JPH0314910B2 - - Google Patents
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- JPH0314910B2 JPH0314910B2 JP2590182A JP2590182A JPH0314910B2 JP H0314910 B2 JPH0314910 B2 JP H0314910B2 JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP H0314910 B2 JPH0314910 B2 JP H0314910B2
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- nickel
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、光デイスクメモリに利用されるア
クリル基材またはガラス基材からなるデイスク原
盤にトラツキング用の案内溝および再生用の凹凸
をコンプレツシヨン用スタンパーを利用して作成
するために必要な、無歪でかつ耐久性が優れたコ
ンプレツシヨン用スタンパーの製造方法に関す
る。
クリル基材またはガラス基材からなるデイスク原
盤にトラツキング用の案内溝および再生用の凹凸
をコンプレツシヨン用スタンパーを利用して作成
するために必要な、無歪でかつ耐久性が優れたコ
ンプレツシヨン用スタンパーの製造方法に関す
る。
従来のコンプレツシヨン用スタンパーの製造方
法の代表的な事例として、レコード原盤のニツケ
ル電着方法がある。この方法は、まず溝を記録し
たラツカー盤に導電性を付与する目的で銀鏡反応
によつて銀層をつけてから250〜350μm程度の厚
さりニツケル電着をおこない、ラツカー盤から分
離してマスターを得る。このマスターにニツケル
電着をおこなつて250〜350μm程度の厚さのマザ
ーンタンパーを得ている。
法の代表的な事例として、レコード原盤のニツケ
ル電着方法がある。この方法は、まず溝を記録し
たラツカー盤に導電性を付与する目的で銀鏡反応
によつて銀層をつけてから250〜350μm程度の厚
さりニツケル電着をおこない、ラツカー盤から分
離してマスターを得る。このマスターにニツケル
電着をおこなつて250〜350μm程度の厚さのマザ
ーンタンパーを得ている。
しかるにこの方法によると通常ニツケル電着の
厚さは250〜350μm程度でありこれ以上厚くなる
とニツケル電着中の応力によつて変形することが
多く、平担なニツケルスタンパーが得にくいとい
う欠点があつた。
厚さは250〜350μm程度でありこれ以上厚くなる
とニツケル電着中の応力によつて変形することが
多く、平担なニツケルスタンパーが得にくいとい
う欠点があつた。
この発明は、上述の方法では厚いスタンパーが
得られにくいという欠点を改良し、スルフアミン
酸ニツケル電着浴を用いてニツケル電着層の厚さ
に応じて電流密度を連続的に変えてニツケル電着
をすることによつて平担でかつ歪の小さいコンプ
レツシヨン用スタンパーを製造することを目的と
する。
得られにくいという欠点を改良し、スルフアミン
酸ニツケル電着浴を用いてニツケル電着層の厚さ
に応じて電流密度を連続的に変えてニツケル電着
をすることによつて平担でかつ歪の小さいコンプ
レツシヨン用スタンパーを製造することを目的と
する。
この発明は、微細パターンを有する厚盤に微細
パターンの精度をそこなわない形成方法で所定量
(0.03〜0.1μm)の金属層を設け、こうして作成
された微細パターンを有する原盤に条件をかえな
がら連続してニツケル電着を行なつて厚さ0.5〜
1.5mmのニツケル電着層を形成し、原盤からこの
ニツケル電着層を分離してコンプレツシヨン用ス
タンパーを得るようにしたものである。
パターンの精度をそこなわない形成方法で所定量
(0.03〜0.1μm)の金属層を設け、こうして作成
された微細パターンを有する原盤に条件をかえな
がら連続してニツケル電着を行なつて厚さ0.5〜
1.5mmのニツケル電着層を形成し、原盤からこの
ニツケル電着層を分離してコンプレツシヨン用ス
タンパーを得るようにしたものである。
本発明によればニツケル電着を条件をかえなが
ら連続的に行うことによつて0.5〜1.5mmの厚さを
有する無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを製
造することができる。
ら連続的に行うことによつて0.5〜1.5mmの厚さを
有する無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを製
造することができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第1図に示すようにガラス基材1とレジスト
2からなる微細パターンを有する原盤の金属層3
の上に、スルフアミン酸ニツケル浴の電着を用い
て浴温40〜45℃、2〜5A/dm2の電流密度でニ
ツケル電着して下地ニツケル層4を得る。次にこ
のニツケル層4の上に浴温45〜50℃、5〜8A/
dm2の電流密度でニツケル電着してニツケル層5
を得て、さらにこのニツケル層5の上浴温50〜60
℃、10A/dm2以上の電流密度でニツケル電着し
てニツケル層6を得る。このような方法で同じ電
着浴を用いて条件をかえながら連続してニツケル
電着することによりコンプレツシヨン用スタンパ
ーとなるニツケル電着層7を得る。このニツケル
電着層7を原盤から分離したのち、レジスト2と
金属層3を剥離液で除去して第1図bに示すよう
なニツケル層4〜6からなるコンプレツシヨン用
スタンパーを得る。このスタンパーの電着応力は
第2図に示すように、ニツケル層4は区間Aの曲
線に示すように引張応力で、ニツケル層5は区間
Bの曲線に示すように引張〜圧縮応力であり、ニ
ツケル層6区間Cの曲線に示すように圧縮応力で
あることが測定結果から判明した。従つて、この
ようにして作成したコンプレツシヨン用スタンパ
ーの電着応力は全体として零にすることができ、
無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを得ること
ができた。このコンプレツシヨン用スタンパーの
微細パターン表面からのマイクロビツカー硬さを
測定したところ第3図に示すような結果を得た。
第3図から明らかなように表面硬さはHv500〜
600と硬いものが得られた。
る。第1図に示すようにガラス基材1とレジスト
2からなる微細パターンを有する原盤の金属層3
の上に、スルフアミン酸ニツケル浴の電着を用い
て浴温40〜45℃、2〜5A/dm2の電流密度でニ
ツケル電着して下地ニツケル層4を得る。次にこ
のニツケル層4の上に浴温45〜50℃、5〜8A/
dm2の電流密度でニツケル電着してニツケル層5
を得て、さらにこのニツケル層5の上浴温50〜60
℃、10A/dm2以上の電流密度でニツケル電着し
てニツケル層6を得る。このような方法で同じ電
着浴を用いて条件をかえながら連続してニツケル
電着することによりコンプレツシヨン用スタンパ
ーとなるニツケル電着層7を得る。このニツケル
電着層7を原盤から分離したのち、レジスト2と
金属層3を剥離液で除去して第1図bに示すよう
なニツケル層4〜6からなるコンプレツシヨン用
スタンパーを得る。このスタンパーの電着応力は
第2図に示すように、ニツケル層4は区間Aの曲
線に示すように引張応力で、ニツケル層5は区間
Bの曲線に示すように引張〜圧縮応力であり、ニ
ツケル層6区間Cの曲線に示すように圧縮応力で
あることが測定結果から判明した。従つて、この
ようにして作成したコンプレツシヨン用スタンパ
ーの電着応力は全体として零にすることができ、
無歪のコンプレツシヨン用スタンパーを得ること
ができた。このコンプレツシヨン用スタンパーの
微細パターン表面からのマイクロビツカー硬さを
測定したところ第3図に示すような結果を得た。
第3図から明らかなように表面硬さはHv500〜
600と硬いものが得られた。
以下、更に具体的なに例をあげて説明する。
厚さ10mm、直径350mmのクロム付ガラス基材1
にフオトレジストを塗布してフオトレジストプロ
セスによつて微細パターン層2をつけた原盤を得
る。次にこの微細パターン層2の上にニツケル電
着の導電性を付与する目的で金を真空蒸着して金
属層3を得る。この金属層3の上にスルフアミン
酸ニツケル浴を基本とするニツケル電着浴を用い
てニツケル電着を行なう。この電着浴の組成は次
に挙げるものである。
にフオトレジストを塗布してフオトレジストプロ
セスによつて微細パターン層2をつけた原盤を得
る。次にこの微細パターン層2の上にニツケル電
着の導電性を付与する目的で金を真空蒸着して金
属層3を得る。この金属層3の上にスルフアミン
酸ニツケル浴を基本とするニツケル電着浴を用い
てニツケル電着を行なう。この電着浴の組成は次
に挙げるものである。
スルフアミン酸ニツケル 450〜600g/
硼 酸 30〜40g/
臭化ニツケル 5g/
ピツト防止剤 1ml/
PH 4.0±3
上述した組成のニツケル電着を用いて、微細パ
ターンを有する原盤を回転陰極に取りつけてニツ
ケル電着する。このニツケル電着中の浴のかくは
んとろ過は一般的な方法による。電着槽の浴温を
40℃まで上げてから2〜5A/dm2の電流密度に
して、0.15mmの厚さにニツケル電着したニツケル
層4を形成する。このニツケル層4を形成中に浴
温を40℃から除去に上げ形成終時に浴温45℃まで
ゆるやかに上昇するようにコントロールする。次
にニツケル層4の上に連続して5〜8A/dm2の
電流密度にして0.3mmの厚さのニツケル電着した
ニツケル層5を形成する。このニツケル層5を形
成中に浴温が45℃から50℃までゆるやかに上昇す
るようにコントロールする。さらにニツケル層5
の上に連続して12A/dm2の電流密度にして0.55
mmの厚さのニツケル電着したニツケル層6を形成
する。この時の浴温は50℃以上としてかつ60℃以
上にならないようにして電着する。以上の方法に
よつてコンプレツシヨン用スタンパーとなる1.0μ
mの厚さのニツケル層4,5,6を形成したの
ち、ニツケル層4〜6をガラス原盤から分離して
コンプレツシヨン用スタンパーを得るが、ニツケ
ル層4,5,6を原盤から分離するときにニツケ
ル層4側にレジスト層2と金属層3に付着してく
るので剥離液を用いてレジスト層2と金属層3を
除してコンプレツシヨン用スタンパーのニツケル
層4a,5,6を得る。
ターンを有する原盤を回転陰極に取りつけてニツ
ケル電着する。このニツケル電着中の浴のかくは
んとろ過は一般的な方法による。電着槽の浴温を
40℃まで上げてから2〜5A/dm2の電流密度に
して、0.15mmの厚さにニツケル電着したニツケル
層4を形成する。このニツケル層4を形成中に浴
温を40℃から除去に上げ形成終時に浴温45℃まで
ゆるやかに上昇するようにコントロールする。次
にニツケル層4の上に連続して5〜8A/dm2の
電流密度にして0.3mmの厚さのニツケル電着した
ニツケル層5を形成する。このニツケル層5を形
成中に浴温が45℃から50℃までゆるやかに上昇す
るようにコントロールする。さらにニツケル層5
の上に連続して12A/dm2の電流密度にして0.55
mmの厚さのニツケル電着したニツケル層6を形成
する。この時の浴温は50℃以上としてかつ60℃以
上にならないようにして電着する。以上の方法に
よつてコンプレツシヨン用スタンパーとなる1.0μ
mの厚さのニツケル層4,5,6を形成したの
ち、ニツケル層4〜6をガラス原盤から分離して
コンプレツシヨン用スタンパーを得るが、ニツケ
ル層4,5,6を原盤から分離するときにニツケ
ル層4側にレジスト層2と金属層3に付着してく
るので剥離液を用いてレジスト層2と金属層3を
除してコンプレツシヨン用スタンパーのニツケル
層4a,5,6を得る。
以上はスタンパーの厚さが1.0mmについて述べ
たが、この発明による方法ではスタンパーの厚さ
が0.5〜1.5mmの範囲内で無歪のスタンパーの作成
が可能である。またレジスト層2がそのほかの形
成方法、例えばTeeCH4、NH3との反応膜であつ
て微細パターンの凹凸が形成できれば良く、金属
層3が金以外の金とニツケルの合金でも良くその
形成方法は、蒸着または化学メツキ〜電着法でも
良い。
たが、この発明による方法ではスタンパーの厚さ
が0.5〜1.5mmの範囲内で無歪のスタンパーの作成
が可能である。またレジスト層2がそのほかの形
成方法、例えばTeeCH4、NH3との反応膜であつ
て微細パターンの凹凸が形成できれば良く、金属
層3が金以外の金とニツケルの合金でも良くその
形成方法は、蒸着または化学メツキ〜電着法でも
良い。
第1図はこの発明の一実施例を説明するための
構成図、第2図はこの発明の方法で作成したスタ
ンパーの電着応力を示す曲線図、第3図はこの発
明の方法で作成したスタンパーの硬を示す曲線図
である。 1……ガラス基板、2……レジスト層、3……
金属層、4,5,6……ニツケル層。
構成図、第2図はこの発明の方法で作成したスタ
ンパーの電着応力を示す曲線図、第3図はこの発
明の方法で作成したスタンパーの硬を示す曲線図
である。 1……ガラス基板、2……レジスト層、3……
金属層、4,5,6……ニツケル層。
Claims (1)
- 1 微細パターンを有する原盤に微細パターンの
精度をそこなわない形成方法で金属層を設け、こ
の金属層の上にニツケル電着法によりニツケル電
着を行なつて所定厚のコンプレツシヨン用スタン
パーを得るに当たり、下地のニツケル電着を0.1
〜0.3mmの厚さに2〜5A/dm2の電流密度で形成
し、次にこの下地電着層の上にニツケル電着を
0.2〜0.5mmの厚さに5〜8A/dm2の電流密度で連
続して形成したのち、さらに10A/dm2以上の電
流密度でニツケル電着を行なつて0.5〜1.5mmの厚
さを有するニツケル電着層を形成することを特徴
とするコンプレツシヨン用スタンパーの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58144491A JPS58144491A (ja) | 1983-08-27 |
JPH0314910B2 true JPH0314910B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=12178688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2590182A Granted JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58144491A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2646533B2 (ja) * | 1986-10-22 | 1997-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光メモリー用スタンパの製造方法 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2590182A patent/JPS58144491A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58144491A (ja) | 1983-08-27 |
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