JPS6329343A - 光デイスク用スタンパ− - Google Patents
光デイスク用スタンパ−Info
- Publication number
- JPS6329343A JPS6329343A JP17314186A JP17314186A JPS6329343A JP S6329343 A JPS6329343 A JP S6329343A JP 17314186 A JP17314186 A JP 17314186A JP 17314186 A JP17314186 A JP 17314186A JP S6329343 A JPS6329343 A JP S6329343A
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- Japan
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- stamper
- plating
- ceramic material
- disk
- electrocasting
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- Pending
Links
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスクマスタリングプロセスにおけるスタ
ンパ−の構造に関する。
ンパ−の構造に関する。
光ディスク用スタンパーの製造は、光デイスクプロセス
技術の要点（日本工業技術センター）の櫟に、精密に研
摩・洗浄されｔガラス基板上にレジスト剤がコーティン
グされ、カッティングＭ／Ｃ（記録装置！りによって、
レーザー記録の後に現鑞工程を経てガラス原盤ができあ
がる。
技術の要点（日本工業技術センター）の櫟に、精密に研
摩・洗浄されｔガラス基板上にレジスト剤がコーティン
グされ、カッティングＭ／Ｃ（記録装置！りによって、
レーザー記録の後に現鑞工程を経てガラス原盤ができあ
がる。
前記の記録・現像が行なわれたレジスト剤付きのガラス
原盤とに、Ｎｉの導体化処理を行ない、その上Ｋｌ鋳Ｎ
（メッキを行なって厚さ３５０〜４００μｍのＮｉ１に
付ける。
原盤とに、Ｎｉの導体化処理を行ない、その上Ｋｌ鋳Ｎ
（メッキを行なって厚さ３５０〜４００μｍのＮｉ１に
付ける。
一方、スタンパ−の完成寸法は３００μｍの厚さであり
、その精度が±５μｍの厚さ精度が要求されると同時に
、スタンパ−の裏面の表面性も要求されているため、そ
の裏面を研摩して、所哲の寸法に押えることになる。
、その精度が±５μｍの厚さ精度が要求されると同時に
、スタンパ−の裏面の表面性も要求されているため、そ
の裏面を研摩して、所哲の寸法に押えることになる。
さらに、ガラス基板上にメッキされたＮｚの部分だけを
ガラス基板上から機械的に引きはがす。
ガラス基板上から機械的に引きはがす。
この時、ｋｌ ８基板の記録面側へ付着したレジスト剤
の残りや、その池の異物の付着の除去を目的に精密な洗
浄が行なわれる。
の残りや、その池の異物の付着の除去を目的に精密な洗
浄が行なわれる。
この嵌にして得られた表面欠陥のなβＮｉ基板を記録面
のグループに対して偏心が少なくなる深く内径と外径を
精密に機械加工してスタンパ−ができあがる。
のグループに対して偏心が少なくなる深く内径と外径を
精密に機械加工してスタンパ−ができあがる。
前述の様な工程を経て完成した、スタンパ−を射出成形
隈の金型の中に入れて、熱可塑性樹脂を高温で均一な温
度分布のもとて溶融・充てんし、高い圧力をかけてディ
スクを複製する。
隈の金型の中に入れて、熱可塑性樹脂を高温で均一な温
度分布のもとて溶融・充てんし、高い圧力をかけてディ
スクを複製する。
この時、スタンパ−を入れる金型ハ、鋭面の状態までに
精密な研摩がされていて、その面にスタンパーの裏面を
セットして射出成形が行なわれるが、コンパクトディス
クの様な場合、ディスク材料として主にポリカーボネー
トが用いられておシこの材料を成形する場合、約３００
℃の高温下で。
精密な研摩がされていて、その面にスタンパーの裏面を
セットして射出成形が行なわれるが、コンパクトディス
クの様な場合、ディスク材料として主にポリカーボネー
トが用いられておシこの材料を成形する場合、約３００
℃の高温下で。
約３５０ Ｋｊ’ ／ ｃｍ ”の高圧のもとで行なわ
れていた。
れていた。
しかし、前述の従来技術では、スタンパーの裏面研摩時
に発生したベコミ（オレンジピール）または、ピンホー
ルやキズなどの外観上の欠陥や、研摩工程以降の洗浄工
程および内外径加エエ穆あるいは、スタンパ−の取扱い
方法によって発生したスタンパ−裏面のキズなどの欠陥
によって、射出成形時のショツト数の増加に伴なって、
これらのスタンパ−の裏面の欠陥が、複製のディスク面
上に転写されてしまい、欠陥の多いディスクになってし
まったりあるいはスタンパ−の寿命が低いという問題が
あった。
に発生したベコミ（オレンジピール）または、ピンホー
ルやキズなどの外観上の欠陥や、研摩工程以降の洗浄工
程および内外径加エエ穆あるいは、スタンパ−の取扱い
方法によって発生したスタンパ−裏面のキズなどの欠陥
によって、射出成形時のショツト数の増加に伴なって、
これらのスタンパ−の裏面の欠陥が、複製のディスク面
上に転写されてしまい、欠陥の多いディスクになってし
まったりあるいはスタンパ−の寿命が低いという問題が
あった。
そこで本発明はこの碌な問題点を解決するもので、その
目的とするところは、スタンパ−の裏面の欠陥の影響を
受けないで表面欠陥の少ない複製ディスクを製造するこ
とと、寿命の向上をねらっなスタンパーヲ提供するとこ
ろにある。
目的とするところは、スタンパ−の裏面の欠陥の影響を
受けないで表面欠陥の少ない複製ディスクを製造するこ
とと、寿命の向上をねらっなスタンパーヲ提供するとこ
ろにある。
１）本発明は光ディスクスタリングプロセスにおけるス
タンパーにおいて、Ｎｉよりなるスタンパ−にＮ４以外
の異種材料全中間Ｋｒ！さみ込んでサンドイッチ構造に
したことを特徴とする。
タンパーにおいて、Ｎｉよりなるスタンパ−にＮ４以外
の異種材料全中間Ｋｒ！さみ込んでサンドイッチ構造に
したことを特徴とする。
２）前記の異種材料としてセラミック材料を用いたこと
を特数とする。
を特数とする。
第１図は本発明の実施列における光ディスク用スタンパ
−の断面図である。
−の断面図である。
本発明のスタンパ−はガラス原盤上にｎ４の導体化処理
膜を付けるまでの工程は前述の従来技術と全く同様に行
なったが、次の電鋳Ｎ６メツキエ程ではＮｚの厚さを従
来に比べて約発〜Ａの厚さにしｆＣ。
膜を付けるまでの工程は前述の従来技術と全く同様に行
なったが、次の電鋳Ｎ６メツキエ程ではＮｚの厚さを従
来に比べて約発〜Ａの厚さにしｆＣ。
次に、この電鋳Ｎｚメッキ層の上にＡ７１０３のセラミ
ック材料を約１００μｍスパッタして、この段階での総
厚を約２００ムｍぐらいとして、ｙ６セラミツク材料の
２層構造にした。
ック材料を約１００μｍスパッタして、この段階での総
厚を約２００ムｍぐらいとして、ｙ６セラミツク材料の
２層構造にした。
さらに、前記のＡｈ口３とに再度Ｎｉの導体化処理膜を
付けて再度電釣Ｎ６メツキを行なった。２度目の電鋳ｘ
４メッキ層の厚さ？約２００μｍ付けて、この段階での
ａ厚を３５０〜４００μｍにして、セラミック材料を中
間にはさみ込んだｎ６とのサンドイッチｍａの複合基板
を製作した。
付けて再度電釣Ｎ６メツキを行なった。２度目の電鋳ｘ
４メッキ層の厚さ？約２００μｍ付けて、この段階での
ａ厚を３５０〜４００μｍにして、セラミック材料を中
間にはさみ込んだｎ６とのサンドイッチｍａの複合基板
を製作した。
さらに、裏面研摩〜はがし〜洗浄〜内外径加工の工程は
、前述の従来技術と全く同機の加工内容で加工を進めて
、サンドイッチ構造の複合スタンパ−を完成させた。
、前述の従来技術と全く同機の加工内容で加工を進めて
、サンドイッチ構造の複合スタンパ−を完成させた。
この嵌にして完成した複合スタンパ−を用いて前述の従
来技術の方法で射出成形加工を行ないディスクの複製を
した。
来技術の方法で射出成形加工を行ないディスクの複製を
した。
以と述べた嵌に本発明によれば、スタンパ−の材料とし
て、セラミック材料等の異種材料２ｕ６の間にはさみ込
んだサンドイッチ構造にすることによって、スタンパ−
の裏面の欠陥が射出成形時にディスクへ転写されなく、
また、スタンパ−の寿命も向としたという効果を有する
。
て、セラミック材料等の異種材料２ｕ６の間にはさみ込
んだサンドイッチ構造にすることによって、スタンパ−
の裏面の欠陥が射出成形時にディスクへ転写されなく、
また、スタンパ−の寿命も向としたという効果を有する
。
第１図μ本発明の光ディスク用スタンパーの断面図。
１・１１１１Ｎｉメツキ眉
２争・・セラミック層
３・・・Ｎ（尋本化瞑
以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光デイスクマスタリングプロセスにおけるスタンパ
ーにおいて、Ｎ＿ｉよりなるスタンパーにＮ＿ｉ以外の
異種材料を中間にはさみ込んでサンドイッチ構造にした
ことを特徴とする光ディスク用スタンパー。 ２）前記の異種材料としてセラミック材料を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク用
スタンパー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17314186A JPS6329343A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 光デイスク用スタンパ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17314186A JPS6329343A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 光デイスク用スタンパ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329343A true JPS6329343A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15954872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17314186A Pending JPS6329343A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 光デイスク用スタンパ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329343A (ja) |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17314186A patent/JPS6329343A/ja active Pending
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