JPH0418376B2

JPH0418376B2 -

Info

Publication number: JPH0418376B2
Application number: JP58191092A
Authority: JP
Inventors: Uiruherumusu Maria Do Raato Antoniusu
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1982-10-14
Filing date: 1983-10-14
Publication date: 1992-03-27
Also published as: US4650735A; JPS59107434A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、情報トラツクを具える正のホトレジ
スト層を片側に有する平らな支持デイスクである
親デイスクのホトレジスト層の側に、金属被膜
を、最初無電解溶着によつて、次に電着によつて
設け、前記金属被膜を前記親デイスクから分離
し、前記親デイスクの情報トラツクの原板である
情報トラツクを有する父マトリクスが生じ、該父
マトリクスの表面に存在するホトレジストの残部
を溶解し、金属コピーを電着によつて父マトリク
スからつくり、得られた母マトリクスが前記親デ
イスクの情報トラツクと同一の情報トラツクを有
する親マトリクスを製造する方法に関するもので
ある。

この種の方法は、本願出願人によるオランダ国
特許出願第7611395号に記載されている。父マト
リクスに存在するホトレジストの残部を有機溶
媒、特にイソプロピルアルコールとメチルイソブ
チルケトンとの混合物で処理して溶解する。

親デイスクから只１個の父マトリクスを製造す
ることができる。合成樹脂の正のコピーを、例え
ば成型法または射出成型法を用いて、前記父マト
リクスから製造できる。正のコピーは、情報トラ
ツクが親デイスクと同じであるコピーである。合
成樹脂のコピーを製造するのに用いるマトリクス
の数を増やすために、複数の金属コピー、いわゆ
る母マトリクスを、電着によつて父デイスクから
製造する。さらにコピー、いわゆる息子マトリク
スを次いで各母マトリクスから、やはり電着によ
つて製造する。息子マトリクスを用いてつくつた
合成樹脂におけるコピーは正のコピーである。

母マトリクスまたは息子マトリクスを製造する
ための電着方法は既知の方法である。一例とし
て、金属塩の酸性水溶液、例えば、ニツケル・ス
ルフアメートの電着（ガルバーニ）浴に父マトリ
クスを浸して、母マトリクスを製造する。父マト
リクスを電着（カルバーニ）浴の陰極に接続す
る。電流通過時に、Ni被膜を情報トラツクの側
の父マトリクスに溶着する。Ni被膜を分離後、
父マトリクスの情報トラツクが負である情報トラ
ツクの母マトリクスが得られた。このような分離
を容易に行うことができるように、父マトリクス
を用い、その表面を酸化剤で処理して不動態にす
る。

合成樹脂における優れたコピーが、前記オラン
ダ国特許出願第7611395号に記載された方法によ
つて得られた父マトリクスを用いて製造できるこ
とを確かめた。金属コピー、従つて母マトリクス
を、電着法によつて父マトリクスからつくる場合
に、問題が生じる。母マトリクスの表面は品質が
悪く、幅と深さが情報トラツクよりも数培大きい
空洞を有する。このトラツクを、蓄音機のレコー
ドのような従来のサウンドトラツクとすることが
できる。情報トラツクを、オーデイオまたはビデ
オ情報の光学的に読取可能なトラツクとすること
が好ましい。この種の光学的に読取可能なトラツ
クは交互に高レベルと低レベルとに位置する情報
領域の極微細構造を有する。これら領域は、寸法
が小さく、例えば0.2〜3μmである。領域間の高
さの差は0.1〜0.2μmである。情報トラツクは、ら
旋状であるか、または同心円から構成される。

母マトリクスの表面の性質が悪いのは、情報ト
ラツクの片側の父マトリクスの表面が均一な導電
性を示さないことに原因があることを見出した。
さらに特に、電着工程の電流通過の際に、父マト
リクスの表面の若干の部分の導電率が小さく、あ
る程度まで電気的に遮へいされていると推定され
る。陽極から陰極までの電流線は、上記導電率の
小さい領域で偏向する。我々の考えでは、父マト
リクスの表面上の導電率が不均一なのは、製造中
に父マトリクスがホトレジスト物質と接触するこ
とに原因がある。親デイスクを分離した後の父マ
トリクスのホトレジストの残部は、溶媒処理では
完全に取除くことができない。数回くり返し処理
する必要があり、これは全く不経済な方法とな
る。さらに、溶媒処理の結果として、溶媒蒸発に
よつて生じた極めてがん固な乾燥斑点を父マトリ
クス表面に形成する。また、これら極薄いレジス
ト物質の残部は、父マトリクス表面の導電性が局
部的に不十分な一因となる。言葉通りにホトレジ
スト物質は抵抗性物質である。

本発明の目的は上記欠点を示さない方法を提供
することにある。本発明は、情報トラツクを具え
る正のホトレジスト層を片側に有する平らな支持
デイスクである親デイスクのホトレジスト層の側
に、金属被膜を、最初無電解溶着によつて、次に
電着によつて設け、前記金属被膜を前記親デイス
クから分離し、前記親デイスクの情報トラツクの
原板である情報トラツクを有する父マトリクスが
生じ、該父マトリクスの表面に存在するホトレジ
ストの残部を溶解し、金属コピーを電着によつて
父マトリクスからつくり、得られた母マトリクス
が前記親デイスクの情報トラツクと同一の情報ト
ラツクを有する親マトリクスを製造する方法にお
いて、前記ホトレジストを露光手段によつて導電
性にすることを特徴とする。

例えば、紫外光線にさらすことによつてホトレ
ジスト分子を分解する。共有結合を妨げる。イオ
ノゲン群を生成する。ホトレジストは親水性を得
る。電解溶液はこの中に浸透することができる。
レジスト物質層が比較的厚くても、アルカリ水性
媒質中で導電性になる。

原則として、ホトレジストを、上記工程のどの
瞬間でも露光することができる。例えば、有機溶
媒で処理した後、父マトリクスを露光することが
でき、特に乾燥斑点に存在するレジスト物質を導
電性物質に変える。また、親デイスクのホトレジ
スト層を露光することができる。この場合、父マ
トリクスの表面にあるホトレジストの残部を水性
媒質、特に水性アルカリ媒質に溶解する。露光し
たホトレジストに対して現像液、例えばNaOH
とNa₄P₂O₇の水溶液を使用することが極めて適
している。残りの乾燥斑点は導電性ホトレジスト
物質を含むのでじやまにはならない。

特に、第２の露光工程を使用して、現像液に露
光物質を溶解し、ホトレジスト物質を除くこと
が、例えば、ゼロツクス・デイスクロージヤ・ジ
ヤーナル、第７巻第４号、1982年293，294頁より
既知であることに注意する。この文献の主題は半
導体技術に使用される「リフト・オフ」技術を扱
つている。「リフト・オフ」技術によれば、ホト
レジスト物質を塗る金属層をホトレジスト物質の
溶解によつて除く。「リフト・オフ」技術におい
て、レジスト物質に対する溶媒の浸透は重要な因
子である。前記文献は本発明の場合のような電着
（バルバーニ）技術に関するものではなく、また
上記のような電流伝導の問題に関するものでもな
い。

以下、本発明を実施例と図面に基づき詳細に説
明する。

実施例第１図において符号１は、直径が240nmで厚さ
が５mmのガラス板を示している。ガラス板１の片
側に厚さ0.12μmの層を有するホトレジスト層２
を設ける。使用した正のホトレジストはハンドウ
エイコート型HPR204の商品名で入手できるナフ
トキノンジアジド誘導体である。パターンおよび
現像の形で露光することによつて、レジスト層の
低レベルに位置する情報領域５と高レベルに位置
する情報領域４が交互になつた銃眼状の輪郭を有
する旋状情報トラツク３を設ける。これら領域の
縦寸法は記録される情報によつて約0.2〜3μmで
変化する。情報領域間の高度差は約0.1μmであ
る。情報領域は光学的に読取ることができる。金
属層６を無電解溶着によつて情報トラツク３から
成るレジスト層２に設ける。適当な金属層は銀層
またはニツケル層である。無電解溶着の実施例と
しては、蒸着方法、スパツタリング方法または化
学めつき方法がある。後者の方法によれば、ホト
レジスト層を所望の金属塩の水溶液、および続い
てまたは同時に還元剤の水溶液で処理し、金属イ
オンを金属原子に還元し、金属層を形成する。例
えばホトレジスト層を、水性の中性または弱酸性
のNiSO₄溶液を用い、次いでまたは同時に次亜リ
ン酸塩またはボロハイドライドの水溶液を用いて
設ける。この種の金属化方法は数年前から知られ
ている。例えば、「エーロゾルめつき技術」ドナ
ルド・ジエイ・レビイ著、テクニカル・プロシー
デイングズ・ザフイフテイーフアースト・アニユ
アル・コンベンシヨン・アメリカン・エレクトロ
プレイターズ・ソサイアテイ・セントルイス、
1964年、第139〜149頁を参照することができる。

第１図に示した層６は厚さ0.12μmの蒸着銀層
である。厚さ400μmのニツケル層７は、電着によ
つて銀層６上に成長する。ニツケル層７およびこ
れに結合した銀層６をホトレジスト層２を有する
ガラス板１から除去する。ホトレジスト層２の残
部９（第２図）が父マトリクス６，７の上に存在
する。父マトリクスにある情報トラツク８は情報
トラツク３（第１図）のコピーである。

残部９は、イソプロピルアルコールとメチルイ
ソブチルケトンとの混合物を用いて、父マトリク
ス６，７を処理して溶解する。次いで父マトリク
スの表面を４分間、500W超高圧水銀ランプの光
で露光する。最初に、銀層６を除去して父マトリ
クスから金属コピー（母マトリクス）を製造す
る。このために、銀層をH₂O₂の水性アルカリ溶
液に溶解する。ニツケル層７の遊離面をK₂Cr₂O₇
の水溶液で処理して不動態にした後、電着によつ
て、ニツケル層７の情報トラツク８の側にニツケ
ル層１０（第３図）を設ける。情報トラツク８の
コピーである情報トラツク１１を具えるニツケル
層１０を分離した後、母マトリクスを得る。前記
と同様な方法で、電着によつて前記母マトリクス
（親マトリクスとなるもの）から息子マトリクス
を製造することができる。息子マトリクスによつ
て、例えば射出形成方法で合成樹脂情報記録担体
を製造する。親マトリクス、息子マトリクスおよ
び合成樹脂情報記録担体は共に表面が優れた性質
をもつ。

工程の初期段階でホトレジスト物質を露光する
場合、同じ良い結果が得られる。好適例では、情
報トラツクを設けた後、親デイスクのホトレジス
ト物質を４分間、500Wの超高圧水銀ランプから
生じるUV光にさらす。厚さ0.12μmの銀層が、露
光したホトレジスト層の上に蒸着する。厚さ
400μmのニツケル層を銀層上に電着させる。露光
したホトレジストの残部はこのようにして製造さ
れた父マトリクス上に存在する。この残部を、２
リツトルの水に10gのNaOHおよび50.5gの
Na₄P₂O₇を溶かした溶液で処理して溶かす。次
いで水で洗浄する。父マトリクスの金属コピーを
前述のように電着して製造する。得られた母マト
リクスの表面は優れた性質を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は金属層を有する本発明方法に使用した
親デイスクを示す断面図、第２図はホトレジスト
の残部が存在する父マトリクスを示す断面図、第
３図は母マトリクスを形成する電着金属層を有す
る父マトリクスを示す断面図である。１……ガラス板、２……ホトレジスト層、３…
…情報トラツク、４，５……情報領域、６……父
マトリクスすなわち金属（銀）層、７……父マト
リクスすなわちニツケル層、８……情報トラツ
ク、９……残部、１０……ニツケル層、１１……
情報トラツク。

Claims

【特許請求の範囲】１情報トラツクを具える正のホトレジスト層を
片側に有する平らな支持デイスクである親デイス
クのホトレジスト層の側に、金属被膜を、最初無
電解溶着によつて、次に電着によつて設け、前記
金属被膜を前記親デイスクから分離し、前記親デ
イスクの情報トラツクの原板である情報トラツク
を有する父マトリクスが生じ、該父マトリクスの
表面に存在するホトレジストの残部を溶解し、金
属コピーを電着によつて父マトリクスからつく
り、得られた母マトリクスが前記親デイスクの情
報トラツクと同一の情報トラツクを有する親マト
リクスを製造する方法において前記ホトレジストを露光手段によつて導電性に
することを特徴とする親マトリクスの製造方法。２ホトレジストを露光後、水性アルカリ溶液で
処理することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の方法。