JPS6116527A - 金属電極の製造方法 - Google Patents

金属電極の製造方法

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Publication number
JPS6116527A
JPS6116527A JP13830284A JP13830284A JPS6116527A JP S6116527 A JPS6116527 A JP S6116527A JP 13830284 A JP13830284 A JP 13830284A JP 13830284 A JP13830284 A JP 13830284A JP S6116527 A JPS6116527 A JP S6116527A
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JP
Japan
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substrate
resist pattern
resist
metal
electrode
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Pending
Application number
JP13830284A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihisa Kawamoto
河本 芳久
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPS6116527A publication Critical patent/JPS6116527A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、金属電極の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、半導体素子の高集積化にともない、基板上の電極
も、非常に細かく形成しなければならない0 ここで簡単に、微細なパターン形成に、従来性なわれて
いるリフトオフ法と呼ばれる電極製造方法を説明する。
第1図は、電極製造プロセスを示す説明図である。1は
基板、2はレジスト、3は金属膜、4は電極である。第
1図の、aは金属蒸着前、bは蒸着途中、Cは蒸着終了
後、dはアルコールにてレジスト除去後のそれぞれのデ
バイス構成断面を模式的に示したものである。
このリフトオフ法による電極形成では、第1図(−)の
ように、基板1上に、電極を形成すべき領域に開口した
レジスト2を形成し、ついで、第1図の(b)に示すよ
うに、レジスト2の側面に、金属膜、3が蒸着され、電
極形成パターンが、蒸着時間の経過と共にしだいに挟ま
り、遂には、第1図(C)のように、電極形成パターン
開口が、蒸着金属自身によって閉じられてしまう。この
結果、レジスト2の除去によるリフトオフで形成された
電極4の厚さは薄く、断面形状は第1図(d)に示され
るように三角形である。この従来のリフトオフ法による
電極形成の問題点は、電極抵抗が高いことである。
発明の目的 本発明は、上記従来の問題点を改良した金属電極の製造
方法を提供するものである。
発明の構成 本発明は、要約するに、基板上に形成されたレジストパ
ターンを介して金属を蒸着し、その後、急速に冷却して
、前記レジストパターン上の金属を剥離除去し、ついで
、再度、金属を蒸着する工程をそなえた金属電極の形成
方法であり、これにより、レジストパターン開口部を通
じて、基板上に所望の厚さの金属電極が形成される。
実施例の説明 本発明の製造方法を説明する。第2図(a)〜(e)は
、本発明の電極形成プロセスを示す工程順断面図である
。第2図のaは金属蒸着前、bは蒸着終了、Cは基板1
を急速に冷却し金属膜3を除去、dは再度蒸着後、eは
アルコールにてレジスト除去後Oそれぞれのデバイス構
成断面を模式的に示したものである。従来のプロセスと
異なる点は、第2図のc、dに示すように、基板1を急
速に冷却して、レジスト2と金属膜3との収縮率の差に
より、金だ膜3を剥離させ除去し、そ′して、再度金属
膜3′の蒸着を行なうことである。また必要に応じて第
2図のC,dの工程を繰シ返し行なう。
本発明の具体的な実施例を説明する。St基板上にポジ
型レジストを塗布し、露光、現像を行ない、寸法0.7
6μmのレジストパターン形成を行なった。次に、厚さ
O,SμmのAA蒸着を行ない、蒸着終了後、基板を液
体チッソによって、基板を急速に冷却した。冷却した結
果、レジスト上のAt膜を剥離させ、さらに基板を超音
波洗浄することにより、レジスト上のAt膜を除去した
0次に再度At蒸着を行ない、蒸着終了後、アルコール
にてレジスト除去を行ない、レジスト上のAt膜を除去
した。以上のプロセスで基板上に形成したA7電極を調
査したところ、従来プロセスで形成したAt電極と比較
して、電極幅は0.76μmと同じであるが、本発明の
プロセスでは、電極断面積が広く、電極抵抗を小さくで
きることを確認した。
発明の効果 以上の様に、本発明によれば、半導体素子の電極形成を
電極抵抗を小さくでき、半導体素子の高性能化に大きく
寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図(−)〜(d)は、リフトオフ法による従来の電
極製造プロセスを示す工程順断面図、第2図(a)〜(
e)は、本発明実施例の電極製造プロセスを示す工程順
断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・レジスト、3.3
’・・・・・・金属膜、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾敏 男 ほか1名第1図
   第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に形成されたレジストパターンを介して金属を蒸
    着し、その後急速に冷却して、前記レジストパターン上
    の金属を剥離し、その後、再度、金属を蒸着する工程を
    そなえた金属電極の製造方法。
JP13830284A 1984-07-03 1984-07-03 金属電極の製造方法 Pending JPS6116527A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8690234B2 (en) 2010-04-26 2014-04-08 Webasto SE Vehicle roller blind arrangement, subassembly with a vehicle roller blind arrangement, and roof arrangement
US9108180B2 (en) 2008-12-31 2015-08-18 Sk Chemicals Co., Ltd. Cation-exchanged zeolite catalyst and process for producing mono-iodo benzene through transiodination by using it

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9108180B2 (en) 2008-12-31 2015-08-18 Sk Chemicals Co., Ltd. Cation-exchanged zeolite catalyst and process for producing mono-iodo benzene through transiodination by using it
US8690234B2 (en) 2010-04-26 2014-04-08 Webasto SE Vehicle roller blind arrangement, subassembly with a vehicle roller blind arrangement, and roof arrangement

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