JPH03162732A - 光ディスク複製用スタンパの製造方法 - Google Patents
光ディスク複製用スタンパの製造方法Info
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- JPH03162732A JPH03162732A JP29278689A JP29278689A JPH03162732A JP H03162732 A JPH03162732 A JP H03162732A JP 29278689 A JP29278689 A JP 29278689A JP 29278689 A JP29278689 A JP 29278689A JP H03162732 A JPH03162732 A JP H03162732A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザーディスク、コンパクトディスク等の
光ディスク複製用のスタンパの製造方法に関する。
光ディスク複製用のスタンパの製造方法に関する。
従来、光ディスク複製用のスタンパ製造工程においては
、ガラス基板からフォトリソグラフィー法により微細な
凹凸形状を形成し、導電性皮膜を施してなるガラス原盤
をＮｉめっきして、Ｎｉマスターを形成し、このＮｉマ
スターより小径に規制される半径の異なる同心円状の２
本のＯリングを備えためつき治具を用いてＮｉマザーを
得ていた。即ち、第６図に基づいて説明すると、Ｎｉマ
スターｌを凹凸面を上向きにして、めっき治具３にセッ
トする。このめっき治具３の上面側には、２つのＯリン
グ７、８が押えリング板９および、ねじｌＯにより取り
付けられている。これら２つのＯリング７、８は半径の
異なる同心円状で太さは同じものであり、小径側のＯリ
ング７はＮｉマスター１の上面外周部上に位置し、大径
側のＯリング８は、めっき治具３の上面外周部上に位置
するものである。このようなめっき治具３を用いてＮｉ
めっきを行うことにより、Ｎｉマスター１上にＮｉマザ
ー２を複製し、Ｎｉマスター１からＮｉマザー２を剥離
することにより単体のＮｉマザー２を得ていた。Ｎｉマ
ザーからＮｉサンを得る場合についても同様の方法がと
られていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、前記に述べた方法では、めっき終了後、めっき
治具３がらの離脱時にすぐにＮｉマザー２の外周の一部
または全部が剥離する。このため次のような欠点が見ら
れた。 ■剥離している部分からめっき液等が浸入いｉマザー２
の情報転写面にじみができる。しがもＮｉマスターｌか
らＮｉマザー２を剥離する前にＮｉマザー２を裏打ちす
るため、じみの除去が困難である．■裏打ち工程でＮｉ
マザー２に平面度を出すことが不可能である。 そしてこのことはＮｉマザーからＮｉサンを得る際にも
あてはまる。 従って、高品質の光ディスク複製用スタンパの製造が極
めて困難な技術課題となっていた。 本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は複製終了後、めっき治具がらの離脱時にマザーまたは
サンの外周部が剥離せず、これによるめっき液等の浸入
によるじみの発生もなく、裏打ち工程で平面度を出すこ
とが可能となり、形状転写性の良好な極めて高品質のス
タンパを製造することにある。 〔課題を解決するための手段］ 本発明は、光ディスク複製用スタンパ製造工程のマスタ
ーからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザー
からサンを複製する際のめっき工程において、マスター
またはマザーを同じ面積で薄くめっきした後にマスター
またはマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリン
グの２本の同心円状のＯリングを具備するめっき治具を
用いてめっきし、該マスターまたは該マザーから剥離し
てマザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディスク
複製用スタンパの製造方法および同様のめっき工程にお
いて、マスターまたはマザーの外径より大径のＯリング
と小径のＯリングの２本の同心円状のＯリングを具備し
、かつ、マスターまたはマザーの情報転写面から各々の
Ｏリングまでの距離が異なるめっき治具を用いてめっき
し、該マスターまたは該マザーから剥離してマザーまた
はサンを得ることを特徴とする光ディスク複製用スタン
パの製造方法を提供するものである。 以下、本発明を第１図（ａ） ． （ｂ） ， （ｃ）
および第２図（ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）に基づい
て詳しく説明する。 まず第１図（ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）に示される
ように、フォトリソグラフィー法により微細な凹凸形状
を形成したガラス原盤に導電性皮膜を付与し、Ｎｉめっ
きを施して形成されたＮｉマスターｌを得る。このよう
なＮｉマスター１上に該マスターと同じ面積で薄くめっ
きし、Ｎｉ薄膜１１を形成して情報転写面全面を被覆し
た後、被覆面を上向きとしてめっき治具３にセットする
。 このめっき治具３（ここで用いられるめっき治具を八治
具とする．）は回転軸４を中心として回転駆動されるも
のであり、中央凹部３ａ内にはＮｉマスター１用のＳＯ
Ｓ通電板５が設けられている。このＳＵＳ通電板５は通
電ブロック６を介して通電がなされるものである。 しかして、前記めっき治具３上面側には、２つのＯリン
グ７、８が押えリング板９およびねじ１０により取り付
けられている。即ち、これらの０リング７、８は半径の
異なる同心円状のものであり、これらのＯリング７、８
自体の太さは同一とされている。まず、小径側のＯリン
グ７はＮｉマスター１の上面外周部上に位置し得る程度
の半径のものとされている。また、大径側のＯリング８
はめっき治具３の上面外周部上に位置し得る程度の半径
とされている。 このような装置にて、Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎ
ｆマスター１上には第１図（ｂ）に示すようにＮｉマザ
ー２をめっき複製した後、Ｎｉマスター１からＮｉマザ
ー２を剥離することにより、単体のＮｉマザー２が得ら
れることになる。 このようなめつき工程において、Ｎｉマスター１をそれ
と同じ面積で薄くめっきした後に上記のめっき治具を用
いてめっきするためにＮｉマスター１上に形成されため
っき層は端縁部の剥離がなく密着が良いから、複製終了
後に治具からめつき物を離脱してもめっき層が剥離せず
、その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能となり
、めっき液等の浸入によるしみの発生もなく、極めて高
品質のスタンパの製造を可能にする。 このようなめつき複製工程において、大小２個のＯリン
グ７、８が用いられているので、ＳＵＳ通電板５等の電
気的部分に対するめつき液の浸透は内周、外周側の双方
から確実にシールされることになる。又、Ｏリング７側
はＮｉマスター１上の外周部付近に位置しているので、
複製されるＮｉマザー２の外径をＮｉマスター１の外径
よりも小さくなる状態に規制することになる。これによ
り、ＮｉマスターｌとＮｉマザー２とは同形ではなくな
るので、両者の剥離が容易となる。よって、無理な剥離
が減少する分、欠陥の発生も減少し、品質の高いＮｉマ
ザー２が得られる。またこのようなＯリング７、８は再
利用できるので、複製コストが安価で済む。 Ｎｉマザー２が得られた後は、このＮｉマザー２に基づ
くめっき複製によりＮｉサン（Ｎｉスタンパ）を作成す
る。この工程については特に図示しないが、配置的には
図面におけるＮｉマスター１がＮｉマザーに相当し．
Ｎｔマザー２がＮｉサンに相当するものとして考えれば
よい。即ち、ＮｉマザーがＮｉマスター１よりも小径と
なった分だけ、Ｏリング７に相当する内周側のＯリング
を更に小径のものとし、Ｎｉサンの外径がＮｉマザーの
外径よりも一回り小さくなるようにすればよい（ここで
用いられるめっき治具をＢ治具とする）。この結果、Ｎ
ｉマスター，−１からＮｉマザー２のめっき複製に際し
ての効果がそのまま同様に発揮されることになり、品質
の高いスタンパを複製できる。 なお、マスター上に該マスターと同じ面積で薄くめっき
する場合、また、マザー上に該マザーと同じ面積で薄く
めっきする場合において、そのめっき膜厚が好ましくは
２０μｍ〜４０μｍ，より好ましくは２０μｍ〜３０μ
ｍの範囲になるようにめっきする。めっき膜厚を２０μ
園〜４０μｍの範囲に規制することにより裏打ち後、薄
いめっき膜が破壊されることなく、かつ容易に剥離する
ことが可能となり、極めて高品質の光ディスク複製用ス
タンパの製造が可能になる。 ンパの製造方法を第２図（ａ） ， （ｂ） ， （ｃ
）に基づいて説明する。まずフォトリソグラフィー法に
より微細な凹凸形状を形成したガラス原盤に導電性皮膜
を付与し、Ｎｉめっきを施して形成されたＮｉマスター
ｌを得る。このＮｉマスター１の情報転写面を上向きと
してめっき治具３にセットする。 このめっき治具３（ここで用いられるめっき治具をＣ治
具とする。）は回転軸４を中心として回転駆動されるも
のであり、中央凹部３ａ内にはＮｉマスター１用の導電
性磁石５ａが設けられている。この導電性磁石５ａは通
電ブロック６を介して通電がなされるものである。 しかして、前記めっき治具３上面側は、２つのＯリング
７、８を具備し、Ｏリング７あるいはＯリング７、８は
スポット溶接、接着等により押えリング板９に固着され
ており、これらはねじ１０によりめっき治具３の上面側
に取り付けられている。即ち、これらのＯリング７、８
は半径の異なる同心円状のものであり、これらのＯリン
グ７、のＯリング７はＮｉマスターｌの情報転写面の直
上に位置し、その情報転写面までの距離が２０μｍ〜４
０μｍであり、好ましくは２０μｍ〜３０μｍである。 Ｏリング７と情報転写面の距離が２０μｍ未満の場合、
外周部のめっきの膜厚が２０μｍ未満となるのでめっき
膜自体の強度が弱く、また面が荒れている場合には完全
な膜とならないのでＮｉマスター１の側面へのめっきが
不完全となる。このためめっき液等が侵入し、また自然
剥離が発生するのでビットの形状転写性が低下する。ま
た、Ｏリング７と情報転写面の距離が４０μｍを超える
場合、外周部のめっきの膜厚が４０μｍより厚くなるの
でめっき膜自体の強度が強くなり、そのため剥離する際
のカッティングが困難で、また無理に剥離するとＮｉマ
ザー２が変形する恐れがある。 なお、Ｏリング７はＮｉマスター１の外径より１ ０ｍ
ｍ内側の円周上の直上に位置する。このため、複製され
るＮｉマザー２の外径をＮｉマスター１の外径よりも小
さくなる状態に規制することになる。 これにより、ＮｉマスターｌとＮｉマザー２とは同形で
はなくなるので、両者の剥離が容易となる。 よって、無理な剥離が減少する分、欠陥の発生も減少し
、品質の高いＮｉマザー２が得られる。 また大径側のＯリング８はめっき治具３の上面外周部上
に位置し得る程度の半径を有し、かつ、めっき治具３に
接する． このような装置にて、Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎ
ｉマスター１上には第２図（ｂ）に示すようにＮｉマザ
ー２をめっき複製した後、Ｎｉマスター１からＮｉマザ
ー２を剥離することにより、単体のＮｉマザー２が得ら
れることになる． このようなめっき工程において、最初にＮｉマスター１
全面にＮｉめっきすることによりＮｉマスター１の側面
にまでＮｉめっきさせることができる。これによりめっ
き治具解体時にＮｉマザー２の外周部の自然剥離を防止
することができ、その後の裏打ち工程で平面度を出すこ
とが可能となり、めっき液等の侵入によるじみの発生も
なく、形状転写性の良好な極めて高品質のスタンパの製
造を可能にする。また、このようなＯリング７，８は再
利用できるので複製コストが安価で済む． Ｎｉマザー２が得られた後は、このＮｉマザー２に基づ
くめっき複製によりＮｉサン（Ｎｉスタンパ）を作成す
る。この工程については特に図示しないが、配置的には
図面におけるＮｉマスター１がＮｉマザーに相当し、Ｎ
ｉマザー２がＮｉサンに相当するものとして考えればよ
い。即ち、ＮｉマザーがＮｉマスター１よりも小径とな
った分だけ、Ｏリング７に相当する内周側のＯリングを
更に小径のものとし、Ｎｉサンの外径がＮｉマザーの外
径よりも一回り小さくなるようにすればよい（ここで用
いられるめっき治具をＤ治具とする）。この結果、Ｎｉ
マスター１からＮｉマザー２のめつき複製に際しての効
果がそのまま同様に発揮されることになり、品質の高い
スタンパを複製できる。 ［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例ｌ ガラス基板に形成したブリグループパターン上に導体化
膜を形成した後、該導体化膜を陰極としてＮｉめっきを
行い、裏打ちしてガラス基板を剥離してマスターを得た
。該マスターを剥離皮膜処理後、該マスター全体に４０
μｍＮｉめっきした後、本発明の八治具を用いてＮｉめ
っきし、該マスターから剥離してマザーを得た．該マザ
ーを剥離皮膜処理後、該マザー全体に２０μｍＮｉめっ
きした後、本発明のＢ治具を用いてＮｉめっきし、該マ
ザーから剥離してサンを得た。マスターおよびサンから
複製したディスクの信号特性を第３図に示す。 第３図から、サンから複製したディスクはマスターから
複製したディスクと信号特性がほとんど変わらず、優れ
た精度で複製が行われたことがわかる。 実施例２ 実施例ｌと同じ方法で、マスターを作製し、マザーを複
製し、該マザーを剥離皮膜処理後、該マザー全体に４０
μｓＮｉめっきした後、本発明のＢ治具な用いてＮｉめ
っきし、該マザーから剥離してサンを得た。マスターお
よびサンから複製したディスクの信号特性を第４図に示
す。第４図から実施例ｌと同様優れた結果が得られたこ
とがわかる。 実施例３ 実施例１と同じ方法で、マスターを作製し、該マスター
を剥離皮膜処理後、本発明のＣ治具な用いてＮｉめっき
し、該マスターから剥離してマザーを得た。該マザーを
剥離皮膜処理後、本発明のＤ治具を用いてＮｉめっきし
、該マザーから剥離してサンを得た。但し、Ｃ治具、Ｄ
治具ともに内側の０リングとマスターおよびマザーの情
報転写面との距離は２０μｍとした。 実施例４ 実施例３と同様の方法でマスターからマザーマザーから
サンを得た．但し、Ｃ治具、Ｄ治具ともに内側の０リン
グとマスターおよびマザーの情報転写面との距離は３０
μｍとした。 実施例３，４で得られたサンからそれぞれ複製したディ
スクの信号特性を第５図に示す．第５図から実施例３，
４で得られたサンからそれぞれ複製したディスクの信号
特性がほとんど同じであり、優れた精度で複製が行われ
たことがわかる。 但し、以上の実施例１〜４においてめっき浴の組成は、
スルファミン酸Ｎｉ４５０ｇ／ １２、ホウ酸３０ｇ／
Ｉ２、５０℃、ＰＨ４、Ｂｅ・２７、電流密度は８Ａ／
ｄｍ”とした。 ［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように、本発明よれば、治具から
の離脱後も情報転写面にめっき液等のしみ込みがなく、
その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能となり、
しかも裏打ち後の剥離が容易で形状転写性の良好な極め
て高品質の光ディスク複製用スタンパを得ることができ
る。
、ガラス基板からフォトリソグラフィー法により微細な
凹凸形状を形成し、導電性皮膜を施してなるガラス原盤
をＮｉめっきして、Ｎｉマスターを形成し、このＮｉマ
スターより小径に規制される半径の異なる同心円状の２
本のＯリングを備えためつき治具を用いてＮｉマザーを
得ていた。即ち、第６図に基づいて説明すると、Ｎｉマ
スターｌを凹凸面を上向きにして、めっき治具３にセッ
トする。このめっき治具３の上面側には、２つのＯリン
グ７、８が押えリング板９および、ねじｌＯにより取り
付けられている。これら２つのＯリング７、８は半径の
異なる同心円状で太さは同じものであり、小径側のＯリ
ング７はＮｉマスター１の上面外周部上に位置し、大径
側のＯリング８は、めっき治具３の上面外周部上に位置
するものである。このようなめっき治具３を用いてＮｉ
めっきを行うことにより、Ｎｉマスター１上にＮｉマザ
ー２を複製し、Ｎｉマスター１からＮｉマザー２を剥離
することにより単体のＮｉマザー２を得ていた。Ｎｉマ
ザーからＮｉサンを得る場合についても同様の方法がと
られていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、前記に述べた方法では、めっき終了後、めっき
治具３がらの離脱時にすぐにＮｉマザー２の外周の一部
または全部が剥離する。このため次のような欠点が見ら
れた。 ■剥離している部分からめっき液等が浸入いｉマザー２
の情報転写面にじみができる。しがもＮｉマスターｌか
らＮｉマザー２を剥離する前にＮｉマザー２を裏打ちす
るため、じみの除去が困難である．■裏打ち工程でＮｉ
マザー２に平面度を出すことが不可能である。 そしてこのことはＮｉマザーからＮｉサンを得る際にも
あてはまる。 従って、高品質の光ディスク複製用スタンパの製造が極
めて困難な技術課題となっていた。 本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は複製終了後、めっき治具がらの離脱時にマザーまたは
サンの外周部が剥離せず、これによるめっき液等の浸入
によるじみの発生もなく、裏打ち工程で平面度を出すこ
とが可能となり、形状転写性の良好な極めて高品質のス
タンパを製造することにある。 〔課題を解決するための手段］ 本発明は、光ディスク複製用スタンパ製造工程のマスタ
ーからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザー
からサンを複製する際のめっき工程において、マスター
またはマザーを同じ面積で薄くめっきした後にマスター
またはマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリン
グの２本の同心円状のＯリングを具備するめっき治具を
用いてめっきし、該マスターまたは該マザーから剥離し
てマザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディスク
複製用スタンパの製造方法および同様のめっき工程にお
いて、マスターまたはマザーの外径より大径のＯリング
と小径のＯリングの２本の同心円状のＯリングを具備し
、かつ、マスターまたはマザーの情報転写面から各々の
Ｏリングまでの距離が異なるめっき治具を用いてめっき
し、該マスターまたは該マザーから剥離してマザーまた
はサンを得ることを特徴とする光ディスク複製用スタン
パの製造方法を提供するものである。 以下、本発明を第１図（ａ） ． （ｂ） ， （ｃ）
および第２図（ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）に基づい
て詳しく説明する。 まず第１図（ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）に示される
ように、フォトリソグラフィー法により微細な凹凸形状
を形成したガラス原盤に導電性皮膜を付与し、Ｎｉめっ
きを施して形成されたＮｉマスターｌを得る。このよう
なＮｉマスター１上に該マスターと同じ面積で薄くめっ
きし、Ｎｉ薄膜１１を形成して情報転写面全面を被覆し
た後、被覆面を上向きとしてめっき治具３にセットする
。 このめっき治具３（ここで用いられるめっき治具を八治
具とする．）は回転軸４を中心として回転駆動されるも
のであり、中央凹部３ａ内にはＮｉマスター１用のＳＯ
Ｓ通電板５が設けられている。このＳＵＳ通電板５は通
電ブロック６を介して通電がなされるものである。 しかして、前記めっき治具３上面側には、２つのＯリン
グ７、８が押えリング板９およびねじ１０により取り付
けられている。即ち、これらの０リング７、８は半径の
異なる同心円状のものであり、これらのＯリング７、８
自体の太さは同一とされている。まず、小径側のＯリン
グ７はＮｉマスター１の上面外周部上に位置し得る程度
の半径のものとされている。また、大径側のＯリング８
はめっき治具３の上面外周部上に位置し得る程度の半径
とされている。 このような装置にて、Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎ
ｆマスター１上には第１図（ｂ）に示すようにＮｉマザ
ー２をめっき複製した後、Ｎｉマスター１からＮｉマザ
ー２を剥離することにより、単体のＮｉマザー２が得ら
れることになる。 このようなめつき工程において、Ｎｉマスター１をそれ
と同じ面積で薄くめっきした後に上記のめっき治具を用
いてめっきするためにＮｉマスター１上に形成されため
っき層は端縁部の剥離がなく密着が良いから、複製終了
後に治具からめつき物を離脱してもめっき層が剥離せず
、その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能となり
、めっき液等の浸入によるしみの発生もなく、極めて高
品質のスタンパの製造を可能にする。 このようなめつき複製工程において、大小２個のＯリン
グ７、８が用いられているので、ＳＵＳ通電板５等の電
気的部分に対するめつき液の浸透は内周、外周側の双方
から確実にシールされることになる。又、Ｏリング７側
はＮｉマスター１上の外周部付近に位置しているので、
複製されるＮｉマザー２の外径をＮｉマスター１の外径
よりも小さくなる状態に規制することになる。これによ
り、ＮｉマスターｌとＮｉマザー２とは同形ではなくな
るので、両者の剥離が容易となる。よって、無理な剥離
が減少する分、欠陥の発生も減少し、品質の高いＮｉマ
ザー２が得られる。またこのようなＯリング７、８は再
利用できるので、複製コストが安価で済む。 Ｎｉマザー２が得られた後は、このＮｉマザー２に基づ
くめっき複製によりＮｉサン（Ｎｉスタンパ）を作成す
る。この工程については特に図示しないが、配置的には
図面におけるＮｉマスター１がＮｉマザーに相当し．
Ｎｔマザー２がＮｉサンに相当するものとして考えれば
よい。即ち、ＮｉマザーがＮｉマスター１よりも小径と
なった分だけ、Ｏリング７に相当する内周側のＯリング
を更に小径のものとし、Ｎｉサンの外径がＮｉマザーの
外径よりも一回り小さくなるようにすればよい（ここで
用いられるめっき治具をＢ治具とする）。この結果、Ｎ
ｉマスター，−１からＮｉマザー２のめっき複製に際し
ての効果がそのまま同様に発揮されることになり、品質
の高いスタンパを複製できる。 なお、マスター上に該マスターと同じ面積で薄くめっき
する場合、また、マザー上に該マザーと同じ面積で薄く
めっきする場合において、そのめっき膜厚が好ましくは
２０μｍ〜４０μｍ，より好ましくは２０μｍ〜３０μ
ｍの範囲になるようにめっきする。めっき膜厚を２０μ
園〜４０μｍの範囲に規制することにより裏打ち後、薄
いめっき膜が破壊されることなく、かつ容易に剥離する
ことが可能となり、極めて高品質の光ディスク複製用ス
タンパの製造が可能になる。 ンパの製造方法を第２図（ａ） ， （ｂ） ， （ｃ
）に基づいて説明する。まずフォトリソグラフィー法に
より微細な凹凸形状を形成したガラス原盤に導電性皮膜
を付与し、Ｎｉめっきを施して形成されたＮｉマスター
ｌを得る。このＮｉマスター１の情報転写面を上向きと
してめっき治具３にセットする。 このめっき治具３（ここで用いられるめっき治具をＣ治
具とする。）は回転軸４を中心として回転駆動されるも
のであり、中央凹部３ａ内にはＮｉマスター１用の導電
性磁石５ａが設けられている。この導電性磁石５ａは通
電ブロック６を介して通電がなされるものである。 しかして、前記めっき治具３上面側は、２つのＯリング
７、８を具備し、Ｏリング７あるいはＯリング７、８は
スポット溶接、接着等により押えリング板９に固着され
ており、これらはねじ１０によりめっき治具３の上面側
に取り付けられている。即ち、これらのＯリング７、８
は半径の異なる同心円状のものであり、これらのＯリン
グ７、のＯリング７はＮｉマスターｌの情報転写面の直
上に位置し、その情報転写面までの距離が２０μｍ〜４
０μｍであり、好ましくは２０μｍ〜３０μｍである。 Ｏリング７と情報転写面の距離が２０μｍ未満の場合、
外周部のめっきの膜厚が２０μｍ未満となるのでめっき
膜自体の強度が弱く、また面が荒れている場合には完全
な膜とならないのでＮｉマスター１の側面へのめっきが
不完全となる。このためめっき液等が侵入し、また自然
剥離が発生するのでビットの形状転写性が低下する。ま
た、Ｏリング７と情報転写面の距離が４０μｍを超える
場合、外周部のめっきの膜厚が４０μｍより厚くなるの
でめっき膜自体の強度が強くなり、そのため剥離する際
のカッティングが困難で、また無理に剥離するとＮｉマ
ザー２が変形する恐れがある。 なお、Ｏリング７はＮｉマスター１の外径より１ ０ｍ
ｍ内側の円周上の直上に位置する。このため、複製され
るＮｉマザー２の外径をＮｉマスター１の外径よりも小
さくなる状態に規制することになる。 これにより、ＮｉマスターｌとＮｉマザー２とは同形で
はなくなるので、両者の剥離が容易となる。 よって、無理な剥離が減少する分、欠陥の発生も減少し
、品質の高いＮｉマザー２が得られる。 また大径側のＯリング８はめっき治具３の上面外周部上
に位置し得る程度の半径を有し、かつ、めっき治具３に
接する． このような装置にて、Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎ
ｉマスター１上には第２図（ｂ）に示すようにＮｉマザ
ー２をめっき複製した後、Ｎｉマスター１からＮｉマザ
ー２を剥離することにより、単体のＮｉマザー２が得ら
れることになる． このようなめっき工程において、最初にＮｉマスター１
全面にＮｉめっきすることによりＮｉマスター１の側面
にまでＮｉめっきさせることができる。これによりめっ
き治具解体時にＮｉマザー２の外周部の自然剥離を防止
することができ、その後の裏打ち工程で平面度を出すこ
とが可能となり、めっき液等の侵入によるじみの発生も
なく、形状転写性の良好な極めて高品質のスタンパの製
造を可能にする。また、このようなＯリング７，８は再
利用できるので複製コストが安価で済む． Ｎｉマザー２が得られた後は、このＮｉマザー２に基づ
くめっき複製によりＮｉサン（Ｎｉスタンパ）を作成す
る。この工程については特に図示しないが、配置的には
図面におけるＮｉマスター１がＮｉマザーに相当し、Ｎ
ｉマザー２がＮｉサンに相当するものとして考えればよ
い。即ち、ＮｉマザーがＮｉマスター１よりも小径とな
った分だけ、Ｏリング７に相当する内周側のＯリングを
更に小径のものとし、Ｎｉサンの外径がＮｉマザーの外
径よりも一回り小さくなるようにすればよい（ここで用
いられるめっき治具をＤ治具とする）。この結果、Ｎｉ
マスター１からＮｉマザー２のめつき複製に際しての効
果がそのまま同様に発揮されることになり、品質の高い
スタンパを複製できる。 ［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例ｌ ガラス基板に形成したブリグループパターン上に導体化
膜を形成した後、該導体化膜を陰極としてＮｉめっきを
行い、裏打ちしてガラス基板を剥離してマスターを得た
。該マスターを剥離皮膜処理後、該マスター全体に４０
μｍＮｉめっきした後、本発明の八治具を用いてＮｉめ
っきし、該マスターから剥離してマザーを得た．該マザ
ーを剥離皮膜処理後、該マザー全体に２０μｍＮｉめっ
きした後、本発明のＢ治具を用いてＮｉめっきし、該マ
ザーから剥離してサンを得た。マスターおよびサンから
複製したディスクの信号特性を第３図に示す。 第３図から、サンから複製したディスクはマスターから
複製したディスクと信号特性がほとんど変わらず、優れ
た精度で複製が行われたことがわかる。 実施例２ 実施例ｌと同じ方法で、マスターを作製し、マザーを複
製し、該マザーを剥離皮膜処理後、該マザー全体に４０
μｓＮｉめっきした後、本発明のＢ治具な用いてＮｉめ
っきし、該マザーから剥離してサンを得た。マスターお
よびサンから複製したディスクの信号特性を第４図に示
す。第４図から実施例ｌと同様優れた結果が得られたこ
とがわかる。 実施例３ 実施例１と同じ方法で、マスターを作製し、該マスター
を剥離皮膜処理後、本発明のＣ治具な用いてＮｉめっき
し、該マスターから剥離してマザーを得た。該マザーを
剥離皮膜処理後、本発明のＤ治具を用いてＮｉめっきし
、該マザーから剥離してサンを得た。但し、Ｃ治具、Ｄ
治具ともに内側の０リングとマスターおよびマザーの情
報転写面との距離は２０μｍとした。 実施例４ 実施例３と同様の方法でマスターからマザーマザーから
サンを得た．但し、Ｃ治具、Ｄ治具ともに内側の０リン
グとマスターおよびマザーの情報転写面との距離は３０
μｍとした。 実施例３，４で得られたサンからそれぞれ複製したディ
スクの信号特性を第５図に示す．第５図から実施例３，
４で得られたサンからそれぞれ複製したディスクの信号
特性がほとんど同じであり、優れた精度で複製が行われ
たことがわかる。 但し、以上の実施例１〜４においてめっき浴の組成は、
スルファミン酸Ｎｉ４５０ｇ／ １２、ホウ酸３０ｇ／
Ｉ２、５０℃、ＰＨ４、Ｂｅ・２７、電流密度は８Ａ／
ｄｍ”とした。 ［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように、本発明よれば、治具から
の離脱後も情報転写面にめっき液等のしみ込みがなく、
その後の裏打ち工程で平面度を出すことが可能となり、
しかも裏打ち後の剥離が容易で形状転写性の良好な極め
て高品質の光ディスク複製用スタンパを得ることができ
る。
第１図（ａ） ， （ｂ） ． （Ｃ）および第２図（
ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）は本発明の製造方法の工
程を示す断面図、第３図は実施例ｌのマスターおよびサ
ンから複製したディスクの測定結果を示す信号特性図、
第４図は実施例２のマスターおよびサンから複製したデ
ィスクの測定結果を示す信号特性図、第５図は実施例３
および実施例４のサンから複製したディスクの測定結果
を示す信号特性図、第６図（ａ） ． （ｂ） ． （
ｃ）は従来の製造方法の工程を示す断面図である。 ｌ・・・Ｎｉマスター ２・・・Ｎｉマザー ３ ３ａ・・・中央凹部、４ ５・・・ＳＵＳ通電板、 ６・・・通電ブロック、 ９・・・押えリング板、 １ｌ・・・Ｎｉ薄膜。 １ａ・・・凹凸面、 ・・・めっき治具 ・・・回転軸 ５ａ・・・導電性磁石 ７，８・・・Ｏリング ｌＯ・・・ねじ
ａ） ， （ｂ） ． （ｃ）は本発明の製造方法の工
程を示す断面図、第３図は実施例ｌのマスターおよびサ
ンから複製したディスクの測定結果を示す信号特性図、
第４図は実施例２のマスターおよびサンから複製したデ
ィスクの測定結果を示す信号特性図、第５図は実施例３
および実施例４のサンから複製したディスクの測定結果
を示す信号特性図、第６図（ａ） ． （ｂ） ． （
ｃ）は従来の製造方法の工程を示す断面図である。 ｌ・・・Ｎｉマスター ２・・・Ｎｉマザー ３ ３ａ・・・中央凹部、４ ５・・・ＳＵＳ通電板、 ６・・・通電ブロック、 ９・・・押えリング板、 １ｌ・・・Ｎｉ薄膜。 １ａ・・・凹凸面、 ・・・めっき治具 ・・・回転軸 ５ａ・・・導電性磁石 ７，８・・・Ｏリング ｌＯ・・・ねじ
Claims (3)
- （１）光ディスク複製用スタンパ製造工程のマスターか
らマザーを複製する際のめっき工程、またはマザーから
サンを複製する際のめっき工程において、マスターまた
はマザーを同じ面積で薄くめっきした後にマスターまた
はマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリングの
２本の同心円状のＯリングを具備するめっき治具を用い
てめっきし、該マスターまたは該マザーから剥離してマ
ザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディスク複製
用スタンパの製造方法。 - （２）光ディスク複製用スタンパ製造工程のマスターか
らマザーを複製する際のめっき工程、またはマザーから
サンを複製する際のめっき工程において、マスターまた
はマザーの外径より大径のＯリングと小径のＯリングの
２本の同心円状のＯリングを具備し、かつ、マスターま
たはマザーの情報転写面から各々のＯリングまでの距離
が異なるめっき治具を用いてめっきし、該マスターまた
は該マザーから剥離してマザーまたはサンを得ることを
特徴とする光ディスク複製用スタンパの製造方法。 - （３）請求項第２項記載のめっき治具において、マスタ
ーまたはマザーの外径より大径のＯリングはめっき治具
に接し、かつ、マスターまたはマザーの外径より小径の
Ｏリングはマスターまたはマザーの情報転写面の直上に
あり、その情報転写面までの距離が２０μｍ〜４０μｍ
であることを特徴とする光ディスク複製用スタンパの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29278689A JP2683118B2 (ja) | 1989-08-05 | 1989-11-10 | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20360889 | 1989-08-05 | ||
| JP1-203608 | 1989-08-05 | ||
| JP29278689A JP2683118B2 (ja) | 1989-08-05 | 1989-11-10 | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162732A true JPH03162732A (ja) | 1991-07-12 |
| JP2683118B2 JP2683118B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=26514014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29278689A Expired - Fee Related JP2683118B2 (ja) | 1989-08-05 | 1989-11-10 | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683118B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29278689A patent/JP2683118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2683118B2 (ja) | 1997-11-26 |
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