JPS6182346A - スタンパ製造方法 - Google Patents
スタンパ製造方法Info
- Publication number
- JPS6182346A JPS6182346A JP20301084A JP20301084A JPS6182346A JP S6182346 A JPS6182346 A JP S6182346A JP 20301084 A JP20301084 A JP 20301084A JP 20301084 A JP20301084 A JP 20301084A JP S6182346 A JPS6182346 A JP S6182346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- stamper
- photoresist
- thickness
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光デイスク製造に用いるスタンパの製造方法に
係り、特に光ディスク、となる樹脂との離型性に優れた
スタンパ製造方法に関する。
係り、特に光ディスク、となる樹脂との離型性に優れた
スタンパ製造方法に関する。
従来の技術
従来、光デイスク製造に用いるスタンパの製造方法は、
例えばガラス基板上にポジ型フォトレジストを塗布した
後、レーザ光等を用いて該レジストを露光し、次に該露
光部を現像し該レジストにビット又はグループ等の凹部
を形成し、次に例えばニッケル等を蒸着又はスパッタリ
ング法等で該レジストの全露出面に被着させ、更に該ニ
ッケル被着層を電極となしてニッケルメッキ層を該ニッ
ケル被着層上に形成し、次にニッケル部と該レジストを
ガラス基板から剥離し、次に、有機溶剤等で該レジスト
を除去することによって行なわれ、ニッケル被着層とニ
ッケルメッキ層とからなるスタンパが製造されることが
よく知られている。
例えばガラス基板上にポジ型フォトレジストを塗布した
後、レーザ光等を用いて該レジストを露光し、次に該露
光部を現像し該レジストにビット又はグループ等の凹部
を形成し、次に例えばニッケル等を蒸着又はスパッタリ
ング法等で該レジストの全露出面に被着させ、更に該ニ
ッケル被着層を電極となしてニッケルメッキ層を該ニッ
ケル被着層上に形成し、次にニッケル部と該レジストを
ガラス基板から剥離し、次に、有機溶剤等で該レジスト
を除去することによって行なわれ、ニッケル被着層とニ
ッケルメッキ層とからなるスタンパが製造されることが
よく知られている。
上記のように製造されたニッケル被着層とニッケルメッ
キ層とからなるスタンパは光ディスクとなるアクリル樹
脂円板表面に該ニッケル被着層（電極層）の凹凸パター
ン表面を押しつけ、スタンプすることによって該アクリ
ル樹脂面に情報パターンを形成していた。
キ層とからなるスタンパは光ディスクとなるアクリル樹
脂円板表面に該ニッケル被着層（電極層）の凹凸パター
ン表面を押しつけ、スタンプすることによって該アクリ
ル樹脂面に情報パターンを形成していた。
発明が解決しようとする問題点
上記従来のスタンパは情報面となるニッケル被着層表面
とアクリル樹脂との！’ｉｌ［型性が悪く、スクンピン
グ完了後の、アクリル樹脂表面に成形したパターン形状
に“だれ”等の欠陥が生じる。
とアクリル樹脂との！’ｉｌ［型性が悪く、スクンピン
グ完了後の、アクリル樹脂表面に成形したパターン形状
に“だれ”等の欠陥が生じる。
問題点を解決するための手段
」二重問題は本発明によれは、基板上にフォトレジスト
にパクーニングし、全露出面に第１のニッケル層を形成
し、更に該第１のニッケル層」−に第２のニッケル層を
形成した後、前記基板とレジスＩ・とを除去してスタン
パを製造する方法において；前記基板とレジス１−を除
去した後、前記第１のニッケル層表面に窒素プラズマ処
理を施すことを特徴とするスタンパ製造方法によってＩ
Ｗ決される。
し、更に該第１のニッケル層」−に第２のニッケル層を
形成した後、前記基板とレジスＩ・とを除去してスタン
パを製造する方法において；前記基板とレジス１−を除
去した後、前記第１のニッケル層表面に窒素プラズマ処
理を施すことを特徴とするスタンパ製造方法によってＩ
Ｗ決される。
実施例
以下本発明の方法の実施例を図面に基づいて説明する。
第１Ａ図から第１Ｅ図迄は本発明の詳細な説明するため
の工程断面図で、特に第１Ｃ図から第１Ｅ図迄は拡大断
面図である。
の工程断面図で、特に第１Ｃ図から第１Ｅ図迄は拡大断
面図である。
第１Ａ図に示すように約６龍の厚さを有する円板状のガ
ラス基Ｆｊ．１上にポジ型のフォトレジスト２を約１０
００人の厚さに塗布する。
ラス基Ｆｊ．１上にポジ型のフォトレジスト２を約１０
００人の厚さに塗布する。
次□に第１Ｂ図に示すように、該フォトレジスト２にア
ルゴンレーザ光３を照射し所定のパターンを得るため露
光する。
ルゴンレーザ光３を照射し所定のパターンを得るため露
光する。
次に拡大された第１Ｃ図に示すようにフォトレジスト２
を現像して凹部４を有する所定のレジストパターンを形
成する。
を現像して凹部４を有する所定のレジストパターンを形
成する。
次に第１Ｄ図に示すように、パターン化されたフォトレ
ジスト２及びガラス基板１の全表面にニッケルを蒸着に
より被着し、４００人の厚さを有する第１のニッケル層
５を形成した。
ジスト２及びガラス基板１の全表面にニッケルを蒸着に
より被着し、４００人の厚さを有する第１のニッケル層
５を形成した。
次にに該ニッケル層５を電極として、ニッケルＮ５上に
３００μｍの厚さを有するニッケルメッキを施し、第２
のニッケル層６を形成した。
３００μｍの厚さを有するニッケルメッキを施し、第２
のニッケル層６を形成した。
次に第１Ｅ図に示すようにガラス基板１を剥離しフォト
レジスト２を溶解除去し、第１のニッケル層５と第２の
ニッケル層６からなるスタンパ７を形成した。更に本ス
タンパ７の第１のニッケルパワー５００讐て２０分間プ
プラズマ理した。
レジスト２を溶解除去し、第１のニッケル層５と第２の
ニッケル層６からなるスタンパ７を形成した。更に本ス
タンパ７の第１のニッケルパワー５００讐て２０分間プ
プラズマ理した。
処理したスタンパ上にアクリル樹脂を約２０μｍコート
し、アクリル膜を形成し、乾燥後ゴバン目試験により離
型性を評価した。スタンプ後、肖られたアクリル１ｍ８
を第２図に示す。
し、アクリル膜を形成し、乾燥後ゴバン目試験により離
型性を評価した。スタンプ後、肖られたアクリル１ｍ８
を第２図に示す。
このプラズマ処理を比較のために、上記Ｎ２の他にＣＦ
４及び０２について施したスタンパについても、本発明
と同様の離型性の評価を行なった。
４及び０２について施したスタンパについても、本発明
と同様の離型性の評価を行なった。
その結果を第１表に示す。
第１表
上記第１表では１韮角１０ Ｘ １０のゴバン目描画に
より剥離せずに残ったアクリル膜のます目の割合と、そ
の割合から判定した離型性の良，不良を示した。無処理
のものと比べてＮ２，ＣＦ４では離型性が向上し、０２
では逆に悪化する。ただしＣＦ４は、腐食によると思わ
れる欠陥が発生しやすいため、不適当である。
より剥離せずに残ったアクリル膜のます目の割合と、そ
の割合から判定した離型性の良，不良を示した。無処理
のものと比べてＮ２，ＣＦ４では離型性が向上し、０２
では逆に悪化する。ただしＣＦ４は、腐食によると思わ
れる欠陥が発生しやすいため、不適当である。
なお、オージェ分光法により分析した結果、スタンパ表
面層には各処理ガスに対応するニッケル化合物（窒化，
フッ化，酸化物）が形成されていることが確認された。
面層には各処理ガスに対応するニッケル化合物（窒化，
フッ化，酸化物）が形成されていることが確認された。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、情報面がニッケルか
らなるスタンパを窒素ガスプラズマで処理することによ
り離型性を向上させることができるので、樹脂成形によ
る情報の転写忠実性向上に効果がある。
らなるスタンパを窒素ガスプラズマで処理することによ
り離型性を向上させることができるので、樹脂成形によ
る情報の転写忠実性向上に効果がある。
第１Ａ図から第１Ｅ図迄は本発明の詳細な説明するため
の工程断面図で、特に第１ｃ図から第１Ｅ図迄は拡大断
面図であり、第２図は本発明に係るスタンプ後のアクリ
ル膜を示す断面図である。 ■・・・ガラス基板、 ２・・・フォトレジス
ト、３・・・アルコンレーザ光、 ４・・・凹部、５・
・・第１のニッケル層、 ６・・・第２のニッケル層、 ７・・・スクンパ、８
・・・アクリル膜。
の工程断面図で、特に第１ｃ図から第１Ｅ図迄は拡大断
面図であり、第２図は本発明に係るスタンプ後のアクリ
ル膜を示す断面図である。 ■・・・ガラス基板、 ２・・・フォトレジス
ト、３・・・アルコンレーザ光、 ４・・・凹部、５・
・・第１のニッケル層、 ６・・・第２のニッケル層、 ７・・・スクンパ、８
・・・アクリル膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にフォトレジストを塗布し、該フォトレジス
トを所定の形状にパターニングし、全露出面に第１のニ
ッケル層を形成し、更に該第１のニッケル層上に第２の
ニッケル層を形成した後、前記基板とレジストとを除去
してスタンパを製造する方法において； 前記基板とレジストを除去した後、前記第１のニッケル
層表面に窒素プラズマ処理を施すことを特徴とするスタ
ンパ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20301084A JPS6182346A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スタンパ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20301084A JPS6182346A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スタンパ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182346A true JPS6182346A (ja) | 1986-04-25 |
| JPH0339340B2 JPH0339340B2 (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=16466838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20301084A Granted JPS6182346A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | スタンパ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182346A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04195833A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-15 | Hitachi Ltd | スタンパの製造方法 |
| WO2003058616A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de production d'une matrice de pressage destinee la production d'un support de donnees, matrice de donnees et matrice de pressage intermediaire dotee d'un disque maitre |
| US8472020B2 (en) * | 2005-02-15 | 2013-06-25 | Cinram Group, Inc. | Process for enhancing dye polymer recording yields by pre-scanning coated substrate for defects |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP20301084A patent/JPS6182346A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04195833A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-15 | Hitachi Ltd | スタンパの製造方法 |
| WO2003058616A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de production d'une matrice de pressage destinee la production d'un support de donnees, matrice de donnees et matrice de pressage intermediaire dotee d'un disque maitre |
| US8472020B2 (en) * | 2005-02-15 | 2013-06-25 | Cinram Group, Inc. | Process for enhancing dye polymer recording yields by pre-scanning coated substrate for defects |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339340B2 (ja) | 1991-06-13 |
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