１の金属部 １３２ 第２の金属部 １３３ 第３の金属部 １６ フォトレジスト膜 ２１ すだれ状電極形成用金属膜
Claims (11)
- 【請求項１】 圧電性基板上に、すだれ状電極パターン
である第１の導体パターンと、この第１の導体パターン
よりも厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装
置を製造する方法であって、 前記圧電性基板上に第１の金属膜を形成する工程と、 前記第１の金属膜をエッチングすることにより、前記第
１の導体パターンと、前記第２の導体パターンの下部と
を形成する工程と、 前記第１の導体パターンと、前記第２の導体パターンの
下部とが存在する前記圧電性基板上に、第２の金属膜を
形成する工程と、 前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成する工程と、 前記第３の金属膜を選択的にエッチングすることによ
り、前記第２の導体パターンの上部を形成する工程と、 前記第２の金属膜を選択的にエッチングすることによ
り、前記第２の導体パターンの中間部を形成すると共に
前記第１の導体パターンを露出させる工程とを含む弾性
表面波装置の製造方法。 - 【請求項２】 圧電性基板上に、すだれ状電極パターン
である第１の導体パターンと、この第１の導体パターン
よりも厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装
置を製造する方法であって、 前記圧電性基板上に第１の金属膜を形成する工程と、 前記第１の金属膜をエッチングすることにより、前記第
１の導体パターンを形成する工程と、 前記第１の導体パターンが存在する前記圧電性基板上に
第２の金属膜を形成する工程と、 前記第２の金属膜上に第３の金属膜を形成する工程と、 前記第３の金属膜を選択的にエッチングすることによ
り、前記第２の導体パターンの上部を形成する工程と、 前記第２の金属膜を選択的にエッチングすることによ
り、前記第２の導体パターンの下部を形成すると共に前
記第１の導体パターンを露出させる工程とを含む弾性表
面波装置の製造方法。 - 【請求項３】 すだれ状電極パターンである第１の導体
パターンと、この第１の導体パターンよりも厚い第２の
導体パターンとを備えた弾性表面波装置を製造する方法
であって、 前記圧電性基板上に、第１の金属膜と第２の金属膜と第
３の金属膜とがこの順で積層された金属膜積層体を形成
する工程と、 前記金属膜積層体をエッチングすることにより、２つの
導体パターンを形成する工程と、 前記２つの導体パターンの一方をレジスト膜により保護
した後、他方の導体パターンの上部を構成する前記第３
の金属膜を選択的にエッチングして除去することによ
り、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターン
とを得る導体パターン形成工程とを含む弾性表面波装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記導体パターン形成工程において、前
記他方の導体パターンの上部および中間部をそれぞれ構
成する前記第３の金属膜および前記第２の金属膜を選択
的にエッチングして除去する請求項３の弾性表面波装置
の製造方法。 - 【請求項５】 前記第２の導体パターンがすだれ状電極
パターンおよび／またはボンディングパッドである請求
項１〜４のいずれかの弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記第３の金属膜のエッチングおよび／
または前記第２の金属膜のエッチングを、ドライエッチ
ング法により行う請求項１〜５のいずれかの弾性表面波
装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の金属膜がＡｌまたはＡｌ合金
から構成され、前記第２の金属膜がＣｒから構成され、
前記第３の金属膜がＡｌまたはＡｌ合金から構成される
請求項１〜６のいずれかの弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の金属膜と前記第３の金属膜と
が同一の材質から構成される請求項１〜７のいずれかの
弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項９】 圧電性基板上に、すだれ状電極である第
１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも厚
い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であっ
て、 前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成され、
前記第２の導体パターンが、前記第１の金属からなる下
部と、第２の金属からなる中間部と、第３の金属からな
る上部とから構成され、前記第２の金属と前記第３の金
属との間および前記第１の金属と前記第２の金属との間
に、エッチング速度の選択比が存在する弾性表面波装
置。 - 【請求項１０】 圧電性基板上に、すだれ状電極である
第１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも
厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であ
って、 前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成され、
前記第２の導体パターンが、第２の金属からなる下部
と、第３の金属からなる上部とから構成され、前記第２
の金属と前記第３の金属との間および前記第１の金属と
前記第２の金属との間に、エッチング速度の選択比が存
在する弾性表面波装置。 - 【請求項１１】 圧電性基板上に、すだれ状電極である
第１の導体パターンと、この第１の導体パターンよりも
厚い第２の導体パターンとを備えた弾性表面波装置であ
って、 前記第１の導体パターンが、第１の金属から構成される
か、第１の金属からなる下部と、第２の金属からなる上
部とから構成され、前記第２の導体パターンが、前記第
１の金属からなる下部と、前記第２の金属からなる中間
部と、第３の金属からなる上部とから構成され、前記第
２の金属と前記第３の金属との間および前記第１の金属
と前記第２の金属との間に、エッチング速度の選択比が
存在する弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17643697A JP3172124B2 (ja) | 1996-06-24 | 1997-06-17 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16258696 | 1996-06-24 | ||
| JP8-162586 | 1996-06-24 | ||
| JP17643697A JP3172124B2 (ja) | 1996-06-24 | 1997-06-17 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093369A true JPH1093369A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3172124B2 JP3172124B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=26488331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17643697A Expired - Fee Related JP3172124B2 (ja) | 1996-06-24 | 1997-06-17 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172124B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2805546A1 (fr) * | 2000-01-13 | 2001-08-31 | Murata Manufacturing Co | Procede de fabrication d'un substrat de langasite, substrat monocristallin et dispositif piezoelectrique |
| WO2003005577A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production de dispositifs de traitement des ondes acoustiques de surface |
| US7095299B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-08-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Fabrication method of multiple band surface acoustic wave devices |
| JP2011009882A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスの製造方法 |
| JP2017228841A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 弾性表面波変換器、弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3764450B2 (ja) | 2003-07-28 | 2006-04-05 | Ｔｄｋ株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP17643697A patent/JP3172124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2805546A1 (fr) * | 2000-01-13 | 2001-08-31 | Murata Manufacturing Co | Procede de fabrication d'un substrat de langasite, substrat monocristallin et dispositif piezoelectrique |
| US6525447B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-02-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a langasite single crystal substrate, a langasite single crystal substrate, and a piezoelectric device |
| WO2003005577A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production de dispositifs de traitement des ondes acoustiques de surface |
| EP1414149A1 (en) * | 2001-07-02 | 2004-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US6855637B2 (en) | 2001-07-02 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
| EP1414149B1 (en) * | 2001-07-02 | 2011-10-19 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US7095299B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-08-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Fabrication method of multiple band surface acoustic wave devices |
| JP2011009882A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスの製造方法 |
| JP2017228841A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 弾性表面波変換器、弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3172124B2 (ja) | 2001-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3515131B2 (ja) | 弾性表面波素子およびその製造方法 | |
| JP4451587B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| US7479852B2 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device | |
| JP4008264B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP3317274B2 (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP3703437B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP3368885B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP2002344270A (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP2002359534A (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP2002359539A (ja) | 共振器の製造方法及び共振器 | |
| JP2002261560A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| US7665196B2 (en) | Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device | |
| US8477483B2 (en) | Electronic component and method for manufacturing electronic component | |
| JP5275153B2 (ja) | 弾性波デバイスの製造方法 | |
| US7205700B2 (en) | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device | |
| JP3172124B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JP2007201772A (ja) | 弾性波素子の製造方法、電子機器の製造方法、マスクおよびマスクの製造方法 | |
| JP5200727B2 (ja) | 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置 | |
| JP4731026B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP4311249B2 (ja) | 弾性波装置の製造方法 | |
| JP3480626B2 (ja) | 弾性表面波素子の電極形成方法 | |
| JPH11312942A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JPH10190389A (ja) | Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 | |
| JP2000059165A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JPS6141445B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001114 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010220 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090323 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |