JPS58144491A - コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 - Google Patents
コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS58144491A JPS58144491A JP2590182A JP2590182A JPS58144491A JP S58144491 A JPS58144491 A JP S58144491A JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP 2590182 A JP2590182 A JP 2590182A JP S58144491 A JPS58144491 A JP S58144491A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- layer
- electrodeposition
- thickness
- current density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分、野〕
この発明は、光デイスクメモリに利用されるアクリル基
材まだはガラス基材からなるディスク原盤にトラッキン
グ用の案内溝および再生用の凹凸をコンプレッション用
スタンバ−を利用して作成するために必要な、無歪でか
つ耐久性が優れたコンブレッジ腎ン用スタンパ−の製造
方法に関する。
材まだはガラス基材からなるディスク原盤にトラッキン
グ用の案内溝および再生用の凹凸をコンプレッション用
スタンバ−を利用して作成するために必要な、無歪でか
つ耐久性が優れたコンブレッジ腎ン用スタンパ−の製造
方法に関する。
従来のコンプレッション用スタンバ−の製造方法の代表
的な事例として、レコード原盤のニッケル電着方法があ
る。この方法は、まず溝を記録したラッカー盤に導電性
を付与する目的で銀鏡反応によって鋼層をつけてから2
50〜350pm程度の厚さにニッケル電着をおこない
、ラッカー盤から分離してマスターを得る。このマスタ
ーにニッケル電着をおこなって250〜350μ+n程
度の厚さのマザーンタンパーを得ている。
的な事例として、レコード原盤のニッケル電着方法があ
る。この方法は、まず溝を記録したラッカー盤に導電性
を付与する目的で銀鏡反応によって鋼層をつけてから2
50〜350pm程度の厚さにニッケル電着をおこない
、ラッカー盤から分離してマスターを得る。このマスタ
ーにニッケル電着をおこなって250〜350μ+n程
度の厚さのマザーンタンパーを得ている。
しかるにこの方法によると通常ニッケル電着の厚さは2
50〜350μm程度でありこれ以上厚くなるとニッケ
ル電着中の応力に上って変形することが多く、平担なニ
ッケルスタンバ−が得ニくいという欠点があった。
50〜350μm程度でありこれ以上厚くなるとニッケ
ル電着中の応力に上って変形することが多く、平担なニ
ッケルスタンバ−が得ニくいという欠点があった。
この発明は、上述の方法では厚いスタンバ−が得られに
くいという欠截を改良し、スルファミン酸ニッケル電着
浴を用いてニッケル電着層の厚さに応じて電流密度を連
続的に変えてニッケル電着をすることによって平担でか
つ歪の小さいコンプレッション用スタンバ−を製造する
ことを目的とする。
くいという欠截を改良し、スルファミン酸ニッケル電着
浴を用いてニッケル電着層の厚さに応じて電流密度を連
続的に変えてニッケル電着をすることによって平担でか
つ歪の小さいコンプレッション用スタンバ−を製造する
ことを目的とする。
この発明は、微細パターンを有する原盤に微細パターン
の精度をそこなわない形成方法で所定l(0,03〜0
.114m )の金属層を設け、こうして作成された微
細パターンを有する原盤に条件をかえながら連続してニ
ッケル電着を行なって厚さ0.5〜1.5 mlのニッ
ケル′成着層を形成し、原盤からこのニッケル電着層を
分離してコンブレッジ日ン用スタンパ−を得るようにし
だものである。
の精度をそこなわない形成方法で所定l(0,03〜0
.114m )の金属層を設け、こうして作成された微
細パターンを有する原盤に条件をかえながら連続してニ
ッケル電着を行なって厚さ0.5〜1.5 mlのニッ
ケル′成着層を形成し、原盤からこのニッケル電着層を
分離してコンブレッジ日ン用スタンパ−を得るようにし
だものである。
本発明によればニッケル電着を条件をかえナカら連続的
に行うことによって0.5〜1.51111の厚さを有
する無歪のコンプレッション用スタンパーヲa造するこ
とができる。
に行うことによって0.5〜1.51111の厚さを有
する無歪のコンプレッション用スタンパーヲa造するこ
とができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図に示すようにガラス基板(1)とレジスト(2)から
なる微細パターンを有する原盤の金属層(3)の上ニ、
スルファミン酸ニッケル浴の電着を用いて浴温40〜4
5°0.2〜5A/dm”の電流密度でニッケル電着し
て下地ニッケル層(4)を得る。次にこのニッケル層(
4)の上に浴温45〜50 ”O15〜8A/drrI
2の電流密度でニッケル電着してニッケル層(5)を得
て、さらにこのニッケル層(5)の上洛m50〜60℃
、10A/dm2以上の電流密度でニッケル電着してニ
ッケル層(6)を得る。このような方法で同じ電着浴を
用いて条件をかえながら連続してニッケル電着すること
によりコンブレッジ薯ン用スタンハートなるニッケル電
着層(7)を得る。このニッケル電着層(7ンを原盤か
ら分離したのち、レジスト(2)と金属層(3)を剥離
液で除去して第1図(b)に示すようなニッケル層(4
〜6)からなるコンプレッション用スタンバ−を得る。
図に示すようにガラス基板(1)とレジスト(2)から
なる微細パターンを有する原盤の金属層(3)の上ニ、
スルファミン酸ニッケル浴の電着を用いて浴温40〜4
5°0.2〜5A/dm”の電流密度でニッケル電着し
て下地ニッケル層(4)を得る。次にこのニッケル層(
4)の上に浴温45〜50 ”O15〜8A/drrI
2の電流密度でニッケル電着してニッケル層(5)を得
て、さらにこのニッケル層(5)の上洛m50〜60℃
、10A/dm2以上の電流密度でニッケル電着してニ
ッケル層(6)を得る。このような方法で同じ電着浴を
用いて条件をかえながら連続してニッケル電着すること
によりコンブレッジ薯ン用スタンハートなるニッケル電
着層(7)を得る。このニッケル電着層(7ンを原盤か
ら分離したのち、レジスト(2)と金属層(3)を剥離
液で除去して第1図(b)に示すようなニッケル層(4
〜6)からなるコンプレッション用スタンバ−を得る。
このスタンパ−の電着応力は第2図に示すように、ニッ
ケル層(4)は区間Aの曲線に示すように引張応力で、
ニッケル層(5)は区間Bの曲線に示・tように引張〜
圧縮応力であり、ニッケル層(6)区間Cの曲線に示す
ように圧縮応力であることが測定結果から判明した。従
って、このようにして作成したコンプレッション用スタ
ンバ−の電着応力は全体として零にすることができ、無
歪のコンプレッション用スタンバ−を得ることができた
。このコンプレッション用スタンバ−の微細パターン表
面からのマイクロピッカー硬さを測定したところ第3図
に示すような結果を得た。第3図から明らかなように表
面硬さはHv500〜600と硬いものが得られた。
ケル層(4)は区間Aの曲線に示すように引張応力で、
ニッケル層(5)は区間Bの曲線に示・tように引張〜
圧縮応力であり、ニッケル層(6)区間Cの曲線に示す
ように圧縮応力であることが測定結果から判明した。従
って、このようにして作成したコンプレッション用スタ
ンバ−の電着応力は全体として零にすることができ、無
歪のコンプレッション用スタンバ−を得ることができた
。このコンプレッション用スタンバ−の微細パターン表
面からのマイクロピッカー硬さを測定したところ第3図
に示すような結果を得た。第3図から明らかなように表
面硬さはHv500〜600と硬いものが得られた。
以下、更に具体的な例をあげて説明する。
厚さ101m、直径350mmのクロム付ガラス基板(
1)にフォトレジストを塗布してフォトレジストプロセ
スによって微細パターン層(2)をつけた原盤を得る。
1)にフォトレジストを塗布してフォトレジストプロセ
スによって微細パターン層(2)をつけた原盤を得る。
次にこの微細パターン層(2)の上にニッケル電着の導
電性を付与する目的で金を真空蒸着して金属層(3)を
得る。この金属層(3)の上にスルファミン酸ニッケル
浴を基本とするニッケル電着浴を用いてニッケル鑞着を
行なう。この電着浴の組成は次に挙げるものである。
電性を付与する目的で金を真空蒸着して金属層(3)を
得る。この金属層(3)の上にスルファミン酸ニッケル
浴を基本とするニッケル電着浴を用いてニッケル鑞着を
行なう。この電着浴の組成は次に挙げるものである。
スルフアミノ酸ニッケル 450〜600 g/
13硼 酸 関〜40
g/l臭化ニッケル 5g/lビット
防止剤 1 ml/ IPH4,0±
3 上述した組成のニッケル電着を用いて、微細パターンを
有する原盤を回転陰極に堆りつけてニッケル電着する。
13硼 酸 関〜40
g/l臭化ニッケル 5g/lビット
防止剤 1 ml/ IPH4,0±
3 上述した組成のニッケル電着を用いて、微細パターンを
有する原盤を回転陰極に堆りつけてニッケル電着する。
このニッケル′成着中の浴のかくはんとろ過は一般的な
方法による。電着槽の浴温を40°0まで上げてから2
〜5A/dm2の電流密度にして、0.15龍の厚さに
ニッケル電着したニッケル層(4)を形成する。このニ
ッケル層(4)を形成中に浴温を40°Cから除去に上
げ形成経時に浴温45°0までゆるやかに上昇するよう
にコントロールする。次にニッケル層(4)の上に連続
して5〜8A/dm2の電流密度にして0.30の厚さ
のニッケル電着したニッケル層(5)を形成する。この
ニッケル層(5)を形成中に浴温が45°Cから50
”0までゆるやかに上昇するようにコントロールする。
方法による。電着槽の浴温を40°0まで上げてから2
〜5A/dm2の電流密度にして、0.15龍の厚さに
ニッケル電着したニッケル層(4)を形成する。このニ
ッケル層(4)を形成中に浴温を40°Cから除去に上
げ形成経時に浴温45°0までゆるやかに上昇するよう
にコントロールする。次にニッケル層(4)の上に連続
して5〜8A/dm2の電流密度にして0.30の厚さ
のニッケル電着したニッケル層(5)を形成する。この
ニッケル層(5)を形成中に浴温が45°Cから50
”0までゆるやかに上昇するようにコントロールする。
さらにニッケル層(5)の七に連続して12A/dm
の電流密度にして0.55 rtrvrの厚さのニッケ
ル電着したニッケル層(6)を形成する。
の電流密度にして0.55 rtrvrの厚さのニッケ
ル電着したニッケル層(6)を形成する。
この時の浴温は50 ’O以上としてかつ60°C以上
にならないようにして電着する。以上の方法によってコ
ンブレッジ目ン用スタンハートなる1、0μmの厚さの
ニッケル層(4,5,6)を形成したのち、ニッケル層
(4〜6)をガラス原盤から分離してコンブレッジ璽ン
用スタンハーヲ得ルカ、ニッケル層(4,5,6)を原
盤から分離するさきにニッケル層(4)側にレジスト層
(2)と金属層(3)に付着してくるので剥離液を用い
てレジスト層(2)と金属層(3)を除してコンブレッ
ジ舊ン用スタンバ−のニッケル層(4a、 5 、6
)を得る。
にならないようにして電着する。以上の方法によってコ
ンブレッジ目ン用スタンハートなる1、0μmの厚さの
ニッケル層(4,5,6)を形成したのち、ニッケル層
(4〜6)をガラス原盤から分離してコンブレッジ璽ン
用スタンハーヲ得ルカ、ニッケル層(4,5,6)を原
盤から分離するさきにニッケル層(4)側にレジスト層
(2)と金属層(3)に付着してくるので剥離液を用い
てレジスト層(2)と金属層(3)を除してコンブレッ
ジ舊ン用スタンバ−のニッケル層(4a、 5 、6
)を得る。
以上はスタンパ−の厚さが1.0關について述べだが、
この発明による方法ではスタンパ−の厚さが0.5〜1
.5扉罵の範囲内で無歪のスタンパ−の作成が可能であ
る。またレジスト層(2)がそのほかの形成方法、例え
ばTeeCH4,・NHaとの反応膜であって微細パタ
ーンの凹凸が形成できれば良く、金属層(3)が全以外
の金とニッケルの合金でも良くその形成方法は、蒸着ま
た化学メツキル電着法でも良い。
この発明による方法ではスタンパ−の厚さが0.5〜1
.5扉罵の範囲内で無歪のスタンパ−の作成が可能であ
る。またレジスト層(2)がそのほかの形成方法、例え
ばTeeCH4,・NHaとの反応膜であって微細パタ
ーンの凹凸が形成できれば良く、金属層(3)が全以外
の金とニッケルの合金でも良くその形成方法は、蒸着ま
た化学メツキル電着法でも良い。
第1図はこの発明の一実施例を説明するだめの構成図、
第2図はこの発明の方法で作成したスタンパ−の電着応
力を示す曲線図、第3図はこの発明の方法で作成したス
タンパ−の硬を示す曲線図である。 1・・・ガラス基板、 2・・・レジスト層、3・・
・金属層、 4,5.6・・・ニッケル層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名) C娩)呵初ゲーu′P口乙簿
第2図はこの発明の方法で作成したスタンパ−の電着応
力を示す曲線図、第3図はこの発明の方法で作成したス
タンパ−の硬を示す曲線図である。 1・・・ガラス基板、 2・・・レジスト層、3・・
・金属層、 4,5.6・・・ニッケル層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名) C娩)呵初ゲーu′P口乙簿
Claims (1)
- 微細パターンを有する原盤に微細パターンの精度をそこ
なわない形成方法で金属層を設け、この金属層の上にニ
ッケル電着法によりニッケル電着を行なって所定厚のコ
ンブレッジ璽ン用スタンパ−を得るに当たり、下地のニ
ッケル電着を0.1〜Q、31mの厚さに2〜5A/d
m2 の電流密度で形成し、次にこの下地電着層の上に
ニッケル電着を0.2〜0.51gの厚さに5〜8人/
dm2の電流密度で連続して形成したのち、さらにIO
A/drn2以上の′電流密度でニッケル電着を行なっ
て0.5〜1.5IIIの厚さを有するニッケル電着層
を形成することを特徴とするコンプレッション用スタン
バ−の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2590182A JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58144491A true JPS58144491A (ja) | 1983-08-27 |
JPH0314910B2 JPH0314910B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=12178688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2590182A Granted JPS58144491A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | コンプレツシヨン用スタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58144491A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63105987A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-11 | Seiko Epson Corp | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2590182A patent/JPS58144491A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63105987A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-11 | Seiko Epson Corp | 光メモリ−用スタンパの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0314910B2 (ja) | 1991-02-27 |
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