JPS58144491A - コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 - Google Patents
コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS58144491A JPS58144491A JP2590182A JP2590182A JPS58144491A JP S58144491 A JPS58144491 A JP S58144491A JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP S58144491 A JPS58144491 A JP S58144491A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- layer
- electrodeposition
- thickness
- current density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分、野〕
この発明は、光デイスクメモリに利用されるアクリル基
材まだはガラス基材からなるディスク原盤にトラッキン
グ用の案内溝および再生用の凹凸をコンプレッション用
スタンバ−を利用して作成するために必要な、無歪でか
つ耐久性が優れたコンブレッジ腎ン用スタンパ−の製造
方法に関する。
材まだはガラス基材からなるディスク原盤にトラッキン
グ用の案内溝および再生用の凹凸をコンプレッション用
スタンバ−を利用して作成するために必要な、無歪でか
つ耐久性が優れたコンブレッジ腎ン用スタンパ−の製造
方法に関する。
従来のコンプレッション用スタンバ−の製造方法の代表
的な事例として、レコード原盤のニッケル電着方法があ
る。この方法は、まず溝を記録したラッカー盤に導電性
を付与する目的で銀鏡反応によって鋼層をつけてから２
５０〜３５０ｐｍ程度の厚さにニッケル電着をおこない
、ラッカー盤から分離してマスターを得る。このマスタ
ーにニッケル電着をおこなって２５０〜３５０μ＋ｎ程
度の厚さのマザーンタンパーを得ている。
的な事例として、レコード原盤のニッケル電着方法があ
る。この方法は、まず溝を記録したラッカー盤に導電性
を付与する目的で銀鏡反応によって鋼層をつけてから２
５０〜３５０ｐｍ程度の厚さにニッケル電着をおこない
、ラッカー盤から分離してマスターを得る。このマスタ
ーにニッケル電着をおこなって２５０〜３５０μ＋ｎ程
度の厚さのマザーンタンパーを得ている。
しかるにこの方法によると通常ニッケル電着の厚さは２
５０〜３５０μｍ程度でありこれ以上厚くなるとニッケ
ル電着中の応力に上って変形することが多く、平担なニ
ッケルスタンバ−が得ニくいという欠点があった。
５０〜３５０μｍ程度でありこれ以上厚くなるとニッケ
ル電着中の応力に上って変形することが多く、平担なニ
ッケルスタンバ−が得ニくいという欠点があった。
この発明は、上述の方法では厚いスタンバ−が得られに
くいという欠截を改良し、スルファミン酸ニッケル電着
浴を用いてニッケル電着層の厚さに応じて電流密度を連
続的に変えてニッケル電着をすることによって平担でか
つ歪の小さいコンプレッション用スタンバ−を製造する
ことを目的とする。
くいという欠截を改良し、スルファミン酸ニッケル電着
浴を用いてニッケル電着層の厚さに応じて電流密度を連
続的に変えてニッケル電着をすることによって平担でか
つ歪の小さいコンプレッション用スタンバ−を製造する
ことを目的とする。
この発明は、微細パターンを有する原盤に微細パターン
の精度をそこなわない形成方法で所定ｌ（０，０３〜０
．１１４ｍ ）の金属層を設け、こうして作成された微
細パターンを有する原盤に条件をかえながら連続してニ
ッケル電着を行なって厚さ０．５〜１．５ ｍｌのニッ
ケル′成着層を形成し、原盤からこのニッケル電着層を
分離してコンブレッジ日ン用スタンパ−を得るようにし
だものである。
の精度をそこなわない形成方法で所定ｌ（０，０３〜０
．１１４ｍ ）の金属層を設け、こうして作成された微
細パターンを有する原盤に条件をかえながら連続してニ
ッケル電着を行なって厚さ０．５〜１．５ ｍｌのニッ
ケル′成着層を形成し、原盤からこのニッケル電着層を
分離してコンブレッジ日ン用スタンパ−を得るようにし
だものである。
本発明によればニッケル電着を条件をかえナカら連続的
に行うことによって０．５〜１．５１１１１の厚さを有
する無歪のコンプレッション用スタンパーヲａ造するこ
とができる。
に行うことによって０．５〜１．５１１１１の厚さを有
する無歪のコンプレッション用スタンパーヲａ造するこ
とができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図に示すようにガラス基板（１）とレジスト（２）から
なる微細パターンを有する原盤の金属層（３）の上ニ、
スルファミン酸ニッケル浴の電着を用いて浴温４０〜４
５°０．２〜５Ａ／ｄｍ”の電流密度でニッケル電着し
て下地ニッケル層（４）を得る。次にこのニッケル層（
４）の上に浴温４５〜５０ ”Ｏ１５〜８Ａ／ｄｒｒＩ
２の電流密度でニッケル電着してニッケル層（５）を得
て、さらにこのニッケル層（５）の上洛ｍ５０〜６０℃
、１０Ａ／ｄｍ２以上の電流密度でニッケル電着してニ
ッケル層（６）を得る。このような方法で同じ電着浴を
用いて条件をかえながら連続してニッケル電着すること
によりコンブレッジ薯ン用スタンハートなるニッケル電
着層（７）を得る。このニッケル電着層（７ンを原盤か
ら分離したのち、レジスト（２）と金属層（３）を剥離
液で除去して第１図（ｂ）に示すようなニッケル層（４
〜６）からなるコンプレッション用スタンバ−を得る。
図に示すようにガラス基板（１）とレジスト（２）から
なる微細パターンを有する原盤の金属層（３）の上ニ、
スルファミン酸ニッケル浴の電着を用いて浴温４０〜４
５°０．２〜５Ａ／ｄｍ”の電流密度でニッケル電着し
て下地ニッケル層（４）を得る。次にこのニッケル層（
４）の上に浴温４５〜５０ ”Ｏ１５〜８Ａ／ｄｒｒＩ
２の電流密度でニッケル電着してニッケル層（５）を得
て、さらにこのニッケル層（５）の上洛ｍ５０〜６０℃
、１０Ａ／ｄｍ２以上の電流密度でニッケル電着してニ
ッケル層（６）を得る。このような方法で同じ電着浴を
用いて条件をかえながら連続してニッケル電着すること
によりコンブレッジ薯ン用スタンハートなるニッケル電
着層（７）を得る。このニッケル電着層（７ンを原盤か
ら分離したのち、レジスト（２）と金属層（３）を剥離
液で除去して第１図（ｂ）に示すようなニッケル層（４
〜６）からなるコンプレッション用スタンバ−を得る。
このスタンパ−の電着応力は第２図に示すように、ニッ
ケル層（４）は区間Ａの曲線に示すように引張応力で、
ニッケル層（５）は区間Ｂの曲線に示・ｔように引張〜
圧縮応力であり、ニッケル層（６）区間Ｃの曲線に示す
ように圧縮応力であることが測定結果から判明した。従
って、このようにして作成したコンプレッション用スタ
ンバ−の電着応力は全体として零にすることができ、無
歪のコンプレッション用スタンバ−を得ることができた
。このコンプレッション用スタンバ−の微細パターン表
面からのマイクロピッカー硬さを測定したところ第３図
に示すような結果を得た。第３図から明らかなように表
面硬さはＨｖ５００〜６００と硬いものが得られた。
ケル層（４）は区間Ａの曲線に示すように引張応力で、
ニッケル層（５）は区間Ｂの曲線に示・ｔように引張〜
圧縮応力であり、ニッケル層（６）区間Ｃの曲線に示す
ように圧縮応力であることが測定結果から判明した。従
って、このようにして作成したコンプレッション用スタ
ンバ−の電着応力は全体として零にすることができ、無
歪のコンプレッション用スタンバ−を得ることができた
。このコンプレッション用スタンバ−の微細パターン表
面からのマイクロピッカー硬さを測定したところ第３図
に示すような結果を得た。第３図から明らかなように表
面硬さはＨｖ５００〜６００と硬いものが得られた。
以下、更に具体的な例をあげて説明する。
厚さ１０１ｍ、直径３５０ｍｍのクロム付ガラス基板（
１）にフォトレジストを塗布してフォトレジストプロセ
スによって微細パターン層（２）をつけた原盤を得る。
１）にフォトレジストを塗布してフォトレジストプロセ
スによって微細パターン層（２）をつけた原盤を得る。
次にこの微細パターン層（２）の上にニッケル電着の導
電性を付与する目的で金を真空蒸着して金属層（３）を
得る。この金属層（３）の上にスルファミン酸ニッケル
浴を基本とするニッケル電着浴を用いてニッケル鑞着を
行なう。この電着浴の組成は次に挙げるものである。
電性を付与する目的で金を真空蒸着して金属層（３）を
得る。この金属層（３）の上にスルファミン酸ニッケル
浴を基本とするニッケル電着浴を用いてニッケル鑞着を
行なう。この電着浴の組成は次に挙げるものである。
スルフアミノ酸ニッケル ４５０〜６００ ｇ／
１３硼 酸 関〜４０
ｇ／ｌ臭化ニッケル ５ｇ／ｌビット
防止剤 １ ｍｌ／ ＩＰＨ４，０±
３ 上述した組成のニッケル電着を用いて、微細パターンを
有する原盤を回転陰極に堆りつけてニッケル電着する。
１３硼 酸 関〜４０
ｇ／ｌ臭化ニッケル ５ｇ／ｌビット
防止剤 １ ｍｌ／ ＩＰＨ４，０±
３ 上述した組成のニッケル電着を用いて、微細パターンを
有する原盤を回転陰極に堆りつけてニッケル電着する。
このニッケル′成着中の浴のかくはんとろ過は一般的な
方法による。電着槽の浴温を４０°０まで上げてから２
〜５Ａ／ｄｍ２の電流密度にして、０．１５龍の厚さに
ニッケル電着したニッケル層（４）を形成する。このニ
ッケル層（４）を形成中に浴温を４０°Ｃから除去に上
げ形成経時に浴温４５°０までゆるやかに上昇するよう
にコントロールする。次にニッケル層（４）の上に連続
して５〜８Ａ／ｄｍ２の電流密度にして０．３０の厚さ
のニッケル電着したニッケル層（５）を形成する。この
ニッケル層（５）を形成中に浴温が４５°Ｃから５０
”０までゆるやかに上昇するようにコントロールする。
方法による。電着槽の浴温を４０°０まで上げてから２
〜５Ａ／ｄｍ２の電流密度にして、０．１５龍の厚さに
ニッケル電着したニッケル層（４）を形成する。このニ
ッケル層（４）を形成中に浴温を４０°Ｃから除去に上
げ形成経時に浴温４５°０までゆるやかに上昇するよう
にコントロールする。次にニッケル層（４）の上に連続
して５〜８Ａ／ｄｍ２の電流密度にして０．３０の厚さ
のニッケル電着したニッケル層（５）を形成する。この
ニッケル層（５）を形成中に浴温が４５°Ｃから５０
”０までゆるやかに上昇するようにコントロールする。
さらにニッケル層（５）の七に連続して１２Ａ／ｄｍ
の電流密度にして０．５５ ｒｔｒｖｒの厚さのニッケ
ル電着したニッケル層（６）を形成する。
の電流密度にして０．５５ ｒｔｒｖｒの厚さのニッケ
ル電着したニッケル層（６）を形成する。
この時の浴温は５０ ’Ｏ以上としてかつ６０°Ｃ以上
にならないようにして電着する。以上の方法によってコ
ンブレッジ目ン用スタンハートなる１、０μｍの厚さの
ニッケル層（４，５，６）を形成したのち、ニッケル層
（４〜６）をガラス原盤から分離してコンブレッジ璽ン
用スタンハーヲ得ルカ、ニッケル層（４，５，６）を原
盤から分離するさきにニッケル層（４）側にレジスト層
（２）と金属層（３）に付着してくるので剥離液を用い
てレジスト層（２）と金属層（３）を除してコンブレッ
ジ舊ン用スタンバ−のニッケル層（４ａ、 ５ 、６
）を得る。
にならないようにして電着する。以上の方法によってコ
ンブレッジ目ン用スタンハートなる１、０μｍの厚さの
ニッケル層（４，５，６）を形成したのち、ニッケル層
（４〜６）をガラス原盤から分離してコンブレッジ璽ン
用スタンハーヲ得ルカ、ニッケル層（４，５，６）を原
盤から分離するさきにニッケル層（４）側にレジスト層
（２）と金属層（３）に付着してくるので剥離液を用い
てレジスト層（２）と金属層（３）を除してコンブレッ
ジ舊ン用スタンバ−のニッケル層（４ａ、 ５ 、６
）を得る。
以上はスタンパ−の厚さが１．０關について述べだが、
この発明による方法ではスタンパ−の厚さが０．５〜１
．５扉罵の範囲内で無歪のスタンパ−の作成が可能であ
る。またレジスト層（２）がそのほかの形成方法、例え
ばＴｅｅＣＨ４，・ＮＨａとの反応膜であって微細パタ
ーンの凹凸が形成できれば良く、金属層（３）が全以外
の金とニッケルの合金でも良くその形成方法は、蒸着ま
た化学メツキル電着法でも良い。
この発明による方法ではスタンパ−の厚さが０．５〜１
．５扉罵の範囲内で無歪のスタンパ−の作成が可能であ
る。またレジスト層（２）がそのほかの形成方法、例え
ばＴｅｅＣＨ４，・ＮＨａとの反応膜であって微細パタ
ーンの凹凸が形成できれば良く、金属層（３）が全以外
の金とニッケルの合金でも良くその形成方法は、蒸着ま
た化学メツキル電着法でも良い。
第１図はこの発明の一実施例を説明するだめの構成図、
第２図はこの発明の方法で作成したスタンパ−の電着応
力を示す曲線図、第３図はこの発明の方法で作成したス
タンパ−の硬を示す曲線図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・レジスト層、３・・
・金属層、 ４，５．６・・・ニッケル層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） Ｃ娩）呵初ゲーｕ′Ｐ口乙簿
第２図はこの発明の方法で作成したスタンパ−の電着応
力を示す曲線図、第３図はこの発明の方法で作成したス
タンパ−の硬を示す曲線図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・レジスト層、３・・
・金属層、 ４，５．６・・・ニッケル層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） Ｃ娩）呵初ゲーｕ′Ｐ口乙簿
Claims (1)
- 微細パターンを有する原盤に微細パターンの精度をそこ
なわない形成方法で金属層を設け、この金属層の上にニ
ッケル電着法によりニッケル電着を行なって所定厚のコ
ンブレッジ璽ン用スタンパ−を得るに当たり、下地のニ
ッケル電着を０．１〜Ｑ、３１ｍの厚さに２〜５Ａ／ｄ
ｍ２ の電流密度で形成し、次にこの下地電着層の上に
ニッケル電着を０．２〜０．５１ｇの厚さに５〜８人／
ｄｍ２の電流密度で連続して形成したのち、さらにＩＯ
Ａ／ｄｒｎ２以上の′電流密度でニッケル電着を行なっ
て０．５〜１．５ＩＩＩの厚さを有するニッケル電着層
を形成することを特徴とするコンプレッション用スタン
バ−の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144491A true JPS58144491A (ja) | 1983-08-27 |
| JPH0314910B2 JPH0314910B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=12178688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2590182A Granted JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144491A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105987A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-11 | Seiko Epson Corp | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2590182A patent/JPS58144491A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105987A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-11 | Seiko Epson Corp | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314910B2 (ja) | 1991-02-27 |
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