JPS61275839A - フオトレジスト膜の形成方法 - Google Patents
フオトレジスト膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS61275839A JPS61275839A JP11794485A JP11794485A JPS61275839A JP S61275839 A JPS61275839 A JP S61275839A JP 11794485 A JP11794485 A JP 11794485A JP 11794485 A JP11794485 A JP 11794485A JP S61275839 A JPS61275839 A JP S61275839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass substrate
- photoresist film
- hexamethyldisilazane
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/74—Applying photosensitive compositions to the base; Drying processes therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光デイスク用スタンパ作成工程等におけるフ
ォトレジスト膜の形成方法に関する。
ォトレジスト膜の形成方法に関する。
従来技術
一般に、光デイスク用スタンパ形成工程等においては、
光により凹凸状の信号記録層を形成するため、ガラス基
板にフォトレジスト膜を塗布することになる。この際、
フォトレジスト膜をガラス基板上に直接塗布すると、両
者間の密着力が弱いため、現像時や電鋳のためのＮｊメ
ッキ液浸漬時にその層間で剥離が生じ易い。
光により凹凸状の信号記録層を形成するため、ガラス基
板にフォトレジスト膜を塗布することになる。この際、
フォトレジスト膜をガラス基板上に直接塗布すると、両
者間の密着力が弱いため、現像時や電鋳のためのＮｊメ
ッキ液浸漬時にその層間で剥離が生じ易い。
そこで、従来は、ガラス基板上にＣｒ、Ｔｉ等の金属薄
膜を蒸着法、スパッタリング法等により形成した後、こ
の金属薄膜上にフォトレジスト膜を塗布形成するように
したものがある。しかし、この方法の場合、真空引き処
理等を必要として工程が複雑になり、ガラス基板の再利
用、つまり再研磨がしにくいものである。又、エリプソ
メータでフォトレジスト膜の膜厚を測定する場合、ガラ
ス基板上の金属薄膜の光学定数のばらつきが問題となる
。
膜を蒸着法、スパッタリング法等により形成した後、こ
の金属薄膜上にフォトレジスト膜を塗布形成するように
したものがある。しかし、この方法の場合、真空引き処
理等を必要として工程が複雑になり、ガラス基板の再利
用、つまり再研磨がしにくいものである。又、エリプソ
メータでフォトレジスト膜の膜厚を測定する場合、ガラ
ス基板上の金属薄膜の光学定数のばらつきが問題となる
。
しかして、このような金属薄膜に代えて、密着増強剤と
してヘキサメチルジシラザン膜をガラス基板上に塗布形
成し、このヘキサメチルジシラザン膜上にフォトレジス
ト膜を塗布形成するようにしたものがある。このヘキサ
メチルジシラザン膜の存在によりガラス基板・フォトレ
ジスト膜間の密着力がかなり向上するものであるが、こ
れでも密着力が未だ不充分である。この結果、レーザー
露光されたフオｉ〜レジスｌ〜膜を現像したり、フ第１
−レジスｌ〜膜−ににスパッタリング法等によって電鋳
用の金属薄膜を付与した後電鋳液に浸漬する時に、フ第
１〜レジス１〜膜の剥離が生ずることがあり、歩留りが
ある一定しベル以」ユは向上していないものである。
してヘキサメチルジシラザン膜をガラス基板上に塗布形
成し、このヘキサメチルジシラザン膜上にフォトレジス
ト膜を塗布形成するようにしたものがある。このヘキサ
メチルジシラザン膜の存在によりガラス基板・フォトレ
ジスト膜間の密着力がかなり向上するものであるが、こ
れでも密着力が未だ不充分である。この結果、レーザー
露光されたフオｉ〜レジスｌ〜膜を現像したり、フ第１
−レジスｌ〜膜−ににスパッタリング法等によって電鋳
用の金属薄膜を付与した後電鋳液に浸漬する時に、フ第
１〜レジス１〜膜の剥離が生ずることがあり、歩留りが
ある一定しベル以」ユは向上していないものである。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、簡易な
処理によりガラス基板に対するフ第１〜レジスト膜の密
着力をより向」ニさせて確実なものとし、生産歩留りを
向上させることができるフオｌ〜レジスト膜の形成方法
を提供することを目的とする。
処理によりガラス基板に対するフ第１〜レジスト膜の密
着力をより向」ニさせて確実なものとし、生産歩留りを
向上させることができるフオｌ〜レジスト膜の形成方法
を提供することを目的とする。
構成
本発明は、」二記目的を達成するため、酸素が充填され
たチャンバー内にガラス基板をセラ１へして紫外線を照
射した後、前記ガラス基板上にヘキサメチルジシラザン
膜を塗布し、このへキサメチルジシラザン膜上にフ第１
・レンズ）へ膜を塗布することを特徴とするものである
。
たチャンバー内にガラス基板をセラ１へして紫外線を照
射した後、前記ガラス基板上にヘキサメチルジシラザン
膜を塗布し、このへキサメチルジシラザン膜上にフ第１
・レンズ）へ膜を塗布することを特徴とするものである
。
以下、本発明の一実施例を図面（ａ）〜（ｉ）に基づい
て説明する。本実施例は光デイスク用のスタンパ作成工
程に適用したものである。まず、（ａ）に示すようにガ
ラス基板１が用意され、このガラス基板］の研磨、洗浄
がなされる。そして、このように研磨、洗浄されたガラ
ス基板１を（）））に示すように酸素０２が充満された
チャンバー２内にセットしてランプ３により紫外線を照
射する。次に、（ｃ）に示すようにこのガラス基板１上
にヘキサメチルジシラザン膜４を塗布形成し、その後、
このヘキサメチルジシラザン膜４上に（ｄ）に示すよう
にフ第１・レンズ１〜膜５を塗布形成する。このような
フ第１−レジスｌ−膜５に対して（ｅ）に示すようにレ
ンズ６を介してレーザービームを照射し、これを現像す
ることにより（ｆ）に示すように信号が記録された凹凸
７が形成されることになる。そして、（ｇ）に示すよう
にフォトレジスト膜５の凹凸７上に電鋳用の金属薄膜８
を付与する。このようなガラス基板１をＮ］メッキ液に
浸漬させて（ｈ）に示すように金属薄膜８上に凹凸７に
対応する凹凸９を有する電鋳層を形成してＮｉによるス
タンパ１ｏを形成する。このスタンパ１０をガラス基板
］から剥離して（ｉ）に示すように単体とし、このよう
なスタンパ１０を用いてマスター取りが行なわれること
になる。
て説明する。本実施例は光デイスク用のスタンパ作成工
程に適用したものである。まず、（ａ）に示すようにガ
ラス基板１が用意され、このガラス基板］の研磨、洗浄
がなされる。そして、このように研磨、洗浄されたガラ
ス基板１を（）））に示すように酸素０２が充満された
チャンバー２内にセットしてランプ３により紫外線を照
射する。次に、（ｃ）に示すようにこのガラス基板１上
にヘキサメチルジシラザン膜４を塗布形成し、その後、
このヘキサメチルジシラザン膜４上に（ｄ）に示すよう
にフ第１・レンズ１〜膜５を塗布形成する。このような
フ第１−レジスｌ−膜５に対して（ｅ）に示すようにレ
ンズ６を介してレーザービームを照射し、これを現像す
ることにより（ｆ）に示すように信号が記録された凹凸
７が形成されることになる。そして、（ｇ）に示すよう
にフォトレジスト膜５の凹凸７上に電鋳用の金属薄膜８
を付与する。このようなガラス基板１をＮ］メッキ液に
浸漬させて（ｈ）に示すように金属薄膜８上に凹凸７に
対応する凹凸９を有する電鋳層を形成してＮｉによるス
タンパ１ｏを形成する。このスタンパ１０をガラス基板
］から剥離して（ｉ）に示すように単体とし、このよう
なスタンパ１０を用いてマスター取りが行なわれること
になる。
つまり、本実施例では、従来のへキサメチルジシラザン
膜方式に対して、その前工程としてガラス基板１を酸素
０２が充満されたチャンバー２内にセラｌ−してランプ
３により紫外線を照射する工程を付加するものである。
膜方式に対して、その前工程としてガラス基板１を酸素
０２が充満されたチャンバー２内にセラｌ−してランプ
３により紫外線を照射する工程を付加するものである。
具体的には、ランプ３として１５０Ｗの低圧水銀灯を用
いて６０秒間、紫外線をガラス基板１に照射した後、ヘ
キサメチルジシラザン膜４を塗布形成し、フ第１ヘレジ
ス１−膜５を塗布形成するものであり、ヘキサメチルジ
シラザン膜をガラス基板に直接塗布した場合に比べて、
ガラス基板トフ第１〜レジスト膜５間の密着力が著しく
向上したことが確認されたものである。これにより、現
像工程、電鋳工程等におけるフォトレンズ１−膜５の剥
離がなく、スタンパ１Ｏ−４＝ の生産性が向」−シ、歩留りアップが図れる。又、本実
施例によれば、酸素０２の雰囲気中での紫外線照射工程
が増えるわけであるが、従来の金属薄膜方式に比べると
、チャンバー２内を真空引きする必要がなく、工程が単
純であり、その装置も安価なもので済む。
いて６０秒間、紫外線をガラス基板１に照射した後、ヘ
キサメチルジシラザン膜４を塗布形成し、フ第１ヘレジ
ス１−膜５を塗布形成するものであり、ヘキサメチルジ
シラザン膜をガラス基板に直接塗布した場合に比べて、
ガラス基板トフ第１〜レジスト膜５間の密着力が著しく
向上したことが確認されたものである。これにより、現
像工程、電鋳工程等におけるフォトレンズ１−膜５の剥
離がなく、スタンパ１Ｏ−４＝ の生産性が向」−シ、歩留りアップが図れる。又、本実
施例によれば、酸素０２の雰囲気中での紫外線照射工程
が増えるわけであるが、従来の金属薄膜方式に比べると
、チャンバー２内を真空引きする必要がなく、工程が単
純であり、その装置も安価なもので済む。
なお、本実施例では、光デイスク用のスタンパ形成工程
への適用例で説明したが、この他、ガラス基板上にフォ
トレンズ１〜膜を塗布形成するもの全般又はＬＳＩ等に
見られるようにシリコンＳｉ膜上の５ｊＯ２膜にフォト
レジスト膜を塗布形成する等のものにも同様に適用する
ことができる。
への適用例で説明したが、この他、ガラス基板上にフォ
トレンズ１〜膜を塗布形成するもの全般又はＬＳＩ等に
見られるようにシリコンＳｉ膜上の５ｊＯ２膜にフォト
レジスト膜を塗布形成する等のものにも同様に適用する
ことができる。
効果
本発明は、上述したようにガラス基板にヘキサメチルジ
シラザン膜を塗布形成する前工程として、酸素が充填さ
れたチャンバー内にガラス基板をセットして紫外線を照
射する工程を行なうようにしたので、簡易な処理により
ガラス基板・フ第１〜レジスト膜間の密着力を著しく向
−ヒさせることができ、フ第１へレジスト膜の剥離をな
くして歩留を向」ニさせることができろものである。
シラザン膜を塗布形成する前工程として、酸素が充填さ
れたチャンバー内にガラス基板をセットして紫外線を照
射する工程を行なうようにしたので、簡易な処理により
ガラス基板・フ第１〜レジスト膜間の密着力を著しく向
−ヒさせることができ、フ第１へレジスト膜の剥離をな
くして歩留を向」ニさせることができろものである。
図面（ａ）〜（ｊ）は本発明の一実施例を工程順に示す
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- 酸素が充填されたチャンバー内にガラス基板をセットし
て紫外線を照射した後、前記ガラス基板上にヘキサメチ
ルジシラザン膜を塗布し、このヘキサメチルジシラザン
膜上にフォトレジスト膜を塗布することを特徴とするフ
ォトレジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11794485A JPS61275839A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | フオトレジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11794485A JPS61275839A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | フオトレジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275839A true JPS61275839A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14724089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11794485A Pending JPS61275839A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | フオトレジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275839A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120263921A1 (en) * | 2010-09-29 | 2012-10-18 | Yager Thomas A | Optical lithography using graphene contrast enhancement layer |
| CN110908240A (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-24 | 江西省长益光电有限公司 | 芯片用光刻胶及光刻工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6097351A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-05-31 | Hitachi Ltd | レジスト塗布装置 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11794485A patent/JPS61275839A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6097351A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-05-31 | Hitachi Ltd | レジスト塗布装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120263921A1 (en) * | 2010-09-29 | 2012-10-18 | Yager Thomas A | Optical lithography using graphene contrast enhancement layer |
| US8512936B2 (en) * | 2010-09-29 | 2013-08-20 | Empire Technology Development, Llc | Optical lithography using graphene contrast enhancement layer |
| US8773636B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-08 | Empire Technology Development, Llc | Optical lithography using graphene contrast enhancement layer |
| CN110908240A (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-24 | 江西省长益光电有限公司 | 芯片用光刻胶及光刻工艺 |
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