JPH0339340B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0339340B2 JPH0339340B2 JP20301084A JP20301084A JPH0339340B2 JP H0339340 B2 JPH0339340 B2 JP H0339340B2 JP 20301084 A JP20301084 A JP 20301084A JP 20301084 A JP20301084 A JP 20301084A JP H0339340 B2 JPH0339340 B2 JP H0339340B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- layer
- stamper
- nickel layer
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光デイスク製造に用いるスタンパの製
造方法に係り、特に光デイスクとなる樹脂との離
型性に優れたスタンパ製造方法に関する。 従来の技術 従来、光デイスク製造に用いるスタンパの製造
方法は、例えばガラス基板上にポジ型フオトレジ
ストを塗布した後、レーザ光等を用いて該レジス
トを露光し、次に該露光部を現像し該レジストに
ピツト又はグループ等の凹部を形成し、次に例え
ばニツケル等を蒸着又はスパツタリング法等で該
レジストの全露出面に被着させ、更に該ニツケル
被着層を電極となしてニツケルメツキ層を該ニツ
ケル被着層上に形成し、次にニツケル部と該レジ
ストをガラス基板から剥離し、次に、有機溶剤等
で該レジストを除去することによつて行なわれ、
ニツケル被着層とニツケルメツキ層とからなるス
タンパが製造されることがよく知られている。 上記のように製造されたニツケル被着層とニツ
ケルメツキ層とからなるスタンパは光デイスクと
なるアクリル樹脂円板表面に該ニツケル被着層
（電極層）の凹凸パターン表面を押しつけ、スタ
ンプすることによつて該アクリル樹脂面に情報パ
ターンを形成していた。 発明が解決しようとする問題点 上記従来のスタンパは情報面となるニツケル被
着層表面とアクリル樹脂との離型性が悪く、スタ
ンピング完了後の、アクリル樹脂表面に成形した
パターン形状に“だれ”等の欠陥が生じる。 問題点を解決するための手段 上記問題は本発明によれば、基板上にフオトレ
ジストを塗布し、該フオトレジストを所定の形状
にパターンニングし、全露出面に第１のニツケル
層を形成し、更に該第１のニツケル層上に第２の
ニツケル層を形成した後、前記基板とレジストと
を除去してスタンパを製造する方法において；前
記基板とレジストを除去した後、前記第１のニツ
ケル層表面に窒素プラズマ処理を施すことを特徴
とするスタンパ製造方法によつて解決される。 実施例 以下本発明の方法の実施例を図面に基づいて説
明する。 第１Ａ図から第１Ｅ図迄は本発明の方法を説明
するための工程断面図で、特に第１Ｃ図から第１
Ｅ図迄は拡大断面図である。 第１Ａ図に示すように約６mmの厚さを有する円
板状のガラス基板１上にポジ型のフオトレジスト
２を約1000Åの厚さに塗布する。 次に第１Ｂ図に示すように、該フオトレジスト
２にアルゴンレーザ光３を照射し所定のパターン
を得るため露光する。 次に拡大された第１Ｃ図に示すようにフオトレ
ジスト２を現像して凹部４を有する所定のレジス
トパターンを形成する。 次に第１Ｄ図に示すように、パターン化された
フオトレジスト２及びガラス基板１の全表面にニ
ツケルを蒸着により被着し、400Åの厚さを有す
る第１のニツケル層５を形成した。 次にに該ニツケル層５を電極として、ニツケル
層５上に300μｍの厚さを有するニツケルメツキ
を施し、第２のニツケル層６を形成した。 次に第１Ｅ図に示すようにガラス基板１を剥離
しフオトレジスト２を溶解除去し、第１のニツケ
ル層５と第２のニツケル層６からなるスタンパ７
を形成した。更に本スタンパ７の第１のニツケル
層表面を窒素（N2）圧力×３×10-2Torr、高周
波パワー500Wで20分間プラズマ処理した。 処理したスタンパ上にアクリル樹脂を約20μｍ
コートし、アクリル膜を形成し、乾燥後ゴバン目
試験により離型性を評価した。スタンプ後、得ら
れたアクリル膜８を第２図に示す。 このプラズマ処理を比較のために、上記N2の
他にCF4及びO2について施したスタンパについて
も、本発明と同様の離型性の評価を行なつた。 その結果を第１表に示す。
造方法に係り、特に光デイスクとなる樹脂との離
型性に優れたスタンパ製造方法に関する。 従来の技術 従来、光デイスク製造に用いるスタンパの製造
方法は、例えばガラス基板上にポジ型フオトレジ
ストを塗布した後、レーザ光等を用いて該レジス
トを露光し、次に該露光部を現像し該レジストに
ピツト又はグループ等の凹部を形成し、次に例え
ばニツケル等を蒸着又はスパツタリング法等で該
レジストの全露出面に被着させ、更に該ニツケル
被着層を電極となしてニツケルメツキ層を該ニツ
ケル被着層上に形成し、次にニツケル部と該レジ
ストをガラス基板から剥離し、次に、有機溶剤等
で該レジストを除去することによつて行なわれ、
ニツケル被着層とニツケルメツキ層とからなるス
タンパが製造されることがよく知られている。 上記のように製造されたニツケル被着層とニツ
ケルメツキ層とからなるスタンパは光デイスクと
なるアクリル樹脂円板表面に該ニツケル被着層
（電極層）の凹凸パターン表面を押しつけ、スタ
ンプすることによつて該アクリル樹脂面に情報パ
ターンを形成していた。 発明が解決しようとする問題点 上記従来のスタンパは情報面となるニツケル被
着層表面とアクリル樹脂との離型性が悪く、スタ
ンピング完了後の、アクリル樹脂表面に成形した
パターン形状に“だれ”等の欠陥が生じる。 問題点を解決するための手段 上記問題は本発明によれば、基板上にフオトレ
ジストを塗布し、該フオトレジストを所定の形状
にパターンニングし、全露出面に第１のニツケル
層を形成し、更に該第１のニツケル層上に第２の
ニツケル層を形成した後、前記基板とレジストと
を除去してスタンパを製造する方法において；前
記基板とレジストを除去した後、前記第１のニツ
ケル層表面に窒素プラズマ処理を施すことを特徴
とするスタンパ製造方法によつて解決される。 実施例 以下本発明の方法の実施例を図面に基づいて説
明する。 第１Ａ図から第１Ｅ図迄は本発明の方法を説明
するための工程断面図で、特に第１Ｃ図から第１
Ｅ図迄は拡大断面図である。 第１Ａ図に示すように約６mmの厚さを有する円
板状のガラス基板１上にポジ型のフオトレジスト
２を約1000Åの厚さに塗布する。 次に第１Ｂ図に示すように、該フオトレジスト
２にアルゴンレーザ光３を照射し所定のパターン
を得るため露光する。 次に拡大された第１Ｃ図に示すようにフオトレ
ジスト２を現像して凹部４を有する所定のレジス
トパターンを形成する。 次に第１Ｄ図に示すように、パターン化された
フオトレジスト２及びガラス基板１の全表面にニ
ツケルを蒸着により被着し、400Åの厚さを有す
る第１のニツケル層５を形成した。 次にに該ニツケル層５を電極として、ニツケル
層５上に300μｍの厚さを有するニツケルメツキ
を施し、第２のニツケル層６を形成した。 次に第１Ｅ図に示すようにガラス基板１を剥離
しフオトレジスト２を溶解除去し、第１のニツケ
ル層５と第２のニツケル層６からなるスタンパ７
を形成した。更に本スタンパ７の第１のニツケル
層表面を窒素（N2）圧力×３×10-2Torr、高周
波パワー500Wで20分間プラズマ処理した。 処理したスタンパ上にアクリル樹脂を約20μｍ
コートし、アクリル膜を形成し、乾燥後ゴバン目
試験により離型性を評価した。スタンプ後、得ら
れたアクリル膜８を第２図に示す。 このプラズマ処理を比較のために、上記N2の
他にCF4及びO2について施したスタンパについて
も、本発明と同様の離型性の評価を行なつた。 その結果を第１表に示す。
【表】
上記第１表では１mm角10×10のゴバン目描画に
より剥離せずに残つたアクリル膜のます目の割合
と、その割合から判定した離型性の良、不良を示
した。無処理のものと比べてN2、CF4では離型性
が向上し、O2では逆に悪化する。ただしCF4は、
腐食によると思われる欠陥が発生しやすいため、
不適当である。 なお、オージエ分光法により分析した結果、ス
タンパ表面層には各処理ガスに対応するニツケル
化合物（窒化、フツ化、酸化物）が形成されてい
ることが確認された。 発明の効果 以上説明したように本発明によれば、情報面が
ニツケルからなるスタンパを窒素ガスプラズマで
処理することにより離型性を向上させることがで
きるので、樹脂成形による情報の転写忠実性向上
に効果がある。
より剥離せずに残つたアクリル膜のます目の割合
と、その割合から判定した離型性の良、不良を示
した。無処理のものと比べてN2、CF4では離型性
が向上し、O2では逆に悪化する。ただしCF4は、
腐食によると思われる欠陥が発生しやすいため、
不適当である。 なお、オージエ分光法により分析した結果、ス
タンパ表面層には各処理ガスに対応するニツケル
化合物（窒化、フツ化、酸化物）が形成されてい
ることが確認された。 発明の効果 以上説明したように本発明によれば、情報面が
ニツケルからなるスタンパを窒素ガスプラズマで
処理することにより離型性を向上させることがで
きるので、樹脂成形による情報の転写忠実性向上
に効果がある。
第１Ａ図から第１Ｅ図迄は本発明の方法を説明
するための工程断面図で、特に第１Ｃ図から第１
Ｅ図迄は拡大断面図であり、第２図は本発明に係
るスタンプ後のアクリル膜を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……フオトレジスト、３
……アルゴンレーザ光、４……凹部、５……第１
のニツケル層、６……第２のニツケル層、７……
スタンパ、８……アクリル膜。
するための工程断面図で、特に第１Ｃ図から第１
Ｅ図迄は拡大断面図であり、第２図は本発明に係
るスタンプ後のアクリル膜を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……フオトレジスト、３
……アルゴンレーザ光、４……凹部、５……第１
のニツケル層、６……第２のニツケル層、７……
スタンパ、８……アクリル膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にフオトレジストを塗布し、該フオト
レジストを所定の形状にパターニングし、全露出
面に第１のニツケル層を形成し、更に該第１のニ
ツケル層上に第２のニツケル層を形成した後、前
記基板とレジストとを除去してスタンパを製造す
る方法において； 前記基板とレジストを除去した後、前記第１の
ニツケル層表面に窒素プラズマ処理を施すことを
特徴とするスタンパ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20301084A JPS6182346A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スタンパ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20301084A JPS6182346A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スタンパ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182346A JPS6182346A (ja) | 1986-04-25 |
| JPH0339340B2 true JPH0339340B2 (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=16466838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20301084A Granted JPS6182346A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スタンパ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182346A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2753388B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1998-05-20 | 株式会社日立製作所 | スタンパの製造方法 |
| TWI258142B (en) * | 2002-01-08 | 2006-07-11 | Tdk Corp | Manufacturing method of stamper for manufacturing data medium, the stamper, and the stamper spacer with template |
| US8472020B2 (en) * | 2005-02-15 | 2013-06-25 | Cinram Group, Inc. | Process for enhancing dye polymer recording yields by pre-scanning coated substrate for defects |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP20301084A patent/JPS6182346A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6182346A (ja) | 1986-04-25 |
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