JPS5934783B2 - デイスク原盤の製法 - Google Patents
デイスク原盤の製法Info
- Publication number
- JPS5934783B2 JPS5934783B2 JP11037076A JP11037076A JPS5934783B2 JP S5934783 B2 JPS5934783 B2 JP S5934783B2 JP 11037076 A JP11037076 A JP 11037076A JP 11037076 A JP11037076 A JP 11037076A JP S5934783 B2 JPS5934783 B2 JP S5934783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroless plating
- substrate
- layer
- grooves
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、オーディオディスク、ビデオディスク、特に
レーザー等の光学的手段により記録信号のとり出しを行
う光学ビデオディスクを得る場合に適用して好適なディ
スク原盤の製法に係わる。
レーザー等の光学的手段により記録信号のとり出しを行
う光学ビデオディスクを得る場合に適用して好適なディ
スク原盤の製法に係わる。
本発明の一実施例を第１図ないし第５図を参照して説明
する。先ず最終的に得んとするディスクの記録溝に対応
する溝、即ち所定信号に対応する溝が形成された不導体
基体を用意する。
する。先ず最終的に得んとするディスクの記録溝に対応
する溝、即ち所定信号に対応する溝が形成された不導体
基体を用意する。
これがため、第１図に示すように、ガラス板等の不導体
基体１を用意し、これの上にネガタイプ、或いはポジタ
イプの感光性樹脂（フォトレジスト）層２、例えばＡＺ
１３５０（シツプレー社製商品名）を、塗布する。次に
、第２図に示すように、感光性樹脂層２を、上述の所定
信号に応じたパターンをもつて露光し、現像して層２の
一部に所定の形状パターンの溝３を形成する。そして、
このようにして溝３が形成された不導体基体１の表面に
第３図に示すように、無電解メッキ法によつて金属層、
例えばニッケルＮｉメッキ層４を例えば３０００Ａ程度
の厚さにメッキして基体１の表面、即ち感光性樹脂層２
の表面とその溝３内を含む表面（以下これを溝３を有す
る基体１の表面という）を良導体化する。
基体１を用意し、これの上にネガタイプ、或いはポジタ
イプの感光性樹脂（フォトレジスト）層２、例えばＡＺ
１３５０（シツプレー社製商品名）を、塗布する。次に
、第２図に示すように、感光性樹脂層２を、上述の所定
信号に応じたパターンをもつて露光し、現像して層２の
一部に所定の形状パターンの溝３を形成する。そして、
このようにして溝３が形成された不導体基体１の表面に
第３図に示すように、無電解メッキ法によつて金属層、
例えばニッケルＮｉメッキ層４を例えば３０００Ａ程度
の厚さにメッキして基体１の表面、即ち感光性樹脂層２
の表面とその溝３内を含む表面（以下これを溝３を有す
る基体１の表面という）を良導体化する。
そして、本発明においては、この無電解メッキを従来一
般に知られている無電解メッキ法とは異る方法によつて
行う。即ち、本発明においては、溝３を有する基体１の
表面に触媒金属微粒子、例えばＰｄ）Ｐｔ、、Ａｕ、、
Ｎｉ、、Ｆｅ、、Ｃｏ等の被着、即ちいわばアクチペー
テイング処理を後述する従来方法のようなセンシタイジ
ング処理を介することなく上述の触媒金属の蒸着によつ
て行う。この場合、蒸着触媒金属微粒子は、基体１の溝
３を有する表面を全面的に覆つて被着させる要はなく、
第６図に示すように、触媒金属微粒子５間に微小間隙が
生ずるように、しかしながらできるだけ一様に、微粒子
の一粒子層を形成するように被着する。この触媒金属微
粒子層の被着は、真空ペルシャー内に、基体１の触媒金
属を配し、この触媒金属を加゜熱して蒸気化して被着す
る、いわゆる真空蒸着法によるがこの場合、その蒸着（
ホその厚さをモニター手段によつてモニターしながら、
その厚さが溝３のＴ丁以下の例えば平均厚さが１人とな
るように、３０秒間程度の蒸着によつて行う。次にこの
ようにし・てＰｄ等の触媒金属微粒子が被着された基体
１を洗浄等の処理を施すことなく、そのまま、無電解メ
ッキ液中に浸漬して無電解Ｎｉメッキ層４を形成する。
この無電解メツキ液としては、燐Ｐを含む無電解ニツケ
ルメツキ液、例えば、メツキ液１１に対し、ＮｉＳＯ４
，６Ｈ２Ｏが５０ｇ１Ｎａ４Ｐ２０，，１０Ｈ２０が１
００ｇ含み、ＮａＯＨ５８％の組成を有しＰＨｌＯ．ｌ
のメツキ液を用い得る。次にこのようにして無電解メツ
キ層４が形成されて良導体化された基体１上に、第４図
に示すように金属メツキ層６、例えばＮｉメツキを、溝
３を埋込む厚さの例えば厚さが０．５ｍｍをもつて電気
メツキする。
般に知られている無電解メッキ法とは異る方法によつて
行う。即ち、本発明においては、溝３を有する基体１の
表面に触媒金属微粒子、例えばＰｄ）Ｐｔ、、Ａｕ、、
Ｎｉ、、Ｆｅ、、Ｃｏ等の被着、即ちいわばアクチペー
テイング処理を後述する従来方法のようなセンシタイジ
ング処理を介することなく上述の触媒金属の蒸着によつ
て行う。この場合、蒸着触媒金属微粒子は、基体１の溝
３を有する表面を全面的に覆つて被着させる要はなく、
第６図に示すように、触媒金属微粒子５間に微小間隙が
生ずるように、しかしながらできるだけ一様に、微粒子
の一粒子層を形成するように被着する。この触媒金属微
粒子層の被着は、真空ペルシャー内に、基体１の触媒金
属を配し、この触媒金属を加゜熱して蒸気化して被着す
る、いわゆる真空蒸着法によるがこの場合、その蒸着（
ホその厚さをモニター手段によつてモニターしながら、
その厚さが溝３のＴ丁以下の例えば平均厚さが１人とな
るように、３０秒間程度の蒸着によつて行う。次にこの
ようにし・てＰｄ等の触媒金属微粒子が被着された基体
１を洗浄等の処理を施すことなく、そのまま、無電解メ
ッキ液中に浸漬して無電解Ｎｉメッキ層４を形成する。
この無電解メツキ液としては、燐Ｐを含む無電解ニツケ
ルメツキ液、例えば、メツキ液１１に対し、ＮｉＳＯ４
，６Ｈ２Ｏが５０ｇ１Ｎａ４Ｐ２０，，１０Ｈ２０が１
００ｇ含み、ＮａＯＨ５８％の組成を有しＰＨｌＯ．ｌ
のメツキ液を用い得る。次にこのようにして無電解メツ
キ層４が形成されて良導体化された基体１上に、第４図
に示すように金属メツキ層６、例えばＮｉメツキを、溝
３を埋込む厚さの例えば厚さが０．５ｍｍをもつて電気
メツキする。
この電気メツキは、メツキ液１１に対し、Ｎｌ７５〜８
０ｇ，．ＮｉＣ１２１８〜２０ｇＨ３Ｂ０３３７〜４２
ｇ０）ＰＨ３．５のメツキ液を用い得、このメツキ液を
溶温４０℃程度で４〜７Ａ／Ｄｍ３の通電によつて３〜
４時間行う。
０ｇ，．ＮｉＣ１２１８〜２０ｇＨ３Ｂ０３３７〜４２
ｇ０）ＰＨ３．５のメツキ液を用い得、このメツキ液を
溶温４０℃程度で４〜７Ａ／Ｄｍ３の通電によつて３〜
４時間行う。
その後、第５図に示すように、この金属メツキ層６を基
本体１から引き剥す。
本体１から引き剥す。
かくすると、無電解メツキ層４と、基体１の溝３を有す
る表面、即ち感光性樹脂層２とその溝３を通じて露呈す
る基体１自体の表面とはその密着性が低いので、金属メ
ツキ層６は無電解メツキ層４と共に、基体１より剥離し
、溝３に対応する突起８を有するデイスク原盤７が得ら
れる。このデイスク原盤７は、上述した無電解メツキ液
としてＰ（燐）を含むニツケルメツキ液を用いた場合、
その表面の無電解ニツケルメツキ層４にＰが微小量含ま
れていてこれが硬質であるので、基体１よりの剥離性に
優れ、また、この原盤自体をスタンバ一として、目的と
するデイスクをプレス成型、或いはモールド成形できる
が、或る場合は、この原盤７をマザー盤としで、これよ
りスタンバ一を得るようにすることもできる。そして、
このような本発明方法によつて得た原盤７は、表面が緻
密で、又、再現性に優れている。
る表面、即ち感光性樹脂層２とその溝３を通じて露呈す
る基体１自体の表面とはその密着性が低いので、金属メ
ツキ層６は無電解メツキ層４と共に、基体１より剥離し
、溝３に対応する突起８を有するデイスク原盤７が得ら
れる。このデイスク原盤７は、上述した無電解メツキ液
としてＰ（燐）を含むニツケルメツキ液を用いた場合、
その表面の無電解ニツケルメツキ層４にＰが微小量含ま
れていてこれが硬質であるので、基体１よりの剥離性に
優れ、また、この原盤自体をスタンバ一として、目的と
するデイスクをプレス成型、或いはモールド成形できる
が、或る場合は、この原盤７をマザー盤としで、これよ
りスタンバ一を得るようにすることもできる。そして、
このような本発明方法によつて得た原盤７は、表面が緻
密で、又、再現性に優れている。
因みに、従来、この種デイスク原盤を得るに当つては、
第３図で説明した無電解メツキ層４の無電解法として通
常一般のニツケル無電解メツキ法によつていた。この通
常一般のニツケル無電解メツキ法とは、溝３を形成した
基体１をＳｎｃｌ４溶液に浸漬するいはゆるセンシタイ
ジング処理を施し、その後水洗し、その後ＰｄＣｌ２溶
液中に浸漬し、基体表面に付着しているＳｎｃｌ２とＰ
ｄＣ（１７２とのＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４
＋Ｐｄなる反応によつて基体表面にＰｄを析出させてい
わゆるアクチペーテイング処理をなし、その後、再び水
洗して不要のＳｎｃｌ４を洗い落し、その後、無電解メ
ツキ液中に浸漬して無電解メツキ層４を形成するという
方法がとられる。ところが、このような方法による場合
、析出されたＰｄは、第７図に示すように、その粒径が
０．５〜１μｍにも及ぶ大なる粒径を有する。したがつ
て、光学ビデオデイスクのようにその溝の深さ及び幅が
微細なものにあつては、この大粒径のＰｄが基体１の溝
３に存在することによつて突起８、したがつて最終的に
得るデイスクの溝が溝３に対応しなくなるとか、更に、
原盤７の表面にはこのＰｄ粒子が抜け出て生ずる大きな
凹凸が生じ、記録せんとする信号の忠実度が低下する。
又、この従来の方法による場合、センシタイジング及び
アクチベーテイングの各処理後に夫々洗浄工程を伴うも
のであり、その作業は煩雑であるのみならず、この各水
洗は、夫々完全な洗浄ではなく、夫々所定のセンシタイ
ジングとアクチベーテイングの効果を残してなされるも
のであるからその各作業は可成りの経験と、熟練を要し
、また再現性に乏しいという欠点がある。ところが、上
述した本発明方法によれば、このような欠点がなく、微
細なＰｄ粒子を被着せしめ得ることによつて高忠実で、
しかも従来方法のようなセンシタイジング処理、アクチ
ベーテイング処理を回避したことによつて工程が簡略で
、再現性の良いデイスク原盤を得ることができるもので
ある。
第３図で説明した無電解メツキ層４の無電解法として通
常一般のニツケル無電解メツキ法によつていた。この通
常一般のニツケル無電解メツキ法とは、溝３を形成した
基体１をＳｎｃｌ４溶液に浸漬するいはゆるセンシタイ
ジング処理を施し、その後水洗し、その後ＰｄＣｌ２溶
液中に浸漬し、基体表面に付着しているＳｎｃｌ２とＰ
ｄＣ（１７２とのＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４
＋Ｐｄなる反応によつて基体表面にＰｄを析出させてい
わゆるアクチペーテイング処理をなし、その後、再び水
洗して不要のＳｎｃｌ４を洗い落し、その後、無電解メ
ツキ液中に浸漬して無電解メツキ層４を形成するという
方法がとられる。ところが、このような方法による場合
、析出されたＰｄは、第７図に示すように、その粒径が
０．５〜１μｍにも及ぶ大なる粒径を有する。したがつ
て、光学ビデオデイスクのようにその溝の深さ及び幅が
微細なものにあつては、この大粒径のＰｄが基体１の溝
３に存在することによつて突起８、したがつて最終的に
得るデイスクの溝が溝３に対応しなくなるとか、更に、
原盤７の表面にはこのＰｄ粒子が抜け出て生ずる大きな
凹凸が生じ、記録せんとする信号の忠実度が低下する。
又、この従来の方法による場合、センシタイジング及び
アクチベーテイングの各処理後に夫々洗浄工程を伴うも
のであり、その作業は煩雑であるのみならず、この各水
洗は、夫々完全な洗浄ではなく、夫々所定のセンシタイ
ジングとアクチベーテイングの効果を残してなされるも
のであるからその各作業は可成りの経験と、熟練を要し
、また再現性に乏しいという欠点がある。ところが、上
述した本発明方法によれば、このような欠点がなく、微
細なＰｄ粒子を被着せしめ得ることによつて高忠実で、
しかも従来方法のようなセンシタイジング処理、アクチ
ベーテイング処理を回避したことによつて工程が簡略で
、再現性の良いデイスク原盤を得ることができるもので
ある。
第１図ないし第５図は本発明によるデイスク原盤の製法
の一例を示す工程図、第６図はその説明に供する断面図
、第７図は従来方法の説明に供する断面図である。 １は基体、２は感光性樹脂、３は溝、４は無電解メツキ
層、６は電気メツキ層、７はデイスク原盤である。
の一例を示す工程図、第６図はその説明に供する断面図
、第７図は従来方法の説明に供する断面図である。 １は基体、２は感光性樹脂、３は溝、４は無電解メツキ
層、６は電気メツキ層、７はデイスク原盤である。
Claims (1)
- １ 所定信号に対応する微細な溝が形成された不導体基
体に蒸着法により金属微粒子を被着させ、燐を含む無電
解メッキ液中に浸漬して上記金属微粒子を触媒として無
電解メッキを施して上記基体の表面を良導体化し、その
後電気メッキを施し、上記無電解メッキ層及び電気メッ
キ層を上記基体の表面から剥離してディスク原盤を得る
ことを特徴とするディスク原盤の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11037076A JPS5934783B2 (ja) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | デイスク原盤の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11037076A JPS5934783B2 (ja) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | デイスク原盤の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5335502A JPS5335502A (en) | 1978-04-03 |
| JPS5934783B2 true JPS5934783B2 (ja) | 1984-08-24 |
Family
ID=14534063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11037076A Expired JPS5934783B2 (ja) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | デイスク原盤の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934783B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532266A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-06 | Nippon Columbia Co Ltd | Master disc for record |
| JPH0246366B2 (ja) * | 1980-08-11 | 1990-10-15 | Discovision Ass | |
| JPS58141435U (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-22 | 株式会社東芝 | 光学デイスク形成用スタンパ−製造装置 |
-
1976
- 1976-09-14 JP JP11037076A patent/JPS5934783B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5335502A (en) | 1978-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3962495A (en) | Method of making duplicates of optical or sound recordings | |
| JP2004513221A5 (ja) | ||
| US5015338A (en) | Method of manufacturing a stamper for formation of optical information carrying disk | |
| JPH0418376B2 (ja) | ||
| JPS5934783B2 (ja) | デイスク原盤の製法 | |
| JPH0349998B2 (ja) | ||
| JPH02149691A (ja) | 金属マトリックスの製造方法 | |
| US4474650A (en) | Method of manufacturing a mother matrix | |
| US3904488A (en) | True replication of soft substrates | |
| JPH0118996B2 (ja) | ||
| US3585113A (en) | Process for fabricating replicating masters | |
| US3745096A (en) | Nonstick treatment of mold cavities | |
| JPH04259936A (ja) | 情報記録媒体製作用スタンパの製作方法 | |
| JPS6036472B2 (ja) | ニツケル被膜の形成方法 | |
| JPH07241856A (ja) | 電鋳複製スタンパの製造方法 | |
| JPS5974289A (ja) | 電鋳用母型の製造方法 | |
| US4007295A (en) | Olefin-SO2 copolymer film adhesion to a substrate | |
| JPS5833604B2 (ja) | レコ−ド用原盤の製造法 | |
| US1448792A (en) | Method of making master phonograph records | |
| JPS58217689A (ja) | 凹凸状情報を有する板状体の複製用金属母型の製法 | |
| JP2901989B2 (ja) | 複製用スタンパーの製造方法 | |
| JPS62256967A (ja) | 無電解メツキ法 | |
| JPS5920486A (ja) | 精密成形用金型の製造方法 | |
| JPH06240486A (ja) | 電鋳型の製造方法 | |
| JPS61284843A (ja) | 光デイスク成形用スタンパの製造方法 |