JP2683118B2 - 光ディスク複製用スタンパの製造方法 - Google Patents
光ディスク複製用スタンパの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザーディスク、コンパクトディスク等
の光ディスク複製用のスタンパの製造方法に関する。
の光ディスク複製用のスタンパの製造方法に関する。
従来、光ディスク複製用のスタンパ製造工程において
は、ガラス基板からフォトリソグラフィー法により微細
な凹凸形状を形成し、導電性皮膜を施してなるガラス原
盤をNiめっきして、Niマスターを形成し、このNiマスタ
ーより小径に規制される半径の異なる同心円状の２本の
Ｏリングを備えためっき治具を用いてNiマザーを得てい
た。即ち、第６図に基づいて説明すると、Niマスター１
を凹凸面を上向きにして、めっき治具３にセットする。
このめっき治具３の上面側には、２つのＯリング７、８
が押えリング板９および、ねじ10により取り付けられて
いる。これら２つのＯリング７、８は半径の異なる同心
円状で太さは同じものであり、小径側のＯリング７はNi
マスター１の上面外周部上に位置し、大径側のＯリング
８は、めっき治具３の上面外周部上に位置するものであ
る。このようなめっき治具３を用いてNiめっきを行うこ
とにより、Niマスター１上にNiマザー２を複製し、Niマ
スター１からNiマザー２を剥離することにより単体のNi
マザー２を得ていた。NiマザーからNiサンを得る場合に
ついても同様の方法がとられていた。
は、ガラス基板からフォトリソグラフィー法により微細
な凹凸形状を形成し、導電性皮膜を施してなるガラス原
盤をNiめっきして、Niマスターを形成し、このNiマスタ
ーより小径に規制される半径の異なる同心円状の２本の
Ｏリングを備えためっき治具を用いてNiマザーを得てい
た。即ち、第６図に基づいて説明すると、Niマスター１
を凹凸面を上向きにして、めっき治具３にセットする。
このめっき治具３の上面側には、２つのＯリング７、８
が押えリング板９および、ねじ10により取り付けられて
いる。これら２つのＯリング７、８は半径の異なる同心
円状で太さは同じものであり、小径側のＯリング７はNi
マスター１の上面外周部上に位置し、大径側のＯリング
８は、めっき治具３の上面外周部上に位置するものであ
る。このようなめっき治具３を用いてNiめっきを行うこ
とにより、Niマスター１上にNiマザー２を複製し、Niマ
スター１からNiマザー２を剥離することにより単体のNi
マザー２を得ていた。NiマザーからNiサンを得る場合に
ついても同様の方法がとられていた。
しかし、前記に述べた方法では、めっき終了後、めっ
き治具３からの離脱時にすぐにNiマザー２の外周の一部
または全部が剥離する。このため次のような欠点が見ら
れた。
き治具３からの離脱時にすぐにNiマザー２の外周の一部
または全部が剥離する。このため次のような欠点が見ら
れた。
剥離している部分からめっき液等が浸入しNiマザー２
の情報転写面にしみができる。しかもNiマスター１から
Niマザー２を剥離する前にNiマザー２を裏打ちするた
め、しみの除去が困難である。
の情報転写面にしみができる。しかもNiマスター１から
Niマザー２を剥離する前にNiマザー２を裏打ちするた
め、しみの除去が困難である。
裏打ち工程でNiマザー２に平面度を出すことが不可能
である。
である。
そしてこのことはNiマザーからNiサンを得る際にもあて
はまる。
はまる。
従って、高品質の光ディスク複製用スタンパの製造が
極めて困難な技術課題となっていた。
極めて困難な技術課題となっていた。
本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目
的は複製終了後、めっき治具からの離脱時にマザーまた
はサンの外周部が剥離せず、これによるめっき液等の浸
入によるしみの発生もなく、裏打ち工程で平面度を出す
ことが可能となり、形状転写性の良好な極めて高品質の
スタンパを製造することにある。
的は複製終了後、めっき治具からの離脱時にマザーまた
はサンの外周部が剥離せず、これによるめっき液等の浸
入によるしみの発生もなく、裏打ち工程で平面度を出す
ことが可能となり、形状転写性の良好な極めて高品質の
スタンパを製造することにある。
本発明は、光ディスク複製用スタンパ製造工程のマス
ターからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザ
ーからサンを複製する際のめっき工程において、マスタ
ーまたはマザーを同じ面積で薄くめっきした後にマスタ
ーまたはマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリ
ングの２本の同心円状のＯリングを具備するめっき治具
を用いてめっきし、該マスターまたは該マザーから剥離
してマザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディス
ク複製用スタンパの製造方法および同様のめっき工程に
おいて、マスターまたはマザーの外径より大径のＯリン
グと小径のＯリングの２本の同心円状のＯリングを具備
し、かつ、マスターまたはマザーの情報転写面から各々
のＯリングまでの距離が異なるめっき治具を用いてめっ
きし、該マスターまたは該マザーから剥離してマザーま
たはサンを得ることを特徴とする光ディスク複製用スタ
ンパの製造方法を提供するものである。
ターからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザ
ーからサンを複製する際のめっき工程において、マスタ
ーまたはマザーを同じ面積で薄くめっきした後にマスタ
ーまたはマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリ
ングの２本の同心円状のＯリングを具備するめっき治具
を用いてめっきし、該マスターまたは該マザーから剥離
してマザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディス
ク複製用スタンパの製造方法および同様のめっき工程に
おいて、マスターまたはマザーの外径より大径のＯリン
グと小径のＯリングの２本の同心円状のＯリングを具備
し、かつ、マスターまたはマザーの情報転写面から各々
のＯリングまでの距離が異なるめっき治具を用いてめっ
きし、該マスターまたは該マザーから剥離してマザーま
たはサンを得ることを特徴とする光ディスク複製用スタ
ンパの製造方法を提供するものである。
以下、本発明を第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）および
第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）に基づいて詳しく説明す
る。
第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）に基づいて詳しく説明す
る。
まず第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）に示されるよう
に、フォトリソグラフィー法により微細な凹凸形状を形
成したガラス原盤に導電性皮膜を付与し、Niめっきを施
して形成されたNiマスター１を得る。このようなNiマス
ター１上に該マスターと同じ面積で薄くめっきし、Ni薄
膜11を形成して情報転写面全面を被覆した後、被覆面を
上向きとしてめっき治具３にセットする。
に、フォトリソグラフィー法により微細な凹凸形状を形
成したガラス原盤に導電性皮膜を付与し、Niめっきを施
して形成されたNiマスター１を得る。このようなNiマス
ター１上に該マスターと同じ面積で薄くめっきし、Ni薄
膜11を形成して情報転写面全面を被覆した後、被覆面を
上向きとしてめっき治具３にセットする。
このめっき治具３（ここで用いられるめっき治具をＡ
治具とする。）は回転軸４を中心として回転駆動される
ものであり、中央凹部3a内にはNiマスター１用のSUS通
電板５が設けられている。このSUS通電板５は通電ブロ
ック６を介して通電がなされるものである。
治具とする。）は回転軸４を中心として回転駆動される
ものであり、中央凹部3a内にはNiマスター１用のSUS通
電板５が設けられている。このSUS通電板５は通電ブロ
ック６を介して通電がなされるものである。
しかして、前記めっき治具３上面側には、２つのＯリ
ング７、８が押えリング板９およびねじ10により取り付
けられている。即ち、これらのＯリング７、８は半径の
異なる同心円状のものであり、これらのＯリング７、８
自体の太さは同一とされている。まず、小径側のＯリン
グ７はNiマスター１の上面外周部上に位置し得る程度の
半径のものとされている。また、大径側のＯリング８は
めっき治具３の上面外周部上に位置し得る程度の半径と
されている。
ング７、８が押えリング板９およびねじ10により取り付
けられている。即ち、これらのＯリング７、８は半径の
異なる同心円状のものであり、これらのＯリング７、８
自体の太さは同一とされている。まず、小径側のＯリン
グ７はNiマスター１の上面外周部上に位置し得る程度の
半径のものとされている。また、大径側のＯリング８は
めっき治具３の上面外周部上に位置し得る程度の半径と
されている。
このような装置にて、Niめっきを行うことにより、Ni
マスター１上には第１図（ｂ）に示すようにNiマザー２
をめっき複製した後、Niマスター１からNiマザー２を剥
離することにより、単体のNiマザー２が得られることに
なる。
マスター１上には第１図（ｂ）に示すようにNiマザー２
をめっき複製した後、Niマスター１からNiマザー２を剥
離することにより、単体のNiマザー２が得られることに
なる。
このようなめっき工程において、Niマスター１をそれ
と同じ面積で薄くめっきした後に上記のめっき治具を用
いてめっきするためにNiマスター１上に形成されためっ
き層は端縁部の剥離がなく密着が良いから、複製終了後
に治具からめっき物を離脱してもめっき層が剥離せず、
その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能となり、
めっき液等の浸入によるしみの発生もなく、極めて高品
質のスタンパの製造を可能にする。
と同じ面積で薄くめっきした後に上記のめっき治具を用
いてめっきするためにNiマスター１上に形成されためっ
き層は端縁部の剥離がなく密着が良いから、複製終了後
に治具からめっき物を離脱してもめっき層が剥離せず、
その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能となり、
めっき液等の浸入によるしみの発生もなく、極めて高品
質のスタンパの製造を可能にする。
このようなめっき複製工程において、大小２個のＯリ
ング７、８が用いられているので、SUS通電板５等の電
気的部分に対するめっき液の浸透は内周、外周側の双方
から確実にシールされることになる。又、Ｏリング７側
はNiマスター１上の外周部付近に位置しているので、複
製されるNiマザー２の外径をNiマスター１の外径よりも
小さくなる状態に規制することになる。これにより、Ni
マスター１とNiマザー２とは同形ではなくなるので、両
者の剥離が容易となる。よって、無理な剥離が減少する
分、欠陥の発生も減少し、品質の高いNiマザー２が得ら
れる。またこのようなＯリング７、８は再利用できるの
で、複製コストが安価で済む。
ング７、８が用いられているので、SUS通電板５等の電
気的部分に対するめっき液の浸透は内周、外周側の双方
から確実にシールされることになる。又、Ｏリング７側
はNiマスター１上の外周部付近に位置しているので、複
製されるNiマザー２の外径をNiマスター１の外径よりも
小さくなる状態に規制することになる。これにより、Ni
マスター１とNiマザー２とは同形ではなくなるので、両
者の剥離が容易となる。よって、無理な剥離が減少する
分、欠陥の発生も減少し、品質の高いNiマザー２が得ら
れる。またこのようなＯリング７、８は再利用できるの
で、複製コストが安価で済む。
Niマザー２が得られた後は、このNiマザー２に基づく
めっき複製によりNiサン（Niスタンパ）を作成する。こ
の工程については特に図示しないが、配置的には図面に
おけるNiマスター１がNiマザーに相当し、Niマザー２が
Niサンに相当するものとして考えればよい。即ち、Niマ
ザーがNiマスター１よりも小径となった分だけ、Ｏリン
グ７に相当する内周側のＯリングを更に小径のものと
し、Niサンの外径がNiマザーの外径よりも一回り小さく
なるようにすればよい（ここで用いられるめっき治具を
Ｂ治具とする）。この結果、Niマスター１からNiマザー
２のめっき複製に際しての効果がそのまま同様に発揮さ
れることになり、品質の高いスタンパを複製できる。
めっき複製によりNiサン（Niスタンパ）を作成する。こ
の工程については特に図示しないが、配置的には図面に
おけるNiマスター１がNiマザーに相当し、Niマザー２が
Niサンに相当するものとして考えればよい。即ち、Niマ
ザーがNiマスター１よりも小径となった分だけ、Ｏリン
グ７に相当する内周側のＯリングを更に小径のものと
し、Niサンの外径がNiマザーの外径よりも一回り小さく
なるようにすればよい（ここで用いられるめっき治具を
Ｂ治具とする）。この結果、Niマスター１からNiマザー
２のめっき複製に際しての効果がそのまま同様に発揮さ
れることになり、品質の高いスタンパを複製できる。
なお、マスター上に該マスターと同じ面積で薄くめっ
きする場合、また、マザー上に該マザーと同じ面積で薄
くめっきする場合において、そのめっき膜厚が好ましく
は20μｍ〜40μm,より好ましくは20μｍ〜30μｍの範囲
になるようにめっきする。めっき膜厚を20μｍ〜40μｍ
の範囲に規制することにより裏打ち後、薄いめっき膜が
破壊されることなく、かつ容易に剥離することが可能と
なり、極めて高品質の光ディスク複製用スタンパの製造
が可能になる。
きする場合、また、マザー上に該マザーと同じ面積で薄
くめっきする場合において、そのめっき膜厚が好ましく
は20μｍ〜40μm,より好ましくは20μｍ〜30μｍの範囲
になるようにめっきする。めっき膜厚を20μｍ〜40μｍ
の範囲に規制することにより裏打ち後、薄いめっき膜が
破壊されることなく、かつ容易に剥離することが可能と
なり、極めて高品質の光ディスク複製用スタンパの製造
が可能になる。
次に本発明のもう一つの光ディスク複製用スタンパの
製造方法を第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）に基づいて説
明する。まずフォトリソグラフィー法により微細な凹凸
形状を形成したガラス原盤に導電性皮膜を付与し、Niめ
っきを施して形成されたNiマスター１を得る。このNiマ
スター１の情報転写面を上向きとしてめっき治具３にセ
ットする。
製造方法を第２図（ａ），（ｂ），（ｃ）に基づいて説
明する。まずフォトリソグラフィー法により微細な凹凸
形状を形成したガラス原盤に導電性皮膜を付与し、Niめ
っきを施して形成されたNiマスター１を得る。このNiマ
スター１の情報転写面を上向きとしてめっき治具３にセ
ットする。
このめっき治具３（ここで用いられるめっき治具をＣ
治具とする。）は回転軸４を中心として回転駆動される
ものであり、中央凹部3a内にはNiマスター１用の導電性
磁石5aが設けられている。この導電性磁石5aは通電ブロ
ック６を介して通電がなされるものである。
治具とする。）は回転軸４を中心として回転駆動される
ものであり、中央凹部3a内にはNiマスター１用の導電性
磁石5aが設けられている。この導電性磁石5aは通電ブロ
ック６を介して通電がなされるものである。
しかして、前記めっき治具３上面側は、２つのＯリン
グ７、８を具備し、Ｏリング７あるいはＯリング７、８
はスポット溶接、接着等により押えリング板９に固着さ
れており、これらはねじ10によりめっき治具３の上面側
に取り付けられている。即ち、これらのＯリング７、８
は半径の異なる同心円状のものであり、これらのＯリン
グ７、８自体の太さは同一とされている。まず、小径側
のＯリング７はNiマスター１の情報転写面の直上に位置
し、その情報転写面までの距離が20μｍ〜40μｍであ
り、好ましくは20μｍ〜30μｍである。Ｏリング７と情
報転写面の距離が20μｍ未満の場合、外周部のめっきの
膜厚が20μｍ未満となるのでめっき膜自体の強度が弱
く、また面が荒れている場合には完全な膜とならないの
でNiマスター１の側面へのめっきが不完全となる。この
ためめっき液等が浸入し、また自然剥離が発生するので
ピットの形状転写性が低下する。また、Ｏリング７と情
報転写面の距離が40μｍを超える場合、外周部のめっき
の膜厚が40μｍより厚くなるのでめっき膜自体の強度が
強くなり、そのため剥離する際のカッティングが困難
で、また無理に剥離するとNiマザー２が変形する恐れが
ある。
グ７、８を具備し、Ｏリング７あるいはＯリング７、８
はスポット溶接、接着等により押えリング板９に固着さ
れており、これらはねじ10によりめっき治具３の上面側
に取り付けられている。即ち、これらのＯリング７、８
は半径の異なる同心円状のものであり、これらのＯリン
グ７、８自体の太さは同一とされている。まず、小径側
のＯリング７はNiマスター１の情報転写面の直上に位置
し、その情報転写面までの距離が20μｍ〜40μｍであ
り、好ましくは20μｍ〜30μｍである。Ｏリング７と情
報転写面の距離が20μｍ未満の場合、外周部のめっきの
膜厚が20μｍ未満となるのでめっき膜自体の強度が弱
く、また面が荒れている場合には完全な膜とならないの
でNiマスター１の側面へのめっきが不完全となる。この
ためめっき液等が浸入し、また自然剥離が発生するので
ピットの形状転写性が低下する。また、Ｏリング７と情
報転写面の距離が40μｍを超える場合、外周部のめっき
の膜厚が40μｍより厚くなるのでめっき膜自体の強度が
強くなり、そのため剥離する際のカッティングが困難
で、また無理に剥離するとNiマザー２が変形する恐れが
ある。
なお、Ｏリング７はNiマスター１の外径より10mm内側
の円周上の直上に位置する。このため、複製されるNiマ
ザー２の外径をNiマスター１の外径よりも小さくなる状
態に規制することになる。これにより、Niマスター１と
Niマザー２とは同形ではなくなるので、両者の剥離が容
易となる。よって、無理な剥離が減少する分、欠陥の発
生も減少し、品質の高いNiマザー２が得られる。
の円周上の直上に位置する。このため、複製されるNiマ
ザー２の外径をNiマスター１の外径よりも小さくなる状
態に規制することになる。これにより、Niマスター１と
Niマザー２とは同形ではなくなるので、両者の剥離が容
易となる。よって、無理な剥離が減少する分、欠陥の発
生も減少し、品質の高いNiマザー２が得られる。
また大径側のＯリング８はめっき治具３の上面外周部
上に位置し得る程度の半径を有し、かつ、めっき治具３
に接する。
上に位置し得る程度の半径を有し、かつ、めっき治具３
に接する。
このような装置にて、Niめっきを行うことにより、Ni
マスター１上には第２図（ｂ）に示すようにNiマザー２
をめっき複製した後、Niマスター１からNiマザー２を剥
離することにより、単体のNiマザー２が得られることに
なる。
マスター１上には第２図（ｂ）に示すようにNiマザー２
をめっき複製した後、Niマスター１からNiマザー２を剥
離することにより、単体のNiマザー２が得られることに
なる。
このようなめっき工程において、最初にNiマスター１
全面にNiめっきすることによりNiマスター１の側面にま
でNiめっきさせることができる。これによりめっき治具
解体時にNiマザー２の外周部の自然剥離を防止すること
ができ、その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能
となり、めっき液等の浸入によるしみの発生もなく、形
状転写性の良好な極めて高品質のスタンパの製造を可能
にする。また、このようなＯリング７、８は再利用でき
るので複製コストが安価で済む。
全面にNiめっきすることによりNiマスター１の側面にま
でNiめっきさせることができる。これによりめっき治具
解体時にNiマザー２の外周部の自然剥離を防止すること
ができ、その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能
となり、めっき液等の浸入によるしみの発生もなく、形
状転写性の良好な極めて高品質のスタンパの製造を可能
にする。また、このようなＯリング７、８は再利用でき
るので複製コストが安価で済む。
Niマザー２が得られた後は、このNiマザー２に基づく
めっき複製によりNiサン（Niスタンパ）を作成する。こ
の工程については特に図示しないが、配置的には図面に
おけるNiマスター１がNiマザーに相当し、Niマザー２が
Niサンに相当するものとして考えればよい。即ち、Niマ
ザーがNiマスター１よりも小径となった分だけ、Ｏリン
グ７に相当する内周側のＯリングを更に小径のものと
し、Niサンの外径がNiマザーの外径よりも一回り小さく
なるようにすればよい（ここで用いられるめっき治具を
Ｄ治具とする）。この結果、Niマスター１からNiマザー
２のめき複製に際しての効果がそのまま同様に発揮され
ることになり、品質の高いスタンパを複製できる。
めっき複製によりNiサン（Niスタンパ）を作成する。こ
の工程については特に図示しないが、配置的には図面に
おけるNiマスター１がNiマザーに相当し、Niマザー２が
Niサンに相当するものとして考えればよい。即ち、Niマ
ザーがNiマスター１よりも小径となった分だけ、Ｏリン
グ７に相当する内周側のＯリングを更に小径のものと
し、Niサンの外径がNiマザーの外径よりも一回り小さく
なるようにすればよい（ここで用いられるめっき治具を
Ｄ治具とする）。この結果、Niマスター１からNiマザー
２のめき複製に際しての効果がそのまま同様に発揮され
ることになり、品質の高いスタンパを複製できる。
［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例１ ガラス基板に形成したプリグループパターン上に導体
化膜を形成した後、該導体化膜を陰極としてNiめっきを
行い、裏打ちしてガラス基板を剥離してマスターを得
た。該マスターを剥離皮膜処理後、該マスター全体に40
μm Niめっきした後、本発明のＡ治具を用いてNiめっき
し、該マスターから剥離してマザーを得た。該マザーを
剥離皮膜処理後、該マザー全体に20μm Niめっきした
後、本発明のＢ治具を用いてNiめっきし、該マザーから
剥離してサンを得た。マスターおよびサンから複製した
ディスクの信号特性を第３図に示す。
化膜を形成した後、該導体化膜を陰極としてNiめっきを
行い、裏打ちしてガラス基板を剥離してマスターを得
た。該マスターを剥離皮膜処理後、該マスター全体に40
μm Niめっきした後、本発明のＡ治具を用いてNiめっき
し、該マスターから剥離してマザーを得た。該マザーを
剥離皮膜処理後、該マザー全体に20μm Niめっきした
後、本発明のＢ治具を用いてNiめっきし、該マザーから
剥離してサンを得た。マスターおよびサンから複製した
ディスクの信号特性を第３図に示す。
第３図から、サンから複製したディスクはマスターか
ら複製したディスクと信号特性がほとんど変わらず、優
れた精度で複製が行われたことがわかる。
ら複製したディスクと信号特性がほとんど変わらず、優
れた精度で複製が行われたことがわかる。
実施例２ 実施例１と同じ方法で、マスターを作製し、マザーを
複製し、該マザーを剥離皮膜処理後、該マザー全体に40
μm Niめっきした後、本発明のＢ治具を用いてNiめき
し、該マザーから剥離してサンを得た。マスターおよび
サンから複製したディスクの信号特性を第４図に示す。
第４図から実施例１と同様優れた結果が得られたことが
わかる。
複製し、該マザーを剥離皮膜処理後、該マザー全体に40
μm Niめっきした後、本発明のＢ治具を用いてNiめき
し、該マザーから剥離してサンを得た。マスターおよび
サンから複製したディスクの信号特性を第４図に示す。
第４図から実施例１と同様優れた結果が得られたことが
わかる。
実施例３ 実施例１と同じ方法で、マスターを作製し、該マスタ
ーを剥離皮膜処理後、本発明のＣ治具を用いてNiめっき
し、該マスターから剥離してマザーを得た。該マザーを
剥離皮膜処理後、本発明のＤ治具を用いてNiめっきし、
該マザーから剥離してサンを得た。但し、Ｃ治具、Ｄ治
具ともに内側のＯリングとマスターおよびマザーの情報
転写面との距離は20μｍとした。
ーを剥離皮膜処理後、本発明のＣ治具を用いてNiめっき
し、該マスターから剥離してマザーを得た。該マザーを
剥離皮膜処理後、本発明のＤ治具を用いてNiめっきし、
該マザーから剥離してサンを得た。但し、Ｃ治具、Ｄ治
具ともに内側のＯリングとマスターおよびマザーの情報
転写面との距離は20μｍとした。
実施例４ 実施例３と同様の方法でマスターからマザー、マザー
からサンを得た。但し、Ｃ治具、Ｄ治具ともに内側のＯ
リングとマスターおよびマザーの情報転写面との距離は
30μｍとした。
からサンを得た。但し、Ｃ治具、Ｄ治具ともに内側のＯ
リングとマスターおよびマザーの情報転写面との距離は
30μｍとした。
実施例3,4で得られたサンからそれぞれ複製したディ
スクの信号特性を第５図に示す。
スクの信号特性を第５図に示す。
第５図から実施例3,4で得られたサンからそれぞれ複
製したディスクの信号特性がほとんど同じであり、優れ
た精度で複製が行われたことがわかる。
製したディスクの信号特性がほとんど同じであり、優れ
た精度で複製が行われたことがわかる。
但し、以上の実施例１〜４においてめっき浴の組成
は、スルファミン酸Ni450g/、ホウ酸30g/、50℃、P
H4、Be27、電流密度は8A/dm2とした。
は、スルファミン酸Ni450g/、ホウ酸30g/、50℃、P
H4、Be27、電流密度は8A/dm2とした。
［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように、本発明よれば、治具か
らの離脱後も情報転写面にめっき液等のしみ込みがな
く、その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能とな
り、しかも裏打ち後の剥離が容易で形状転写性の良好な
極めて高品質の光ディスク複製用スタンパを得ることが
できる。
らの離脱後も情報転写面にめっき液等のしみ込みがな
く、その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能とな
り、しかも裏打ち後の剥離が容易で形状転写性の良好な
極めて高品質の光ディスク複製用スタンパを得ることが
できる。
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）および第２図（ａ），
（ｂ），（ｃ）は本発明の製造方法の工程を示す断面
図、第３図は実施例１のマスターおよびサンから複製し
たディスクの測定結果を示す信号特性図、第４図は実施
例２のマスターおよびサンから複製したディスクの測定
結果を示す信号特性図、第５図は実施例３および実施例
４のサンから複製したディスクの測定結果を示す信号特
性図、第６図（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来の製造方法
の工程を示す断面図である。 １……Niマスター、1a……凹凸面、 ２……Niマザー、３……めっき治具 3a……中央凹部、４……回転軸 ５……SUS通電板、5a……導電性磁石 ６……通電ブロック、7,8……Ｏリング ９……押えリング板、10……ねじ 11……Ni薄膜。
（ｂ），（ｃ）は本発明の製造方法の工程を示す断面
図、第３図は実施例１のマスターおよびサンから複製し
たディスクの測定結果を示す信号特性図、第４図は実施
例２のマスターおよびサンから複製したディスクの測定
結果を示す信号特性図、第５図は実施例３および実施例
４のサンから複製したディスクの測定結果を示す信号特
性図、第６図（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来の製造方法
の工程を示す断面図である。 １……Niマスター、1a……凹凸面、 ２……Niマザー、３……めっき治具 3a……中央凹部、４……回転軸 ５……SUS通電板、5a……導電性磁石 ６……通電ブロック、7,8……Ｏリング ９……押えリング板、10……ねじ 11……Ni薄膜。
Claims (3)
- 【請求項１】光ディスク複製用スタンパ製造工程のマス
ターからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザ
ーからサンを複製する際のめっき工程において、マスタ
ーまたはマザーを同じ面積で薄くめっきした後にマスタ
ーまたはマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリ
ングの２本の同心円状のＯリングを具備するめっき治具
を用いてめっきし、該マスターまたは該マザーから剥離
してマザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディス
ク複製用スタンパの製造方法。 - 【請求項２】光ディスク複製用スタンパ製造工程のマス
ターからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザ
ーからサンを複製する際のめっき工程において、マスタ
ーまたはマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリ
ングの２本の同心円状のＯリングを具備し、かつ、マス
ターまたはマザーの情報転写面から各々のＯリングまで
の距離が異なるめっき治具を用いてめっきし、該マスタ
ーまたは該マザーから剥離してマザーまたはサンを得る
ことを特徴とする光ディスク複製用スタンパの製造方
法。 - 【請求項３】請求項第２項記載のめっき治具において、
マスターまたはマザーの外径より大径のＯリングはめっ
き治具に接し、かつ、マスターまたはマザーの外径より
小径のＯリングはマスターまたはマザーの情報転写面の
直上にあり、その情報転写面までの距離が20μｍ〜40μ
ｍであることを特徴とする光ディスク複製用スタンパの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29278689A JP2683118B2 (ja) | 1989-08-05 | 1989-11-10 | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20360889 | 1989-08-05 | ||
| JP1-203608 | 1989-08-05 | ||
| JP29278689A JP2683118B2 (ja) | 1989-08-05 | 1989-11-10 | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162732A JPH03162732A (ja) | 1991-07-12 |
| JP2683118B2 true JP2683118B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=26514014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29278689A Expired - Fee Related JP2683118B2 (ja) | 1989-08-05 | 1989-11-10 | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683118B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29278689A patent/JP2683118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03162732A (ja) | 1991-07-12 |
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