JPS63105987A - 光メモリ−用スタンパの製造方法 - Google Patents
光メモリ−用スタンパの製造方法Info
- Publication number
- JPS63105987A JPS63105987A JP25108286A JP25108286A JPS63105987A JP S63105987 A JPS63105987 A JP S63105987A JP 25108286 A JP25108286 A JP 25108286A JP 25108286 A JP25108286 A JP 25108286A JP S63105987 A JPS63105987 A JP S63105987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin
- film layer
- thickness
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 16
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018499 Ni—F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は元メモリー用スタンバの製造方法に関する。
従来の光メモリー用スタンバの製造方法に、まず鏡面に
研磨された中心穴付のガラス原盤に所望の厚みにホトレ
ジストヲ塗布し、露光・現像してグループまたはピット
を形成する。
研磨された中心穴付のガラス原盤に所望の厚みにホトレ
ジストヲ塗布し、露光・現像してグループまたはピット
を形成する。
次に、Ａｇｋスパッタして導体化膜を形成した後およそ
３００μ箇の淳みにＮｉ電鋳をする。
３００μ箇の淳みにＮｉ電鋳をする。
次に、ガラス原盤性の状態で、Ｎｉｔ鋳した裏面を研磨
し、ガラス原盤からＮｉに錆層をはがし、Ｎｉ電鋳層に
形成されたＡｇ薄膜層を化学的にノ・クリし、内・外径
加工を施してスタンパが完成する。
し、ガラス原盤からＮｉに錆層をはがし、Ｎｉ電鋳層に
形成されたＡｇ薄膜層を化学的にノ・クリし、内・外径
加工を施してスタンパが完成する。
しかし、前述の従来技術では導体化膜のＡｇ薄膜は変色
し易い性質があり、Ａｇ薄膜層とＮｉめつき層との密着
性が悪くなｐ、Ｎｉめつきの初期にＮｉめつき層がはが
れてしまう現像を引き起こしてしまう。
し易い性質があり、Ａｇ薄膜層とＮｉめつき層との密着
性が悪くなｐ、Ｎｉめつきの初期にＮｉめつき層がはが
れてしまう現像を引き起こしてしまう。
また、Ｎｉめつき後ガラス原盤からＮｉめつき層をはが
してＡｇ薄膜層を化学的にハクリするときに、Ａｇ薄膜
層が変色していると変色／ｉ部分がＡｇハクリ液で完全
にはがすことができず、Ａｇのエツチング残シ會きたし
、スタンパの品質をそこねてしまう。
してＡｇ薄膜層を化学的にハクリするときに、Ａｇ薄膜
層が変色していると変色／ｉ部分がＡｇハクリ液で完全
にはがすことができず、Ａｇのエツチング残シ會きたし
、スタンパの品質をそこねてしまう。
また、肉視で確認される変色はスタンパの外観品質をそ
こねてしまう。
こねてしまう。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはＡｇ薄膜層の変色を完全におさえ
、導体化膜にＡｇｉ用いたときのスタンパの歩ｖｉＩシ
向上全可能にすることにある。
の目的とするところはＡｇ薄膜層の変色を完全におさえ
、導体化膜にＡｇｉ用いたときのスタンパの歩ｖｉＩシ
向上全可能にすることにある。
本発明の元メモリー用スタンパは、ガラス原盤に所望の
厚みのホトレジストを塗布し、露光・現像した後、゛導
体化膜として５００Å〜１０００人の淳みのＡｇ薄膜層
を連続して形成し、次に５０Å〜１００Ａの厚みのＮｉ
及びＮｉ合金薄展層を形成し、次にＮｉめつき全所望の
厚みにめっきし、プラス原盤からＮｉめつきＮをはがし
た後、該Ｎｉめつき層のＡｇ薄膜をハクリしたことを特
徴とする。
厚みのホトレジストを塗布し、露光・現像した後、゛導
体化膜として５００Å〜１０００人の淳みのＡｇ薄膜層
を連続して形成し、次に５０Å〜１００Ａの厚みのＮｉ
及びＮｉ合金薄展層を形成し、次にＮｉめつき全所望の
厚みにめっきし、プラス原盤からＮｉめつきＮをはがし
た後、該Ｎｉめつき層のＡｇ薄膜をハクリしたことを特
徴とする。
外径２００φ露、内径１０φ霞、厚み６１ｍ１１ ｔの
鏡面に磨かれたガラス原盤１を用意する。
鏡面に磨かれたガラス原盤１を用意する。
次に、上記ガラス原盤１の全面にホトレジスト２ｉ１０
００Ａ前後の厚みにスピンコード法で塗布する。次に、
９０℃、３０分の条件でプレベークをし、専用のレーザ
ー力ツテングＭ／Ｃｉ用いて露光する。ピット及びグル
ープが形成される部分に波長が４５００λ付近のレーザ
ーが照射される。次に、専用の現像成金用いて現像する
。現像方法はスプレー法が好ましい。現像後レジストの
密着性を高めるために１２０℃、６０分のボストベーク
を行なう。
００Ａ前後の厚みにスピンコード法で塗布する。次に、
９０℃、３０分の条件でプレベークをし、専用のレーザ
ー力ツテングＭ／Ｃｉ用いて露光する。ピット及びグル
ープが形成される部分に波長が４５００λ付近のレーザ
ーが照射される。次に、専用の現像成金用いて現像する
。現像方法はスプレー法が好ましい。現像後レジストの
密着性を高めるために１２０℃、６０分のボストベーク
を行なう。
次に、ガラス基板の表面の全面に導体化膜を形成する。
導体化膜の形成に市販のスパッタ装置を用いて、Ａｇ薄
膜層６、連続してＮｉま次はＮｉ合金薄膜層４の順序で
行う。
膜層６、連続してＮｉま次はＮｉ合金薄膜層４の順序で
行う。
Ａｇ薄膜層３の厚みは５００Ｘ〜１ｏｏｏＸ。
ＮｉまたはＮｉ合金薄膜層４の厚みは５０Ｘ〜１００Ａ
が好ましい。
が好ましい。
上記、厚みの範囲はＡｇの場合５００叉以下の厚みにな
ると次工程のＮｉめつきをする除抵抗が大きくなり導体
化膜の要をなさない。上限の１ｏｏｏＸ以上になるとピ
ット及びグループの形状がホトレジストで形成されたピ
ット及びグループ形状のエッヂ部分の形状がシャープで
なくなシ形状変化をきたしてしまう。
ると次工程のＮｉめつきをする除抵抗が大きくなり導体
化膜の要をなさない。上限の１ｏｏｏＸ以上になるとピ
ット及びグループの形状がホトレジストで形成されたピ
ット及びグループ形状のエッヂ部分の形状がシャープで
なくなシ形状変化をきたしてしまう。
Ｎｉ及びＮｉ合金の薄膜層４の場合、下限の５ＯＡはＡ
ｇの変色防止効果がある最低厚みである。上限の１００
ＸはＡｇ薄膜最３ヶ含めた導体化膜の厚みが厚くなると
導体化層の形成時の内部応力が大きくな９、部分的な導
体化層の膜はがれが生じてじまい、膜にがれが起きた部
分のピット及びグループの深さが小さくなってしまう。
ｇの変色防止効果がある最低厚みである。上限の１００
ＸはＡｇ薄膜最３ヶ含めた導体化膜の厚みが厚くなると
導体化層の形成時の内部応力が大きくな９、部分的な導
体化層の膜はがれが生じてじまい、膜にがれが起きた部
分のピット及びグループの深さが小さくなってしまう。
従って膜にがれを防ぐために導体化膜の厚みは必要最小
限にする必要がある。Ｎｉ及びＮｉ合金薄膜層４の厚み
が１００Ｘ以下であれば部分的に導体化層の膜にがれが
生じても、正常な部分のピット及びグループの深さに対
して深さ変化が小さいので機能特性上問題にならない。
限にする必要がある。Ｎｉ及びＮｉ合金薄膜層４の厚み
が１００Ｘ以下であれば部分的に導体化層の膜にがれが
生じても、正常な部分のピット及びグループの深さに対
して深さ変化が小さいので機能特性上問題にならない。
Ａｇ薄膜層６とＮｉ及びＮｉ合金薄膜層４の形成は上述
のスパッタ法以外に、蒸着法など同一チャンバー内で連
続してＡｇ及びＮｉまたＮｉ合金薄膜ＮＩを形成できる
ものであれば適用できる。
のスパッタ法以外に、蒸着法など同一チャンバー内で連
続してＡｇ及びＮｉまたＮｉ合金薄膜ＮＩを形成できる
ものであれば適用できる。
Ａｇ薄膜層３の上に形成する導体化膜としてＮｉまたは
Ｎｉ合金を用いた理由は次工程のＮｉめっき層と相性が
良いからとＡｇと較べて変色し難いからである。
Ｎｉ合金を用いた理由は次工程のＮｉめっき層と相性が
良いからとＡｇと較べて変色し難いからである。
Ｎｉ合金としては、Ｎ ｉ −Ｃｏ 、 Ｎ ｉ −Ｆ
ｅ 。
ｅ 。
Ｎｉ−Ｃｒ等が採用できる。
次に、上述の導体化膜の形成後、Ｎｉ！鋳層全所望の厚
みに電鋳する。
みに電鋳する。
Ｎｉ電鋳層５の厚みは一般的におよそ３００μ諷が採用
されている。
されている。
次に、ガラス原盤１に付いた状態でＮｉ電鋳層５の裏面
を研磨する。
を研磨する。
次に、研磨後ガラス原盤からＮｉ電鋳層５をはがし、Ｎ
ｉ電鋳Ｎ５の記録面に付着したホトレジストヲ専用のハ
クリ液でハクリする。
ｉ電鋳Ｎ５の記録面に付着したホトレジストヲ専用のハ
クリ液でハクリする。
次に、Ｎｉ電鋳層５の記録面側に形成されているＡｇ薄
膜ＮＩ５ｋＡｇハクリ液で化学的にハクリする。このＡ
ｇハクリ液はＡｇのみエツチングし、Ｎｉまたｉｒ、Ｎ
ｉ合金層全エツチングしないものでなければならない。
膜ＮＩ５ｋＡｇハクリ液で化学的にハクリする。このＡ
ｇハクリ液はＡｇのみエツチングし、Ｎｉまたｉｒ、Ｎ
ｉ合金層全エツチングしないものでなければならない。
代表的Ｚ Ａ ｇハクリ液の組成及び条件を示す。
０ハクリ液組成
シアン化ンーダ ５〜１０φ
０条件
陽極電解
電流密度 ５ Ａ ／ ａｍ”
時間 ５秒以内
次に、Ａｇ薄膜層５をハクリしたＮｉ電鋳層５を内径、
外径の加工を施すとスタンパが完成する。
外径の加工を施すとスタンパが完成する。
以上述べたように本発明によれば、ガラス原盤に所望の
厚みのホトレジスト’に塗布し、露光・現像した後、導
体化膜として厚みが５００Å〜１ｏｏｏＸのＡｇ薄膜層
を、連続して形成し、次にｓｏＸ〜１００ＸのＮｉまた
Ｎｉ合金薄膜層を形成し、次にＮｉめつき全所望の厚み
にめっきし、ガラス原盤からＮｉめつき鳩をはがしに後
、該Ｎｉめつき層のＡｇ薄膜層贋金クリした元メモリー
スタンパの製造方法により、Ａｇ薄膜層の変色全おさえ
、導体化膜の膜はがれ全防ぎ、導体化膜にＡｇｉ用いた
ときのスタンバの歩留シ向上を可能にしたものである。
厚みのホトレジスト’に塗布し、露光・現像した後、導
体化膜として厚みが５００Å〜１ｏｏｏＸのＡｇ薄膜層
を、連続して形成し、次にｓｏＸ〜１００ＸのＮｉまた
Ｎｉ合金薄膜層を形成し、次にＮｉめつき全所望の厚み
にめっきし、ガラス原盤からＮｉめつき鳩をはがしに後
、該Ｎｉめつき層のＡｇ薄膜層贋金クリした元メモリー
スタンパの製造方法により、Ａｇ薄膜層の変色全おさえ
、導体化膜の膜はがれ全防ぎ、導体化膜にＡｇｉ用いた
ときのスタンバの歩留シ向上を可能にしたものである。
第１図から第６図に本発明の元メモリー用スタンバの製
造方法を示す工程断面図である。
造方法を示す工程断面図である。
Claims (2)
- （１）ガラス原盤に所望の厚みのホトレジストを塗布し
、露光現像した後、導体化膜としてＡｇ薄膜層を連続し
て形成し、次にＮｉ及びＮｉ合金薄膜層を形成し、次に
Ｎｉめつきを所望の厚みにめつきし、ガラス原盤からＮ
ｉめつき層をはがした後、該Ｎｉめつき層のＡｇ薄膜層
をハクリしたことを特徴とする光メモリー用スタンパの
製造方法。 - （２）特許請求の範囲第一項において、導体化膜の厚み
をＡｇ薄膜層は５００Å〜１０００Å、Ｎｉ及びＮｉ合
金薄膜層は５０Å〜１００Åにしたことを特徴とする光
メモリー用スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251082A JP2646533B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 光メモリー用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251082A JP2646533B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 光メモリー用スタンパの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63105987A true JPS63105987A (ja) | 1988-05-11 |
| JP2646533B2 JP2646533B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=17217370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61251082A Expired - Lifetime JP2646533B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 光メモリー用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646533B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277594A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式記録媒体の製造方法 |
| EP1764797A3 (en) * | 2000-05-12 | 2008-11-19 | Pioneer Corporation | Production method for optical disc |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58144491A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-27 | Toshiba Corp | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
| JPS6022080A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-04 | Taiho Kogyo Co Ltd | 斜板式コンプレツサ |
-
1986
- 1986-10-22 JP JP61251082A patent/JP2646533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58144491A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-27 | Toshiba Corp | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
| JPS6022080A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-04 | Taiho Kogyo Co Ltd | 斜板式コンプレツサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277594A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式記録媒体の製造方法 |
| EP1764797A3 (en) * | 2000-05-12 | 2008-11-19 | Pioneer Corporation | Production method for optical disc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646533B2 (ja) | 1997-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4454014A (en) | Etched article | |
| US5015338A (en) | Method of manufacturing a stamper for formation of optical information carrying disk | |
| JPS63105987A (ja) | 光メモリ−用スタンパの製造方法 | |
| JPH02149691A (ja) | 金属マトリックスの製造方法 | |
| US7632628B2 (en) | Stamper and method for production thereof | |
| JP2946911B2 (ja) | 装飾部材の製造方法 | |
| JP3331619B2 (ja) | 装飾部材及びその製造方法 | |
| GB2088412A (en) | Method of Fabricating a Metallic Pattern on a Substrate | |
| CA1296289C (en) | Process for producing gold-colored coinage | |
| JP2517161B2 (ja) | 光ディスク原盤およびマスタ―スタンパ―の製造方法 | |
| JP2947208B2 (ja) | 装飾部材及びこれを用いた時計 | |
| JP2770597B2 (ja) | マスタースタンパーの製造方法及び光ディスク原盤容器 | |
| JPS5857908B2 (ja) | 薄膜構造体の形成方法 | |
| JPH0336021A (ja) | 高硬度スタンパ及びその製造方法 | |
| JPS62212943A (ja) | 光メモリ−用スタンパの製造方法 | |
| JPS61284843A (ja) | 光デイスク成形用スタンパの製造方法 | |
| JPS5812150A (ja) | 情報記録担体の製造方法 | |
| JPS60103194A (ja) | スタンパとその製造方法 | |
| JPH03240996A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH02198835A (ja) | マスター用ガラス基板 | |
| JPH02199638A (ja) | マスター用ガラス基板 | |
| JPH0921889A (ja) | ワンピース構造腕時計側の製造方法 | |
| JP3207560B2 (ja) | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 | |
| JPS6158558B2 (ja) | ||
| JPH059775A (ja) | スタンパの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |