JPS63112841A - 光デイスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光デイスク用スタンパの製造方法Info
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- JPS63112841A JPS63112841A JP25630286A JP25630286A JPS63112841A JP S63112841 A JPS63112841 A JP S63112841A JP 25630286 A JP25630286 A JP 25630286A JP 25630286 A JP25630286 A JP 25630286A JP S63112841 A JPS63112841 A JP S63112841A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、転写技術によりマザースタンパからマスター
スタンパを転写して得るところの光ディスク用スタンパ
の製造方法に関する。
スタンパを転写して得るところの光ディスク用スタンパ
の製造方法に関する。
本発明は、転写技術によりマザースタンパからマスター
スタンパを転写して得るところの光ディスク、用スタン
パの製造方法において、マザースタンパに離型処理を施
し、ニッケルメッキを行ない転写技術によりマスタース
タンパを形成する工程において、マザースタンパをスパ
ッタ装「に装着し、合金比率においてクロム含有量が、
１５％以」二から９０％以内のいずれかに該当するとこ
ろのニッケル、クロム合金ヲ４００ Å〜７ｏｏ人スパ
タし、乾式ｌｅｔ型処理膜を形成し、該離型処理膜を介
して、ニッケルめっきを析出せしめ、マスタースタンパ
を形成することにより、離型性が高く、すらには、転写
精度を向上したものである。
スタンパを転写して得るところの光ディスク、用スタン
パの製造方法において、マザースタンパに離型処理を施
し、ニッケルメッキを行ない転写技術によりマスタース
タンパを形成する工程において、マザースタンパをスパ
ッタ装「に装着し、合金比率においてクロム含有量が、
１５％以」二から９０％以内のいずれかに該当するとこ
ろのニッケル、クロム合金ヲ４００ Å〜７ｏｏ人スパ
タし、乾式ｌｅｔ型処理膜を形成し、該離型処理膜を介
して、ニッケルめっきを析出せしめ、マスタースタンパ
を形成することにより、離型性が高く、すらには、転写
精度を向上したものである。
従来の光ディスク用スタンパの製造方法は、公知のごと
く、平滑なガラス基板にレジストを塗布し、レーザー光
により記録を行ない、現像の後、かかるレジスト塗布基
板に、Ｎｉをスパッタし、Ｎｉスパッタ膜を陰極として
Ｎｉめっきを行ない裏面研磨の後ガラス基板から剥離す
る。さらに、Ｌ／ シｘ ） ｇ ヲ９ＩＪＮｔ Ｎ洗
浄しマザースタンパトスる。さらに記録面側に対し湿式
離型処理を施す。
く、平滑なガラス基板にレジストを塗布し、レーザー光
により記録を行ない、現像の後、かかるレジスト塗布基
板に、Ｎｉをスパッタし、Ｎｉスパッタ膜を陰極として
Ｎｉめっきを行ない裏面研磨の後ガラス基板から剥離す
る。さらに、Ｌ／ シｘ ） ｇ ヲ９ＩＪＮｔ Ｎ洗
浄しマザースタンパトスる。さらに記録面側に対し湿式
離型処理を施す。
マザースタンパを陰極としてニッケルめっきを行ないマ
スタースタンパを転写、形成する。その後、マザースタ
ンパよりマスタースタンパラ剥離することによって作ら
れる。
スタースタンパを転写、形成する。その後、マザースタ
ンパよりマスタースタンパラ剥離することによって作ら
れる。
第２図〜第９図は従来技術の工程を示すもので詳細に説
明すると次のようになる。
明すると次のようになる。
表面を研磨して平坦にして厚さ約１ｃｍのガラス基板１
の上に、スピンコード法により厚さ約０．１μｍのレジ
スト膜２を形成する。（第２図） 次にかかるレジスト膜２に、レーザーカッティングマシ
ンを用いてＪ情報記録を行ないさらに現像を行ないプリ
グルーブ３をパターン形成する。
の上に、スピンコード法により厚さ約０．１μｍのレジ
スト膜２を形成する。（第２図） 次にかかるレジスト膜２に、レーザーカッティングマシ
ンを用いてＪ情報記録を行ないさらに現像を行ないプリ
グルーブ３をパターン形成する。
ここでのプリグルーブは例えば、０．６〜０゜８μｍの
幅をもち、１．８μｍの間隔て同心円状に多数形成され
ている。（ｆｆｉ３図）次にかかる基板面にＮｉを約７
００人の厚さにスパッタして導電化膜４を形成する。（
第４図）次にこの３ｊ：ｆ電化膜を陰極としてＮｉめっ
き液シこ浸漬し電解をおこなって、導電化膜４の上に厚
さ約３００μｍのメッキ層５を狸成する。（第５図）さ
らに表面研磨を行ない均一な厚さとした。
幅をもち、１．８μｍの間隔て同心円状に多数形成され
ている。（ｆｆｉ３図）次にかかる基板面にＮｉを約７
００人の厚さにスパッタして導電化膜４を形成する。（
第４図）次にこの３ｊ：ｆ電化膜を陰極としてＮｉめっ
き液シこ浸漬し電解をおこなって、導電化膜４の上に厚
さ約３００μｍのメッキ層５を狸成する。（第５図）さ
らに表面研磨を行ない均一な厚さとした。
次にガラス基板１からｔす離して、洗浄、剥離処理によ
りレジスト膜２を除去してマザースタンパ５′とした。
りレジスト膜２を除去してマザースタンパ５′とした。
（第６図） 次にマザースタンパ５′を重クロｌ−酸ア
ンモニウム２０ ｇ ／ ｌの溶液に、／ＩＯ°Ｃにお
いて、３分間浸漬し湿式離型処理膜６を形成する。（第
７図） さらにマザースタンパを陰極としてＮｉめっき
液に浸漬し、電解をおこなってマザースタンパ５′の上
に厚さ約３００μｍのめっき層７を形成する。（＠８図
）次にめっき膜７を、マザースタンパ５′から９１離し
て、第９図に示すようなマスタースタンパ８が作られる
。このようにして作られたスタンパ８は鋳型として使わ
れ、多数の光ディスク基板が作られる。
ンモニウム２０ ｇ ／ ｌの溶液に、／ＩＯ°Ｃにお
いて、３分間浸漬し湿式離型処理膜６を形成する。（第
７図） さらにマザースタンパを陰極としてＮｉめっき
液に浸漬し、電解をおこなってマザースタンパ５′の上
に厚さ約３００μｍのめっき層７を形成する。（＠８図
）次にめっき膜７を、マザースタンパ５′から９１離し
て、第９図に示すようなマスタースタンパ８が作られる
。このようにして作られたスタンパ８は鋳型として使わ
れ、多数の光ディスク基板が作られる。
しかし、前述の従来技術では、マザースタンパからマス
タースタンパの剥離に際して、マザースタンパへの湿式
離型処理の不安定から発生ずるところのｎＩ型型処模膜
厚さ及び、強度にバラツキを生じるために派生ずる、マ
スタースタンパの離型性の悪さ、または、マザースタン
パと離型処理膜を介してのマスタースタンパの密着力の
バラツキによるｇ＋＋離性能の悪さを引き起こすことか
ら生じるところの、スタンパの転写率が悪いという問題
点、すなわちスタンパの品質低下を招くために光ディス
クの品質も低下するという問題点を有する。
タースタンパの剥離に際して、マザースタンパへの湿式
離型処理の不安定から発生ずるところのｎＩ型型処模膜
厚さ及び、強度にバラツキを生じるために派生ずる、マ
スタースタンパの離型性の悪さ、または、マザースタン
パと離型処理膜を介してのマスタースタンパの密着力の
バラツキによるｇ＋＋離性能の悪さを引き起こすことか
ら生じるところの、スタンパの転写率が悪いという問題
点、すなわちスタンパの品質低下を招くために光ディス
クの品質も低下するという問題点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、マザースタンパへの離型処理
膜の安定性を向上させ、なおかつマスタースタンパの？
り離性能を向上させることにより転写精度の高い、高品
質のマスタースタンパを提供するところにある。
その目的とするところは、マザースタンパへの離型処理
膜の安定性を向上させ、なおかつマスタースタンパの？
り離性能を向上させることにより転写精度の高い、高品
質のマスタースタンパを提供するところにある。
本発明の光ディスク用スタンパの製造方法は、ガラス基
板にレジストを塗布し、蝕刻技術により該ガラス基板に
達するプリグルーブ、パターンを形成後、この上に導電
化膜の形成を行ない、次に該導電化膜を陰極としてニッ
ケルめっきを行ないマザースタンパを形成し、さらに該
マザースタンパにＦｉＥ型処理を施し、ニッケルめっき
を行ない転写技術によりマスタースタンパを形成する工
程において、マザースタンパをスパッタ装置に装着し、
合金比率においてクロム含’ｌｆ ｆｆｉが１５％以上
から９０％以内のいずれかであるところの、ニッケル、
クロト合金を、４００Å〜７００人スパッタし、乾式ｍ
型処理膜とすることを特徴とする特〔作用〕 本発明の上記の構成によれば、マザースタンパに対して
、離型処理膜を形成する工程において、乾式離型処理膜
として、ニッケル、クロム合金を用い、合金比率におい
て、クロム含有量が１５％以」二から９０％以内の１′
Ｉずれかに該当するところのニッケル、クロム合金を４
００Å〜７００ｉスパッタし、離型処理膜を形成せしめ
、該離型処理膜を介してニッケルめっきを析出せしめ、
マスタースタンパを形成するととにより、金屈離型処理
股による安定したマスタースタンパとの密着力を得、し
かもマスタースタンパのみのクリ離が可能なこきから、
マザースタンパの引きちぎり現象を防くものである。
板にレジストを塗布し、蝕刻技術により該ガラス基板に
達するプリグルーブ、パターンを形成後、この上に導電
化膜の形成を行ない、次に該導電化膜を陰極としてニッ
ケルめっきを行ないマザースタンパを形成し、さらに該
マザースタンパにＦｉＥ型処理を施し、ニッケルめっき
を行ない転写技術によりマスタースタンパを形成する工
程において、マザースタンパをスパッタ装置に装着し、
合金比率においてクロム含’ｌｆ ｆｆｉが１５％以上
から９０％以内のいずれかであるところの、ニッケル、
クロト合金を、４００Å〜７００人スパッタし、乾式ｍ
型処理膜とすることを特徴とする特〔作用〕 本発明の上記の構成によれば、マザースタンパに対して
、離型処理膜を形成する工程において、乾式離型処理膜
として、ニッケル、クロム合金を用い、合金比率におい
て、クロム含有量が１５％以」二から９０％以内の１′
Ｉずれかに該当するところのニッケル、クロム合金を４
００Å〜７００ｉスパッタし、離型処理膜を形成せしめ
、該離型処理膜を介してニッケルめっきを析出せしめ、
マスタースタンパを形成するととにより、金屈離型処理
股による安定したマスタースタンパとの密着力を得、し
かもマスタースタンパのみのクリ離が可能なこきから、
マザースタンパの引きちぎり現象を防くものである。
第１図は、本発明の実施例におけるマスタースタンパ断
面図であって、第２図〜第９図に示すように、表面を研
磨して平坦としさらに、清浄に保たれた厚さ９ｍｍのガ
ラス基板に、ＡＺフォトレジストを用いて、スピンコー
ド法により１１００人のレジスト膜２を形成した。さら
に乾燥炉を用いてソフトベークを行なった。ベーキング
条件は８０″Ｃて１５分間である。さらにレーザーカッ
ティングマシンにより情報記録の後、現像を行ないプリ
グルーブ３をパターン形成した。現像条件は、ＡＺデベ
ロッパーを用いて、２２°Ｃにおいて６０秒ｖ５１行な
い、充分水洗の後スピンドライを行なった。次に乾燥炉
を用いて９０°Ｃで３０分間ボストベーキングを行なっ
た。さらにスパッタ装置に装着し基板面にＮｉを７００
人の厚さにスパッタし導電化膜４を形成した。次にニッ
ケルめっきを行ない、約３１０μのめっき層５を形成し
た。さらにメッキ表面研磨を行ない２９０μｍの均一・
なマザースタンパを得た。マザースタンパはレジスト膜
２をはかした後、充分に洗浄を行ないスピントライを行
なった。次にマザースタンパ５′をスパッタ装置に装着
して、Ｎｉ５０％、Ｃｒ５０％からなるニッケル、クロ
ム合金ターゲットを用いてニッケル、クロム合金を７０
０人の厚さに、スパックした。該スパッタ膜をもって乾
式離型処理膜６とし、さらにニッケルめっきを行ない、
約３１０μｍのめっき層を得た。さらにめっき表面研磨
を行ない２９０μｍとした。かかるめっき膜７を、マザ
ースタンパ５°から剥離して、マスタースタンパ８を得
た。最終加工として、内外径加工を行ないスタンパとし
て供した。
面図であって、第２図〜第９図に示すように、表面を研
磨して平坦としさらに、清浄に保たれた厚さ９ｍｍのガ
ラス基板に、ＡＺフォトレジストを用いて、スピンコー
ド法により１１００人のレジスト膜２を形成した。さら
に乾燥炉を用いてソフトベークを行なった。ベーキング
条件は８０″Ｃて１５分間である。さらにレーザーカッ
ティングマシンにより情報記録の後、現像を行ないプリ
グルーブ３をパターン形成した。現像条件は、ＡＺデベ
ロッパーを用いて、２２°Ｃにおいて６０秒ｖ５１行な
い、充分水洗の後スピンドライを行なった。次に乾燥炉
を用いて９０°Ｃで３０分間ボストベーキングを行なっ
た。さらにスパッタ装置に装着し基板面にＮｉを７００
人の厚さにスパッタし導電化膜４を形成した。次にニッ
ケルめっきを行ない、約３１０μのめっき層５を形成し
た。さらにメッキ表面研磨を行ない２９０μｍの均一・
なマザースタンパを得た。マザースタンパはレジスト膜
２をはかした後、充分に洗浄を行ないスピントライを行
なった。次にマザースタンパ５′をスパッタ装置に装着
して、Ｎｉ５０％、Ｃｒ５０％からなるニッケル、クロ
ム合金ターゲットを用いてニッケル、クロム合金を７０
０人の厚さに、スパックした。該スパッタ膜をもって乾
式離型処理膜６とし、さらにニッケルめっきを行ない、
約３１０μｍのめっき層を得た。さらにめっき表面研磨
を行ない２９０μｍとした。かかるめっき膜７を、マザ
ースタンパ５°から剥離して、マスタースタンパ８を得
た。最終加工として、内外径加工を行ないスタンパとし
て供した。
なお乾式離型処理膜６は、マザースタンパに対して高い
密着力を持っていることから、マザースタンパは繰返し
再生使用が可能であり、なおかつマスタースタンパには
、離型処理膜は残らないものである。
密着力を持っていることから、マザースタンパは繰返し
再生使用が可能であり、なおかつマスタースタンパには
、離型処理膜は残らないものである。
ニッケル、クロム合金の合金比率が１５％よりも低い場
合には、マザースタンパとマスタースタンパの密着力が
強ずぎることからｔす離せず、９０％を越える場合には
、クロム過多によるクラックの発生または密着不良によ
るフクレ発生となる。
合には、マザースタンパとマスタースタンパの密着力が
強ずぎることからｔす離せず、９０％を越える場合には
、クロム過多によるクラックの発生または密着不良によ
るフクレ発生となる。
以上述べたように、発明によればマザースタンパに離型
処理を施し、ニッケルめっきを行ない転写技術によりマ
スタースタンパ、を形成する工程にオイて、マザースタ
ンパをスパッタ装置に装着しニッケル、クロム合金を４
００λ〜７００人スパックし乾式離型処理膜とすること
により■転写精度の高いスタンパを得ることができる。
処理を施し、ニッケルめっきを行ない転写技術によりマ
スタースタンパ、を形成する工程にオイて、マザースタ
ンパをスパッタ装置に装着しニッケル、クロム合金を４
００λ〜７００人スパックし乾式離型処理膜とすること
により■転写精度の高いスタンパを得ることができる。
■雛型処理膜の介在しない、活性度の高いスタンパを得
ることができる。
ることができる。
という効果を存する。
第１図は、本発明の光ディスク用スタンパの実施例を示
す主要断面図。 第２図乃至第９図は、従来の光ディスク用スタンパの製
造］二程を説明する断面図。 １・・・ガラス基板 ２・・・レジスト膜３・・・プリ
グルーブ ４・・・導電化膜５・・・めっ、＝ｍ ５
’・・・マザースタンパｑ・・・離型処理膜 ７・・・
めっき層８・・・マスタースタンパ 第３１男 第十閏 第７１（７） 第９１加
す主要断面図。 第２図乃至第９図は、従来の光ディスク用スタンパの製
造］二程を説明する断面図。 １・・・ガラス基板 ２・・・レジスト膜３・・・プリ
グルーブ ４・・・導電化膜５・・・めっ、＝ｍ ５
’・・・マザースタンパｑ・・・離型処理膜 ７・・・
めっき層８・・・マスタースタンパ 第３１男 第十閏 第７１（７） 第９１加
Claims (2)
- （１）ガラス基板にレジストを塗布し、蝕刻技術により
該ガラス基板に達するプリグルーブ、パターンを形成後
、この上に導電化膜の形成を行ない、次に該導電化膜を
陰極としてニッケルめっきを行ない、マザースタンパを
形成し、さらに該マザースタンパに離形処理を施し、ニ
ッケルめっきを行ない、転写技術によりマスタースタン
パを形成する工程において、マザースタンパを、スパッ
タ装置に装着し、ニッケル、クロム合金を、４００Å〜
７００Åスパッタし、乾式離型処理膜とすることを特徴
とする光ディスク用スタンパの製造方法。 - （２）前記ニッケル、クロム合金が、合金比率において
、クロム含有量が１５％以上から９０％以内のいずれか
である特許請求の範囲、第１項記載の光ディスク用スタ
ンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25630286A JPS63112841A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光デイスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25630286A JPS63112841A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光デイスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63112841A true JPS63112841A (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=17290773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25630286A Pending JPS63112841A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 光デイスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63112841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1154421A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Pioneer Corporation | Production method for optical disc |
| US7349323B2 (en) | 1998-04-06 | 2008-03-25 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25630286A patent/JPS63112841A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7349323B2 (en) | 1998-04-06 | 2008-03-25 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disks |
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| US7801016B2 (en) | 1998-04-06 | 2010-09-21 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
| US7952986B2 (en) | 1998-04-06 | 2011-05-31 | Imation Corp. | Reverse optical mastering for data storage disk replicas |
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| US8705334B2 (en) | 1998-04-06 | 2014-04-22 | Legger Col. A.B. Llc | Replica disk for data storage |
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