JPH02149952A - スタンパー製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はスタンパ−の製造方法に関する。さらに詳しく
は、レーザービーム等により情報を記録し、もしくは記
録した情報の再生を行う光ディスクの基板製造工程のう
ちのスタンパ−作製法に関するものである。

（ロ）従来の技術 光ディスクの基板製造に必要なスタンパ−の従来の製造
方法を第２図に示す。すなわち、ガラス原盤１［第２図
（ａ）参照ｊ上に感光体であるフォトレジスト３を塗布
し［第２図（ｂ）参照コ、このレジストにレーザー光等
で所定形状のトラッキング用案内溝、ピット等を潜像と
して感光記録し［第２図（ｃ）参照］、これを現像する
ことで所定形状の案内溝３ａやランド３ｂを有するスタ
ンパ−電鋳用原盤部（以後、原盤部と称す。）を形成す
る［第２図（ｄ）参照］。その後、この原盤部上にＮｉ
薄膜４等を形成し、通電処理を行って［第２図（ｅ）参
照］、電鋳部材５にて電鋳を行い［第２図（ｒ）参照］
、その結果、電鋳部材５を原盤部より剥離して［第２図
（ｇ）参照］スタンパ−を作製する。この後、必要に応
じて電鋳を操り返してスタンパ−を多数作製し、内外径
加工、裏面研磨を施して最終スタンパ−形状とする。

このスタンパ−製造方法は、レジスト膜３の膜厚が案内
溝３ａの深さとなるので、以下便宜上、上記方法をレジ
スト制御案内溝スタンパ−製造法と呼ぶ。

また、この製造法とは別のスタンパ−製造方法を第３図
に示す。すなわち、ガラス原盤Ｉ［第３図（ａ）参照］
上にフォトレジスト３を塗布し［第３図（ｂ）参照コ、
レーザー光等で感光３己録し［第３図（ｃ）参照］現像
する。以上の工程までは第２図に示したものと同じ工程
である。そして、現象によりガラス原盤部上に所望のレ
ジストパターン３ｃを形成し［第３図（ｄ）参照］、そ
の後、ドライエツチング又はウェットエツチングにより
ガラス原盤ｌをエツチングして所定の案内溝１２Ｌやラ
ンドｔｂを存する原盤部を作成し［第２図（ｅ）参照］
、各ランドＩｂ上の残存レジスト３ｄを除去する［第３
図（ｆ）参照コ。この後の工程は第２図に示したものと
同様に、原盤部上にＮｉ１ｉｌｆｆｆ４等を形成し、通
電処理を行い［第３図（ｇ）参照］、電鋳部材５にて電
鋳を行い［第３図（ｈ）参照］、最終的にスタンパ−形
状とする［第３図（ｉ）参照］。

このスタンパ−製造方法は、エツチングにより案内溝１
ａの深さを決定するので、以下便宜上エツチング制御案
内溝スタンパ−製造法と呼ぶ（例えば特開昭５９−２１
４６２３号公報参照）。

（ハ）発明が解決しようとする課題 しかし、第２図に示したレジスト制御案内溝スタンパ−
製造法においては、上述したようにレノスト膜厚が案内
溝３ａの深さとなるので高精度にレジスト３を塗布する
必要がある。そのためには、レジスト３の塗布条件及び
周囲環境条件を高精度にコントロールしなければならず
、必要な設備の費用ら多大であった。また、この方法で
は、レジスト３で案内溝３ａを形成するため、製造され
た光ディスクの性能がエツジだれ等のために劣化する傾
向にあった。

また、第３図に示したエツチング制御案内溝スタンバ−
製造法においては、エツチング速度及びエツチング時間
の制御が重要であり、また、エツチングで形成された案
内溝ｌａの底面１ｃの面粗さが、ガラス原盤ｌのランド
Ｉｂ上面の而粗さより劣化する傾向にあり、その結果、
製造された光ディスクの性能が劣化する傾向にあった。

さらに、上記二つのスタンパ−製造法は、いずれも、ス
タンパ−電鋳用原盤を作成したのち、Ｎｉ薄膜等の形成
、電鋳、裏面研磨、内外径加工と複雑な工程を経てスタ
ンパ−完成品となるものであり、製造操作が繁雑で製造
コストら高いという問題があった。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたらので、比較的簡
単な工程でしかも高精度の案内溝を形成できるスタンパ
−製造法を提供しようとするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 かくして本発明によれば、所定形状の基板上にレノスト
を塗布し、露光・現像を行って所望のレジストパターン
を形成し、このレジストノ（ターン形成面上に金＠薄膜
を成膜した後にこの基板をレジスト剥離条件に付すこと
により、レジスト上に位置する金属薄膜をレジストと共
に剥離除去して基板上に残存する金属薄膜のパターンで
案内溝を構成することを特徴とするスタンパ−製造方法
が提供される。

本発明は、あらかじめ所定の形状、すなわち外寸が最終
スタンパ−板形状に加工された基板上にレジストを塗布
し、露光、現象して所望のレジストパターンを形成し、
その上にＮｉ等の薄膜を所定厚さに成膜した後不要部分
をレジストととしに剥離して案内溝を作製する点を最大
の特徴とするものである。

本発明に用いる基板の材質はとくに制限されず、例えば
、Ｎｉ５Ｔａ等の金属板でもセラミック板でもあるいは
超硬板でもよい。かかる基板としては、あらかじめ基板
表面が高精度に研磨され最終スタンパー形状（外径、内
径、板厚、表面粗さ）に仕上げたものを用いるのが適し
ている。また、上記基板上に塗布形成されるレジストと
してはポジ型、ネガ型のいずれのものを用いることがで
き、その好ましい一例としてはポジ型（又はネガ型）の
フォトレジストが挙げられる。なお、レジストの露光、
現像は公知の方法により行うことができる。

上記レジストにより、意図するピット形状群にパターン
形成された面に金属薄膜が成膜される。

この金属薄膜としては、上記基板との密着性の良好な金
属膜が適しており、その好ましい一例としてはＮ＋、Ｔ
ａ等の金属膜が挙げられる。かかる金属薄膜はスパッタ
リングや蒸着法により形成することができる。なお、形
成する厚みは、後述する剥離条件においてレジストと共
に除去しうる程度とされ、例えば３０００人程度０厚み
迄形成することが可能である。従って、通常、光ディス
クのピットの厚みの規格（例えば９００〜１５００人）
に充分対応させることができる。

本発明におけるレジスト剥離条件とは、レノストを除去
する公知の湿式処理条件を意味し、この処理は上記基板
を極性溶媒に所定時間接触させることにより行うことが
でき、通常、基板を極性溶媒中に浸漬し、必要に応じて
撹拌や超音波洗浄条件に付すことにより行われる。ここ
で用いる極性溶媒としては、用いたレジストに対する強
い溶解力を有するものが用いられ、例えばアセトン、セ
ロソルブ、カルピトール、セロソルブアセテート等が挙
げられる。かかるレジスト剥離条件に付した場合、レジ
ストを被覆する金属薄膜の膜厚が小さいため、この膜を
介して、ことにパターンのコーナ一部を介して上記極性
溶媒が内部のレジスト内に浸透し、その結果レジストが
基板から剥離してその上部に位置する金属薄膜と共に除
去されることとなる。その結果、基板に直接密着してい
る金属薄膜の一部が基板上に残り所望の案内溝のパター
ンを得ることができる（いわゆるリフトオフ法）。

なお、このようにして形成された案内溝は、そのコーナ
部が鋭利になる場合があるため、これを整形するために
クエン酸等の弱酸で短時間、エツチング処理を行っても
よい。

（ホ）作用 レジストパターン形成面に被覆状に形成された金属薄膜
には、レジスト上に位置する部分と、基板上に位置する
部分が存在する。この基板をレジスト剥離条件に付すこ
とにより、金属薄膜のレノスト上に位置する部分は、レ
ジストと共に剥離除去されるが、基板上に位置する部分
はそのまま残存する。従ってレジストパターンに対して
ネガ型の金属薄膜パターンが得られ、基板上に直接高精
度の案内溝が構成されることとなる。

（へ）実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。なお
これによって本発明が限定されることはない。

第１図（ａ）〜（ｇ）は各々本発明のスタンパ−製造方
法の製造工程を示す説明図である。

まず、第１図において表面が高精度に研磨され内径、外
径、板厚を最終スタンパ−形状としたＮｉ基板２（内径
３０酊、外径１５ｏＩＩＩＩ１１１厚ミ０．３ｍｍ）（
第１図（ａ）参照）上に紫外線便化ポジ型フォトレジス
ト３を厚み０．５μｍで塗布する（第１図（ｂ）参照）
。

次いで、このレジスト形成面に、レーザ光を照射して感
光記録、すなわち露光する（第１図（ｃ）参照）。さら
にエツチング液（現像液）に浸漬して現象し基板２上に
多数のピット状凹部や案内溝を有する所望のレーザパタ
ーン３′を形成する（第１図（ｄ）参照）。

次いで上記レジストパターン面上に、スパッタリングに
より厚み約１０００人のＮｉ薄膜４を成膜する（第１図
（ｅ）参照）。

この基板を、アセトン中に約５分浸漬することにより、
レジスト剥離処理を行った。この浸漬処理により、Ｎｉ
薄膜４ことにそのレジストのコーナ一部を覆う部分を介
してアセトンがレジスト内に徐々に浸透し、その結果、
レジスト３が膨潤し、基板を少し振動さけることにより
、レジスト上に位置するＮｉ薄膜がレジストと一緒に除
去され、基板に直接密着していたＮｉ薄膜だけ残存する
。

その結果、第１図（ｆ）に示されるようにＮｉ薄膜パタ
ーン４′で構成される多数のピット（輻０．４ｕｔｎ長
さ１μｍ、ピッチ１．６μｍ）や案内溝（幅０．４μｍ
、ピッチｌ、６μ＋！ｌ）の型が形成されることとなる
。

さらに案内溝のコーナ一部にできた微小パリを弱酸（ク
エン酸水溶液）でエツチングして除去すればきれいな案
内溝を得ることができ（第１図（ｇ）参照）、より精度
の優れたスタンバ−として使用可能となる。

（ト）発明の効果 本発明のスタンバ−の製造方法によれば、まずあらかじ
めスタンバ−の最終形状に仕上げられた基板を用いるた
め、基板の材質は何であってもよく寿命等を考慮して超
硬等の材料が使用可能である。従って、スタンバ−の寿
命が大幅にのばすことができ成形されたディスクのコス
トら低くおさえることができる。

また本発明によれば、案内溝の深さが金属薄膜形成時に
コントロールでき、かつ平滑性の精度が高い基板を用い
ることができるため、レジストの膜厚分布が従来方法は
ど厳密ではなくなるのでレジストの膜厚分布を均一にす
るための手段（例えばレノスト塗布環境の温湿度コント
ロール）が不要となり、また電鋳プロセスも不要となる
ので設備投資も少なくて済み、簡便かつ安価にスタンバ
−が作製できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例のスタンバ−
製造工程を各々示す工程説明図、第２図および第３図は
各々従来のスタンバ−製造工程を示す工程説明図である
。 ｌ・・・・・・ガラス原盤、２・・団・基板、３・・・
・・・フォトレジスト、 ３′・・・・・・レジストパターン、 ４・・・・・・Ｎｉ薄膜、　　４′・・・・・・Ｎｉ薄
膜パターン。 第　１　図 第　２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、所定形状の基板上にレジストを塗布し、露光・現像
   を行って所望のレジストパターンを形成し、このレジス
   トパターン形成面上に金属薄膜を成膜した後にこの基板
   をレジスト剥離条件に付すことにより、レジスト上に位
   置する金属薄膜をレジストと共に剥離除去して基板上に
   残存する金属薄膜のパターンで案内溝を構成することを
   特徴とするスタンパー製造方法。