JPH055904B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はスタンパの製造方法にかかわり、特
に、光デイスク用に適した高精度なスタンパの製
造方法に関するものである。

〔発明の背景〕

レコードのラツカー盤など非導電性材料の原盤
から電気めつき法によりスタンパを形成すること
はよく知られている。ここで、非導電性の原盤に
電気めつきを行なうためには、導電膜を形成する
ことが必要であり、導電膜が原盤のパターン形状
を精度よく転写すること、導電膜がスタンパとし
て使用中およぎ保管中にパターン形状を精度よく
維持すること、原盤のパターンがスタンパの製造
工程中に変化しないこと、スタンパの平坦度が良
好であることなど、多くの条件がスタンパおよび
その製造方法に要求されている。特に、原盤のパ
ターン形状が非常に高い精度を要求される場合、
例えば光デイスク用スタンパにおいては、上記条
件は重要である。

従来、レコード用スタンパは、第１図に示す工
程で製造されていた。すなわち、信号を書き込ん
だラツカー盤等の原盤に銀鏡反応により銀導電膜
を形成し、ついで該銀導電膜上に電気めつき法に
よりニツケルめつき膜を形成する。その後、銀導
電膜と一体となつたニツケルめつき膜を原盤から
剥離し、スタンパとする。この方法で製造したス
タンパは、第２図に示すように、所定のパターン
の反転パターン１を有する銀導電膜２とニツケル
めつき膜３とからなる。

ところが、この方法で光デイスク用スタンパを
製造すると、次のような欠点を有する。すなわ
ち、第１に、銀鏡反応はアルカリ性の反応液を用
いるため、フオトレジスト膜が侵されてパターン
が変形し、正確な転写が困難である。第２に、銀
鏡反応により生成する銀粒子の大きさは反応条件
により大きく変化するため、原盤のパターンの転
写精度の安定性に欠ける。第３に、スタンパの表
面を構成する銀膜は酸化、硫化により著しく変化
し、スタンパの使用中および保管中にパターン形
状を精度よく維持するとが困難である。第４に、
0.3mm程度の厚さのニツケルめつき膜では、スタ
ンパとして平坦度を維持することは難しい。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、高精度な光デイスク用スタンパの製造方法
を提供するにある。

〔発明の概要〕

本発明による光デイスク用スタンパの製造方法
は、ガラス板に被着させたフオトレジスト膜に所
定のパターンを形成して原盤を製作する第１の工
程と、フオトレジスト膜に紫外光を照射する第２
の工程と、フオトレジスト膜上に気相成長法によ
り金属薄膜を形成する第３の工程と、金属薄膜上
にめつき法によりめつき膜を形成する第４の工程
と、めつき膜に平坦な裏打ち材を接着する第５の
工程と、原盤を金属薄膜から剥離して金属薄膜、
めつき膜、および裏打ち材で形成されたスタンパ
を得る第６の工程とから成ることを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を詳説する。第３図Ａ
ないしＧは本発明による光デイスク用スタンパの
製造方法を示す製造工程図である。まず、直径
350mmのガラス板４に被着したフオトレジスト膜
５に所定のパターン６を形成した原盤７を準備し
（第３図Ａ）、高圧水銀灯により上記フオトレジス
ト膜５に紫外光を照射した（同図Ｂ）。紫外光の
照射量は10J／cm²である。次に、蒸着法によりニ
ツケル蒸着膜８を1000Åの厚さに形成し（同図
Ｃ）、さらに、ニツケル蒸着膜８の上に、電気め
つき法によりニツケルめつき膜９を形成した（同
図Ｄ）。このめつき条件は、例えばスルフアミン
酸ニツケル300ｇ／、塩化ニツケル10ｇ／、
ホウ酸30ｇ／からなるスルフアミン酸ニツケル
めつき液で、液温30℃、電流密度0.1〜10A／ｄ
m²、めつき時間200分である。次に、アクリル系
の接着剤１０を用いて、炭素鋼からなる平坦な裏
打ち材１１をニツケルめつき膜９に接着した（同
図Ｅ）。次に、原盤７とニツケル蒸着膜８との間
を剥離し（同図Ｆ）、最後に、外周を整形加工し
て、原盤７のフオトレジスト膜５に形成したパタ
ーン６を反転した反転パターン６′を有するスタ
ンパ１２を得た（同図Ｇ）。

この実施例により製造したスタンパは、原盤の
パターンを正確に反転々写したパターンを有し、
スタンパの使用中および保管中にパターン形状が
変化することなく、平坦度も直径300mmに対して
10μｍ以下と極めて平坦度の高いものであつた。

上記実施例では、導電膜としてニツケルを用い
たが、ニツケルに限らず、金、白金、パラジウム
等の貴金属、クロム、タングステン等の耐食性金
属であれば、特に制限はない。ただし、耐食性
と、めつき膜との接着性との点からは、ニツケ
ル、パラジウム、金が特に適している。また、導
電膜の形成方法としては、蒸着法に限らず、スパ
ツタリング法、イオンプレーテイング法など気相
成長法であれば特に制限はない。また、紫外光の
照射量は0.5J／cm²以上あればよく、波長は2000Å
から4500Åの波長が特に適している。

また、裏打ち材とめつき膜との接着に用いる接
着剤は、アクリル系のほか、エポキシ系など裏打
ち材とめつき膜とを強固に接着するものであれば
よい。さらに、裏打ち材としては、鉄、ステンレ
ス鋼、真ちゆう、銅、アルミニウム等が適してい
るが、ニツケルめつき膜との熱膨張率の整合の点
からは鉄が、耐食性の点からはステンレス鋼が、
特に適している。

さらに、気相成長法により導電膜を形成する場
合、あらかじめ原盤を加熱しておくことは、導電
膜とフオトレジスト膜との密着性を向上し、かつ
形成された導電膜の内部応力を低減する上で好ま
しい。また、紫外光を照射する工程の後に原盤を
50〜150℃の温度で加熱処理することは、フオト
レジスト膜と原盤との接着性を向上し、フオトレ
ジスト膜中に残存する感光基に依存する窒素ガス
を除去して導電膜の発泡を防止する点で好まし
い。なお、この加熱処理は、上記した導電膜形成
時の原盤の加熱と兼ねてもよく、こうすれば工程
の短縮が図れる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、原盤の
フオトレジスト膜に形成した所定形状のパターン
を極めて正確に反転々写することが可能となり、
またスタンパの製造工程中に原盤のパターンが変
化することも防止できる。さらに、スタンパの使
用中および保管中に酸化、硫化等によつてパター
ンの形状が変化することも防止できる。また、ス
タンパの平坦度も、直径300mmに対して、そりが
10μｍ程度と極めて平坦性のよいスタンパを安定
性よく形成することができる。これにより、光デ
イスク用などに適した高精度かつ高密度で長寿命
のスタンパを、安定性よく製造することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の方法によるスタンパの製造工程
図、第２図は従来の方法により製造したスタンパ
の断面図、第３図は本発明の方法によるスタンパ
の製造工程図および各工程における断面図であ
る。 符号の説明、４……ガラス板、５……フオトレ
ジスト膜、６……パターン、６′……反転パター
ン、７……原盤、８……ニツケル蒸着膜、９……
ニツケルめつき膜、１０……接着剤、１１……裏
打ち材、１２……スタンパ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ガラス板に被着させたフオトレジスト膜に所
   定のパターンを形成して原盤を製作する第１の工
   程と、該フオトレジスト膜に紫外光を照射する第
   ２の工程と、該フオトレジ膜上に気相成長法によ
   り金属薄膜を形成する第３の工程と、該金属薄膜
   上にめつき法によりめつき膜を形成する第４の工
   程と、該めつき膜に平坦な裏打ち材を接着する第
   ５の工程と、前記原盤を前記金属薄膜から剥離し
   て、金属薄膜、めつき膜および裏打ち材で形成さ
   れたスタンパを得る第６の工程とから成ることを
   特徴とする光デイスク用スタンパの製造方法。 ２ 前記第２の工程において、前記フオトレジス
   ト膜に波長が2000Åから4500Åの紫外線を0.5J／
   cm²以上の照射量で照射することを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光デイク用スタンパの製
   造方法。 ３ 前記第２の工程において、前記紫外光を照射
   した後に、さらに50〜150℃の温度で加熱処理す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   光デイスク用スタンパの製造方法。 ４ 前記第３の工程において、予め前記原盤を加
   熱してから前記フオトレジスト膜上に気相成長法
   により金属薄膜を形成することを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光デイスク用スタンパの
   製造方法。