JPH0314910B2 - - Google Patents
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- JPH0314910B2 JPH0314910B2 JP2590182A JP2590182A JPH0314910B2 JP H0314910 B2 JPH0314910 B2 JP H0314910B2 JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP H0314910 B2 JPH0314910 B2 JP H0314910B2
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- nickel
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 32
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 17
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- DITXJPASYXFQAS-UHFFFAOYSA-N nickel;sulfamic acid Chemical compound [Ni].NS(O)(=O)=O DITXJPASYXFQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PQMFVUNERGGBPG-UHFFFAOYSA-N (6-bromopyridin-2-yl)hydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC(Br)=N1 PQMFVUNERGGBPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021585 Nickel(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide Chemical compound [Ni+2].[Br-].[Br-] IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、光デイスクメモリに利用されるア
クリル基材またはガラス基材からなるデイスク原
盤にトラツキング用の案内溝および再生用の凹凸
をコンプレツシヨン用スタンパーを利用して作成
するために必要な、無歪でかつ耐久性が優れたコ
ンプレツシヨン用スタンパーの製造方法に関す
る。
クリル基材またはガラス基材からなるデイスク原
盤にトラツキング用の案内溝および再生用の凹凸
をコンプレツシヨン用スタンパーを利用して作成
するために必要な、無歪でかつ耐久性が優れたコ
ンプレツシヨン用スタンパーの製造方法に関す
る。
従来のコンプレツシヨン用スタンパーの製造方
法の代表的な事例として、レコード原盤のニツケ
ル電着方法がある。この方法は、まず溝を記録し
たラツカー盤に導電性を付与する目的で銀鏡反応
によつて銀層をつけてから250〜350μｍ程度の厚
さりニツケル電着をおこない、ラツカー盤から分
離してマスターを得る。このマスターにニツケル
電着をおこなつて250〜350μｍ程度の厚さのマザ
ーンタンパーを得ている。
法の代表的な事例として、レコード原盤のニツケ
ル電着方法がある。この方法は、まず溝を記録し
たラツカー盤に導電性を付与する目的で銀鏡反応
によつて銀層をつけてから250〜350μｍ程度の厚
さりニツケル電着をおこない、ラツカー盤から分
離してマスターを得る。このマスターにニツケル
電着をおこなつて250〜350μｍ程度の厚さのマザ
ーンタンパーを得ている。
しかるにこの方法によると通常ニツケル電着の
厚さは250〜350μｍ程度でありこれ以上厚くなる
とニツケル電着中の応力によつて変形することが
多く、平担なニツケルスタンパーが得にくいとい
う欠点があつた。
厚さは250〜350μｍ程度でありこれ以上厚くなる
とニツケル電着中の応力によつて変形することが
多く、平担なニツケルスタンパーが得にくいとい
う欠点があつた。
この発明は、上述の方法では厚いスタンパーが
得られにくいという欠点を改良し、スルフアミン
酸ニツケル電着浴を用いてニツケル電着層の厚さ
に応じて電流密度を連続的に変えてニツケル電着
をすることによつて平担でかつ歪の小さいコンプ
レツシヨン用スタンパーを製造することを目的と
する。
得られにくいという欠点を改良し、スルフアミン
酸ニツケル電着浴を用いてニツケル電着層の厚さ
に応じて電流密度を連続的に変えてニツケル電着
をすることによつて平担でかつ歪の小さいコンプ
レツシヨン用スタンパーを製造することを目的と
する。
この発明は、微細パターンを有する厚盤に微細
パターンの精度をそこなわない形成方法で所定量
（0.03〜0.1μｍ）の金属層を設け、こうして作成
された微細パターンを有する原盤に条件をかえな
がら連続してニツケル電着を行なつて厚さ0.5〜
1.5mmのニツケル電着層を形成し、原盤からこの
ニツケル電着層を分離してコンプレツシヨン用ス
タンパーを得るようにしたものである。
パターンの精度をそこなわない形成方法で所定量
（0.03〜0.1μｍ）の金属層を設け、こうして作成
された微細パターンを有する原盤に条件をかえな
がら連続してニツケル電着を行なつて厚さ0.5〜
1.5mmのニツケル電着層を形成し、原盤からこの
ニツケル電着層を分離してコンプレツシヨン用ス
タンパーを得るようにしたものである。
本発明によればニツケル電着を条件をかえなが
ら連続的に行うことによつて0.5〜1.5mmの厚さを
有する無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを製
造することができる。
ら連続的に行うことによつて0.5〜1.5mmの厚さを
有する無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを製
造することができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第１図に示すようにガラス基材１とレジスト
２からなる微細パターンを有する原盤の金属層３
の上に、スルフアミン酸ニツケル浴の電着を用い
て浴温40〜45℃、２〜5A／ｄm2の電流密度でニ
ツケル電着して下地ニツケル層４を得る。次にこ
のニツケル層４の上に浴温45〜50℃、５〜8A／
ｄm2の電流密度でニツケル電着してニツケル層５
を得て、さらにこのニツケル層５の上浴温50〜60
℃、10A／ｄm2以上の電流密度でニツケル電着し
てニツケル層６を得る。このような方法で同じ電
着浴を用いて条件をかえながら連続してニツケル
電着することによりコンプレツシヨン用スタンパ
ーとなるニツケル電着層７を得る。このニツケル
電着層７を原盤から分離したのち、レジスト２と
金属層３を剥離液で除去して第１図ｂに示すよう
なニツケル層４〜６からなるコンプレツシヨン用
スタンパーを得る。このスタンパーの電着応力は
第２図に示すように、ニツケル層４は区間Ａの曲
線に示すように引張応力で、ニツケル層５は区間
Ｂの曲線に示すように引張〜圧縮応力であり、ニ
ツケル層６区間Ｃの曲線に示すように圧縮応力で
あることが測定結果から判明した。従つて、この
ようにして作成したコンプレツシヨン用スタンパ
ーの電着応力は全体として零にすることができ、
無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを得ること
ができた。このコンプレツシヨン用スタンパーの
微細パターン表面からのマイクロビツカー硬さを
測定したところ第３図に示すような結果を得た。
第３図から明らかなように表面硬さはHv500〜
600と硬いものが得られた。
る。第１図に示すようにガラス基材１とレジスト
２からなる微細パターンを有する原盤の金属層３
の上に、スルフアミン酸ニツケル浴の電着を用い
て浴温40〜45℃、２〜5A／ｄm2の電流密度でニ
ツケル電着して下地ニツケル層４を得る。次にこ
のニツケル層４の上に浴温45〜50℃、５〜8A／
ｄm2の電流密度でニツケル電着してニツケル層５
を得て、さらにこのニツケル層５の上浴温50〜60
℃、10A／ｄm2以上の電流密度でニツケル電着し
てニツケル層６を得る。このような方法で同じ電
着浴を用いて条件をかえながら連続してニツケル
電着することによりコンプレツシヨン用スタンパ
ーとなるニツケル電着層７を得る。このニツケル
電着層７を原盤から分離したのち、レジスト２と
金属層３を剥離液で除去して第１図ｂに示すよう
なニツケル層４〜６からなるコンプレツシヨン用
スタンパーを得る。このスタンパーの電着応力は
第２図に示すように、ニツケル層４は区間Ａの曲
線に示すように引張応力で、ニツケル層５は区間
Ｂの曲線に示すように引張〜圧縮応力であり、ニ
ツケル層６区間Ｃの曲線に示すように圧縮応力で
あることが測定結果から判明した。従つて、この
ようにして作成したコンプレツシヨン用スタンパ
ーの電着応力は全体として零にすることができ、
無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを得ること
ができた。このコンプレツシヨン用スタンパーの
微細パターン表面からのマイクロビツカー硬さを
測定したところ第３図に示すような結果を得た。
第３図から明らかなように表面硬さはHv500〜
600と硬いものが得られた。
以下、更に具体的なに例をあげて説明する。
厚さ10mm、直径350mmのクロム付ガラス基材１
にフオトレジストを塗布してフオトレジストプロ
セスによつて微細パターン層２をつけた原盤を得
る。次にこの微細パターン層２の上にニツケル電
着の導電性を付与する目的で金を真空蒸着して金
属層３を得る。この金属層３の上にスルフアミン
酸ニツケル浴を基本とするニツケル電着浴を用い
てニツケル電着を行なう。この電着浴の組成は次
に挙げるものである。
にフオトレジストを塗布してフオトレジストプロ
セスによつて微細パターン層２をつけた原盤を得
る。次にこの微細パターン層２の上にニツケル電
着の導電性を付与する目的で金を真空蒸着して金
属層３を得る。この金属層３の上にスルフアミン
酸ニツケル浴を基本とするニツケル電着浴を用い
てニツケル電着を行なう。この電着浴の組成は次
に挙げるものである。
スルフアミン酸ニツケル 450〜600ｇ／
硼 酸 30〜40ｇ／
臭化ニツケル ５ｇ／
ピツト防止剤 １ml／
PH 4.0±３
上述した組成のニツケル電着を用いて、微細パ
ターンを有する原盤を回転陰極に取りつけてニツ
ケル電着する。このニツケル電着中の浴のかくは
んとろ過は一般的な方法による。電着槽の浴温を
40℃まで上げてから２〜5A／ｄm2の電流密度に
して、0.15mmの厚さにニツケル電着したニツケル
層４を形成する。このニツケル層４を形成中に浴
温を40℃から除去に上げ形成終時に浴温45℃まで
ゆるやかに上昇するようにコントロールする。次
にニツケル層４の上に連続して５〜8A／ｄm2の
電流密度にして0.3mmの厚さのニツケル電着した
ニツケル層５を形成する。このニツケル層５を形
成中に浴温が45℃から50℃までゆるやかに上昇す
るようにコントロールする。さらにニツケル層５
の上に連続して12A／ｄm2の電流密度にして0.55
mmの厚さのニツケル電着したニツケル層６を形成
する。この時の浴温は50℃以上としてかつ60℃以
上にならないようにして電着する。以上の方法に
よつてコンプレツシヨン用スタンパーとなる1.0μ
ｍの厚さのニツケル層４，５，６を形成したの
ち、ニツケル層４〜６をガラス原盤から分離して
コンプレツシヨン用スタンパーを得るが、ニツケ
ル層４，５，６を原盤から分離するときにニツケ
ル層４側にレジスト層２と金属層３に付着してく
るので剥離液を用いてレジスト層２と金属層３を
除してコンプレツシヨン用スタンパーのニツケル
層４ａ，５，６を得る。
ターンを有する原盤を回転陰極に取りつけてニツ
ケル電着する。このニツケル電着中の浴のかくは
んとろ過は一般的な方法による。電着槽の浴温を
40℃まで上げてから２〜5A／ｄm2の電流密度に
して、0.15mmの厚さにニツケル電着したニツケル
層４を形成する。このニツケル層４を形成中に浴
温を40℃から除去に上げ形成終時に浴温45℃まで
ゆるやかに上昇するようにコントロールする。次
にニツケル層４の上に連続して５〜8A／ｄm2の
電流密度にして0.3mmの厚さのニツケル電着した
ニツケル層５を形成する。このニツケル層５を形
成中に浴温が45℃から50℃までゆるやかに上昇す
るようにコントロールする。さらにニツケル層５
の上に連続して12A／ｄm2の電流密度にして0.55
mmの厚さのニツケル電着したニツケル層６を形成
する。この時の浴温は50℃以上としてかつ60℃以
上にならないようにして電着する。以上の方法に
よつてコンプレツシヨン用スタンパーとなる1.0μ
ｍの厚さのニツケル層４，５，６を形成したの
ち、ニツケル層４〜６をガラス原盤から分離して
コンプレツシヨン用スタンパーを得るが、ニツケ
ル層４，５，６を原盤から分離するときにニツケ
ル層４側にレジスト層２と金属層３に付着してく
るので剥離液を用いてレジスト層２と金属層３を
除してコンプレツシヨン用スタンパーのニツケル
層４ａ，５，６を得る。
以上はスタンパーの厚さが1.0mmについて述べ
たが、この発明による方法ではスタンパーの厚さ
が0.5〜1.5mmの範囲内で無歪のスタンパーの作成
が可能である。またレジスト層２がそのほかの形
成方法、例えばTeeCH4、NH3との反応膜であつ
て微細パターンの凹凸が形成できれば良く、金属
層３が金以外の金とニツケルの合金でも良くその
形成方法は、蒸着または化学メツキ〜電着法でも
良い。
たが、この発明による方法ではスタンパーの厚さ
が0.5〜1.5mmの範囲内で無歪のスタンパーの作成
が可能である。またレジスト層２がそのほかの形
成方法、例えばTeeCH4、NH3との反応膜であつ
て微細パターンの凹凸が形成できれば良く、金属
層３が金以外の金とニツケルの合金でも良くその
形成方法は、蒸着または化学メツキ〜電着法でも
良い。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための
構成図、第２図はこの発明の方法で作成したスタ
ンパーの電着応力を示す曲線図、第３図はこの発
明の方法で作成したスタンパーの硬を示す曲線図
である。 １……ガラス基板、２……レジスト層、３……
金属層、４，５，６……ニツケル層。
構成図、第２図はこの発明の方法で作成したスタ
ンパーの電着応力を示す曲線図、第３図はこの発
明の方法で作成したスタンパーの硬を示す曲線図
である。 １……ガラス基板、２……レジスト層、３……
金属層、４，５，６……ニツケル層。
Claims (1)
- １ 微細パターンを有する原盤に微細パターンの
精度をそこなわない形成方法で金属層を設け、こ
の金属層の上にニツケル電着法によりニツケル電
着を行なつて所定厚のコンプレツシヨン用スタン
パーを得るに当たり、下地のニツケル電着を0.1
〜0.3mmの厚さに２〜5A／ｄm2の電流密度で形成
し、次にこの下地電着層の上にニツケル電着を
0.2〜0.5mmの厚さに５〜8A／ｄm2の電流密度で連
続して形成したのち、さらに10A／ｄm2以上の電
流密度でニツケル電着を行なつて0.5〜1.5mmの厚
さを有するニツケル電着層を形成することを特徴
とするコンプレツシヨン用スタンパーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144491A JPS58144491A (ja) | 1983-08-27 |
| JPH0314910B2 true JPH0314910B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=12178688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2590182A Granted JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144491A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2646533B2 (ja) * | 1986-10-22 | 1997-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光メモリー用スタンパの製造方法 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2590182A patent/JPS58144491A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144491A (ja) | 1983-08-27 |
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