JPS59107434A - 親マトリクスの製造方法 - Google Patents
親マトリクスの製造方法Info
- Publication number
- JPS59107434A JPS59107434A JP58191092A JP19109283A JPS59107434A JP S59107434 A JPS59107434 A JP S59107434A JP 58191092 A JP58191092 A JP 58191092A JP 19109283 A JP19109283 A JP 19109283A JP S59107434 A JPS59107434 A JP S59107434A
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- JP
- Japan
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- matrix
- parent
- photoresist
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、情報トラックを中に備えた正のホトレジスト
層を片側に有する平らな支持ディスクである親ディスク
に、ホトレジスト層の側に金属皮を、最初無電解溶着に
よって、次に電着によって設け、金属皮を親ディスクか
ら分離し、親ディスクの情報トラックが負である情報ト
ラックを有づる父７１〜リクスを生じ、父７トリクスの
表面に存在するホトレジストの残部を溶解し金属コピー
を電着によって父マトリクスからつくり、得られた母７
１−リクスが親ディスクの情報トラックと同一である情
報トラックを有する母′？１〜リクスの製造に関するも
のである。
層を片側に有する平らな支持ディスクである親ディスク
に、ホトレジスト層の側に金属皮を、最初無電解溶着に
よって、次に電着によって設け、金属皮を親ディスクか
ら分離し、親ディスクの情報トラックが負である情報ト
ラックを有づる父７１〜リクスを生じ、父７トリクスの
表面に存在するホトレジストの残部を溶解し金属コピー
を電着によって父マトリクスからつくり、得られた母７
１−リクスが親ディスクの情報トラックと同一である情
報トラックを有する母′？１〜リクスの製造に関するも
のである。
この種の方法はオランダ国特許出願第７６１１３９５号
に記載されている。父マトリクスに存在するホトレジス
トの残部を有機溶媒、特にイソプロピルアルコールとメ
チルイソブチルケ１〜ンとの混合物で処理して溶解する
。
に記載されている。父マトリクスに存在するホトレジス
トの残部を有機溶媒、特にイソプロピルアルコールとメ
チルイソブチルケ１〜ンとの混合物で処理して溶解する
。
親ディスクから只１個の父マトリクスを製造することが
できる。合成樹脂における正のコピーは、例えば成型法
または射出成型法を用いて、前記父マトリク５スからつ
くられる。正のコピーは、情報ｉ〜ラックが親ディスク
と同じであるコピーである。
できる。合成樹脂における正のコピーは、例えば成型法
または射出成型法を用いて、前記父マトリク５スからつ
くられる。正のコピーは、情報ｉ〜ラックが親ディスク
と同じであるコピーである。
合成樹脂にお【ノるコピーを製造するマトリクスの数を
増やすために、複数の金属コピー、いわゆる母マトリク
スを、電着によって父ディスクから製造する。さらにコ
ピー、いわゆる息子７１〜リクスを次いで各母マトリク
スから、やはり電着によって製造する。息子マトリクス
を用いてつくった合成樹脂におけるコピーは正のコピー
である。
増やすために、複数の金属コピー、いわゆる母マトリク
スを、電着によって父ディスクから製造する。さらにコ
ピー、いわゆる息子７１〜リクスを次いで各母マトリク
スから、やはり電着によって製造する。息子マトリクス
を用いてつくった合成樹脂におけるコピーは正のコピー
である。
母マトリクスまたは息子マｌ−リクスを製造するための
電着方法は知られた方法である。−例として、金属塩の
酸性水溶液、例えば、ニッケル・スルフアメ−１〜の電
着（ガルバーニ）浴に父マトリクスを浸して、母マトリ
クスを製造する。父マトリクスを電着（ガルバーニ）浴
の陰極に接続する。
電着方法は知られた方法である。−例として、金属塩の
酸性水溶液、例えば、ニッケル・スルフアメ−１〜の電
着（ガルバーニ）浴に父マトリクスを浸して、母マトリ
クスを製造する。父マトリクスを電着（ガルバーニ）浴
の陰極に接続する。
電流通過時に、Ｎｉ皮を情報トラックの側の父マトリク
スに溶着する。Ｎｉ皮を分前後、父マトリクスの情報ト
ラックが負である情報トラックの母マトリクスが得られ
た。このような分離を容易に行うことができるように、
父マトリクスを用い、その表面を酸化剤で処理して不動
態にする。
スに溶着する。Ｎｉ皮を分前後、父マトリクスの情報ト
ラックが負である情報トラックの母マトリクスが得られ
た。このような分離を容易に行うことができるように、
父マトリクスを用い、その表面を酸化剤で処理して不動
態にする。
合成樹脂における優れたコピーが、前記オランダ国特許
出願第７６１１３９５号に記載された方法によって得ら
れた父マトリクスを用いて製Ｍできることを見出した。
出願第７６１１３９５号に記載された方法によって得ら
れた父マトリクスを用いて製Ｍできることを見出した。
金属コピー、従って母７１〜リクスを、電着法によって
父マトリクスからつくる場合に、問題が生じる。母マト
リクスの表面は品質が悪く、幅と深さが情報トラックよ
りも数倍大きい空洞を右する。このトラックは蓄音（戊
のレコードのような従来のサウンドトラックでよい。
父マトリクスからつくる場合に、問題が生じる。母マト
リクスの表面は品質が悪く、幅と深さが情報トラックよ
りも数倍大きい空洞を右する。このトラックは蓄音（戊
のレコードのような従来のサウンドトラックでよい。
好ましくは情報トラックは、オーディオまたはビデオ情
報の光学的に読出せるトラックである。この種の光学的
に読出せるトラックは交互に高レベルと低セベルに位置
する情報領域の極微細構造を有する。これら領域は、寸
法が小さく、０．２〜３μｍである。領域間の高さの差
は０．１〜０．２μｍである。情報トラックはら旋状で
あるか、または同心円から構成される。
報の光学的に読出せるトラックである。この種の光学的
に読出せるトラックは交互に高レベルと低セベルに位置
する情報領域の極微細構造を有する。これら領域は、寸
法が小さく、０．２〜３μｍである。領域間の高さの差
は０．１〜０．２μｍである。情報トラックはら旋状で
あるか、または同心円から構成される。
母マトリクスの表面の性質が悪いのは、情報トラックの
片側の父マトリクスの表面が均一な導電性を示さないこ
とに原因があることを見出した。
片側の父マトリクスの表面が均一な導電性を示さないこ
とに原因があることを見出した。
さらに特に、電着工程中の電流通過の際に、父マトリク
スの表面の若干の部分が導電率が小さく、ある程度まで
電気的に遮へいされることが、その結論である。陽極か
ら陰極までの電流線は、上記パーツの領域で偏向する。
スの表面の若干の部分が導電率が小さく、ある程度まで
電気的に遮へいされることが、その結論である。陽極か
ら陰極までの電流線は、上記パーツの領域で偏向する。
我々の考えでは、父マトリクスの表面上の導電率が不均
一なのは、製造中に父マトリクスがホトレジスト物質と
接触することに原因がある。親ディスクを分離した後の
父７トリクスのホトレジストの残部は溶媒処理では完全
に取除くことができない。数回くり返し処理する必要が
あり、これは全く不経済な方法となる。
一なのは、製造中に父マトリクスがホトレジスト物質と
接触することに原因がある。親ディスクを分離した後の
父７トリクスのホトレジストの残部は溶媒処理では完全
に取除くことができない。数回くり返し処理する必要が
あり、これは全く不経済な方法となる。
さらに、溶媒処理の結果として、溶Ｖ１． 熱弁によっ
て生じた極めてがん固な乾燥斑点を父７１−リクス表面
に形成する。また、これら極薄いレジスト物質の残部は
、父マトリクス表面の導電性が局部的に不十分な一因と
なる。言葉通りにホトレジスト物質は抵抗性物質ぐある
。
て生じた極めてがん固な乾燥斑点を父７１−リクス表面
に形成する。また、これら極薄いレジスト物質の残部は
、父マトリクス表面の導電性が局部的に不十分な一因と
なる。言葉通りにホトレジスト物質は抵抗性物質ぐある
。
本発明の目的は上記欠点を示さない方法を提供すること
にある。さらに特に本発明は、露光手段によってホトレ
ジストを導電性にづ°ることに特徴がある上記タイプの
方法に関するものである。
にある。さらに特に本発明は、露光手段によってホトレ
ジストを導電性にづ°ることに特徴がある上記タイプの
方法に関するものである。
例えば、紫外光線にさらすことによってホトレジスト分
子を分解する。共有結合を妨げる。イオノゲン群を生成
する。ホトレジストは親水性を得る。電解溶液はこの中
に浸透することができる。
子を分解する。共有結合を妨げる。イオノゲン群を生成
する。ホトレジストは親水性を得る。電解溶液はこの中
に浸透することができる。
レジスト物質層が比較的厚くても、アルカリ水性媒質中
で導電性になる。
で導電性になる。
原則として、ホトレジストは上記工程のどの瞬間でも露
光することができる。例えば、有機溶媒で処理した後、
父マトリクスを露光′することができ、特に乾燥斑点に
存在するレジスト物質を導電性物質に変える。また、親
ディスクの小トレジスト層を露光することができる。こ
の場合、父マトリクスの表面にあるホトレジストの残部
を水性媒質、特に水性アルカリ媒質に溶解する。露光し
たホトレジストに対して現像液、例えばＮａ１ｌ−（と
Ｎａ ４ Ｐ２０７の水溶液を使用することが極めて適
している。残りの乾燥斑点は導電性ホトレジス１−物質
を含むのでじゃまにはならない。
光することができる。例えば、有機溶媒で処理した後、
父マトリクスを露光′することができ、特に乾燥斑点に
存在するレジスト物質を導電性物質に変える。また、親
ディスクの小トレジスト層を露光することができる。こ
の場合、父マトリクスの表面にあるホトレジストの残部
を水性媒質、特に水性アルカリ媒質に溶解する。露光し
たホトレジストに対して現像液、例えばＮａ１ｌ−（と
Ｎａ ４ Ｐ２０７の水溶液を使用することが極めて適
している。残りの乾燥斑点は導電性ホトレジス１−物質
を含むのでじゃまにはならない。
特に、第２の露光工程を使用して、現像液に露光物質を
溶解し、ホトレジスト物質を除くことが、例えば、ゼロ
ックス・ディスクロージャ・ジャーナル、第７巻第４号
、１９８２年２９３． ２９４頁に記載されている。こ
の文献の主題は半導体技術に使用される「リフト・オフ
」技術を扱っている。
溶解し、ホトレジスト物質を除くことが、例えば、ゼロ
ックス・ディスクロージャ・ジャーナル、第７巻第４号
、１９８２年２９３． ２９４頁に記載されている。こ
の文献の主題は半導体技術に使用される「リフト・オフ
」技術を扱っている。
「リフト・オフ」技術によれば、ボトレジス１〜物質を
塗る金属層をホトレジスト物質の溶解によって除く。「
リフト・オフ」技術において、レジスト物質に対する溶
媒の浸透は重要な因子である。
塗る金属層をホトレジスト物質の溶解によって除く。「
リフト・オフ」技術において、レジスト物質に対する溶
媒の浸透は重要な因子である。
前記文献は本発明の場合のような電着（ガルバーニ）技
術に関するものではなく、また上記のような電流伝導の
問題に関するものでもない。
術に関するものではなく、また上記のような電流伝導の
問題に関するものでもない。
以下、本発明を実施例と図面に基づき詳細に説明する。
実施例
第１図において符号１は直径が２４０ｎｍの厚さ５１１
１ｍのガラス板を示す。ガラス板１の片側に厚さ０．１
２μｍの層を有するホトレジスト層２を設ける。使用し
た正のホトレジストはハンドウェイコート型ＨＰＲ２０
４の商品名で入手できるナフトキノンジアジド誘導体で
ある。パターンおよび現像の形で露光することによって
、レジスト層の低レベルに位置する情報領域５と高レベ
ルに位置する情報領域４が交互になった銃眼状の輪郭を
有するら旋状情報トラック３を設ける。これら領域の縦
寸法は蓄積した情報によって約０．２〜３μ■で変化す
る。情報領域間の高度差は約０．１μｍである。
１ｍのガラス板を示す。ガラス板１の片側に厚さ０．１
２μｍの層を有するホトレジスト層２を設ける。使用し
た正のホトレジストはハンドウェイコート型ＨＰＲ２０
４の商品名で入手できるナフトキノンジアジド誘導体で
ある。パターンおよび現像の形で露光することによって
、レジスト層の低レベルに位置する情報領域５と高レベ
ルに位置する情報領域４が交互になった銃眼状の輪郭を
有するら旋状情報トラック３を設ける。これら領域の縦
寸法は蓄積した情報によって約０．２〜３μ■で変化す
る。情報領域間の高度差は約０．１μｍである。
情報領域は光学的に読取ることができる。金属層６を無
電解溶着によって情報トラック３から成るレジスト層２
に設ける。適当な金属層は銀層まｔｃはニッケル層であ
る。無電解溶着の実施例としては、蒸着方法、スパッタ
リング方法よｌＣは化学めっき方法がある。後者の方法
によれば、ボ１−レジスト層を所望の金属塩の水溶液、
および続いてまたは同時に還元剤の水溶液で処理し、金
属イオンを金属原子に還元し、金属層を形成する。例え
ばホトレジスト層を、水性の中性または弱酸性のＮｉ
ＳＯ４溶液を用い、次いでまたは同時に次亜リン酸塩ま
たはボロハイドライドの水溶液を用いて設ける。この種
の金属化方法は数年前から知られている。例えば、「エ
ーロゾルめっき技術」ドナルド・ジエイ・レビイ著、テ
クニカル・プロシーディングズ・ザ・フィフティーフ１
−スト・アニュアル・コンベンション・アメリカン・エ
レクトロブレイクーズ・ソサイアティ、セントルイス、
１９６４年、第１３９〜１４９頁を参照することができ
る。
電解溶着によって情報トラック３から成るレジスト層２
に設ける。適当な金属層は銀層まｔｃはニッケル層であ
る。無電解溶着の実施例としては、蒸着方法、スパッタ
リング方法よｌＣは化学めっき方法がある。後者の方法
によれば、ボ１−レジスト層を所望の金属塩の水溶液、
および続いてまたは同時に還元剤の水溶液で処理し、金
属イオンを金属原子に還元し、金属層を形成する。例え
ばホトレジスト層を、水性の中性または弱酸性のＮｉ
ＳＯ４溶液を用い、次いでまたは同時に次亜リン酸塩ま
たはボロハイドライドの水溶液を用いて設ける。この種
の金属化方法は数年前から知られている。例えば、「エ
ーロゾルめっき技術」ドナルド・ジエイ・レビイ著、テ
クニカル・プロシーディングズ・ザ・フィフティーフ１
−スト・アニュアル・コンベンション・アメリカン・エ
レクトロブレイクーズ・ソサイアティ、セントルイス、
１９６４年、第１３９〜１４９頁を参照することができ
る。
第１図に示した層６は厚さ０．１２μｍの蒸着銀層であ
る。厚さ４００μｍのニッケル層７は、電着によって銀
層６に成長す゛る。ニッケル層７およびこれに結合した
銀層６をホトレジスト層２を有するガラス板１から除去
する。ホトレジストＦ１２の残部９（第２図）は父マ］
・リクス６．７の上にある。父マトリクスにある情報ト
ラック８は情報トラック３（第１図）のコピーである。
る。厚さ４００μｍのニッケル層７は、電着によって銀
層６に成長す゛る。ニッケル層７およびこれに結合した
銀層６をホトレジスト層２を有するガラス板１から除去
する。ホトレジストＦ１２の残部９（第２図）は父マ］
・リクス６．７の上にある。父マトリクスにある情報ト
ラック８は情報トラック３（第１図）のコピーである。
残部９は、イソプロピルアルコールとメチルイソブチル
ケトンの混合物を用いて、父７トリクス６．７を処理し
て溶解する。次いで父マトリクスの表面を４分間、５０
０Ｗ超高圧水銀ランプに露光する。最初銀層６を除去し
て父マトリクスから金属コピー（母マトリクス）を製造
する。このために、銀層をＨ２Ｏ２の水性アルカリ溶液
に溶解する。ニッケル層７の遊離面をに２ＣＩ’２．０
７の水溶液で処理して不動態にした後、情報トラック８
の側にニッケル層１１（第３図）を用いて電着によりニ
ッケル層を設ける。情報トラック８のコピーである情報
トラック１１から成るニッケル層１０を分離した後、母
マトリクスを得る。前記と同様な方法で、電着によって
前記母マトリクスがら息子７トリクスを製造することが
できる。息子マトリクスによって、例えば射出成形方法
で合成樹脂情報キャリＡ７を製造づる。親マトリクス、
息子マトリクスおよび合成樹脂情報キャリヤは共に表面
が優れた性質をもつ。
ケトンの混合物を用いて、父７トリクス６．７を処理し
て溶解する。次いで父マトリクスの表面を４分間、５０
０Ｗ超高圧水銀ランプに露光する。最初銀層６を除去し
て父マトリクスから金属コピー（母マトリクス）を製造
する。このために、銀層をＨ２Ｏ２の水性アルカリ溶液
に溶解する。ニッケル層７の遊離面をに２ＣＩ’２．０
７の水溶液で処理して不動態にした後、情報トラック８
の側にニッケル層１１（第３図）を用いて電着によりニ
ッケル層を設ける。情報トラック８のコピーである情報
トラック１１から成るニッケル層１０を分離した後、母
マトリクスを得る。前記と同様な方法で、電着によって
前記母マトリクスがら息子７トリクスを製造することが
できる。息子マトリクスによって、例えば射出成形方法
で合成樹脂情報キャリＡ７を製造づる。親マトリクス、
息子マトリクスおよび合成樹脂情報キャリヤは共に表面
が優れた性質をもつ。
工程の初期段階でボトレジスト物質を露光する場合、同
じ良い結果が得られる。好適例では、情報トラックを設
けた後、親ディスクのホトレジスト物質を４分間、５０
０Ｗの超高圧水銀ランプから生じるＵｖ光にさらす。厚
さ０．１２μｍの銀層が、露光したホ１−レジスト層の
上に蒸着される。ｌワさ４００μｍのニッケル層を銀層
上に電着させる。露光したホトレジストの残部はこのよ
うにして製造された父マトリクス上にある。この残部を
、２リツトルの水に１０ｑのＮａＯＨおよび５０．５ｑ
のＮａ ４ Ｐ２０７を溶かば溶液で処理して溶かず。
じ良い結果が得られる。好適例では、情報トラックを設
けた後、親ディスクのホトレジスト物質を４分間、５０
０Ｗの超高圧水銀ランプから生じるＵｖ光にさらす。厚
さ０．１２μｍの銀層が、露光したホ１−レジスト層の
上に蒸着される。ｌワさ４００μｍのニッケル層を銀層
上に電着させる。露光したホトレジストの残部はこのよ
うにして製造された父マトリクス上にある。この残部を
、２リツトルの水に１０ｑのＮａＯＨおよび５０．５ｑ
のＮａ ４ Ｐ２０７を溶かば溶液で処理して溶かず。
次いで水で洗ｍ−５する。父マトリクスの金属コピーを
前述のように電着して製造する。得られた母マトリクス
の表面は優れた性質を右゛リ−る。
前述のように電着して製造する。得られた母マトリクス
の表面は優れた性質を右゛リ−る。
第１図は金属層を有する本発明方法に使用した親ディス
クを示ｔｇ７ｉ面図、 第２図はホトレジストの′残部が存在Ｊ−る父７１〜リ
クスを示ず断面図、 第３図は母マトリクスを形成覆る電着全底層を有する父
マトリクスを示す断面図である。 １・・・ガラス板 ２・・・ホトレジスト層３・
・・情報トラック ４，５・・・情報領域６・・・父
マトリクスダなわら金属（銀）層１・・・父マトリクス
すなわちニッケル層８・・・情報トラック ９・・
・残部１０・・・ニッケル層 １１・・・情報１〜
ラツク。 特許出願人 エヌ・べ−・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン
クを示ｔｇ７ｉ面図、 第２図はホトレジストの′残部が存在Ｊ−る父７１〜リ
クスを示ず断面図、 第３図は母マトリクスを形成覆る電着全底層を有する父
マトリクスを示す断面図である。 １・・・ガラス板 ２・・・ホトレジスト層３・
・・情報トラック ４，５・・・情報領域６・・・父
マトリクスダなわら金属（銀）層１・・・父マトリクス
すなわちニッケル層８・・・情報トラック ９・・
・残部１０・・・ニッケル層 １１・・・情報１〜
ラツク。 特許出願人 エヌ・べ−・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、情報トラックを中に備えた正のホトレジスト層を片
側に有Ｊる平らな支持ディスクである親ディスクに、ホ
トレジスト層の側に金属皮を、最初無電解溶着によって
、次に電着によって設け、金属皮を族ディλりから分離
し、親ディスクの情報トラックが負である情報１〜ラツ
クを有づる父マトリクスを生じ、父マトリクスの表面に
存在するホトレジス１−の残部を溶解し金属コピーを電
着によって父マトリクスからつくり、得られた母７トリ
クスが親ディスクの情報トラックと同一である情報トラ
ックを有する母マトリクスを製造リ−るに当り、 ホトレジストを露光手段によって導電性にすることを特
徴とする親マトリクスの製造方法。 ２、ホトレジストを露光後、水性アルカリ溶液で処理す
る特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8203975 | 1982-10-14 | ||
| NL8203975 | 1982-10-14 | ||
| NL8303315 | 1983-09-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107434A true JPS59107434A (ja) | 1984-06-21 |
| JPH0418376B2 JPH0418376B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=19840405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191092A Granted JPS59107434A (ja) | 1982-10-14 | 1983-10-14 | 親マトリクスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4650735A (ja) |
| JP (1) | JPS59107434A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4735878A (en) * | 1985-03-12 | 1988-04-05 | Quixote Corporation | Optically read recording medium and method for making same |
| EP0301641A1 (en) * | 1987-07-23 | 1989-02-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Master disc and method of manufacturing a matrix |
| US5062149A (en) * | 1987-10-23 | 1991-10-29 | General Dynamics Corporation | Millimeter wave device and method of making |
| EP0328212A1 (en) * | 1988-02-11 | 1989-08-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a metal matrix and a master disc suitable for the manufacture of matrices |
| JPH04205936A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 転写用成形媒体およびその製造方法 |
| NL9201825A (nl) * | 1992-10-21 | 1994-05-16 | Od & Me Bv | Inrichting voor het vervaardigen van een matrijs voor een schijfvormige registratiedrager. |
| NL9400225A (nl) * | 1994-02-14 | 1995-09-01 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het zonder tussenkomst van een master vervaardigen van een stamper voor het voortbrengen van optische schijven. |
| US6017657A (en) * | 1997-11-26 | 2000-01-25 | Bridgestone Graphic Technologies, Inc. | Method for embossing holograms into aluminum and other hard substrates |
| WO1999052105A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
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| JPH0418376B2 (ja) | 1992-03-27 |
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