JPS63185036A - バンプ付きフイルムキヤリアの製造方法 - Google Patents

バンプ付きフイルムキヤリアの製造方法

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Publication number
JPS63185036A
JPS63185036A JP1765287A JP1765287A JPS63185036A JP S63185036 A JPS63185036 A JP S63185036A JP 1765287 A JP1765287 A JP 1765287A JP 1765287 A JP1765287 A JP 1765287A JP S63185036 A JPS63185036 A JP S63185036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
bump
conductive film
bumps
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1765287A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshifumi Kitayama
北山 喜文
Yukio Maeda
幸男 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1765287A priority Critical patent/JPS63185036A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子組立のためのバンプ付きフィルム
キャリアの製造方法に関するものである。
従来の技術 従来、バンプ付きフィルムキャリアの製造方法は、第3
図に示すようにガラスなどの絶縁基板1の一主面の全面
に蒸着やスパッタリングで導電膜2を形成し、さらに絶
縁膜3を形成したのち絶縁膜3に開口部4を設けたあと
、電気メッキして、開口部4にバンプ6を形成していた
。そして、バンプ5をフィルムキャリア6のインナーリ
ード7の先端部に熱転写していた。
発明が解決しようとする問題点 ところが、上記の方法ではバンプ6と導電膜2との密着
力が強すぎて、フィルムキャリア6のインナーリード7
の先端部にバンプ6を確実に野転写することが困難であ
った。また、バンプ5が熱転写できないことから、この
基板を繰り返し使用することができなかった。
問題点を解決するための手段 本発明の第1発明は、基板の洗浄と同時に導電膜の全面
に界面活性剤の膜を形成したのち、電気めっきによって
バンプを形成し、熱圧着によってバンプのみをフィルム
キャリアのインナーリード先端に取付けることを特徴と
する。
また、本発明の第2発明は絶縁膜の開口部に露出してい
る導電膜に界面活性剤の膜を形成したのち、電気めっき
によってバンプを形成し、熱圧着によってバンプのみを
フィルムキャリアのインナーリード先端に取付けること
を特徴とする。
また、本発明の第3発明は、電気めっきをする前記界面
活性剤を含有した水溶液の濃度を調整して、導電膜に形
成する界面活性剤の膜°厚を制御することによりてバン
プのはく離性をコントロールしてフィルムキャリアのイ
ンナーリード先端にバンプを取付けることを特徴とする
作  用 本発明の第1発明によれば、導電膜とバンプとの間に不
動態膜的な作用をする界面活性剤が存在するために、バ
ンプのはく離性が非常に量好になる。したがって、フィ
ルムキャリアのインナーリードへのバンプの熱転写を確
実に行うことができ、そのため、基板を何回も繰返し使
用することができる。
本発明の第2発明によれば、絶縁膜と導電膜との間には
界面活性剤が存在しないので絶縁膜の密着性を低下させ
ずに、バンプのはく離性を良好にすることができる。
本発明の第3発明によれば、界面活性剤の膜厚をコント
ロールすることができるため、均一なバンプのはく離が
行なえる。
実施例 (実施例(その1)) 以下本発明の第一の実施例を図面を参照して説明する。
第1図に示すように、縁縁基板であるガラス基板1oの
一主面にCu、Ti/P・tなQ導電膜20を蒸着やス
パッタリングで形成した後、界面活性剤3oを含有した
水溶液で洗浄、乾燥して、前記導電膜20に界面活性剤
30の膜を形成する。
次に、ポジタイプの7オトレジスト40をスピンコーテ
ィングした後、露光・現像等の処理を行って所定の開口
部5oを形成する。つぎに、その開口部6oにバンプ6
0を電気めっきで形成したのちフォトレジスト4oをア
セトン等で除去したのち、フィルムキャリア70のイン
ナーリード80の先端部に熱圧着によってバンプ6oを
転写する。
このようにすれば、導電膜20とバンプ6oの間に界面
活性剤3oが介在しているために容易にバンプ6oをは
く離させることができるため、確実にインナーリードに
バンプ60が付いたバンプ付きフィルムキャリアを得る
ことができる。
なお、7オトレジスト4oの代わりにS *02 #S
i3N4等の無機物の絶縁膜をめっき用のレジストとし
て使用してもよい。このときには、バンプを転写すると
きに絶縁膜を除去しなくてもよい。
(実施例(その2)) 次に、本発明の第二の実施例を図面を参照して説明する
。第2図に示すように、絶縁基板であるガラス基板11
の一主面にCu、Ti/Ptなどの導電膜21を形成し
た後、過酸化水素水で洗浄して乾燥し、その後ポジタイ
プの7オトレジスト31をスピンコーティングした後、
露光・現像等の処理を行って所定の開口部41を形成す
る。そのあと、電気めっき直前に界面活性剤61を含有
した水溶液にガラス基板11を数秒〜数十秒間に浸漬し
たのち、ただちに水洗する。つぎに、その開口部41に
バンプ71を電気めっきで形成したのち7オトレジスト
31をアセトン等で除去したのち、フィルムキャリア8
1のインナーリード91の先端部に熱圧着によってバン
プ71を転写する。
このようにすれば、導電膜21とバンプ71の間にのみ
界面活性剤61の膜を介在させることができるために第
1の実施例よりも容易にバンプ71をはく離させること
ができる。したがって、確実にインナーリードにバンク
の付いたバンプ付きフィルムキャリアを得ることができ
る。
なお、7オトレジスト31の代わシに8102 eSi
3N4等の無機物の絶縁膜をめっき用のレジストとして
使用してもよい。このときには、バンプを転写するとき
に絶縁膜を除去しなくてもよい。
さらに、界面活性剤61の濃度を調整することによシ界
面活性剤の膜厚をコントロールし、バンプ71のはく離
を制御してもよい。
発明の効果 以上述べたように、本発明の第1発明によれば、導電膜
とバンプとの間に不動態膜のような界面活性剤の膜が介
在しているので、バンプのはく離性が良好となシ、廃品
なバンプ付きフィルムキャリアを得ることができる。
また、本発明の第2発明によれば、絶縁膜と導電膜との
間には界面活性剤の膜がないために、絶縁膜の密着力を
低下させることなくバンプを容易にはく離することがで
きる。
また、本発明の第3発明によれば、界面活性剤の膜厚を
コントロールできるため、均一なバンプのはく離性が得
られ、品質をより安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の各工程における断面図
、第2図は本発明の第2の実施例の各工程における断面
図、第3図は従来例の各工程における断面図である。 10.11・・・・・・絶縁基板、20,21・・・・
・・導電膜、30.51・・・・・・界面活性剤、31
,40・・・・・・絶縁膜、41.50・・・・・・開
口部、60,71・・・・・・バンプ、70,81・・
・・・・フィルムキャリア、8o。 91・・・・・・インナーリード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図       1゜−祷■ ルー町齢四 ’to −−−フィル4〒rリア PS                  、、   
      −)”         ’tel   
         (L)       ”(−)、、

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板の一主面に導電膜を形成する工程と、界
    面活性剤を含有した水溶液にて前記絶縁基板を洗浄する
    とともに前記導電膜に界面活性剤の膜を形成する工程と
    、前記導電膜を完全に被覆するように絶縁膜を形成する
    工程と、前記絶縁膜に所定の開口部を設げる工程と、電
    気めっきによって前記開口部にバンプを形成する工程と
    、前記バンプをフィルムキャリアのインナーリードの先
    端に転写する工程とからなるバンプ付きフィルムキャリ
    アの製造方法。
  2. (2)絶縁基板の一主面に導電膜を形成する工程と、前
    記絶縁基板を洗浄する工程と、前記導電膜を完全に被覆
    するように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に所定
    の開口部を設ける工程と、電気めっきによって前記開口
    部にバンプを形成する工程と、前記バンプをフィルムキ
    ャリアのインナーリードの先端に転写する工程とからな
    るバンプ付きフィルムキャリアの製造工程において、絶
    縁膜に所定の開口部を設ける工程の後に導電膜に界面活
    性剤を付着させる工程を設けたことを特徴とするバンプ
    付きフィルムキャリアの製造方法。
  3. (3)絶縁基板の一主面に導電膜を形成する工程と、前
    記絶縁基板を洗浄する工程と、前記導電膜を完全に被覆
    するように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に所定
    の開口部を設ける工程と、電気めっきによって前記開口
    部にバンクを形成する工程と、前記バンプをフィルムキ
    ャリアのインナーリードの先端に転写する工程とからな
    るバンプ付きフィルムキャリアの製造工程において、電
    気めっきをする前に、界面活性剤の濃度を調整した水溶
    液に前記絶縁基板を浸漬して、前記開口部に前記界面活
    性剤の膜を形成する工程を設けたことを特徴とするバン
    プ付フィルムキャリアの製造方法。
JP1765287A 1987-01-28 1987-01-28 バンプ付きフイルムキヤリアの製造方法 Pending JPS63185036A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980000B2 (en) * 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980000B2 (en) * 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US8205352B2 (en) 2006-12-29 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector

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