JPS63117347A - 光デイスク用マザ− - Google Patents
光デイスク用マザ−Info
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- JPS63117347A JPS63117347A JP26328186A JP26328186A JPS63117347A JP S63117347 A JPS63117347 A JP S63117347A JP 26328186 A JP26328186 A JP 26328186A JP 26328186 A JP26328186 A JP 26328186A JP S63117347 A JPS63117347 A JP S63117347A
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- JP
- Japan
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- nickel
- glass master
- resist pattern
- chromium
- master disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク・マスタリングプロセスに使用され
る光ディスク用マザーに関する。
る光ディスク用マザーに関する。
従来、フラット面のスタンパは、ガラス原盤上にニッケ
ルの導体化膜を形成し、ニッケル電鋳を行りて得ていた
。、tたピッ、ト及びグループといったパターンのある
光ディスク用マザーは、第4図の製造工程図に示すよう
にレジストパターン2が刻まれたガラス原盤上に、ニッ
ケルの導体化膜7を形成した後、ニッケル電鋳を行い、
これをマスターに仕上げ、マスターに再度ニッケルtv
7!Iを行ってマザーを得ていた。この場合、導体化膜
7は1ニッケル電鋳層4と一体となり、ガラス原盤から
ニッケル電鋳層4を・剥した場合、ニッケル電鋳層側に
導体化膜7が残っていた。すなわち、フラット面スタン
パ及びレジストパターン付マスp −の表面層が導体化
膜であった。
ルの導体化膜を形成し、ニッケル電鋳を行りて得ていた
。、tたピッ、ト及びグループといったパターンのある
光ディスク用マザーは、第4図の製造工程図に示すよう
にレジストパターン2が刻まれたガラス原盤上に、ニッ
ケルの導体化膜7を形成した後、ニッケル電鋳を行い、
これをマスターに仕上げ、マスターに再度ニッケルtv
7!Iを行ってマザーを得ていた。この場合、導体化膜
7は1ニッケル電鋳層4と一体となり、ガラス原盤から
ニッケル電鋳層4を・剥した場合、ニッケル電鋳層側に
導体化膜7が残っていた。すなわち、フラット面スタン
パ及びレジストパターン付マスp −の表面層が導体化
膜であった。
しかし、前述の従来技術によるフラット面ス、タンパの
製造では、電鋳後の剥離において、ニッケル導体化膜が
スタンパの表面層となるため、スタンパを一枚作るごと
に、ガラス原盤に毎@4体化処理を行なう必要が生じて
しまうため、コストがかかるという問題があった。
製造では、電鋳後の剥離において、ニッケル導体化膜が
スタンパの表面層となるため、スタンパを一枚作るごと
に、ガラス原盤に毎@4体化処理を行なう必要が生じて
しまうため、コストがかかるという問題があった。
一方、ビットおよびグループ等のパターンのある光ディ
スク用スタンパの製造では、マザー製造時において、マ
スターとマザーの剥離の時に、グループ形状精度がくず
れてしまい、その剥離技術が難しいという問題があった
。
スク用スタンパの製造では、マザー製造時において、マ
スターとマザーの剥離の時に、グループ形状精度がくず
れてしまい、その剥離技術が難しいという問題があった
。
また、マスターの製造時においてニッケルミ!鋳後、ガ
ラス原盤中心穴付近でガラス表面からマスターが浮き上
がった状態となってしまうため、電鋳時のメッキ液が浸
入することによって、マスターの表面を腐食してしまい
、マスター及びマザーの欠陥を増加させてしまうという
問題があった。
ラス原盤中心穴付近でガラス表面からマスターが浮き上
がった状態となってしまうため、電鋳時のメッキ液が浸
入することによって、マスターの表面を腐食してしまい
、マスター及びマザーの欠陥を増加させてしまうという
問題があった。
次に、マスターをガラス原盤から剥離する際に、剥離方
法や、導体化膜の組成・処理方法等によって、ガラス原
盤上に導体化膜の一部が残ってしまい、マスターのグル
ープ形状がくずれてし゛まうという問題があった。
法や、導体化膜の組成・処理方法等によって、ガラス原
盤上に導体化膜の一部が残ってしまい、マスターのグル
ープ形状がくずれてし゛まうという問題があった。
さらに、剥離の際に加わる機械的な外部応力によって、
マスターが変形してしまうという問題があった。と同時
に、マスターの表面に密着しているレジストの剥離ムラ
が発生し、マスター、およびマザーの欠陥増加の要因と
なっていた。
マスターが変形してしまうという問題があった。と同時
に、マスターの表面に密着しているレジストの剥離ムラ
が発生し、マスター、およびマザーの欠陥増加の要因と
なっていた。
そこで、本発明はこの様な問題点を解決するもので、そ
の目的とする所はレジストのないガラス原盤、およびレ
ジストパターンを形成されたガラス原盤から製造される
スタンパにおいて、低応力で剥離できる離型性の良好で
、しかもスタンパ欠陥が少なくてコストの安い光ディス
ク用マザーを提供するところにある。
の目的とする所はレジストのないガラス原盤、およびレ
ジストパターンを形成されたガラス原盤から製造される
スタンパにおいて、低応力で剥離できる離型性の良好で
、しかもスタンパ欠陥が少なくてコストの安い光ディス
ク用マザーを提供するところにある。
本発明の光ディスク用マザーは、ガラス原盤上に形成さ
れるレジストパターン又はレジストパターンのないガラ
ス原盤表面上に基本組成がニッケルとクロムからなる導
体化膜を形成することを特徴とする。
れるレジストパターン又はレジストパターンのないガラ
ス原盤表面上に基本組成がニッケルとクロムからなる導
体化膜を形成することを特徴とする。
第1図は、本発明の実施例におけるニッケルとクロムか
らなる合金の導体化膜1を形成したレジストパターン2
のあるガラス原盤3の断面図であり、第2図は、レジス
トのないガラス原盤にニッケルとクロムからなる合金の
導体化膜1をガラス原盤3に直接形成した場合のガラス
原盤3の断面図である。
らなる合金の導体化膜1を形成したレジストパターン2
のあるガラス原盤3の断面図であり、第2図は、レジス
トのないガラス原盤にニッケルとクロムからなる合金の
導体化膜1をガラス原盤3に直接形成した場合のガラス
原盤3の断面図である。
導体化膜は、レジストとの密着性を非常に良好なものに
するためR?マグネトロンスパッタ装置を用い、ガラス
原盤を加熱した状態で形成された、以下第3図でレジス
トパターン付ガラス原盤について工程順に説明する。
するためR?マグネトロンスパッタ装置を用い、ガラス
原盤を加熱した状態で形成された、以下第3図でレジス
トパターン付ガラス原盤について工程順に説明する。
レジストパターン付ガラス原盤は、ボストベイク後第3
図(α)スパッタ装置内で10″″”rorr台の高真
空中にガラス原盤の加熱50℃が行なわれている状態で
保持された後、ニッケルとクロムの合金ターゲットを用
いてスパッタリングする。
図(α)スパッタ装置内で10″″”rorr台の高真
空中にガラス原盤の加熱50℃が行なわれている状態で
保持された後、ニッケルとクロムの合金ターゲットを用
いてスパッタリングする。
この合金ターゲットのニッケルとり四ムの比率は、N
i / Cr = 50 / 50からNi/C!r=
90/10である。スパッタリングによって形成される
導体化膜1の膜厚は700X〜10001である第3図
Ch)。このニッケル・クロム合金膜は空気中でやや酸
化し、ニッケル電鋳が若干のりにくくなりている0次に
、この導体化膜上にニッケル電鋳4を行い、さらに裏面
研磨を行った後第3図(c)、ガラス原盤3からスタン
パ5を剥離する。この時ニッケルとクロムの合金の導体
化膜1は、レジストパターン2付ガラス原盤3に密着し
たままであり、第1図(α)に示すようなマザーができ
あがる。そして剥離されたニッケル電鋳層4がスタンパ
5になる第3図(d)。同様にレジストのないガラス原
盤、3上に、ニッケルとクロムの合金の導体化膜1を形
成した場合もスタンパ剥離後、導体化膜1はガラス原盤
3上に密着したままである第1図Cb)。
i / Cr = 50 / 50からNi/C!r=
90/10である。スパッタリングによって形成される
導体化膜1の膜厚は700X〜10001である第3図
Ch)。このニッケル・クロム合金膜は空気中でやや酸
化し、ニッケル電鋳が若干のりにくくなりている0次に
、この導体化膜上にニッケル電鋳4を行い、さらに裏面
研磨を行った後第3図(c)、ガラス原盤3からスタン
パ5を剥離する。この時ニッケルとクロムの合金の導体
化膜1は、レジストパターン2付ガラス原盤3に密着し
たままであり、第1図(α)に示すようなマザーができ
あがる。そして剥離されたニッケル電鋳層4がスタンパ
5になる第3図(d)。同様にレジストのないガラス原
盤、3上に、ニッケルとクロムの合金の導体化膜1を形
成した場合もスタンパ剥離後、導体化膜1はガラス原盤
3上に密着したままである第1図Cb)。
この導体化膜1が密着したレジストのないガラス原盤3
及びレジストパターン2付ガラス原盤3は、何度もニッ
ケル電鋳に使用することが可能であり、光ディスク用マ
ザーとして使用できる。
及びレジストパターン2付ガラス原盤3は、何度もニッ
ケル電鋳に使用することが可能であり、光ディスク用マ
ザーとして使用できる。
以上述べた様に、本発明のニッケルとクロムからなる合
金の導体化膜付光ディスク用マザーは、以下の効果を有
する。
金の導体化膜付光ディスク用マザーは、以下の効果を有
する。
1、 スタンパ剥離の際、低応力にて簡単に剥離するこ
とが可能であり、剥離におけるスタンパ変形が完全に抑
えられる。
とが可能であり、剥離におけるスタンパ変形が完全に抑
えられる。
2 マザーの耐食性が良く、ニッケルで作られているマ
ザーの数倍の耐久性がある。
ザーの数倍の耐久性がある。
五 レジストパターン付ガラス原盤及びレジストのない
ガラス原盤に導体化処理を施こしたも・の・がそのまま
マザーとなるため、工程時間の短縮とコスト節減ができ
る。
ガラス原盤に導体化処理を施こしたも・の・がそのまま
マザーとなるため、工程時間の短縮とコスト節減ができ
る。
4、 レジストパターンのあるガラス原盤から為マスタ
ーを剥離する際に発生するマスター表面にレジストが密
着してくる現象がおこらない。その結果レジスト剥離工
程の省略及びレジスト剥離ムラによるスタンパの欠陥の
増加、しいては、光ディスクのエラーレートの増加を防
止できる。
ーを剥離する際に発生するマスター表面にレジストが密
着してくる現象がおこらない。その結果レジスト剥離工
程の省略及びレジスト剥離ムラによるスタンパの欠陥の
増加、しいては、光ディスクのエラーレートの増加を防
止できる。
第1図は、本発明のレジストパターンが刻まれたガラス
原盤上に、ニッケルとクロムからなる合金の導体化膜を
形成した光ディスク用マザーの断面図。 第2図は、本発明のガラス原盤上に直接ニッケルとクロ
ムからなる合金の導体化膜を形成したフラット板用マザ
ーの断面図。 第3図(α)〜(d)は、本発明の光ディスク用マザー
を用いたスタンバ製造の工程図である。 第4図(α)〜(c)は、従来例の光ディスク用マザー
を用いたスタンパ製造の工程図である。 1・・・・・・ニッケル・クロム合金導体化膜2・・・
・・・レジスト 3・・・・・・ガラス原盤 4・・・・・・ニッケル電鋳層 5・・・・・・、スタンパ 6・・・・・・マザー
原盤上に、ニッケルとクロムからなる合金の導体化膜を
形成した光ディスク用マザーの断面図。 第2図は、本発明のガラス原盤上に直接ニッケルとクロ
ムからなる合金の導体化膜を形成したフラット板用マザ
ーの断面図。 第3図(α)〜(d)は、本発明の光ディスク用マザー
を用いたスタンバ製造の工程図である。 第4図(α)〜(c)は、従来例の光ディスク用マザー
を用いたスタンパ製造の工程図である。 1・・・・・・ニッケル・クロム合金導体化膜2・・・
・・・レジスト 3・・・・・・ガラス原盤 4・・・・・・ニッケル電鋳層 5・・・・・・、スタンパ 6・・・・・・マザー
Claims (1)
- 光ディスク・マスタリングプロセスに使用される光ディ
スク用マザーにおいて、ガラス原盤上に形成されるレジ
ストパターン又は、レジストパターンのないガラス表面
に、基本組成がニッケルとクロムからなる導体化膜が形
成されていることを特徴とする光ディスク用マザー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26328186A JPS63117347A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 光デイスク用マザ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26328186A JPS63117347A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 光デイスク用マザ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63117347A true JPS63117347A (ja) | 1988-05-21 |
Family
ID=17387286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26328186A Pending JPS63117347A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 光デイスク用マザ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63117347A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004095134A3 (en) * | 2003-04-23 | 2005-01-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Photolithographic process, stamper, use of said stamper and optical data storage medium |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP26328186A patent/JPS63117347A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004095134A3 (en) * | 2003-04-23 | 2005-01-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Photolithographic process, stamper, use of said stamper and optical data storage medium |
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