JPS62212943A - 光メモリ−用スタンパの製造方法 - Google Patents
光メモリ−用スタンパの製造方法Info
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- JPS62212943A JPS62212943A JP5442386A JP5442386A JPS62212943A JP S62212943 A JPS62212943 A JP S62212943A JP 5442386 A JP5442386 A JP 5442386A JP 5442386 A JP5442386 A JP 5442386A JP S62212943 A JPS62212943 A JP S62212943A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は元メモリー用スタンパの製造方法に関するＯ
〔発明の概要〕
本発明は元メモリー用スタンパの製造方法の分野におい
て、スタンパベースの金属基板の材質と異なる金属薄層
が形成されたスタンパベース金属基板または酸化物薄層
が形成されたスタンパベース金属基板上に、ホトレジス
トを塗布して露光、現像して露出した金属基板または全
綱薄層または酸化物薄層を逆スパッタによるドライエツ
チング法でエツチングして、グルーブ及びピット形状を
形成することを特徴とする元メモリー用スタンバの製造
方法を採用することにより、従来のスタンパの製造方法
と較べてスタンパ品質のすぐれた、スタンパ寿命の長い
、低コストの、短納期化を可能にする光メモリー用スタ
ンパを提供するものである。
て、スタンパベースの金属基板の材質と異なる金属薄層
が形成されたスタンパベース金属基板または酸化物薄層
が形成されたスタンパベース金属基板上に、ホトレジス
トを塗布して露光、現像して露出した金属基板または全
綱薄層または酸化物薄層を逆スパッタによるドライエツ
チング法でエツチングして、グルーブ及びピット形状を
形成することを特徴とする元メモリー用スタンバの製造
方法を採用することにより、従来のスタンパの製造方法
と較べてスタンパ品質のすぐれた、スタンパ寿命の長い
、低コストの、短納期化を可能にする光メモリー用スタ
ンパを提供するものである。
従来の元メ七す−用スタンバの製造方法は、鏡面に磨か
れたガラス原盤に、ポジレジストを処望厚ミに均一にス
ピンコーターで塗布し、ブレヘ−り後レーザーカッティ
ングマシンで霧光する０次に専用現像液を用いて現像し
、処置のグルーブ。
れたガラス原盤に、ポジレジストを処望厚ミに均一にス
ピンコーターで塗布し、ブレヘ−り後レーザーカッティ
ングマシンで霧光する０次に専用現像液を用いて現像し
、処置のグルーブ。
ピットを形成する。
次に、Ｎｉ薄層をスパッタして導体化処理層を形成し、
専用のｔ鋳装ｆｊｋ、を用いてＮｉ１ｔ鋳メツキを行う
。Ｎｉｔ鋳厚みはおよそ６００μｍ行ない、厚みが均一
であｐ１応力の少ないメッキをすることが重要である。
専用のｔ鋳装ｆｊｋ、を用いてＮｉ１ｔ鋳メツキを行う
。Ｎｉｔ鋳厚みはおよそ６００μｍ行ない、厚みが均一
であｐ１応力の少ないメッキをすることが重要である。
次に、ガラス原盤からＮ１を鋳層をはがし、Ｎｉ電鋳面
をバックポリッシュして、内径、外径の加工を施すと従
来法の光メモリー用スタンパが光取される。
をバックポリッシュして、内径、外径の加工を施すと従
来法の光メモリー用スタンパが光取される。
しかし、前述の従来技術では１つは射出成形時でのスタ
ンパの寿命が短く品質の良い成形品金得るためには数１
０００シヨツトしか成形加工が出来ない。２つはスタン
バ品質のピット又はグルーブ形状の断面形状が出来るだ
け直角であることが望ましいが山形に６なってし１つ。
ンパの寿命が短く品質の良い成形品金得るためには数１
０００シヨツトしか成形加工が出来ない。２つはスタン
バ品質のピット又はグルーブ形状の断面形状が出来るだ
け直角であることが望ましいが山形に６なってし１つ。
３つは後工程の電鋳、パックポリッシュは技術的に難し
い作業であり、高度の熟練度を必要とするという問題点
を肩テる。
い作業であり、高度の熟練度を必要とするという問題点
を肩テる。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはスタンバ寿命の長い、スタンパ品
質のピット又はグルーブの断面形状が拘角に近い、後工
程の熟練度を必要とする電鋳、パックポリッシュの工程
がなくなる。スタンパの製造納期の短縮化を可能にする
ところにある。
の目的とするところはスタンバ寿命の長い、スタンパ品
質のピット又はグルーブの断面形状が拘角に近い、後工
程の熟練度を必要とする電鋳、パックポリッシュの工程
がなくなる。スタンパの製造納期の短縮化を可能にする
ところにある。
本発明の元メモリー用スタンパは金属基板の材質と異な
る金属薄ＮＩを所望する溝深さとＮじ厚みに酸化物層を
形成した金属基板に、ホトレジストを塗布して露光、現
像して、露出した全域基板部分又は金属薄層部分、又は
酸化物層部分を逆スパッタによるドライエツチング法で
エツチングして。
る金属薄ＮＩを所望する溝深さとＮじ厚みに酸化物層を
形成した金属基板に、ホトレジストを塗布して露光、現
像して、露出した全域基板部分又は金属薄層部分、又は
酸化物層部分を逆スパッタによるドライエツチング法で
エツチングして。
２ビツト形状及びグルーブを形成することを特徴とする
。
。
本発明の上記の構成によれば、スタンパの材質。
形状は任意に選ぶことが出来るのでスタンパ寿命は飛躍
的に伸びる。すなわち、材質は射出成形用金型としすで
に実績のある８ＴＡＶＡＸ （高Ｃｒ鋼）を選び、スタ
ンパの厚みを５〜１０■にすることにより１０万ショッ
ト以上の寿命が得られる。
的に伸びる。すなわち、材質は射出成形用金型としすで
に実績のある８ＴＡＶＡＸ （高Ｃｒ鋼）を選び、スタ
ンパの厚みを５〜１０■にすることにより１０万ショッ
ト以上の寿命が得られる。
また、スタンパのピット及びグルーブはボジレジス）Ｔ
ｈマスクにして逆スパッタによるドライエツチングで形
成するので、ピット及びグルーブの断面形状がほぼ直角
に近い形状で形成できる。
ｈマスクにして逆スパッタによるドライエツチングで形
成するので、ピット及びグルーブの断面形状がほぼ直角
に近い形状で形成できる。
また、スタンパの基板は一般的に行なわれている機械加
工で比較的簡単にできるので、従来法での高度の熟練度
を必要とするＮ１電鋳、バックポリッシュの工程がなく
なる。
工で比較的簡単にできるので、従来法での高度の熟練度
を必要とするＮ１電鋳、バックポリッシュの工程がなく
なる。
まず、光メモリー用スタンパの厚みが５〜１０■ｔの金
属基板を用意する。材質は射出成形用金型として一般に
用いられている市販の商品名８ＴＡＶＡＸ （高Ｃｒ鋼
）が適当である。
属基板を用意する。材質は射出成形用金型として一般に
用いられている市販の商品名８ＴＡＶＡＸ （高Ｃｒ鋼
）が適当である。
金属基板は所望とするスタンパの内径、外径加工を施す
。またピット、グルーブを形成する側の片面は表面粗さ
が２００Ｘ以下の鏡面であり、１０μ以上のキズ、ピン
ホールが記録面にはゼロ個であることが望ましい。（第
１図） 次に、金属基板１に酸化物層ＪＷＩ、または窒化膜薄ｌ
−１または金楓薄層２を形成する。（第２図）薄層の厚
みは所望とするピットまたはグルーブ深さと同じ厚みに
する。酸化物薄層はＳｉｎ、、〒１０！等の金属酸化物
が用いられる。形成方法は蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等で行う。
。またピット、グルーブを形成する側の片面は表面粗さ
が２００Ｘ以下の鏡面であり、１０μ以上のキズ、ピン
ホールが記録面にはゼロ個であることが望ましい。（第
１図） 次に、金属基板１に酸化物層ＪＷＩ、または窒化膜薄ｌ
−１または金楓薄層２を形成する。（第２図）薄層の厚
みは所望とするピットまたはグルーブ深さと同じ厚みに
する。酸化物薄層はＳｉｎ、、〒１０！等の金属酸化物
が用いられる。形成方法は蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等で行う。
窒化膜はＳｉＮ、が用いられる。形成方法は上記酸化物
層と同様で行う。
層と同様で行う。
金属薄７＠ｆ４ Ｃｒ、 Ｎｉ、 ８１． ＭＯ等ノ金
属カ用イられる。形成方法は上記酸化物層と同様で行う
。
属カ用イられる。形成方法は上記酸化物層と同様で行う
。
特にＮ１の場合は無電解メッキが採用できる。次に、酸
化物薄層、または窒化膜薄層まｆｃは金属薄層が形成さ
れた金属基板上にホトレジスト３を塗布する。ホトレジ
スト３は市販のポジレジストが望ましい。（ヘキストの
ＡＺ１３５０．東京応化のＯＭ Ｒ） 塗布方法はス
ピンナー塗法で行う。
化物薄層、または窒化膜薄層まｆｃは金属薄層が形成さ
れた金属基板上にホトレジスト３を塗布する。ホトレジ
スト３は市販のポジレジストが望ましい。（ヘキストの
ＡＺ１３５０．東京応化のＯＭ Ｒ） 塗布方法はス
ピンナー塗法で行う。
厚みは後工程の逆スパッタに耐える厚みが必要であり、
２．ＤＯＤＡ以上の厚みを塗布する。余シ厚くするとレ
ジストの解像度が悪くなるので２，０００〜３．０００
Ｘが適当である。
２．ＤＯＤＡ以上の厚みを塗布する。余シ厚くするとレ
ジストの解像度が悪くなるので２，０００〜３．０００
Ｘが適当である。
従来法ではレジストの厚みがスタンバのピット深さ、グ
ルーブ深さであり、光メモリー用スタンパの場合、ピッ
ト深さ、グルーブ深さが６ｏｏ〜７００Ａであシ、この
ような非常に薄い換を形成することは条件範囲が非常に
せまくなり技術的に非常に雌しいが、本発明の場合、レ
ジスト厚みが２、０００〜へ０００Ｘと厚いので条件範
囲が広く簡単に塗布できる。
ルーブ深さであり、光メモリー用スタンパの場合、ピッ
ト深さ、グルーブ深さが６ｏｏ〜７００Ａであシ、この
ような非常に薄い換を形成することは条件範囲が非常に
せまくなり技術的に非常に雌しいが、本発明の場合、レ
ジスト厚みが２、０００〜へ０００Ｘと厚いので条件範
囲が広く簡単に塗布できる。
また、従来法ではレジストを塗布した際の外観欠陥が全
てスタンバ欠陥になってしまうために、外観欠陥をなく
すことに細心の注意を払うが本発明の場合は塗布時に外
観欠陥があっても、後工程の逆スパッタするときに影Ｗ
を与えない外観欠陥ならば差し支えないので外観欠陥の
許容範囲が広くなる。
てスタンバ欠陥になってしまうために、外観欠陥をなく
すことに細心の注意を払うが本発明の場合は塗布時に外
観欠陥があっても、後工程の逆スパッタするときに影Ｗ
を与えない外観欠陥ならば差し支えないので外観欠陥の
許容範囲が広くなる。
次に、９０℃、３０分の条件でプレベークして、専用の
レーザー力ッテングＩｃを用いて露光する。
レーザー力ッテングＩｃを用いて露光する。
所望のピット及びグルーブを形成する部分に紫外線を照
射する。
射する。
次に、専用の現像液で現像する。現像方法はスプレー現
像が望ましい。
像が望ましい。
次ｖｃ、ｖシストの密着性を尚めるために１２０℃、３
０分のボストベークをする。（第５図）次［、市販の逆
スパッタによるドライエツチング装Ｗを用いて、金属薄
層または酸化物薄層、窒化膜＊ｉｔａｗエツチングして
ピット及びグルーブを形成する。（第４図）方式として
は不活性ガス雰囲気でのイオンビームエツチングがサイ
ドエッチが無いこと微細化度の点において優れている。
０分のボストベークをする。（第５図）次［、市販の逆
スパッタによるドライエツチング装Ｗを用いて、金属薄
層または酸化物薄層、窒化膜＊ｉｔａｗエツチングして
ピット及びグルーブを形成する。（第４図）方式として
は不活性ガス雰囲気でのイオンビームエツチングがサイ
ドエッチが無いこと微細化度の点において優れている。
代表的なエツチング条件は不活性ガスＦｉ Ａ ｒ 。
イオンエネルギーは５００ｅＶ、入射角は直角、イオン
電流ｖ！ｊ度はＩ ＥＩ Ａ ７ｍ”である。
電流ｖ！ｊ度はＩ ＥＩ Ａ ７ｍ”である。
イオンビームエツチングによるエツチング速度は材料に
よって非常に異なり、エツチングされにくい材料として
はＣ、Ａｚ、ｏ、 、 Ｃｒ、ステンレス鋼。
よって非常に異なり、エツチングされにくい材料として
はＣ、Ａｚ、ｏ、 、 Ｃｒ、ステンレス鋼。
Ｃｒ１０ｍ＋ソーダガラス、中程度のものとしてはＳｉ
ｎ、 、 ８１．Ｎ、 、 Ｃｏ、 Ｎｉ、され易いも
のとしてはＡｕ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ がある。
ｎ、 、 ８１．Ｎ、 、 Ｃｏ、 Ｎｉ、され易いも
のとしてはＡｕ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ がある。
金属基板の材質と異なる金属薄層が形成された金属基板
の場合、金属基板の材質を８ＴＡＶＡＸを用いた場合金
属薄層は金属基板の８ＴＡＶＡＸよりもエツチング速度
の速い金塊が望ましい。
の場合、金属基板の材質を８ＴＡＶＡＸを用いた場合金
属薄層は金属基板の８ＴＡＶＡＸよりもエツチング速度
の速い金塊が望ましい。
例えば、金属薄層としてはＮｉ、Ｃｏ、Ｍｎ。
Ａｇ、Ｐｄ１等の単金属または合金が採用できる。
金属基板よりも金属薄層のエツチング速度を速くする理
由は金属薄層がエツチングされてからの金属基板のエツ
チングをおさえるためにある。
由は金属薄層がエツチングされてからの金属基板のエツ
チングをおさえるためにある。
酸化物薄層、または窒化膜薄層が形成された金属基板の
場合も、金属基板に５ＴＡＶＡＸを用いた場合酸化物薄
層、窒化物薄層は金属基板の８ＴＡＶＡＸよりもエツチ
ング速度の速いものが望ましい。例えば酸化物薄層とし
ては８１０．、窒化物としては８１．Ｎ４ が適用で
きる。
場合も、金属基板に５ＴＡＶＡＸを用いた場合酸化物薄
層、窒化物薄層は金属基板の８ＴＡＶＡＸよりもエツチ
ング速度の速いものが望ましい。例えば酸化物薄層とし
ては８１０．、窒化物としては８１．Ｎ４ が適用で
きる。
ドライエツチング後レジストをハクリすると本発明の製
造方法による元メモリー用スタンパが完成する。
造方法による元メモリー用スタンパが完成する。
以上述べた例は金属基板に金属薄１−１または酸化物薄
層、または窒化物薄層を形成し、それぞれの薄層を部分
的にドライエツチングしてピット及びグルーブ全形成し
たものであるが、金属基板を直接エツチングしてピット
及びグルーブを形成しても本発明の目的は達成される。
層、または窒化物薄層を形成し、それぞれの薄層を部分
的にドライエツチングしてピット及びグルーブ全形成し
たものであるが、金属基板を直接エツチングしてピット
及びグルーブを形成しても本発明の目的は達成される。
以上述べたように本発明によれば、金属基板の材質と異
なる金属層を所望する溝深さと同じ厚みに形成した金属
基板または所望する溝深さと同じ厚みに酸化物層、窒化
物層を形成した金属基板ＶＣ。
なる金属層を所望する溝深さと同じ厚みに形成した金属
基板または所望する溝深さと同じ厚みに酸化物層、窒化
物層を形成した金属基板ＶＣ。
ホトレジストを塗布して露光、現像して、露出した金属
部分または金属薄層部分または酸化物層部分または窒化
物層部分を逆スパッタによるドライエツチング法でエツ
チングして、ピット及びグルーブを形成することによシ
、ピット深さが非常に均一であり、ピット及びグルーブ
の断面形状がだれの少ないシャープな形状にでき、光メ
モリーのＣ／Ｎ比の向上につながること、またスタンバ
寿命が画期的に伸びること、また技術的に難易度の高い
電四工程、バックボリツシュ工程が必要でなくなること
、また製造納期の短縮化が可能になることなど従来の製
造方法では得られない数々の特徴を有した元メモリー用
スタンパの提供が可能になる。（第５図）
部分または金属薄層部分または酸化物層部分または窒化
物層部分を逆スパッタによるドライエツチング法でエツ
チングして、ピット及びグルーブを形成することによシ
、ピット深さが非常に均一であり、ピット及びグルーブ
の断面形状がだれの少ないシャープな形状にでき、光メ
モリーのＣ／Ｎ比の向上につながること、またスタンバ
寿命が画期的に伸びること、また技術的に難易度の高い
電四工程、バックボリツシュ工程が必要でなくなること
、また製造納期の短縮化が可能になることなど従来の製
造方法では得られない数々の特徴を有した元メモリー用
スタンパの提供が可能になる。（第５図）
第１図から第５図は本発明の元メモリー用スタンパの製
造方法を示す工程断面図ヲホす。 以 上 ｆｆｌ願人 セイコーエプソン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図 第！図
造方法を示す工程断面図ヲホす。 以 上 ｆｆｌ願人 セイコーエプソン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図 第！図
Claims (1)
- １）片面が鏡面に磨かれたスタンパベース金属基板上に
所望する溝深さと同じ厚みにスタンパベーース金属基板
の材質と異なる金属薄層を形成し、ホトレジストを塗布
して露光、現像して露出した金属薄層を逆スパッタによ
るドライエッチング法でエッチングして、グルーブ及び
ピット形状を形成することを特徴とする光メモリー用ス
タンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5442386A JPS62212943A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5442386A JPS62212943A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212943A true JPS62212943A (ja) | 1987-09-18 |
Family
ID=12970300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5442386A Pending JPS62212943A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62212943A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095134A3 (en) * | 2003-04-23 | 2005-01-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Photolithographic process, stamper, use of said stamper and optical data storage medium |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP5442386A patent/JPS62212943A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095134A3 (en) * | 2003-04-23 | 2005-01-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Photolithographic process, stamper, use of said stamper and optical data storage medium |
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