JPH02170994A - 微細パターン複製用金型の製作方法 - Google Patents
微細パターン複製用金型の製作方法Info
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- JPH02170994A JPH02170994A JP32265488A JP32265488A JPH02170994A JP H02170994 A JPH02170994 A JP H02170994A JP 32265488 A JP32265488 A JP 32265488A JP 32265488 A JP32265488 A JP 32265488A JP H02170994 A JPH02170994 A JP H02170994A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ディスクやホログラムディスク等を樹脂成
形等で量産する場合に用いられる微細パターン複製用金
型の製作方法に関するものである。
形等で量産する場合に用いられる微細パターン複製用金
型の製作方法に関するものである。
従来の技術
従来のこの種の微細パターン複製用金型の製作方法につ
いて第４図（ａ）〜（ｇｌを参照しながら説明する。同
図（ａｌ、（ｂｌに示すようにシリコン（Ｓｔ） 、若
しくはガラスからなる基板１上にフォトレジスト（ポジ
タイプ）２を塗布して乾燥させる。次に同図（ｃｌに示
すようにフォトマスク３のパターン３ａを紫外線４によ
りフォトレジスト２に露光し、次に同図（ｄｌに示すよ
うにフォトレジスト２の現像を行すい、フォトレジスト
２のパターンを形成スる。
いて第４図（ａ）〜（ｇｌを参照しながら説明する。同
図（ａｌ、（ｂｌに示すようにシリコン（Ｓｔ） 、若
しくはガラスからなる基板１上にフォトレジスト（ポジ
タイプ）２を塗布して乾燥させる。次に同図（ｃｌに示
すようにフォトマスク３のパターン３ａを紫外線４によ
りフォトレジスト２に露光し、次に同図（ｄｌに示すよ
うにフォトレジスト２の現像を行すい、フォトレジスト
２のパターンを形成スる。
次に同図（ｅ）に示すように基板１およびフォトレジス
ト２のパターン上にニッケル（Ｎｉ）薄膜１０を形成し
て表面を導体化し、次に同図用に示すようにニッケル（
Ｎｉ）電鋳を行ない、ニッケル（Ｎｉ）金型７を形成す
る。その後、同図（ｇ）に示すように基板１およびフォ
トレジスト２のパターンを剥離することにより、複製用
のニッケル金型７を製作すしかし、上記従来例の製作方
法では、第４図（ｅ）に示す基板１およびフォトレジス
ト２のパターンの表面のニッケル薄膜１０による導体化
を行なう際に薄膜形成条件によりフォトレジスト２のパ
ターンカラのガス発生等によるパターンの損傷や、フォ
トレジスト２のパターンとニッケル薄膜１０の剥離を生
じ、歩留りが悪い。又、金型の微細パターンの加工深さ
は、フォトレジスト２の膜厚により規制され、より深溝
のパターンを形成するのが難しく、微細パターン複製用
金型を安定して製作することができないほどの課題があ
った。
ト２のパターン上にニッケル（Ｎｉ）薄膜１０を形成し
て表面を導体化し、次に同図用に示すようにニッケル（
Ｎｉ）電鋳を行ない、ニッケル（Ｎｉ）金型７を形成す
る。その後、同図（ｇ）に示すように基板１およびフォ
トレジスト２のパターンを剥離することにより、複製用
のニッケル金型７を製作すしかし、上記従来例の製作方
法では、第４図（ｅ）に示す基板１およびフォトレジス
ト２のパターンの表面のニッケル薄膜１０による導体化
を行なう際に薄膜形成条件によりフォトレジスト２のパ
ターンカラのガス発生等によるパターンの損傷や、フォ
トレジスト２のパターンとニッケル薄膜１０の剥離を生
じ、歩留りが悪い。又、金型の微細パターンの加工深さ
は、フォトレジスト２の膜厚により規制され、より深溝
のパターンを形成するのが難しく、微細パターン複製用
金型を安定して製作することができないほどの課題があ
った。
本発明は、上記従来例の課題な解決するもので、表面導
体化工程の歩留りを向上させることができ、又、パター
ンをより深く形成することができ、安定して製作するこ
とができるようにした微細パターン複製用金型の製作方
法を提供することを目的とするものである。
体化工程の歩留りを向上させることができ、又、パター
ンをより深く形成することができ、安定して製作するこ
とができるようにした微細パターン複製用金型の製作方
法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するだめの手段
そして、上記課題を解決するための本発明の技術的な手
段は、シリコン基板上に感光性材料であるフォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストにフォトマスク上のパ
ターンを露光現像してフォトレジストのパターンを形成
し、このフォトレジストのパターンをマスクにしてリア
クティブイオンエツチング、若しくはイオンミーリング
によりシリコン基板を所定深さまで加工し、加工後、上
記フォトレジストのパターンを除去して７リコン基板か
らなる複製用金型の原盤を製作し、このシリコン基板か
らなる原盤の表面にＩＴＯ（インジウム、チタン、オキ
サイド）膜を形成して表面を導体化し、このＩＴＯ膜上
にニッケル電鋳を行ない、金型な製作するようにしたも
のである。
段は、シリコン基板上に感光性材料であるフォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストにフォトマスク上のパ
ターンを露光現像してフォトレジストのパターンを形成
し、このフォトレジストのパターンをマスクにしてリア
クティブイオンエツチング、若しくはイオンミーリング
によりシリコン基板を所定深さまで加工し、加工後、上
記フォトレジストのパターンを除去して７リコン基板か
らなる複製用金型の原盤を製作し、このシリコン基板か
らなる原盤の表面にＩＴＯ（インジウム、チタン、オキ
サイド）膜を形成して表面を導体化し、このＩＴＯ膜上
にニッケル電鋳を行ない、金型な製作するようにしたも
のである。
又、シリコン基板からなる複製用金型の原盤を製作する
工程として、シリコン基板上に感光性材料であるフォト
レジストを塗布し、このフォトレジストにフォトマスク
上のパターンを露光、現像してフォトレジストのパター
ンを形成し、形成後、シリコン基板およびフォトレジス
トのパターン上にアルミ薄膜を形成し、リフトオフ法に
よりフォトレジストのパターンおよびその上のアルミ薄
膜を剥離してアルミ薄膜のパターンを残し、このアルミ
薄膜のパターンをマスクにしてリアクティブイオンエツ
チング、若しくはイオンミーリングによりシリコン基板
を所定深さまで加工し、加工後、アルミ薄膜のパターン
を除去するようにしたものである。
工程として、シリコン基板上に感光性材料であるフォト
レジストを塗布し、このフォトレジストにフォトマスク
上のパターンを露光、現像してフォトレジストのパター
ンを形成し、形成後、シリコン基板およびフォトレジス
トのパターン上にアルミ薄膜を形成し、リフトオフ法に
よりフォトレジストのパターンおよびその上のアルミ薄
膜を剥離してアルミ薄膜のパターンを残し、このアルミ
薄膜のパターンをマスクにしてリアクティブイオンエツ
チング、若しくはイオンミーリングによりシリコン基板
を所定深さまで加工し、加工後、アルミ薄膜のパターン
を除去するようにしたものである。
又、シリコン基板からなる複製用金型の原盤を製作する
工程として、シリコン基板上にアルミ薄膜を形成し、こ
のアルミ薄膜上にフォトレジストを塗布し、このフォト
レジストにフォトマスク上のパターンを露光、現像して
フォトレジストのパターンを形成し、このフォトレジス
トパターンをマスクにしてイオンミーリング等によりア
ルミ薄膜を除去し、次に上記フォトレジストのパターン
を除去し、残されたアルミ薄膜のパターンをマスクにし
てリアクティブイオンエツチング、若しくはイオンミー
リングによりシリコン基板を所定深さまで加工し、加工
後、アルミ薄膜のパターンを除去するようにしたもので
ある。
工程として、シリコン基板上にアルミ薄膜を形成し、こ
のアルミ薄膜上にフォトレジストを塗布し、このフォト
レジストにフォトマスク上のパターンを露光、現像して
フォトレジストのパターンを形成し、このフォトレジス
トパターンをマスクにしてイオンミーリング等によりア
ルミ薄膜を除去し、次に上記フォトレジストのパターン
を除去し、残されたアルミ薄膜のパターンをマスクにし
てリアクティブイオンエツチング、若しくはイオンミー
リングによりシリコン基板を所定深さまで加工し、加工
後、アルミ薄膜のパターンを除去するようにしたもので
ある。
作用
上記技術的手段による作用は次のようになる。
シリコン基板そのものを加工してパターン形成し、その
上にＩＴＯ膜を形成して表面の導体化を行なうので、従
来のようなフォトレジストの存在によるパターンの損傷
や薄膜の剥離のおそれがなくなり、又、加工深さについ
てもレジスト膜厚に制限されることがなくなる。
上にＩＴＯ膜を形成して表面の導体化を行なうので、従
来のようなフォトレジストの存在によるパターンの損傷
や薄膜の剥離のおそれがなくなり、又、加工深さについ
てもレジスト膜厚に制限されることがなくなる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
まず、本発明の第１の実施例について説明する。
第１図（ａｌないし山は本発明の第１の実施例における
微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図である
。
微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図である
。
同図（ａ）、（ｂｌに示すようにシリコン（Ｓｉ）基板
１の上に感光性材料であるフォトレジスト２を塗布して
乾燥させる。次に同図（Ｃ）に示すようにフォトマスク
３のパターン３ａで紫外線４によりフォトレジスト２を
露光する。次に同図（山に示すようにフォトレジスト２
の現像を行ない、シリコン基板１上にフォトレジスト２
のパターンを形成する。
１の上に感光性材料であるフォトレジスト２を塗布して
乾燥させる。次に同図（Ｃ）に示すようにフォトマスク
３のパターン３ａで紫外線４によりフォトレジスト２を
露光する。次に同図（山に示すようにフォトレジスト２
の現像を行ない、シリコン基板１上にフォトレジスト２
のパターンを形成する。
次に同図ｆｅｌに示すようにフォトレジスト２のパター
ンをマスクとして、リアクティブイオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）によるイオンおよびプラズマ５により、若しくは
イオンミーリングによりシリコン基板１を所定の深さま
で加工し、次に同図（ｆ）に示すようにフォトレジスト
２のパターンを剥離し、シリコン基板１からなる複製用
金型の原盤を製作する。次に同図（ｇｌに示すように原
盤であるシリコン基板ｌのパターン側の表面にＩＴＯ（
インジウム、チタン、オキサイド）膜６を形成して表面
を導体化し、次に同図中）に示すようにＩＴＯ膜６膜上
上ニッケル（Ｎｉ）電鋳を行ない、ニッケル金型７を形
成する。その後、同図（ｉ）に示すようにシリコン基板
１を剥離することにより、複製用のニッケル金型７を製
作することができる。
ンをマスクとして、リアクティブイオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）によるイオンおよびプラズマ５により、若しくは
イオンミーリングによりシリコン基板１を所定の深さま
で加工し、次に同図（ｆ）に示すようにフォトレジスト
２のパターンを剥離し、シリコン基板１からなる複製用
金型の原盤を製作する。次に同図（ｇｌに示すように原
盤であるシリコン基板ｌのパターン側の表面にＩＴＯ（
インジウム、チタン、オキサイド）膜６を形成して表面
を導体化し、次に同図中）に示すようにＩＴＯ膜６膜上
上ニッケル（Ｎｉ）電鋳を行ない、ニッケル金型７を形
成する。その後、同図（ｉ）に示すようにシリコン基板
１を剥離することにより、複製用のニッケル金型７を製
作することができる。
次に本発明の第２の実施例について説明する。
第２図（ａ）ないしｆｊ）は本発明の第２の実施例にお
ける微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図で
ある。
ける微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図で
ある。
本実施例においては、上記第１の実施例とは主としてシ
リコン基板１からなる複製用金型の原盤の製作工程を異
にする。同図ｆａｌないしく山は、上記第１の実施例と
同様であり、シリコン基板１上のフォトレジスト２なフ
ォトマスク３で露光し、現像シてフォトレジスト２のパ
ターンを形成する。
リコン基板１からなる複製用金型の原盤の製作工程を異
にする。同図ｆａｌないしく山は、上記第１の実施例と
同様であり、シリコン基板１上のフォトレジスト２なフ
ォトマスク３で露光し、現像シてフォトレジスト２のパ
ターンを形成する。
次に同図（ｅ）に示すようにシリコン基板１およびフォ
トレジスト２のパターン上にアルミ （Ａｔ）薄膜８を
蒸着等により形成する。次に同図げ）に示すようにリフ
トオフ法によりフォトレジスト２およびその上のアルミ
薄膜８を剥離してアルミ薄膜８のパターンを形成する。
トレジスト２のパターン上にアルミ （Ａｔ）薄膜８を
蒸着等により形成する。次に同図げ）に示すようにリフ
トオフ法によりフォトレジスト２およびその上のアルミ
薄膜８を剥離してアルミ薄膜８のパターンを形成する。
次に同図（ｇｌに示すようにアルミ薄膜８のパターンを
マスクとして、ＲＩＥによるイオンおよびプラズマ５等
によりシリコン基板１を所定の深さまで加工し、アルミ
薄膜８のパターンを剥離して複製用金型の原盤を製作す
る。
マスクとして、ＲＩＥによるイオンおよびプラズマ５等
によりシリコン基板１を所定の深さまで加工し、アルミ
薄膜８のパターンを剥離して複製用金型の原盤を製作す
る。
次に上記第１の実施例と同様、同図中）に示すように原
盤であるシリコン基板１のパターン側の表面にＩＴＯ膜
６を形成して表面を導体化し、同図（ｉ）、（ｊ）に示
すようにＩＴ○膜６上によりニッケル電鋳を行ない、複
製用のニッケル金型７を製作することができる。
盤であるシリコン基板１のパターン側の表面にＩＴＯ膜
６を形成して表面を導体化し、同図（ｉ）、（ｊ）に示
すようにＩＴ○膜６上によりニッケル電鋳を行ない、複
製用のニッケル金型７を製作することができる。
次に本発明の第３の実施例について説明する。
第３図ｆａ）ないしＩｊ）は本発明の第３の実施例にお
ける微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図で
ある。
ける微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図で
ある。
本実施例においては、上記第１の実施例とは主としてシ
リコン基板１からなる複製用金型の原盤の製作工程を異
にする。同図（ａｌに示すようにシリコン基板１上にア
ルミ薄膜８を形成し、次に同図ｆｂ）に示すようにアル
ミ薄膜８上にフォトレジスト２を塗布して乾燥させる。
リコン基板１からなる複製用金型の原盤の製作工程を異
にする。同図（ａｌに示すようにシリコン基板１上にア
ルミ薄膜８を形成し、次に同図ｆｂ）に示すようにアル
ミ薄膜８上にフォトレジスト２を塗布して乾燥させる。
次に同図（Ｃ）、（山に示すように上記第１の実施例と
同様、フォトレジスト２をフォトマスク３で露光し、現
像してフォトレジスト２のパターンを形成する。次に同
図（ｅ）に示すようにフォトレジスト２のパターンをマ
スクにしてイオンミーリング等によるイオン９によりア
ルミ薄膜８を除去し、その後、同図（ｆｌに示すように
フォトレジスト２のパターンを剥離し、アルミ薄膜８の
パターンを残す。次に同図ｆｇｌに示すようにアルミ薄
膜８のパターンをマスクにしてＲＩＥによるイオンおよ
びプラズマ５等によりシリコン基板１を所定の深さまで
加工し、その後、アルミ薄膜８のパターンを剥離して複
製用金型の原盤を製作する。次に上記第１の実施例と同
様、同図（ｈｌに示すように原盤であるシリコン基板１
のパターン側表面にＩＴＯ膜６を形成して表面を導体化
し、同図ｔｉ＋、（ｊｌに示すようにＩＴＯ膜６膜上上
ニッケル電鋳を行ない、複製用のニッケル金型７を製作
することができる。
同様、フォトレジスト２をフォトマスク３で露光し、現
像してフォトレジスト２のパターンを形成する。次に同
図（ｅ）に示すようにフォトレジスト２のパターンをマ
スクにしてイオンミーリング等によるイオン９によりア
ルミ薄膜８を除去し、その後、同図（ｆｌに示すように
フォトレジスト２のパターンを剥離し、アルミ薄膜８の
パターンを残す。次に同図ｆｇｌに示すようにアルミ薄
膜８のパターンをマスクにしてＲＩＥによるイオンおよ
びプラズマ５等によりシリコン基板１を所定の深さまで
加工し、その後、アルミ薄膜８のパターンを剥離して複
製用金型の原盤を製作する。次に上記第１の実施例と同
様、同図（ｈｌに示すように原盤であるシリコン基板１
のパターン側表面にＩＴＯ膜６を形成して表面を導体化
し、同図ｔｉ＋、（ｊｌに示すようにＩＴＯ膜６膜上上
ニッケル電鋳を行ない、複製用のニッケル金型７を製作
することができる。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、シリコン基板そのも
のをＲＩＥ等により加工１．てパターン形成し、その後
、シリコン基板のパターン側の表面に直接ＩＴＯ膜を形
成するので、従来のようにフォトレジストの存在による
パターンの損傷や薄膜の剥離のおそれがなく、歩留りを
向上させることができる。又、上記のようにシリコン基
板そのものにパターン形成するので、パターンの深さ方
向の加工をより深くすることが可能となり、微細パター
ン複製用金型を安定して製作することができる。
のをＲＩＥ等により加工１．てパターン形成し、その後
、シリコン基板のパターン側の表面に直接ＩＴＯ膜を形
成するので、従来のようにフォトレジストの存在による
パターンの損傷や薄膜の剥離のおそれがなく、歩留りを
向上させることができる。又、上記のようにシリコン基
板そのものにパターン形成するので、パターンの深さ方
向の加工をより深くすることが可能となり、微細パター
ン複製用金型を安定して製作することができる。
第１図（ａｌないしくｉ）は本発明の第１の実施例にお
ける微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図、
第２図（ａｌないしくｊ）は本発明の第２の実施例を示
す断面図、第３図（ａ）ないしくｊ）は本発明の第３の
実施例を示す断面図、第４図（ａｌないしくｇｌは従来
の微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・フォトレジスト、３・
・・フォトマスク、４・・・紫外線、５・・・イオン、
プラズマ、６・・・ＩＴＯ膜、７・・・ニッケル（Ｎｉ
）金型、８・・・アルミ（ＡＩ）薄膜、９・・・イオン
。 第１図 （ｄ） 口＝＝＝：＝：と７ ！ラリコツ第５尺 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝ほか１名（ｉ） 第 図 二二二二＝了″ ラリコツ薯１＼ （Ｊ） 第 図 ｆｆｌλ盃ス；トー７
ける微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図、
第２図（ａｌないしくｊ）は本発明の第２の実施例を示
す断面図、第３図（ａ）ないしくｊ）は本発明の第３の
実施例を示す断面図、第４図（ａｌないしくｇｌは従来
の微細パターン複製用金型の製作方法を示す断面図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・フォトレジスト、３・
・・フォトマスク、４・・・紫外線、５・・・イオン、
プラズマ、６・・・ＩＴＯ膜、７・・・ニッケル（Ｎｉ
）金型、８・・・アルミ（ＡＩ）薄膜、９・・・イオン
。 第１図 （ｄ） 口＝＝＝：＝：と７ ！ラリコツ第５尺 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝ほか１名（ｉ） 第 図 二二二二＝了″ ラリコツ薯１＼ （Ｊ） 第 図 ｆｆｌλ盃ス；トー７
Claims (3)
- （１）シリコン基板上に感光性材料であるフォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストにフォトマスク上のパ
ターンを露光、現像してフォトレジストのパターンを形
成し、このフォトレジストのパターンをマスクにしてリ
アクティブイオンエッチング、若しくはイオンミーリン
グによりシリコン基板を所定深さまで加工し、加工後、
上記フォトレジストのパターンを除去してシリコン基板
からなる複製用金型の原盤を製作し、このシリコン基板
からなる原盤の表面にＩＴＯ（インジウム、チタン、オ
キサイド）膜を形成して表面を導体化し、このＩＴＯ膜
上にニッケル電鋳を行ない、金型を製作することを特徴
とする微細パターン複製用金型の製作方法。 - （２）シリコン基板からなる複製用金型の原盤を製作す
る工程として、シリコン基板上に感光性材料であるフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストにフォトマス
ク上のパターンを露光、現像してフォトレジストのパタ
ーンを形成し、形成後、シリコン基板およびフォトレジ
ストのパターン上にアルミ薄膜を形成し、リフトオフ法
によりフォトレジストのパターンおよびその上のアルミ
薄膜を剥離してアルミ薄膜のパターンを残し、このアル
ミ薄膜のパターンをマスクにしてリアクティブイオンエ
ッチング、若しくはイオンミーリングによりシリコン基
板を所定深さまで加工し、加工後、アルミ薄膜のパター
ンを除去することを特徴とする請求項１記載の微細パタ
ーン複製用金型の製作方法。 - （３）シリコン基板からなる複製用金型の原盤を製作す
る工程として、シリコン基板上にアルミ薄膜を形成し、
このアルミ薄膜上にフォトレジストを塗布し、このフォ
トレジストにフォトマスク上のパターンを露光、現像し
てフォトレジストのパターンを形成し、このフォトレジ
ストパターンをマスクにしてイオンミーリング等により
アルミ薄膜を除去し、次に上記フォトレジストのパター
ンを除去し、残されたアルミ薄膜のパターンをマスクに
してリアクティブイオンエッチング、若しくはイオンミ
ーリングによりシリコン基板を所定深さまで加工し、加
工後、アルミ薄膜のパターンを除去することを特徴とす
る請求項１記載の微細パターン複製用金型の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32265488A JPH02170994A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 微細パターン複製用金型の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32265488A JPH02170994A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 微細パターン複製用金型の製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170994A true JPH02170994A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18146111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32265488A Pending JPH02170994A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 微細パターン複製用金型の製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170994A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020055A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Åmic AB | A method for the manufacturing of a matrix and a matrix manufactured according to the method |
| GB2360971A (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Suisse Electronique Microtech | Technique for microstructuring replication moulds |
| KR100940537B1 (ko) * | 2008-07-11 | 2010-02-11 | (주)대동아이텍 | 금속 패턴 형성 방법 |
| KR20190108748A (ko) * | 2018-03-15 | 2019-09-25 | 연세대학교 산학협력단 | 초발액성 표면 및 이의 제조방법 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP32265488A patent/JPH02170994A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020055A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Åmic AB | A method for the manufacturing of a matrix and a matrix manufactured according to the method |
| US6733682B1 (en) | 1999-09-10 | 2004-05-11 | Amic Ab | Method for the manufacturing of a matrix and a matrix manufactured according to the method |
| GB2360971A (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Suisse Electronique Microtech | Technique for microstructuring replication moulds |
| KR100940537B1 (ko) * | 2008-07-11 | 2010-02-11 | (주)대동아이텍 | 금속 패턴 형성 방법 |
| KR20190108748A (ko) * | 2018-03-15 | 2019-09-25 | 연세대학교 산학협력단 | 초발액성 표면 및 이의 제조방법 |
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