JPS60103194A - スタンパとその製造方法 - Google Patents
スタンパとその製造方法Info
- Publication number
- JPS60103194A JPS60103194A JP21086483A JP21086483A JPS60103194A JP S60103194 A JPS60103194 A JP S60103194A JP 21086483 A JP21086483 A JP 21086483A JP 21086483 A JP21086483 A JP 21086483A JP S60103194 A JPS60103194 A JP S60103194A
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- pattern
- master
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスタンバの製造方法にかかわり、特に、光デイ
スク用に適した高精度なスタンバの・製造方法に関する
ものである。
スク用に適した高精度なスタンバの・製造方法に関する
ものである。
レコードのラッカー盤など非導電性材料の原・盤から電
気めっき法によりスタンバを形成する。
気めっき法によりスタンバを形成する。
ことはよく知られている。ここで、非導電性の原盤に電
気めっきを行なうためには、導電膜を形成することが必
要であり、導電膜が原盤のパターン形状を精度よく転写
すること、導電膜がスタンバとして使用中およぎ保管中
にパターン形状を精度よく維持すること、原盤のパター
ンがスタンバの製造工程中に変化しないこと、スタンバ
の平坦度が良好であることなど、多くの条件がスタンバ
およびその製造方法に要求されている。特に、原盤のパ
ターン形状が非常に高い精度を要求される場合、例えば
光デイスク用スタンバにおいては、上記条件は重要であ
る。
気めっきを行なうためには、導電膜を形成することが必
要であり、導電膜が原盤のパターン形状を精度よく転写
すること、導電膜がスタンバとして使用中およぎ保管中
にパターン形状を精度よく維持すること、原盤のパター
ンがスタンバの製造工程中に変化しないこと、スタンバ
の平坦度が良好であることなど、多くの条件がスタンバ
およびその製造方法に要求されている。特に、原盤のパ
ターン形状が非常に高い精度を要求される場合、例えば
光デイスク用スタンバにおいては、上記条件は重要であ
る。
従来、レコード用スタンバは、第１図に示す・工程で製
造されていた。すなわち、信号を書き・込んだラッカー
盤等の原盤に銀鏡反応により銀導電膜を形′訂、ついヤ
該銀導電膜上に電気めっき法によりニッケルめっき膜を
形成する。その後、銀導電膜と一体となったニッケルめ
っき。
造されていた。すなわち、信号を書き・込んだラッカー
盤等の原盤に銀鏡反応により銀導電膜を形′訂、ついヤ
該銀導電膜上に電気めっき法によりニッケルめっき膜を
形成する。その後、銀導電膜と一体となったニッケルめ
っき。
膜を原盤から剥離し、スタン・バとする。この方法で製
造したスタンバは、第２図に示すように、所定のパター
ンの反転パターン１を有する銀導電膜２とニッケルめつ
き膜３とからなる。
造したスタンバは、第２図に示すように、所定のパター
ンの反転パターン１を有する銀導電膜２とニッケルめつ
き膜３とからなる。
♂ころが、この方法で光ディスク用スクンづを製造する
と、次のような欠点２有する。すなわち、第１に、銀鏡
反応はアルカリ性の反応液を用いるため、フォトレジス
ト膜が侵されてパターンが変形し、正確な転写が困難で
ある。午２に、銀鏡反応により生成する銀粒子の大きさ
は反応条件により大きく変化するため、原盤のパターン
の転写精度の安定性に欠ける。第３に、スタンバの表面
を構成する銀膜は一酸化、硫化により著しく変化し、ス
タンバの使用中および保管中にパターン形状を精度よく
維持することが・困難である。第４に、０．３ｍ程度の
厚さのニッケ・ルめ？き膜では、スタンバとして平坦度
を維持・することは難しい。 − 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を・なくし、
高精度なスタンバの製造方法を提供するにある。
と、次のような欠点２有する。すなわち、第１に、銀鏡
反応はアルカリ性の反応液を用いるため、フォトレジス
ト膜が侵されてパターンが変形し、正確な転写が困難で
ある。午２に、銀鏡反応により生成する銀粒子の大きさ
は反応条件により大きく変化するため、原盤のパターン
の転写精度の安定性に欠ける。第３に、スタンバの表面
を構成する銀膜は一酸化、硫化により著しく変化し、ス
タンバの使用中および保管中にパターン形状を精度よく
維持することが・困難である。第４に、０．３ｍ程度の
厚さのニッケ・ルめ？き膜では、スタンバとして平坦度
を維持・することは難しい。 − 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を・なくし、
高精度なスタンバの製造方法を提供するにある。
本発明は、導電膜を蒸着法等の気相成長法で。
形成し、原盤のフォトレジスト膜の耐熱性を向上させる
ために紫外光の照射を行ない、また乙−タンパの平坦度
を確保するために平坦な裏打ち材をめっき膜に接着した
ことが、その要点である。すなわら、本発明によるスタ
ンバの製造方法は、原盤上の所定のパターンを形成した
フォトレジスト膜に紫外光を照射する第１の工程と、フ
ォトレジスト膜上に蒸着法等の気相成長法で金属薄膜、
を形成する第２の工程と、その上にめっき法によりめっ
き膜を形成する第３の工程と、平坦な裏打ち材をめっき
膜に接着する第４の工程と、原盤を金属薄膜から剥離す
る第５の工程とからなることを特徴とする。
ために紫外光の照射を行ない、また乙−タンパの平坦度
を確保するために平坦な裏打ち材をめっき膜に接着した
ことが、その要点である。すなわら、本発明によるスタ
ンバの製造方法は、原盤上の所定のパターンを形成した
フォトレジスト膜に紫外光を照射する第１の工程と、フ
ォトレジスト膜上に蒸着法等の気相成長法で金属薄膜、
を形成する第２の工程と、その上にめっき法によりめっ
き膜を形成する第３の工程と、平坦な裏打ち材をめっき
膜に接着する第４の工程と、原盤を金属薄膜から剥離す
る第５の工程とからなることを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を詳説する。第６図（ロ）ない
し０は本発明によるスタンバの製造方法を示す製造工程
図である。まず、直径５５０簡のガラス板４に被着した
フォトレジスト膜５に所定のパターン６”を形成した原
盤Ｚを準備しく第３図（イ））、高圧水銀灯により上記
フォトレジスト膜５に紫外光を照射した（同図（ハ））
。紫外光の照射量は１０ＪＡｔｌである。次に、蒸着法
によりニッケル蒸着膜８を１０００ 、／の厚さに形成
しく同図０）、さらに、ニッケル蒸着膜８の上に、電気
めっき法によりニッケルめっき膜９を形成した（同図（
Ａ）。このめっき条件は、例えばスルファミン酸ニッケ
ル３００９／ｌ、塩化ニッケルｉ ｏ ｔ７ｔ 、ホウ
酸５ｏｔ７ｔからなるスルファミン酸ニッケルめっき液
で、液晶３０Ｃ１電流密度０．１〜１０ Ａ／ｄｍ’、
めっき時間２００分である。次に、アクリル系の接着剤
１０を用いて、炭素鋼からなる平坦な裏打ち材１１を二
゛ッケルめっき膜９に接着した（同図０）。次に°、原
盤Ｚとニッケル蒸着膜８との間を剥離しく同・図（ハ）
）、最後に、外周を整形加工して、原盤７・のフォトレ
ジスト膜５に形成したパターン６を）反転した反転パタ
ーン６′を有するスタンバ１２を・得た（同図ｆＧ））
。
し０は本発明によるスタンバの製造方法を示す製造工程
図である。まず、直径５５０簡のガラス板４に被着した
フォトレジスト膜５に所定のパターン６”を形成した原
盤Ｚを準備しく第３図（イ））、高圧水銀灯により上記
フォトレジスト膜５に紫外光を照射した（同図（ハ））
。紫外光の照射量は１０ＪＡｔｌである。次に、蒸着法
によりニッケル蒸着膜８を１０００ 、／の厚さに形成
しく同図０）、さらに、ニッケル蒸着膜８の上に、電気
めっき法によりニッケルめっき膜９を形成した（同図（
Ａ）。このめっき条件は、例えばスルファミン酸ニッケ
ル３００９／ｌ、塩化ニッケルｉ ｏ ｔ７ｔ 、ホウ
酸５ｏｔ７ｔからなるスルファミン酸ニッケルめっき液
で、液晶３０Ｃ１電流密度０．１〜１０ Ａ／ｄｍ’、
めっき時間２００分である。次に、アクリル系の接着剤
１０を用いて、炭素鋼からなる平坦な裏打ち材１１を二
゛ッケルめっき膜９に接着した（同図０）。次に°、原
盤Ｚとニッケル蒸着膜８との間を剥離しく同・図（ハ）
）、最後に、外周を整形加工して、原盤７・のフォトレ
ジスト膜５に形成したパターン６を）反転した反転パタ
ーン６′を有するスタンバ１２を・得た（同図ｆＧ））
。
この実施例により製造したスタンバは、原盤のパターン
を正確に反転々写したパターンを有。
を正確に反転々写したパターンを有。
し、スタンバの使用中および保管中にバター呂。
形状が変化することなく、平坦度も直径５ｏｏＩ＋ＩＩ
ＩＬに対して１０μｍ以下と極めて平坦度の高いもので
あった。
ＩＬに対して１０μｍ以下と極めて平坦度の高いもので
あった。
上記実施例では、導電膜としてニッケルを用いたが、ニ
ッケルに限らず、金、白金、パラジウム等の貴金属、ク
ロム、タングステン等の耐食性金属であれば、特に制限
はない。ただし、耐食性と、めっき膜との接着性との点
からはニッケル、パラジウム、金が特に適している。
ッケルに限らず、金、白金、パラジウム等の貴金属、ク
ロム、タングステン等の耐食性金属であれば、特に制限
はない。ただし、耐食性と、めっき膜との接着性との点
からはニッケル、パラジウム、金が特に適している。
才た、導電膜の形成方法としては、蒸着法に限らず、ス
パッタリング法、イオンブレーティング法など気相成長
法であれば特に制限はない。
パッタリング法、イオンブレーティング法など気相成長
法であれば特に制限はない。
また、紫外光の照射量は０．５ Ｊ ／ａｄ以上あれば
よく、波長ハ、。（３０７１’から４５００）の波長が
特に適している。
よく、波長ハ、。（３０７１’から４５００）の波長が
特に適している。
また、裏打ち材とめっき膜との接着に用いる接着剤は、
アクリル系のほか、エポキシ系など裏打ち材とめっき膜
とを強固に接着するものであればよい。さらに、裏打ち
材としては、鉄、ステンレス鋼、真ちゅう、銅、アルミ
ニウム等が適しているが、ニッケルめっき膜との熱膨張
率の整合の点からは鉄が、耐食性の点からはステンレス
鋼が、特に適している。
アクリル系のほか、エポキシ系など裏打ち材とめっき膜
とを強固に接着するものであればよい。さらに、裏打ち
材としては、鉄、ステンレス鋼、真ちゅう、銅、アルミ
ニウム等が適しているが、ニッケルめっき膜との熱膨張
率の整合の点からは鉄が、耐食性の点からはステンレス
鋼が、特に適している。
さらに、気相成長法により導電膜を形成する場合、あら
かじめ原盤を加熱しておくことは、導電膜とフォトレジ
スタ膜との密着性を向上し、かつ形成された導電膜の内
部応力を低減する上で好ましい。また、紫外光を照射す
る工程の後に原盤を５０〜１５０ｔ：の温度で加熱処理
することは、フォトレジスタ膜と原盤との接着性を向上
し、フォトレジスト膜中に残存する感光基ｌこ依・存す
る窒素ガスを除去して導電膜の発泡を防止・する点で好
ましい。なお１、この加熱処理は、上・記した導電膜形
成時の原盤の加熱と兼ねてもよ・く、こうずれば工程の
短縮が図れる。
かじめ原盤を加熱しておくことは、導電膜とフォトレジ
スタ膜との密着性を向上し、かつ形成された導電膜の内
部応力を低減する上で好ましい。また、紫外光を照射す
る工程の後に原盤を５０〜１５０ｔ：の温度で加熱処理
することは、フォトレジスタ膜と原盤との接着性を向上
し、フォトレジスト膜中に残存する感光基ｌこ依・存す
る窒素ガスを除去して導電膜の発泡を防止・する点で好
ましい。なお１、この加熱処理は、上・記した導電膜形
成時の原盤の加熱と兼ねてもよ・く、こうずれば工程の
短縮が図れる。
以上説明したように、本発明によれば、原盤のフォトレ
ジスト膜に形成した所定形状のバタ。
ジスト膜に形成した所定形状のバタ。
−ンを極めて正確に反転々写することが可能と。
なり、またスタンバの製造工程中に原盤のパターンが変
化することも防止できる。さらに、スタンバの使用中お
よび保管中に酸化、硫化等Ｃζよってパターンの形状が
変化することも防止できる。また、スタンバの平坦度も
、直径３００ ｔｉｎに対して、そりが１０ｐｍ程度と
極めて平坦性のよいスタンバを安定性よく形成すること
ができる。これにより、光デイスク用などに適した高精
度かつ高密度で長寿命のスタンバを、安定性よく製造す
ることが可能となる。
化することも防止できる。さらに、スタンバの使用中お
よび保管中に酸化、硫化等Ｃζよってパターンの形状が
変化することも防止できる。また、スタンバの平坦度も
、直径３００ ｔｉｎに対して、そりが１０ｐｍ程度と
極めて平坦性のよいスタンバを安定性よく形成すること
ができる。これにより、光デイスク用などに適した高精
度かつ高密度で長寿命のスタンバを、安定性よく製造す
ることが可能となる。
第１図は従来の方法によるスタンバの製造工程図、第２
図は従来の方法により製造したスタ。 ンバの断面図、第３図は本発明の方法によるスタンバの
製造工程図および各工程における断面図である。 符号の説明 ４・・・ガラス板 ５・・・フォトレジスト膜 ６・・・ノ々ターン ６・・・反転パターン ス・・・原盤 ８・・・ニッケル蒸着膜 ９・・・ニッケルめっき膜 １０・・・接着剤 １１・・・裏打ち材 １−２・・・スタンバ 第１図 第２図 ！
図は従来の方法により製造したスタ。 ンバの断面図、第３図は本発明の方法によるスタンバの
製造工程図および各工程における断面図である。 符号の説明 ４・・・ガラス板 ５・・・フォトレジスト膜 ６・・・ノ々ターン ６・・・反転パターン ス・・・原盤 ８・・・ニッケル蒸着膜 ９・・・ニッケルめっき膜 １０・・・接着剤 １１・・・裏打ち材 １−２・・・スタンバ 第１図 第２図 ！
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 裏打ち材と、これの片面に接着剤で接着さ・れた
ニッケルめっき膜と、このニッケル膜上に１設けられた
ニッケル蒸着膜よりなることを特徴・とするスタンバ。 ２、 所定のパターンを形成したフォトレジスト膜を有
する原盤から、該パターンの反転パターンを有するスタ
ンバを製造する方法であって、原盤上のフォトレジスト
膜に紫外光を照射する第１の工程と、該フォトレジスト
膜の上に気相成長法により金属薄膜を形成する第２の工
程と、該金属薄膜の上にめっき法によりめっき膜を形成
する第６の工程と、該めっき膜に平坦な裏打ち材を接着
する第４の工程と、前記原盤を前記金属薄膜から剥離し
て、金属薄膜、めっき膜および裏打ち材で形成されたス
タンバを得る第５の工程とからなることを特徴とするス
タンバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21086483A JPS60103194A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | スタンパとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21086483A JPS60103194A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | スタンパとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103194A true JPS60103194A (ja) | 1985-06-07 |
| JPH055904B2 JPH055904B2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=16596361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21086483A Granted JPS60103194A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | スタンパとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103194A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173285A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-04 | Nippon Columbia Co Ltd | スタンパの製造方法 |
| US5355583A (en) * | 1992-07-28 | 1994-10-18 | Yazaki Corporation | Method and apparatus for inserting terminal |
| JP2005290429A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Seiko Instruments Inc | 低融点金属を用いた電鋳部品の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21086483A patent/JPS60103194A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173285A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-04 | Nippon Columbia Co Ltd | スタンパの製造方法 |
| US5355583A (en) * | 1992-07-28 | 1994-10-18 | Yazaki Corporation | Method and apparatus for inserting terminal |
| JP2005290429A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Seiko Instruments Inc | 低融点金属を用いた電鋳部品の製造方法 |
| JP4530262B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-08-25 | セイコーインスツル株式会社 | 低融点金属を用いた電鋳部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055904B2 (ja) | 1993-01-25 |
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