JP4738136B2 - 板状構造体の製造装置及び磁気ディスク製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ハードディスク等の記録媒体、半導体、あるいは磁気転写ディスク等の板状構造体の製造装置及び磁気ディスク製造方法に関し、特に均一な加圧を行うことで原盤から被転写基板への凹凸パターンの転写を高精度に行えるものに関する。
近年、パソコン等の情報機器の飛躍的な機能向上により、ユーザが扱う情報量は著しく増大している。このような状況下で、これまでよりも飛躍的に記録密度が高い情報記録再生装置や集積度が高い半導体装置への期待が高まっている。
記録媒体の記録密度を向上させるためには、より微細な加工技術が必要である。露光プロセスを用いた従来のフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持っていない。このため、従来のフォトリソグラフィ技術では、200nm以下の微細構造を形成することが困難である。
200nmレベル以下の加工技術としては、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の手法がある。しかしながら、これらの手法には、スループットが悪いという問題がある。
光の波長以下の微細構造を高スループットで作製する手法としては、1995年にS.Y.Chouらにより提案された「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術」が知られている。
ナノインプリントリソグラフィ技術は、電子線リソグラフィ等により微細な凹凸パターンが形成された原盤を、レジストが塗布された基板に押し付けて、原盤の凹凸パターンを基板のレジスト膜に転写する手法である。この手法を用いれば、1平方インチ以上の領域に対する処理時間が電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィよりも飛躍的に短くなる。ナノインプリントリソグラフィ技術は、光の波長以下の微細構造を形成するのに適しており、電子線リソグラフィや集束イオンビームによる描画プロセスと比較して、極めて高いスループットでの微細構造の形成を可能とする。
また、ナノインプリントリソグラフィ技術における各種問題点を解決するものとして、常温インプリント技術が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。常温インプリント技術は、大気圧下で、凹凸パターンが形成された凹凸形成領域を有する原盤と、レジストが塗布された被転写基板とを、一対のプレス面の間に挟み込み、これら原盤と被転写基板に極めて高い圧力を印加することで、原盤の凹凸パターンを被転写基板のレジスト膜に転写する手法である。
この手法を用いれば、被転写基板に対して、原盤の凹凸パターンが均一な圧力で押し付けられる。したがって、200nmあるいはそれ以下の微細な凹凸パターンが被転写基板の大面積に亘って均一に転写される。しかも、高いスループットが実現される。
特開2003−157520号公報
米国特許第5772905号明細書
上述した常温インプリント技術を用いて複数の被転写基板に対し転写を行う場合には、次のような問題があった。すなわち、プレスで転写したい凹凸パターンが微細すぎて、一度に複数の金型を1枚の定盤に固定して一度にプレスしようとすると、被転写基板の厚さのばらつき等により個々の金型に対する力の加わり方に傾斜が生じてプレスの面内均一性が保てなくなり、所定の凹凸パターンを得ることができなくなる。したがって、一度に大量の被転写基板を作るのが困難であった。
そこで本発明は、被転写基板の厚さにばらつきがあっても原盤と被転写基板とを均一な圧力で加圧するにより高精度な転写を行うことができる板状構造体の製造装置及び磁気ディスク製造方法を提供することを目的としている。
前記課題を解決し目的を達成するために、本発明の板状構造体の製造装置及び磁気ディスク製造方法は次のように構成されている。
凹凸パターンが形成された凹凸形成領域を有する原盤と被転写基板に圧力を印加することで、前記原盤の凹凸パターンを前記被転写基板の表面に転写する板状構造体の製造装置において、中心軸方向に沿って接離自在に設けられた上部ダイ及び下部ダイと、前記上部ダイの下面に前記中心軸を中央にして支持された上部板バネ部材と、前記下部ダイの上面に前記中心軸を中央にして支持された下部板バネ部材と、前記上部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の上型と、前記下部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の下型と、前記上型と前記上部板バネ部材との間に配置され、その軸心線が前記上型の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置に設けられるとともに、前記上部板バネ部材との接触面が球面である上部円柱状部材と、前記下型と前記下部板バネ部材との間に配置され、その軸心線が前記下型の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置に設けられるとともに、前記下部板バネ部材との接触面が球面である下部円柱状部材とを備えていることを特徴とする。
凹凸パターンが形成された凹凸形成領域を有する原盤と被転写基板に圧力を印加することで、前記原盤の凹凸パターンを前記被転写基板の表面に転写する板状構造体の製造装置において、中心軸方向に沿って接離自在に設けられた上部ダイ及び下部ダイと、前記上部ダイの下面に前記中心軸を中央にして支持された上部板バネ部材と、前記下部ダイの上面に前記中心軸を中央にして支持された下部板バネ部材と、前記上部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の上型と、前記下部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の下型と、前記上型と前記上部板バネ部材との間に配置され、前記上型と同心の軸心線を有する第1円柱体と、この第1円柱体に対し上部板バネ部材側に配置され、かつ、前記第1円柱体の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置にその軸心線が設けられるとともに、前記上部板バネ部材側との接触面が球面である第2円柱体とが一体になって形成された上部圧力分散部材と、前記下型と前記下部板バネ部材との間に配置され、前記下型と同心の軸心線を有する第1円柱体と、この第1円柱体に対し下部板バネ部材側に配置され、かつ、前記第1円柱体の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置にその軸心線が設けられるとともに、前記下部板バネ部材側との接触面が球面である第2円柱体とが一体になって形成された下部圧力分散部材とを備えていることを特徴とする。
本発明によれば、被転写基板の厚さにばらつきがあっても原盤と被転写基板とを均一な圧力で加圧するにより高精度な転写を行うことが可能となる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気記録媒体(板状構造体)の製造装置10を一部切欠して示す斜視図、図2は、同製造装置10に組み込まれた円柱状部材を示す側面図である。なお、図1中Gは原盤、Wは被転写基板を示しており、いずれも円板状で中央に円孔が設けられている。また、原盤Gと被転写基板Wの位置は入れ替え可能である。
製造装置10は、4組の転写を同時に行うことができる構成であり、ナノインプリントを用いて被転写基板W上に溝領域が形成される。この溝領域に磁性材料を埋めることにより、記録トラック帯が作成される。ここで想定している被転写基板Wは、例えば、2.5インチハードディスクに内蔵される磁気ディスクである。
製造装置10は、対向配置された上ダイセット20及び下ダイセット30とを備えている。上ダイセット20は、下ダイセット30に対して複数本のガイド支柱31を介し、中心軸Pに沿って接離可能に組み合わされている。なお、図1中11は油圧プレス機械(不図示)の加圧力を上ダイセット20及び下ダイセット30に伝達するためのフリーシャンクを示している。
上ダイセット20の下部には凹部21が形成され、この凹部21には中心軸Pが中央となるように上部板バネ40が取り付けられ、上ホルダ41が取り付けられている。上ホルダ41には、4つの上型50が設けられている。4つの上型50は中心軸Pを基準として等距離に配置されている。下ダイセット30の下部には凹部32が形成され、この凹部32には中心軸Pが中央となるように下部板バネ60が取り付けられ、下ホルダ61が取り付けられている。下ホルダ61には、4つの下型70が設けられている。
図2に示すように、上型50は、原盤Gを支持する円筒状の金型本体51と、この金型本体51の上部に一体的に設けられた上部円柱状部品52とを備えている。金型本体51の軸心線Cに対し、上部円柱状部品52の軸心線Dは中心軸Pを基準として外側へ1mmオフセットして配置されている。また、上部円柱状部品52の上面52a、すなわち、上部板バネ40との接触面は半径600mmの球面状に形成されている。
同様に、下型70は、被転写基板Wを支持する円筒状の金型本体71と、この金型本体71の下部に一体的に設けられた下部円柱状部品72と、金型本体71に挿入された位置決めピン73とを備えている。金型本体71の軸心線Cに対し、下部円柱状部品72の軸心線Dは外側へ1mmオフセットして配置されている。なお、オフセット量は0.5mm以上が好ましい。また、下部円柱状部品72の下面72a、すなわち、下部板バネ60との接触面は半径600mmの球面状に形成されている。
ここで、原盤Gと被転写基板Wについて説明する。原盤Gは次のようにして製作される。すなわち、ガラス原盤上に、電子線リソグラフィを用いて、様々な形状の多数の溝構造を形成し、その表面にめっき法を用いて、厚さ300μmのニッケル膜を形成する。このニッケル膜をガラス原盤から剥がし切断する。これにより、同心円状の凹凸パターンが形成されたニッケル製の原盤Gが製作される。
被転写基板Wは、ガラスディスク基板上に、ルテニウム合金からなる軟磁性層と、コバルト合金からなる記録層を備えた垂直記録型の磁性膜とがスパッタ法により成膜されたものに、ノボラックタイプのレジスト膜(被転写層)がスピンコートにより100nmの厚さで成膜されて製作される。
このように構成された製造装置10によれば、次のようにして原盤Gから被転写基板Wへの転写が行われる。下型70の位置決めピン73に原盤Gと被転写基板Wをセットする。油圧プレス機械を作動させ、フリーシャンク11の上ダイセット20が下方に押圧されると、上型50と下型70の間に挟まれた原盤Gと被転写基板Wに圧力が伝達される。このときの圧力は、例えば1000気圧である。被転写基板Wのレジスト膜に原盤Gが押し付けられ、レジスト膜の表面に原盤Gの凹凸パターンが転写される。この工程がナノインプリント工程である。このとき、上部板バネ40は下に凸、下部板バネ60は上に凸に変形する。
ここで、上部円柱状部品52の軸心線Dは外側へ1mmオフセットして配置されず、上部板バネ40に球面で接触せず、下部円柱状部品72の軸心線Dは外側へ1mmオフセットして配置されず、下部板バネ60に球面で接触していない製造装置100の問題点を図4によって説明する。製造装置100は、油圧プレス機械(不図示)によって加圧力を受ける上ダイ110及び下ダイ120とを備えている。上ダイ110には一対の上側の金型(以下、「上型」と記する)112が設けられている。下ダイ120には一対の下側の金型(以下、「下型」と記する)122が設けられている。上型112と下型122とは対向配置され、その間には原盤Gと被転写基板Wとが挟持されている。
このように構成された製造装置100においては、油圧プレス機械を作動させて、上型112〜下型122間を加圧し、原盤Gの形状が被転写基板Wに転写される。このとき、図4中二点鎖線Qで示すように、上ダイ110が下に凸、下ダイ120が上に凸となるように変形する。このため、原盤G及び被転写基板W内に製造装置100の中心軸側と外周側とで20%以上の圧力分布が生じる。
これに対し、本実施の形態に係る製造装置10においては、金型本体51の軸心線Cに対し、上部円柱状部品52の軸心線Dは外側へ1mmオフセットして配置されるとともに、上部板バネ40に球面で接触している。これにより、上部板バネ40が変形した後、上部板バネ40と上部円柱状部品52との接触位置が軸心線Cと一致する。同様に、金型本体71の軸心線Cに対し、下部円柱状部品72の軸心線Dは外側へ1mmオフセットして配置されるとともに、下部板バネ60に球面で接触している。これにより、下部板バネ60が変形した後、下部板バネ60と下部円柱状部品72との接触位置が軸心線Cと一致する。これにより、原盤Gと被転写基板Wとの圧力分布は均一となる。原盤Gと被転写基板Wとの間の圧力分布を有限要素法を用いて解析したところ、原盤Gと被転写基板Wとの間の圧力分布は、5%以内に収まっており、均一とみなせる。
次に、被転写基板Wから原盤Gが剥がされる。すると、ナノインプリント後の被転写基板Wのレジスト膜の表面には、原盤Gの凹凸パターンに対応した凹凸パターンが形成されている。次に、レジスト膜の残渣がエッチング(RIE)で除去される。
次に、被転写基板Wのレジスト膜及び磁性膜側にアルゴンイオンミリング処理が行われ、磁性膜がエッチングされる。このとき、レジスト膜の溝に対応する部分では、前記ミリング処理により磁性膜が除去される。また、レジスト膜の溝以外の部分では、前記ミリング処理によりレジスト膜の一部がエッチングされる。しかしながら、このエッチングは、磁性膜までは届かない。したがって、パターン化磁性体は残留する。
この製造装置10を用いて作製されたディスク状の磁気記録媒体は、ナノインプリント時に転写された位置決めパターンに基づいてエアスピンドルモータに固定される。そして、これら磁気記録媒体とエアスピンドルモータは、通常のHDD(Hard Disk Drive)の製造工程を経ることで、磁気記録装置となる。磁気記録媒体の記録トラック帯のサーボ信号記録領域に記録されたサーボ信号により、HDDの磁気ヘッドがデータ信号記録領域を確実に走査することで、データ信号の記録及び再生が行われる。
上述したように本実施の形態に係る磁気記録媒体の製造装置10では、原盤Gを被転写基板Wに均一な圧力で加圧することができ、高精度に凹凸パターンの転写を行うことができる。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る磁気記録媒体(板状構造体)の製造装置10を一部切欠して示す斜視図。図3において図1と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図3においては、下型70と下部板バネ60との間に、上部圧力分散部材74が設けられている。下部圧力分散部材74は、下型70と同心の軸心線Cを有する第1円柱体75と、第1円柱体75に対し下部板バネ60側に配置され、かつ、第1円柱体75の軸心線Cに対して中心軸Pより離れた位置に軸心線Dが設けられるとともに、下部板バネ60側との接触面76aが球面である第2円柱体76とが一体になって形成されている。なお、図示されていないが、上型50と上部板バネ40との間に、同様の上部圧力分散部材が設けられている。
本第2の実施の形態においても、前述した第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、上述した実施の形態においては、被転写基板としての板状構造体としてガラス基板が用いられているが、被転写基板はこれに限られるものではなく、微細パターンを形成したい板状部材の全てに適用可能である。例えば、半導体材料からなる半導体ウエハにも適用可能である。
また、本発明は前述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
10…製造装置、20…上ダイセット、30…下ダイセット、40…上部板バネ、50…上型、51…金型本体、52…上部円柱状部品、60…下部板バネ、70…下型、71…金型本体、72…上部円柱状部品、G…原盤、W…被転写基板、P…中心軸。
Claims (5)
- 凹凸パターンが形成された凹凸形成領域を有する原盤と被転写基板に圧力を印加することで、前記原盤の凹凸パターンを前記被転写基板の表面に転写する板状構造体の製造装置において、
中心軸方向に沿って接離自在に設けられた上部ダイ及び下部ダイと、
前記上部ダイの下面に前記中心軸を中央にして支持された上部板バネ部材と、
前記下部ダイの上面に前記中心軸を中央にして支持された下部板バネ部材と、
前記上部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の上型と、
前記下部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の下型と、
前記上型と前記上部板バネ部材との間に配置され、その軸心線が前記上型の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置に設けられるとともに、前記上部板バネ部材との接触面が球面である上部円柱状部材と、
前記下型と前記下部板バネ部材との間に配置され、その軸心線が前記下型の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置に設けられるとともに、前記下部板バネ部材との接触面が球面である下部円柱状部材とを備えていることを特徴とする板状構造体の製造装置。 - 凹凸パターンが形成された凹凸形成領域を有する原盤と被転写基板に圧力を印加することで、前記原盤の凹凸パターンを前記被転写基板の表面に転写する板状構造体の製造装置において、
中心軸方向に沿って接離自在に設けられた上部ダイ及び下部ダイと、
前記上部ダイの下面に前記中心軸を中央にして支持された上部板バネ部材と、
前記下部ダイの上面に前記中心軸を中央にして支持された下部板バネ部材と、
前記上部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の上型と、
前記下部板バネ部材に前記中心軸からそれぞれ等距離に位置に支持された複数の下型と、
前記上型と前記上部板バネ部材との間に配置され、前記上型と同心の軸心線を有する第1円柱体と、この第1円柱体に対し上部板バネ部材側に配置され、かつ、前記第1円柱体の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置にその軸心線が設けられるとともに、前記上部板バネ部材側との接触面が球面である第2円柱体とが一体になって形成された上部圧力分散部材と、
前記下型と前記下部板バネ部材との間に配置され、前記下型と同心の軸心線を有する第1円柱体と、この第1円柱体に対し下部板バネ部材側に配置され、かつ、前記第1円柱体の軸心線に対して前記中心軸より離れた位置にその軸心線が設けられるとともに、前記下部板バネ部材側との接触面が球面である第2円柱体とが一体になって形成された下部圧力分散部材とを備えていることを特徴とする板状構造体の製造装置。 - 前記上部円柱状部材の軸心線と前記上型の軸心線及び前記下部円柱状部材の軸心線と前記下型の軸心線とは、少なくとも0.5mm以上離間していることを特徴とする請求項1に記載の板状構造体の製造装置。
- 前記球面は、少なくとも半径600mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の板状構造体の製造装置。
- 請求項1〜請求項4いずれかの板状構造体の製造装置を用いて、原盤の凹凸パターンを被転写基板の表面に転写する工程を備えていることを特徴とする磁気ディスク製造方法。
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