JPH10337734A - 成形型およびその製造方法 - Google Patents

成形型およびその製造方法

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JPH10337734A
JPH10337734A JP9149214A JP14921497A JPH10337734A JP H10337734 A JPH10337734 A JP H10337734A JP 9149214 A JP9149214 A JP 9149214A JP 14921497 A JP14921497 A JP 14921497A JP H10337734 A JPH10337734 A JP H10337734A
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mold
molding
transfer molding
transfer
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JP9149214A
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Hiroyuki Kosuge
洋之 小菅
Yoshiatsu Yokoo
芳篤 横尾
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Hoya Corp
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Hoya Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス製の回折素子をプレス成形によって作
製する際に使用される従来の成形型としては、(i) 型材
料を研削加工して転写パターンを形成したもの、およ
び、(ii)母材上に設けた薄膜を所定形状にパターニング
することによって転写パターンを形成したもの、が知ら
れているが、前者の成形型は製造コストが高く、後者の
成形型は転写パターン自体の寿命が比較的短い。 【解決手段】 型材料にドライエッチングによって所定
形状の転写成形素面を形成して母材を得、前記の転写成
形素面の形状を反映するようにして当該転写成形素面上
に離型膜を成膜することによって成形型を得るか、また
は、ドライエッチングによって型材料自体に転写成形面
を形成して成形型を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプレス成形用の成形
型およびその製造方法、ならびに、回折格子,輪帯板等
のように光の回折を利用して光を分散,偏向もしくは収
束させるために利用される光学素子(以下、この光学素
子を「回折素子」という。)の製造方法に係り、特に、
回折素子をプレス成形によって得るうえで好適な成形型
およびその製造方法ならびに前記の成形型を用いての回
折素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】回折素子は、従来より、その材料に機械
刻線法,2光束干渉法またはエッチング法によって所望
形状の微細パターンを高精度に形成することによって、
または、前記の方法によって得た回折素子をマスターと
して用いたレプリカ法によって製造されている。機械刻
線法ではミクロン単位の加工が困難であることから、ま
た、2光束干渉法やエッチング法はリソグラフィー技術
を利用するため多数の工程を実施する必要があることか
ら、いずれの方法によって回折素子を作製した場合でも
生産コストが高くなる。これに対し、レプリカ法によれ
ば目的とする回折素子をより低コストの下に量産するこ
とができるが、当該レプリカ法によって得ることができ
る回折素子は樹脂製のものである。
【0003】耐久性が高く、かつ、周囲の温度変化に伴
う性能の変動が小さい回折素子を得るうえからは、樹脂
ではなくガラスによって回折素子を作製する方が好まし
い。このため近年では、プレス成形によって低コストの
下にガラス製の回折素子を量産する試みがなされてい
る。ガラス製の回折素子をプレス成形によって得るため
に使用される成形型としては、型材料の所望面を所定形
状に研削加工することによって転写パターンを形成した
成形型の他に、下記(a) および(b) の成形型が知られて
いる。
【0004】(a) 母材の所望面を鏡面研磨し、この鏡面
研磨面の上に所望の薄膜を成膜した後、当該薄膜の表面
(表層部)を所定形状にパターニングすることによって
転写パターンを形成した成形型(特開昭64−5262
0号公報,特開平3−242333号公報および特公平
8−23602号公報参照)。 (b) 母材の所望面上に直接または中間層を介して所望の
薄膜を成膜した後、当該薄膜を所定形状にパターニング
して、パターニング後の薄膜と前記のパターニングによ
って裸出した母材表面または中間層表面とからなる転写
パターンを形成した成形型(特開平4−260621号
公報参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記(a) や(b) の成形
型のように、母材上に設けた薄膜を所定形状にパターニ
ングすることによって転写パターンを形成するようにす
れば、型材料の所望面を研削加工することによって転写
パターンを形成する場合よりも、1つの成形型に形成す
ることができる転写パターンの形状の自由度が高くな
り、また、精度の高い転写パターンをより容易に得るこ
とができる。しかしながら転写パターン自体の寿命は、
型材料自体に形成されたものに比べて短い。
【0006】本発明の第1の目的は、回折素子を作製す
るうえで必要な所望形状の転写パターンを有し、かつ、
この転写パターンの精度が高いと共に当該転写パターン
自体の寿命が長いものを得ることが容易な成形型および
その製造方法を提供することにある。
【0007】また、本発明の第2の目的は、ガラス製の
回折素子をより低コストで製造することができる回折素
子の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
る本発明の成形型は、ドライエッチングによって形成さ
れた所定形状の転写成形素面を有している母材と、前記
の転写成形素面の形状を反映するようにして該転写成形
素面上に成膜されている離型膜とを具備し、前記の離型
膜の表面が転写成形面となっていることを特徴とするも
のである(以下、この成形型を「成形型I」とい
う。)。
【0009】また、上記第1の目的を達成する本発明の
他の成形型は、ドライエッチングによって型材料自体に
形成された転写成形面を有していることを特徴とするも
のである(以下、この成形型を「成形型II」とい
う。)。
【0010】一方、上記第1の目的を達成する本発明の
成形型の製造方法は、型材料に転写成形面の基となる転
写成形素面をドライエッチングによって形成して母材を
得た後、前記の転写成形素面上に該転写成形素面の形状
を反映するようにして離型膜を成膜して、該離型膜の表
面が転写成形面となっている成形型を得ることを特徴と
するものである(以下、この方法を「方法I」とい
う。)。
【0011】また、上記第1の目的を達成する本発明の
成形型の他の製造方法は、型材料にドライエッチングに
よって転写成形面を形成して成形型を得ることを特徴と
するものである(以下、この方法を「方法II」とい
う。)。
【0012】そして、上記第2の目的を達成する本発明
の回折素子の製造方法は、上記の成形型Iもしくは成形
型IIを上型または下型として備えている一組の成形型を
用いたプレス成形によってガラス製の回折素子を作製す
ることを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明の成形型Iについて説明する。本発明の成
形型Iは、上述したように、ドライエッチングによって
形成された所定形状の転写成形素面を有している母材
と、前記の転写成形素面の形状を反映するようにして該
転写成形素面上に成膜されている離型膜とを具備してい
る。
【0014】上記の母材は、所望形状の型材料に上記の
転写成形素面を形成することによって得られるものであ
る。当該母材の材質としては、転写パターンの寿命が長
い成形型を得るうえから、炭化タングステン(WC)を
含有している超硬素材、窒化チタン(TiN),炭化チ
タン(TiC)もしくは酸化アルミニウム(Al23
を含有しているサーメット、炭化ケイ素(SiC)、ガ
ラス状炭素等が好ましく、中でも上記の超硬素材または
上記のサーメットが好ましい。また、前記のサーメット
としては、TiN,TiCもしくはAl23 を概ね9
0wt%以上含有しているものが好ましい。
【0015】母材に形成されている上記の転写成形素面
は、後述の離型膜と共に転写パターンを構成するもので
あり、この転写パターンは、回折素子に必要な微細パタ
ーンを成形材料に形成するためのものである。したがっ
て、前記の転写成形素面の形状は、成形型Iを用いて製
造しようとする回折素子の面形状および当該回折素子に
おける溝形状,溝本数密度,刻線面積等に応じて適宜選
択される。
【0016】この転写成形素面は、前述したように、ド
ライエッチングによって形成されたものである。転写成
形素面がドライエッチングによって形成されたものであ
るのか研削加工によって形成されたものであるのかは、
当該転写成形素面に研削痕あるいは研磨痕があるか否か
によって判別することができる。研削痕あるいは研磨痕
があれば、研削加工によって形成されたものである。ま
た、転写成形素面がドライエッチングによって形成され
たものであるのかウエットエッチングによって形成され
たものであるのかは、エッチングによって形成されたパ
ターンの基部における側面と型材料表面(前記のパター
ンにおける表面を除く。)とがなす角度によって判別す
ることができる。前記の角度がほぼ90゜で立ち上がり
が鋭くなっていれば、ドライエッチングによって形成さ
れたものである。
【0017】ドライエッチングによって転写成形素面を
形成することにより、型材料が前述した超硬素材やサー
メット、SiCあるいはガラス状炭素からなっているも
のであったとしても、目的とする形状の転写成形素面を
高精度に形成することができる。
【0018】成形型Iでは、上述した転写成形素面上に
当該転写成形素面の形状を反映するようにして離型膜が
成膜されており、この離型膜の表面が転写成形面となっ
ている。すなわち、成形型Iにおいては、母材に形成さ
れている転写成形素面と当該転写成形素面上に形成され
ている前記の離型膜とによって転写パターンが構成され
ている。
【0019】上記の離型膜は、プレス成形時に成形型と
成形材料(プリフォーム)とが融着するのを防止するた
めのものであり、当該離型膜としては、母材の材質,成
形材料の材質等に応じて種々の組成のものが利用され
る。成形型とガラスからなる成形材料との融着を防止す
るための離型膜としては、例えば、Pt,Au,Ir,
PdおよびRhからなる群より選択された少なくとも1
種の成分を含有している膜や、i−カーボンからなる膜
を用いることができる。
【0020】離型膜の膜厚は、成形型と成形材料との融
着を防止することができるように、かつ、前記の転写成
形素面の形状が当該離型膜に反映されるように、目的と
する成形型の用途,転写成形素面の表面形状,離型膜の
材質,目的とする転写パターンの形状等に応じて適宜選
択される。ただし、当該離型膜の膜厚は最低でも概ね
0.03μm以上とすることが実用上好ましい。
【0021】以上説明した母材および離型膜を具備して
いる本発明の成形型Iは、所定の成形型と組み合わされ
て、プレス成形によって回折素子を得るうえで必要な一
組の成形型(上型と下型からなるもの、または、上型と
下型と胴型からなるもの等。下型または上型が平板であ
るものを含む。)を構成する。このとき、前記一組の成
形型を構成する成形型それぞれの型材料の材質は、同じ
であってもよいし異なっていてもよい。また、当該一組
の成形型を構成する成形型のそれぞれは、成形型Iを除
いて、離型膜を有しているものであってもよいし有して
いないものであってもよい。
【0022】回折素子の面形状は、その用途等に応じて
平面,凹面または非球面となるので、目的とする形状の
回折素子が得られるように、上記一組の成形型を構成す
る各成形型の形状(各成形型における転写成形面の形
状)を適宜選択する。
【0023】本発明の成形型Iにおいては、母材自体に
転写成形素面が形成されており、この転写成形素面と当
該転写成形素面上に成膜された離型膜とによって転写パ
ターンが構成されている。このため、母材上に設けた薄
膜を所定形状にパターニングすることによって転写パタ
ーンを形成した従来の成形型に比べて、転写パターン自
体の寿命が長い成形型を得ることが容易である。
【0024】また、上記従来の成形型において転写パタ
ーン(パターニングした後の薄膜)が剥離を起こした場
合には、剥離を起こした転写パターンを除去した後に前
記の薄膜を成膜し、この薄膜を更にリソグラフィー法等
によってパターニングしなければ成形型を再生させるこ
とができないが、本発明の成形型Iでは、当該成形型I
を構成している離型膜に仮に剥離が起きたとしても、剥
離を起こした離型膜を除去した後に離型膜を単に成膜す
れば成形型Iを再生させることが可能であり、その際に
リソグラフィー法等によるパターニングは不要であるの
で、その再生が容易である。
【0025】さらに、本発明の成形型Iではドライエッ
チングによって転写成形素面を形成しているので、型材
料を研削加工して転写成形素面を形成する場合に比べ
て、1つの成形型に形成することができる転写成形素面
の形状の自由度、ひいては転写パターンの形状の自由度
が高くなり、また、精度の高い転写パターンをより容易
に得ることができる。上述した利点を有する本発明の成
形型Iは、例えば後述する本発明の方法Iによって製造
することができる。
【0026】次に、本発明の成形型IIについて説明す
る。本発明の成形型IIは、前述したように、ドライエッ
チングによって型材料自体に形成された転写成形面を有
していることを特徴とするものである。
【0027】この成形型IIは、前述した成形型Iと異な
り離型膜を具備していないので、当該成形型IIの型材料
としては、プレス成形時に成形材料(ガラス)と融着を
起こしにくく、かつ、転写パターン(転写成形面の形
状)の寿命が長い成形型が得られる材料からなるものを
用いることが好ましい。このような型材料の材質の具体
例としてはガラス状炭素が挙げられる。
【0028】成形型IIにおける転写成形面の形状は、離
型膜を具備していない分、前述した成形型Iにおける転
写成形素面の形状と異なる。しかしながらこの点を除け
ば、成形型IIは型材料として離型膜が不要なもの(ガラ
ス状炭素)を用いた成形型Iと実質的に同じであるの
で、ここではその説明を省略する。
【0029】以上説明した本発明の成形型IIは、前述し
た成形型Iと同様に、所定の成形型と組み合わされて、
プレス成形によって回折素子を得るうえで必要な一組の
成形型(上型と下型からなるもの、または、上型と下型
と胴型からなるもの等。下型または上型が平板であるも
のを含む。)を構成する。このとき、前記一組の成形型
を構成する成形型それぞれの型材料の材質は、同じであ
ってもよいし異なっていてもよい。また、当該一組の成
形型を構成する成形型のそれぞれは、成形型IIを除い
て、離型膜を有しているものであってもよいし有してい
ないものであってもよい。
【0030】回折素子の面形状は、その用途等に応じて
平面,凹面または非球面となるので、目的とする形状の
回折素子が得られるように、上記一組の成形型を構成す
る各成形型の形状(各成形型における転写成形面の形
状)を適宜選択する。
【0031】本発明の成形型IIにおいては型材料自体に
転写成形面が形成されているので、母材上に設けた薄膜
を所定形状にパターニングすることによって転写パター
ンを形成した従来の成形型に比べて、転写パターン自体
の寿命が長い成形型を得ることが容易である。
【0032】また、本発明の成形型IIではドライエッチ
ングによって転写成形面を形成しているので、型材料を
研削加工して転写成形面を形成する場合に比べて、1つ
の成形型に形成することができる転写成形面の形状の自
由度が高くなり、また、精度の高い転写パターンをより
容易に得ることができる。上述した利点を有する本発明
の成形型Iは、例えば後述する本発明の方法IIによって
製造することができる。
【0033】次に、本発明の方法Iについて説明する。
本発明の方法Iは、前述したように、型材料に転写成形
面の基となる転写成形素面をドライエッチングによって
形成して母材を得た後、前記の転写成形素面上に該転写
成形素面の形状を反映するようにして離型膜を成膜し
て、該離型膜の表面が転写成形面となっている成形型を
得ることを特徴とするものである。
【0034】この方法Iは、前述した成形型Iを得るた
めの方法であるので、型材料としては超硬素材やサーメ
ット(成形型Iについての説明の中で述べたもの)ある
いはSiCからなるものを用いることが好ましい。勿
論、ガラス状炭素からなる型材料を用いることもでき
る。
【0035】ドライエッチングによって型材料に転写成
形素面を形成するにあたっては、型材料の表面のうちで
少なくとも前記の転写成形素面を形成しようとする箇所
を予め平面に加工し、この後、当該平面上に所望形状の
レジストパターンを設け、このレジストパターンをマス
クとして利用してドライエッチングを行うことが好まし
い。転写成形素面の形状は、成形型Iについての説明の
中で述べたように、当該成形型Iを用いて製造しようと
する回折素子の面形状および当該回折素子における溝形
状,溝本数密度,刻線面積等に応じて適宜選択される。
【0036】転写成形素面はできるだけ高精度に形成す
ることが好ましく、そのためには型材料の材質に応じて
そのドライエッチング条件を適宜選択する。型材料が前
述した超硬素材やサーメットからなるものである場合に
は、希ガス(Arガス等),フッ化炭素系の単体ガス
(CF4 ガス等)および塩素系の単体ガス(Cl2 ガス
等)からなる群より選択された1種または複数種をドラ
イエッチング用のエッチングガスとして用いることが好
ましい。また、型材料がSiCやガラス状炭素からなる
ものである場合には、上記の希ガス,上記フッ化炭素系
の単体ガスまたは上記塩素系の単体ガスをドライエッチ
ング用のエッチングガスとして用いることが好ましい。
【0037】上述したドライエッチングによって形成さ
れた転写成形素面の形状を反映するようにして当該転写
成形素面上に成膜される離型膜としては、成形型Iにつ
いての説明の中で述べたように、母材の材質,成形材料
の材質等に応じて種々の組成のものが利用される。成形
型とガラスからなる成形材料との融着を防止するための
離型膜としては、例えば、Pt,Au,Ir,Pdおよ
びRhからなる群より選択された少なくとも1種の成分
を含有している膜や、i−カーボンからなる膜を用いる
ことができる。
【0038】離型膜は、例えばスパッタリング法,イオ
ンプレーティング法,CVD法等の方法によって成膜す
ることができる。このときの離型膜の膜厚は、当該離型
膜に転写成形素面の形状が反映された所望の転写パター
ンが得られるように、かつ、成形型とガラスからなる成
形材料との融着を防止することができるように、目的と
する成形型の用途,転写成形素面の表面形状,離型膜の
材質,目的とする転写パターンの形状等に応じて適宜選
択される。ただし、当該離型膜の膜厚は最低でも概ね
0.03μm以上とすることが実用上好ましい。上述し
たようにして離型膜まで形成することにより、目的とす
る成形型Iを得ることができる。
【0039】以上説明した本発明の方法Iでは、転写成
形素面をドライエッチングによって形成するので、型材
料を研削加工して転写成形素面を形成する場合に比べ
て、1つの成形型に形成することができる転写成形素面
の形状の自由度、ひいては転写パターンの形状の自由度
が高くなり、また、精度の高い転写パターンをより容易
に得ることができる。
【0040】また、型材料自体に転写成形素面を形成し
て母材を得、前記の転写成形素面と当該転写成形素面上
に成膜された離型膜とによって転写パターンを構成して
いるので、母材上に設けた薄膜を所定形状にパターニン
グすることによって転写パターンを形成した従来の成形
型に比べて、転写パターン自体の寿命が長い成形型を容
易に得ることができる。
【0041】次に、本発明の方法IIについて説明する。
本発明の方法IIは、前述したように、成形型の型材料に
ドライエッチングによって転写成形面を形成して成形型
を得ることを特徴とするものである。
【0042】方法IIは型材料自体に転写成形面(転写パ
ターン)を形成して成形型(前述した本発明の成形型I
I)を得る方法であるので、型材料としてはガラス状炭
素からなるものを用いることが好ましい。勿論、前述し
た超硬素材やサーメットあるいはSiCからなる型材料
を用いることもできる。
【0043】方法IIによって得ようとする成形型IIは、
前述のように離型膜を具備していないので、その分、当
該成形型IIにおける転写成形面の形状は前述した成形型
Iにおける転写成形素面の形状と異なる。しかしなが
ら、この点を除けば、方法IIにおける転写成形面の形成
は、型材料として離型膜が不要なもの(ガラス状炭素)
を用いて前述した方法Iによって成形型Iを製造する際
における転写成形素面の形成と実質的に同じであるの
で、ここではその説明を省略する。
【0044】以上説明した本発明の方法IIでは、転写成
形面をドライエッチングによって形成するので、型材料
を研削加工して転写成形面を形成する場合に比べて、1
つの成形型に形成することができる転写成形面の形状の
自由度、ひいては転写パターンの形状の自由度が高くな
り、また、精度の高い転写パターンをより容易に得るこ
とができる。
【0045】また、型材料自体に転写成形面(転写パタ
ーン)を形成しているので、母材上に設けた薄膜を所定
形状にパターニングすることによって転写パターンを形
成した従来の成形型に比べて、転写パターン自体の寿命
が長い成形型を容易に得ることができる。
【0046】次に、本発明の回折素子の製造方法につい
て説明する。本発明の回折素子の製造方法は、前述した
ように、本発明の成形型Iもしくは成形型IIを上型また
は下型として備えている一組の成形型を用いたプレス成
形によってガラス製の回折素子を作製することを特徴と
するものである。
【0047】この方法で使用する一組の成形型(上型と
下型からなるもの、または、上型と下型と胴型からなる
もの等。下型または上型が平板であるものを含む。)
は、上型または下型が前述した本発明の成形型Iもしく
は成形型IIからなっているものであればよく、当該一組
の成形型を構成する各成形型の形状(各成形型における
転写成形面の形状)は、目的とする回折素子の形状に応
じて適宜選択される。また、一組の成形型を構成する成
形型それぞれの型材料の材質は、同じであってもよいし
異なっていてもよい。さらに、当該一組の成形型を構成
する成形型のそれぞれは、成形型Iおよび成形型IIを除
いて、離型膜を有しているものであってもよいし有して
いないものであってもよい。
【0048】ガラス製の回折素子の製造は、プレス成形
に必要な一組の成形型として上記のものを用いる以外は
従来と同様にして行うことができる。すなわち、前記一
組の成形型によって形成されるキャビティ内に所望組成
のガラスからなる成形材料(プリフォーム)を置き、こ
の成形材料を当該成形材料が変形可能な温度まで加熱し
た後、この状態下で成形型それぞれの表面形状(各成形
型の転写成形面の形状)が成形材料に転写されるように
所定方向から加圧し、冷却後に前記一組の成形型のキャ
ビティ内からプレス成形品を取り出すことにより行うこ
とができる。
【0049】本発明の回折素子の製造方法では前述した
本発明の成形型Iまたは成形型IIを用い、これらの成形
型I,IIは、前述したように、母材上に設けた薄膜を所
定形状にパターニングすることによって転写パターンを
形成した従来の成形型に比べて転写パターン自体の寿命
が長い成形型を得ることが容易なものである。また、成
形型I,IIは、型材料を研削加工して転写成形素面また
は転写成形面を形成した従来の成形型に比べて、1つの
成形型に形成することができる転写成形素面または転写
成形面の形状の自由度が高く、精度の高い転写パターン
をより容易に得ることができるものである。したがっ
て、本発明の回折素子の製造方法によれば所望形状を有
するガラス製の回折素子をより低コストで製造すること
が可能になる。
【0050】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。 実施例1 (1)方法Iによる第1の成形型の作製 まず、WCを含有している超硬素材からなる型材料を用
意した。当該型材料は直径76.3mm,厚さ2.0m
m,表面最大粗さ100オングストロームの円板状を呈
する。次に、この型材料の片面にスピンコート法によっ
てポジ型フォトレジスト(ヘキスト社製のAZ135
0)を塗布して、図1(a)に示すように、当該型材料
1の片面に膜厚4.0μmのレジスト膜2を形成した。
【0051】次いで、このレジスト膜2上に所定形状の
フォトマスク、すなわち、線幅12.5μmの遮光部が
所定のパターンで設けられているフォトマスクを前記の
遮光部がレジスト膜2側に位置するようにして密着させ
た。そして、上記のフォトマスク側から前記のレジスト
膜2へ紫外線を照射(照射量は25mW/cm2 )する
ことによって当該レジスト膜2を露光し、露光後のレジ
スト膜2を所定の現像液(ヘキスト社製のAZデベロッ
パー液)に90秒間浸漬することによって現像した。
【0052】上記の現像によりレジスト膜2のうちで露
光された部分が溶解除去され、図1(b)に示すよう
に、露光されなかった部分(フォトマスクに形成されて
いる遮光部によって紫外線が遮られた部分)からなる所
定形状のレジストパターン3が形成された。
【0053】各レジストパターン3を120℃で60分
間ポストベークした後、これらのレジストパターン3を
マスクとして利用して、型材料1の片面を10分間ドラ
イエッチングした。このドライエッチングは誘導放電型
リアクティブエッチング装置を用いて行い、エッチング
ガスとしてはArガスとCF4 ガスを用いた。また、エ
ッチング条件はコイルバイアス600W,基板バイアス
600W,Arガス流量20.0sccm,CF4 ガス
流量10.0sccm,圧力5.0mTorrとした。
【0054】上記条件のドライエッチングにより、各レ
ジストパターン3は0.08μm/分のエッチング速度
でエッチングされ、レジストパターン3を設けた側の型
材料1の表面はレジストパターン3によって保護されて
いる部分を除いて0.03μm/分のエッチング速度で
エッチングされた。
【0055】この後、所定の剥離液を用いて上記ドライ
エッチング後のレジストパターン3を剥離して、目的と
する第1の成形型用の母材を得た。図1(c)に示すよ
うに、この母材4の片面には幅12.5μm,深さ0.
3μmの溝4aが所定のパターンで形成されおり、当該
母材4においては前記の溝4aが形成されている側の面
が転写成形素面5となっている。
【0056】次に、上記の母材4における転写成形素面
5上に、RFスパッタリング装置を用いてAu,Ptお
よびIrからなる膜厚0.1μmの離型膜を成膜した。
このとき、雰囲気ガス(Arガス)流量を20.0sc
cmとし、雰囲気圧を1.0Pa、RFバイアスを30
0Wとしてスパッタリングを行った。
【0057】上記の離型膜まで成膜することにより、本
発明の成形型Iの1つである第1の成形型が得られた。
図1(d)に示すように、上記第1の成形型7は、前述
した母材4と、この母材4における転写成形素面5上に
成膜されている離型膜6とを具備しており、これらの転
写成形素面5および離型膜6によって転写パターンが構
成されている。離型膜6には転写成形素面5の形状が反
映されており、当該離型膜6の表面6aが第1の形成型
7における転写成形面となっている。
【0058】(2)第2の成形型の作製 まず、第2の成形型用の母材として、WCを含有してい
る超硬素材からなる直径76.3,厚さ2.0mm,表
面最大粗さ100オングストロームの円板状物を用意し
た。次に、この母材の片面に、上記第1の成形型を得る
場合と同条件のスパッタリング法によってAu,Ptお
よびIrからなる膜厚0.1μmの離型膜を成膜した。
この離型膜を成膜することにより、目的とする第2の成
形型が得られた。上記第2の成形型においては、母材の
片面に設けられている離型膜の表面が転写成形面として
機能する。前述した第1の成形型と上述した第2の成形
型とを組み合わせることにより、これら2つの成形型か
らなるサイドフリー型の成形型を得ることができる。
【0059】(3)第3の成形型の作製 WCを含有している超硬素材からなるブロックを所定の
大きさの円筒状物に切削・研磨加工して母材を得た後、
この母材の内側表面に、上記第1の成形型7を得る場合
と同条件のスパッタリング法によってAu,Ptおよび
Irからなる膜厚0.1μmの離型膜を成膜して、目的
とする第3の成形型を得た。当該第3の成形型は、上記
第1の成形型および第2の成形型を所定のクリアランス
の下に挿入することができるだけの内寸を有しており、
この成形型においては、母材の内側表面に設けられてい
る離型膜の表面が転写成形面として機能する。前述した
第1の成形型および第2の成形型と上述した第3の成形
型とを組み合わせることにより、上型(第1の成形型ま
たは第2の成形型),下型(第2の成形型または第1の
成形型)および胴型(第3の成形型)の3つの成形型か
らなる一組の成形型を得ることができる。
【0060】(4)プレス成形 まず、前記(1)で作製した第1の成形型と上記(2)
で作製した第2の成形型とによって一組の成形型を構成
し、第1の成形型をその転写成形面が下面となるように
してプレス成形機の上型ホルダーに、また、第2の成形
型をその転写成形面が上面となるようにしてプレス成形
機の下型ホルダーにそれぞれ固定した。そして、下型
(第2の成形型)上に直径60.0mm,厚さ2.0m
mの円板状を呈する青板ガラスからなる成形材料(プリ
フォーム)を置き、真空中において上型(第1の成形
型)温度660℃,下型(第2の成形型)温度630
℃,プレス圧力170kg/cm2 ,プレス時間120
秒の条件でプレス成形を行って、平面視上の形状が直径
60.5mmの円形である平板状の回折格子を得た。
【0061】図2にその概略を示すように、上記の回折
格子10の片面には、幅12.5μm,深さ0.3μm
の溝が25μmピッチで所定本数形成されてなる所定長
のラミナー格子部11が計100組形成されており、各
ラミナー格子部11を構成している溝の精度は、幅1
2.5μm±1%、深さ0.3μm±3%である。
【0062】また、上記第1の成形型,第2の成形型お
よび第3の成形型によって一組の成形型を構成し、第1
の成形型を上型として用い、第2の成形型を下型として
用い、第3の成形型を胴型として用いた以外は上記と同
様にしてプレス成形を行ったところ、上記と同様の回折
格子を得ることができた。
【0063】実施例2 (1)方法IIによる第1の成形型の作製 まず、WCを主成分とし、バインダー成分を含有してい
ない超硬素材からなる型材料を用意した。この型材料は
縦50.0mm,横50.0mm,厚さ3.0mm,表
面最大粗さ80オングストロームの平板状を呈する。次
いで、この型材料の片面にスピンコート法によってネガ
型電子線レジスト(日本ゼオン社製のZEP7000)
を塗布して、当該型材料の片面に膜厚1.3μmの樹脂
層を形成した。
【0064】次に、電子ビーム(照射量は55μC/c
2 )によって前記の樹脂層に所定個の輪帯パターンを
描画し、電子ビーム描画した後の樹脂層を所定の現像液
(日本ゼオン社製のZEP500)に90秒間浸漬する
ことによって現像した。上記の現像により樹脂層のうち
で電子ビーム描画されなかった部分が溶解除去され、電
子ビーム描画された部分からなるレジストパターンが形
成された。
【0065】各レジストパターンを200℃で30分間
ポストベークした後、これらのレジストパターンをマス
クとして利用して型材料の片面を10分間ドライエッチ
ングした。このドライエッチングは誘導放電型リアクテ
ィブエッチング装置を用いて行い、エッチングガスとし
てはArガスとCl2 ガスとを用いた。また、エッチン
グ条件はコイルバイアス600W,基板バイアス300
W,Arガス流量30.0sccm,Cl2 ガス流量1
0.0sccm,圧力5.0mTorrとした。
【0066】上記条件のドライエッチングにより各レジ
ストパターンは0.06μm/分のエッチング速度でエ
ッチングされ、レジストパターンを設けた側の型材料の
表面は、レジストパターンによって保護されている部分
を除いて0.02μm/分のエッチング速度でエッチン
グされた。
【0067】この後、所定の剥離液を用いて上記ドライ
エッチング後のレジストパターンを剥離して、目的とす
る第1の成形型用の母材を得た。この母材の片面には幅
2.5μm,深さ0.2μmの環状の溝が所定のパター
ンで形成されており、当該母材においては前記の溝が形
成されている側の面が転写成形素面となっている。
【0068】次に、上記の母材における転写成形素面上
に、RFスパッタリング装置を用いてAu,Pt,Pd
およびRhからなる膜厚0.1μmの離型膜を成膜し
た。このとき、雰囲気ガス(Arガス)流量を20.0
sccmとし、雰囲気圧を1.0Pa、RFバイアスを
300Wとしてスパッタリングを行った。
【0069】上記の離型膜まで成膜することにより、本
発明の成形型Iの1つである第1の成形型が得られた。
当該第1の成形型は、前述した母材と、この母材におけ
る転写成形素面上に成膜されている離型膜とを具備して
おり、これらの転写成形素面および離型膜によって転写
パターンが構成されている。離型膜には転写成形素面の
形状が反映されており、当該離型膜の表面が第1の形成
型における転写成形面となっている。
【0070】(2)第2の成形型の作製 まず、第2の成形型用の母材として、上記(1)で使用
した型材料と同じ材質の超硬素材からなる縦50.0m
m,横50.0mm,厚さ3.0mm,表面最大粗さ8
0オングストロームの平板状物を用意した。次に、この
母材の片面に、上記第1の成形型を得る場合と同条件の
スパッタリング法によってAu,Pt,PdおよびRh
からなる膜厚0.1μmの離型膜を成膜した。この離型
膜を成膜することにより、目的とする第2の成形型が得
られた。上記第2の成形型においては、母材の片面に設
けられている離型膜の表面が転写成形面として機能す
る。前述した第1の成形型と上述した第2の成形型とを
組み合わせることにより、これら2つの成形型からなる
サイドフリー型の成形型を得ることができる。
【0071】(3)第3の成形型の作製 上記(1)で使用した型材料と同じ材質の超硬素材から
なるブロックを所定の大きさの筒状物に切削・研磨加工
して母材を得た後、この母材の内側表面に、上記第1の
成形型を得る場合と同条件のスパッタリング法によって
Au,Pt,PrおよびRhからなる膜厚0.1μmの
離型膜を成膜して、目的とする第3の成形型を得た。当
該第3の成形型は、上記第1の成形型および第2の成形
型を所定のクリアランスの下に挿入することができるだ
けの内寸を有しており、この成形型においては、母材の
内側表面に設けられている離型膜の表面が転写成形面と
して機能する。前述した第1の成形型および第2の成形
型と上述した第3の成形型とを組み合わせることによ
り、上型(第1の成形型または第2の成形型),下型
(第2の成形型または第1の成形型)および胴型(第3
の成形型)の3つの成形型からなる一組の成形型を得る
ことができる。
【0072】(4)プレス成形 上記第1の成形型と第2の成形型とによって一組の成形
型を構成し、N5(ホーヤ(株)製の硝材)からなる5
0.0×50.0×2.0mmのプリフォームを用い、
かつ、プレス圧力を160kg/cm2 とした以外は実
施例1(4)におけるのと全く同じ要領でプレス成形を
行って、平面視上の形状が50.2×50.2mmの矩
形で、厚さが1.9mmである平板状の輪帯板を得た。
【0073】図3にその概略を示すように、上記の輪帯
板20の片面には計64個の輪帯パターン21がマトリ
ックス状に形成されている。個々の輪帯パターン21は
所定ピッチで同心円状に形成された計100個の環状溝
22によって形成されており、各環状溝22の線幅は
2.5μm,深さは0.2μmである。また、各輪帯パ
ターン21を構成している環状溝22の精度は、幅2.
5μm±4%、深さ0.2μm±3%である。
【0074】上記第1の成形型,第2の成形型および第
3の成形型によって一組の成形型を構成し、第1の成形
型を上型として用い、第2の成形型を下型として用い、
第3の成形型を胴型として用いた以外は上記と同様にし
てプレス成形を行ったところ、上記と同様の輪帯板を得
ることができた。
【0075】実施例3 (1)方法IIによる第1の成形型の作製 まず、ガラス状炭素からなる型材料を用意した。当該型
材料は直径76.3mm,厚さ2.0mm,表面最大粗
さ120オングストロームの円板状を呈する。次に、こ
の型材料の片面にスピンコート法によってポジ型フォト
レジスト(ヘキスト社製のAZ1350)を塗布して、
当該型材料の片面に膜厚3.0μmのレジスト膜を形成
した。
【0076】次いで、このレジスト膜上に所定形状のフ
ォトマスク、すなわち、線幅30μmの遮光部が所定の
パターンで設けられているフォトマスクを前記の遮光部
がレジスト膜側に位置するようにして密着させた。そし
て、上記のフォトマスク側から前記のレジスト膜へ紫外
線を照射(照射量は25mW/cm2 )することによっ
て当該レジスト膜を露光し、露光後のレジスト膜を所定
の現像液(ヘキスト社製のAZデベロッパー液)に90
秒間浸漬することによって現像した。
【0077】上記の現像によりレジスト膜のうちで露光
された部分が溶解除去され、露光されなかった部分(フ
ォトマスクに形成されている遮光部によって紫外線が遮
られた部分)からなる所定形状のレジストパターンが形
成された。
【0078】各レジストパターンを120℃で60分間
ポストベークした後、これらのレジストパターン3をマ
スクとして利用して、型材料の片面を5分間ドライエッ
チングした。このドライエッチングは誘導放電型リアク
ティブエッチング装置を用いて行い、エッチングガスと
してはCF4 ガスを用いた。また、エッチング条件はコ
イルバイアス600W,基板バイアス300W,CF4
ガス流量20.0sccm,圧力5.0mTorrとした。
【0079】上記条件のドライエッチングにより、各レ
ジストパターンは0.55μm/分のエッチング速度で
エッチングされ、レジストパターンを設けた側の型材料
の表面はレジストパターンによって保護されている部分
を除いて0.08μm/分のエッチング速度でエッチン
グされた。
【0080】この後、所定の剥離液を用いて上記ドライ
エッチング後のレジストパターンを剥離して、本発明の
成形型IIの1つである目的とする第1の成形型を得た。
当該第1の成形型の片面には幅30μm,深さ0.4μ
mの溝が所定のパターンで形成されおり、この成形型に
おいては前記の溝が形成されている側の面が転写成形面
となっている。
【0081】(2)第2の成形型の作製 ガラス状炭素のブロックを直径76.3mm,厚さ2.
0mm,表面最大粗さ120オングストロームの円板状
物に切削・研磨して、目的とする第2の成形型を得た。
当該第2の成形型においては、一方の主表面が転写成形
面として機能する。前述した第1の成形型と上述した第
2の成形型とを組み合わせることにより、これら2つの
成形型からなるサイドフリー型の成形型を得ることがで
きる。
【0082】(3)第3の成形型の作製 ガラス状炭素からなるブロックを所定の大きさの円筒状
物に切削・研磨加工して目的とする第3の成形型を得
た。当該第3の成形型は、上記第1の成形型および第2
の成形型を所定のクリアランスの下に挿入することがで
きるだけの内寸を有しており、この成形型においては内
側表面が転写成形面として機能する。前述した第1の成
形型および第2の成形型と上述した第3の成形型とを組
み合わせることにより、上型(第1の成形型または第2
の成形型),下型(第2の成形型または第1の成形型)
および胴型(第3の成形型)の3つの成形型からなる一
組の成形型を得ることができる。
【0083】(4)プレス成形 上記第1の成形型と第2の成形型とによって一組の成形
型を構成し、上型(第1の成形型)温度を670℃、下
型(第2の成形型)温度を640℃、プレス圧力を16
0kg/cm2 とした以外は実施例1(4)におけるの
と全く同じ要領でプレス成形を行って、平面視上の形状
が直径60.0mmの円形である平板状の回折格子を得
た。上記の回折格子の片面には、幅30μm,深さ0.
4μmの溝が60μmピッチで所定本数形成されてなる
所定長のラミナー格子部が計50組形成されており、各
ラミナー格子部を構成している溝の精度は、幅30.0
μm±1%、深さ0.4μm±3%である。
【0084】また、上記第1の成形型,第2の成形型お
よび第3の成形型によって一組の成形型を構成し、第1
の成形型を上型として用い、第2の成形型を下型として
用い、第3の成形型を胴型として用いた以外は上記と同
様にしてプレス成形を行ったところ、上記と同様の回折
格子を得ることができた。
【0085】実施例4 (1)方法IIによる第1の成形型の作製 まず、ガラス状炭素からなる型材料を用意した。この型
材料は縦50.0mm,横50.0mm,厚さ2.0m
m,表面最大粗さ120オングストロームの平板状を呈
する。次いで、この型材料の片面にスピンコート法によ
ってネガ型電子線レジスト(日本ゼオン社製のZEP7
000)を塗布して、当該型材料の片面に膜厚1.5μ
mの樹脂層を形成した。
【0086】次に、電子ビーム(照射量は55μC/c
2 )によって前記の樹脂層に所定個の輪帯パターンを
描画し、電子ビーム描画した後の樹脂層を所定の現像液
(日本ゼオン社製のZEP500)に90秒間浸漬する
ことによって現像した。上記の現像により樹脂層のうち
で電子ビーム描画されなかった部分が溶解除去され、電
子ビーム描画された部分からなるレジストパターンが形
成された。
【0087】各レジストパターンを200℃で30分間
ポストベークした後、これらのレジストパターンをマス
クとして利用して型材料の片面を10分間ドライエッチ
ングした。このドライエッチングは誘導放電型リアクテ
ィブエッチング装置を用いて行い、エッチングガスとし
てはArガスを用いた。また、エッチング条件はコイル
バイアス600W,基板バイアス300W,Arガス流
量20.0sccm,圧力5.0mTorrとした。
【0088】上記条件のドライエッチングにより各レジ
ストパターンは0.11μm/分のエッチング速度でエ
ッチングされ、レジストパターンを設けた側の型材料の
表面は、レジストパターンによって保護されている部分
を除いて0.09μm/分のエッチング速度でエッチン
グされた。
【0089】この後、所定の剥離液を用いて上記ドライ
エッチング後のレジストパターンを剥離して、本発明の
成形型IIの1つである目的とする第1の成形型を得た。
当該第1の成形型の片面には線幅3.0μm,深さ0.
9μmの環状溝が所定のパターンで形成されおり、この
成形型においては前記の溝が形成されている側の面が転
写成形面となっている。
【0090】(2)第2の成形型の作製 ガラス状炭素のブロックを縦50.0mm,横50.0
mm,厚さ2.0mm,表面最大粗さ120オングスト
ロームの平板状物に切削・研磨して、目的とする第2の
成形型を得た。当該第2の成形型においては、一方の主
表面が転写成形面として機能する。前述した第1の成形
型と上述した第2の成形型とを組み合わせることによ
り、これら2つの成形型からなるサイドフリー型の成形
型を得ることができる。
【0091】(3)第3の成形型の作製 ガラス状炭素からなるブロックを所定の大きさの筒状物
に切削・研磨加工して、目的とする第3の成形型を得
た。当該第3の成形型は、上記第1の成形型および第2
の成形型を所定のクリアランスの下に挿入することがで
きるだけの内寸を有しており、この成形型においては内
側表面が転写成形面として機能する。前述した第1の成
形型および第2の成形型と上述した第3の成形型とを組
み合わせることにより、上型(第1の成形型または第2
の成形型),下型(第2の成形型または第1の成形型)
および胴型(第3の成形型)の3つの成形型からなる一
組の成形型を得ることができる。
【0092】(4)プレス成形 上記第1の成形型と第2の成形型とによって一組の成形
型を構成し、N5(ホーヤ(株)製の硝材)からなるプ
リフォームの大きさを40.0×40.0×2.0mm
とし、かつ、上型(第1の成形型)温度を620℃とし
た以外は実施例2(4)におけるのと全く同じ要領でプ
レス成形を行って、平面視上の形状が40.1×40.
1mmの矩形で、厚さが1.9mmである平板状の輪帯
板を得た。上記の輪帯板の片面には計150個の輪帯パ
ターンがマトリックス状に形成されている。個々の輪帯
パターンは所定ピッチで同心円状に形成された所定個の
環状溝によって形成されており、各環状溝の線幅は3.
0μm,深さは0.9μmである。また、各輪帯パター
ン21を構成している環状溝の精度は、幅3.0μm±
3%、深さ0.9μm±3%である。
【0093】上記第1の成形型,第2の成形型および第
3の成形型によって一組の成形型を構成し、第1の成形
型を上型として用い、第2の成形型を下型として用い、
第3の成形型を胴型として用いた以外は上記と同様にし
てプレス成形を行ったところ、上記と同様の輪帯板を得
ることができた。
【0094】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成形型I
または成形型IIは、回折素子を作製するうえで必要な所
望形状の転写パターンを有し、かつ、この転写パターン
の精度が高いと共に当該転写パターン自体の寿命が長い
ものを得ることが容易な成形型であるので、当該成形型
Iまたは成形型IIを用いることにより、ガラス製の回折
素子をより低コストで提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は実施例1において第1の成形型(本発明
の成形型Iの1つ)を製造する過程の概略を示す断面図
であり、図1(a)はドライエッチング用のレジストパ
ターンの材料となるレジスト膜を形成した後の型材料の
概略を示す断面図、図1(b)はレジストパターンを形
成した後の型材料の概略を示す断面図、図1(c)は転
写成形素面を形成した後の型材料(母材)の概略を示す
断面図、第1図(d)は製造した第1の成形型の概略を
示す断面図である。
【図2】図2は実施例1で作製した回折格子の概略を示
す平面図である。
【図3】図3は実施例2で作製した輪帯板の概略を示す
平面図である。
【符号の説明】
1…型材料、 4…母材、 5…転写成形素面、 6…
離型膜、 6a…転写成形面、 7…第1の成形型(成
形型I)、 10…回折格子、 11…ラミナー格子
部、 20…輪帯板、 21…輪帯パターン。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ドライエッチングによって形成された所
    定形状の転写成形素面を有している母材と、前記の転写
    成形素面の形状を反映するようにして該転写成形素面上
    に成膜されている離型膜とを具備し、前記の離型膜の表
    面が転写成形面となっていることを特徴とする成形型。
  2. 【請求項2】 母材が(1) WCを含有している超硬素
    材、または、(2) TiN,TiCもしくはAl23
    含有しているサーメットからなる、請求項1に記載の成
    形型。
  3. 【請求項3】 離型膜が(i) Pt,Au,Ir,Pdお
    よびRhからなる群より選択された少なくとも1種の成
    分を含有している膜、または(ii)i−カーボン膜からな
    る、請求項1または請求項2に記載の成形型。
  4. 【請求項4】 ドライエッチングによって型材料自体に
    形成された転写成形面を有していることを特徴とする成
    形型。
  5. 【請求項5】 ガラス状炭素からなる、請求項4に記載
    の成形型。
  6. 【請求項6】 型材料に転写成形面の基となる転写成形
    素面をドライエッチングによって形成して母材を得た
    後、前記の転写成形素面上に該転写成形素面の形状を反
    映するようにして離型膜を成膜して、該離型膜の表面が
    転写成形面となっている成形型を得ることを特徴とする
    成形型の製造方法。
  7. 【請求項7】 (1) WCを含有している超硬素材、また
    は(2) TiN,TiCもしくはAl23 を含有してい
    るサーメットからなる型材料を用い、該型材料にドライ
    エッチングによって転写成形素面を形成して母材を得る
    にあたって、エッチングガスとして希ガス,フッ化炭素
    系の単体ガスおよび塩素系の単体ガスからなる群より選
    択される1種または複数種を用いる、請求項6に記載の
    方法。
  8. 【請求項8】 (i) Pt,Au,Ir,PdおよびRh
    からなる群より選択された少なくとも1種の成分を含有
    している膜、または(ii)i−カーボン膜からなる離型膜
    を成膜する、請求項6または請求項7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 型材料にドライエッチングによって転写
    成形面を形成して成形型を得ることを特徴とする成形型
    の製造方法。
  10. 【請求項10】 ガラス状炭素からなる型材料を用い、
    該型材料にドライエッチングによって転写成形面を形成
    するにあたって、エッチングガスとして希ガス,フッ化
    炭素系の単体ガスまたは塩素系の単体ガスを用いる、請
    求項9に記載の方法。
  11. 【請求項11】 請求項1もしくは請求項4に記載の成
    形型を上型または下型として備えている一組の成形型を
    用いたプレス成形によってガラス製の回折素子を作製す
    ることを特徴とする回折素子の製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255566A (ja) * 2001-02-26 2002-09-11 Toshiba Mach Co Ltd ガラス用成形型及びガラス成形製品の製造方法
JP2004018282A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Toshiba Mach Co Ltd 表面に微細なパターンを有する成形品の製造方法
EP1535712A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-01 Xenocs S.A. A method for producing a replication master, replication method and replication master
WO2006126520A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP2007191327A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Toshiba Ceramics Co Ltd ガラス状カーボンの微細加工方法、ガラス状カーボン加工物、微細加工物
WO2007094087A1 (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP2007211322A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP2007253410A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Toppan Printing Co Ltd インプリント用モールド及びその製造方法
JP2009155167A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Kanagawa Prefecture 被加工体の加工方法、ガラス又は樹脂の成型方法、金型、及びガラス又は樹脂の成型体

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255566A (ja) * 2001-02-26 2002-09-11 Toshiba Mach Co Ltd ガラス用成形型及びガラス成形製品の製造方法
JP2004018282A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Toshiba Mach Co Ltd 表面に微細なパターンを有する成形品の製造方法
JP4718097B2 (ja) * 2002-06-13 2011-07-06 東芝機械株式会社 表面に微細なパターンを有する成形品の製造方法
EP1535712A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-01 Xenocs S.A. A method for producing a replication master, replication method and replication master
WO2005051626A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-09 Xenocs S.A. A method for producing a replication master, replication method and replication master
US8496863B2 (en) 2003-11-28 2013-07-30 Xenocs S.A. Method for producing a replication master, replication method and replication master
US7919005B2 (en) 2005-05-24 2011-04-05 Panasonic Corporation Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method
WO2006126520A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP2007191327A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Toshiba Ceramics Co Ltd ガラス状カーボンの微細加工方法、ガラス状カーボン加工物、微細加工物
WO2007094087A1 (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
US7906030B2 (en) 2006-02-13 2011-03-15 Panasonic Corporation Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method
JPWO2007094087A1 (ja) * 2006-02-13 2009-07-02 パナソニック株式会社 ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP2007211322A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP2007253410A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Toppan Printing Co Ltd インプリント用モールド及びその製造方法
JP2009155167A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Kanagawa Prefecture 被加工体の加工方法、ガラス又は樹脂の成型方法、金型、及びガラス又は樹脂の成型体

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