JPH1187392A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH1187392A JPH1187392A JP9243690A JP24369097A JPH1187392A JP H1187392 A JPH1187392 A JP H1187392A JP 9243690 A JP9243690 A JP 9243690A JP 24369097 A JP24369097 A JP 24369097A JP H1187392 A JPH1187392 A JP H1187392A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライプロセスにより、アンダーバンプメタ
ル（ＵＢＭ）を形成することで、処理薬品によりＡｌ膜
を侵すことなく、信頼性に優れたバンプを形成すること
ができるバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ（ＬｉＴａＯ3 圧電基板）１上に
Ａｌ櫛歯パターン２を形成し、このＡｌパターン２上に
リフトオフ法を用いてバンプパッドのアンダーバンプメ
タル７を蒸着にて形成し、その後、前記アンダーバンプ
メタル７上に無電解めっきでバンプ１１を形成する。
ル（ＵＢＭ）を形成することで、処理薬品によりＡｌ膜
を侵すことなく、信頼性に優れたバンプを形成すること
ができるバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ（ＬｉＴａＯ3 圧電基板）１上に
Ａｌ櫛歯パターン２を形成し、このＡｌパターン２上に
リフトオフ法を用いてバンプパッドのアンダーバンプメ
タル７を蒸着にて形成し、その後、前記アンダーバンプ
メタル７上に無電解めっきでバンプ１１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハにバンプを
無電解めっきにより形成するバンプ形成方法に関するも
のである。
無電解めっきにより形成するバンプ形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の先行技術として
は、（１）ＩＳＨＭ １９９３ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ ４３９〜４４４頁、（２）信技報 ＣＰＭ８７−３
７ １３〜１８頁、（３）信技報 ＣＰＭ８７−４０
３１〜３６頁、（４）ＳＨＭ会誌 Ｖｏｌ．１０，Ｎ
ｏ．２，２１〜２６頁に開示されるものがあった。
は、（１）ＩＳＨＭ １９９３ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ ４３９〜４４４頁、（２）信技報 ＣＰＭ８７−３
７ １３〜１８頁、（３）信技報 ＣＰＭ８７−４０
３１〜３６頁、（４）ＳＨＭ会誌 Ｖｏｌ．１０，Ｎ
ｏ．２，２１〜２６頁に開示されるものがあった。
【０００３】このように、ウエハにバンプを無電解めっ
きで形成する方法は、上記文献（１）及び（２）に開示
されるように、ウエハ上のＡｌ薄膜電極にジンケート処
理により、ＡｌとＺｎとを置換する前処理を行った後、
無電解ニッケルめっきでバンプを形成する方法（第１の
バンプ形成方法）と、上記文献（３）に開示されるよう
に、Ａｌ電極表面をＰｄにより活性化させた後、無電解
ニッケルめっきを施す方法（第２のバンプ形成方法）、
及び上記文献（４）に開示されるように、ＡｌとＮｉを
直接置換させ、次に、自己触媒型無電解ニッケルめっき
を行う方法（第３のバンプ形成方法）が用いられてい
た。
きで形成する方法は、上記文献（１）及び（２）に開示
されるように、ウエハ上のＡｌ薄膜電極にジンケート処
理により、ＡｌとＺｎとを置換する前処理を行った後、
無電解ニッケルめっきでバンプを形成する方法（第１の
バンプ形成方法）と、上記文献（３）に開示されるよう
に、Ａｌ電極表面をＰｄにより活性化させた後、無電解
ニッケルめっきを施す方法（第２のバンプ形成方法）、
及び上記文献（４）に開示されるように、ＡｌとＮｉを
直接置換させ、次に、自己触媒型無電解ニッケルめっき
を行う方法（第３のバンプ形成方法）が用いられてい
た。
【０００４】図３は上記した従来の第１のバンプ形成方
法を示す工程断面図である。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１
０１上にＳｉＯ2 膜１０２を形成した後、Ａｌ電極１０
３を形成し、このＡｌ電極１０３のコンタクト部を除い
て、パッシべーション膜１０４が堆積される。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１０３
のコンタクト部のジンケート処理１０５が行われる。
法を示す工程断面図である。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１
０１上にＳｉＯ2 膜１０２を形成した後、Ａｌ電極１０
３を形成し、このＡｌ電極１０３のコンタクト部を除い
て、パッシべーション膜１０４が堆積される。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１０３
のコンタクト部のジンケート処理１０５が行われる。
【０００５】（３）次に、図３（ｃ）に示すように、そ
のジンケート処理１０５が行われた部分にＮｉ置換１０
６が行われる。 （４）次に、図３（ｄ）に示すように、そのＮｉ置換１
０６上に第１のバンプ（Ｎｉ−Ｐ）１０７が形成され
る。
のジンケート処理１０５が行われた部分にＮｉ置換１０
６が行われる。 （４）次に、図３（ｄ）に示すように、そのＮｉ置換１
０６上に第１のバンプ（Ｎｉ−Ｐ）１０７が形成され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の第１のバンプ形成方法は薄膜（０．２〜０．８
μｍ）のＡｌ電極パターンの処理がウエット方法である
ため、処理条件が制約される。つまり、ジンケート処理
液が強アルカリ性であるため、Ａｌ電極がエッチングさ
れ、消失することもあり、処理条件の選定が難しい。
た従来の第１のバンプ形成方法は薄膜（０．２〜０．８
μｍ）のＡｌ電極パターンの処理がウエット方法である
ため、処理条件が制約される。つまり、ジンケート処理
液が強アルカリ性であるため、Ａｌ電極がエッチングさ
れ、消失することもあり、処理条件の選定が難しい。
【０００７】また、バンプパッドを、有機レジストを用
いてフォトリソグラフィー法で形成する場合、強アルカ
リで処理すると有機レジストが侵されるので、強アルカ
リを使用することができない。したがって、表面に無機
系のパッシベーション膜が形成されているウエハにしか
適用できない。
いてフォトリソグラフィー法で形成する場合、強アルカ
リで処理すると有機レジストが侵されるので、強アルカ
リを使用することができない。したがって、表面に無機
系のパッシベーション膜が形成されているウエハにしか
適用できない。
【０００８】また、上記した従来の第２のバンプ形成方
法では、Ｐｄ処理を施した場合、非触媒面への金属ニッ
ケルの異常析出や絶縁不良を引き起こすことがある。更
に、上記した従来の第３のバンプ形成方法では、前処理
工程のアルカリ脱脂液及び酸エッチング液の選定と条件
を十分に管理しなければ、Ａｌ電極が溶解する。また、
ＡｌとＮｉの置換速度が密着性に影響するため、置換速
度を制御する必要があり、量産化が困難であった。
法では、Ｐｄ処理を施した場合、非触媒面への金属ニッ
ケルの異常析出や絶縁不良を引き起こすことがある。更
に、上記した従来の第３のバンプ形成方法では、前処理
工程のアルカリ脱脂液及び酸エッチング液の選定と条件
を十分に管理しなければ、Ａｌ電極が溶解する。また、
ＡｌとＮｉの置換速度が密着性に影響するため、置換速
度を制御する必要があり、量産化が困難であった。
【０００９】本発明は、上記問題点を除去し、ドライプ
ロセスにより、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成
することで、処理薬品によりＡｌ膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができるバンプ形成
方法を提供することを目的とする。
ロセスにより、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成
することで、処理薬品によりＡｌ膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができるバンプ形成
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕バンプ形成方法において、基板上にＡｌパターン
を形成し、このＡｌパターン上にリフトオフ法を用いて
バンプパッドのアンダーバンプメタルを蒸着またはスパ
ッタにて形成し、その後、前記アンダーバンプメタル上
に無電解めっきでバンプを形成するようにしたものであ
る。
成するために、 〔１〕バンプ形成方法において、基板上にＡｌパターン
を形成し、このＡｌパターン上にリフトオフ法を用いて
バンプパッドのアンダーバンプメタルを蒸着またはスパ
ッタにて形成し、その後、前記アンダーバンプメタル上
に無電解めっきでバンプを形成するようにしたものであ
る。
【００１１】〔２〕上記〔１〕記載のバンプ形成方法に
おいて、前記基板には圧電基板を用い、前記Ａｌパター
ンは櫛歯形状であるＳＡＷフィルタ用バンプとするよう
にしたものである。
おいて、前記基板には圧電基板を用い、前記Ａｌパター
ンは櫛歯形状であるＳＡＷフィルタ用バンプとするよう
にしたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例を示すＳＡＷフィルタのバンプ形成工程断面図
（その１）、図２はそのＳＡＷフィルタのバンプ形成工
程断面図（その２）である。以下、本発明の実施例を示
すＳＡＷフィルタのバンプ形成方法を図１及び図２を参
照しながら説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例を示すＳＡＷフィルタのバンプ形成工程断面図
（その１）、図２はそのＳＡＷフィルタのバンプ形成工
程断面図（その２）である。以下、本発明の実施例を示
すＳＡＷフィルタのバンプ形成方法を図１及び図２を参
照しながら説明する。
【００１３】（１）まず、図１（ａ）に示すように、Ａ
ｌ蒸着により形成されているＡｌ櫛歯パターン２を有す
るウエハ（ＬｉＴａＯ3 圧電基板）１を用意する。 （２）次に、図１（ｂ）に示すように、その上にリフト
オフ用レジスト膜３を塗布する。 （３）次いで、図１（ｃ）に示すように、マスク２１を
セットして、露光を行う。
ｌ蒸着により形成されているＡｌ櫛歯パターン２を有す
るウエハ（ＬｉＴａＯ3 圧電基板）１を用意する。 （２）次に、図１（ｂ）に示すように、その上にリフト
オフ用レジスト膜３を塗布する。 （３）次いで、図１（ｃ）に示すように、マスク２１を
セットして、露光を行う。
【００１４】（４）次に、図１（ｄ）に示すように、現
像により、パッドパターン４を形成する。 （５）次に、図１（ｅ）に示すように、Ａｌとの密着性
の良いＣｒ膜５を蒸着により形成し、更に、この上にめ
っきの触媒となるＮｉ膜６を蒸着する。この時の成膜条
件としては、以下の通りである。
像により、パッドパターン４を形成する。 （５）次に、図１（ｅ）に示すように、Ａｌとの密着性
の良いＣｒ膜５を蒸着により形成し、更に、この上にめ
っきの触媒となるＮｉ膜６を蒸着する。この時の成膜条
件としては、以下の通りである。
【００１５】真空度：３×１０-6Ｔｏｒｒ以下 加熱温度：約１１０℃ 蒸着レート：１４０ｎｍ／分 （６）その後、図１（ｆ）に示すように、リフトオフ用
レジスト膜３とそのレジスト膜３上のＣｒ膜５、Ｎｉ膜
６をリフトオフ法により、同時に溶解、剥離して除去す
ることにより、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）７を形
成する。
レジスト膜３とそのレジスト膜３上のＣｒ膜５、Ｎｉ膜
６をリフトオフ法により、同時に溶解、剥離して除去す
ることにより、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）７を形
成する。
【００１６】（７）次いで、図２（ａ）に示すように、
めっき用厚膜レジスト膜８を塗布する。 （８）次に、図２（ｂ）に示すように、マスク２２をセ
ットし、露光する。 （９）次いで、図２（ｃ）に示すように、現像を行い、
バンプめっき用パッド９を形成する。
めっき用厚膜レジスト膜８を塗布する。 （８）次に、図２（ｂ）に示すように、マスク２２をセ
ットし、露光する。 （９）次いで、図２（ｃ）に示すように、現像を行い、
バンプめっき用パッド９を形成する。
【００１７】（１０）次に、無電解めっき液に浸漬し、
図２（ｄ）に示すように、Ｎｉ−Ｐめっき１０を形成す
る。ここで、めっき液としては、無電解ニッケル浴を用
い、以下の条件で行う。 （１）中性浴 （２）酸性浴 ＰＨ：６〜７ ＰＨ：５．０〜５．５ 温度（℃）：６０ 温度（℃）：９０ （１１）次に、溶剤にてメッキ用厚膜レジスト膜８を溶
解し、図２（ｅ）に示すように、除去することにより、
バンプ付きＳＡＷウエハ１２が得られる。
図２（ｄ）に示すように、Ｎｉ−Ｐめっき１０を形成す
る。ここで、めっき液としては、無電解ニッケル浴を用
い、以下の条件で行う。 （１）中性浴 （２）酸性浴 ＰＨ：６〜７ ＰＨ：５．０〜５．５ 温度（℃）：６０ 温度（℃）：９０ （１１）次に、溶剤にてメッキ用厚膜レジスト膜８を溶
解し、図２（ｅ）に示すように、除去することにより、
バンプ付きＳＡＷウエハ１２が得られる。
【００１８】その後、このＳＡＷウエハ１２を所定の形
状にダイシングすることにより、バンプ付きＳＡＷチッ
プが得られる。なお、上記実施例は、ＳＡＷフィルタの
バンプ形成方法として好適であるが、これに限定される
ものではないことは言うまでもない。また、上記実施例
では、Ａｌパターン上にリフトオフ法を用いてバンプパ
ッドのアンダーバンプメタルを蒸着にて形成したが、こ
れに代えて、スパッタにて形成するようにしても良い。
状にダイシングすることにより、バンプ付きＳＡＷチッ
プが得られる。なお、上記実施例は、ＳＡＷフィルタの
バンプ形成方法として好適であるが、これに限定される
ものではないことは言うまでもない。また、上記実施例
では、Ａｌパターン上にリフトオフ法を用いてバンプパ
ッドのアンダーバンプメタルを蒸着にて形成したが、こ
れに代えて、スパッタにて形成するようにしても良い。
【００１９】上記したように、本発明によれば、ドライ
プロセスにより、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形
成するようにしたので、処理薬品によりＡｌ膜を侵すこ
となく、信頼性に優れたバンプを形成することができ
る。また、有機レジストでパターンを形成することがで
きるので、従来のように無機系のレジスト（パッシベー
ション膜、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等）が表面に無いもの
にもバンプを形成することができる。
プロセスにより、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形
成するようにしたので、処理薬品によりＡｌ膜を侵すこ
となく、信頼性に優れたバンプを形成することができ
る。また、有機レジストでパターンを形成することがで
きるので、従来のように無機系のレジスト（パッシベー
ション膜、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等）が表面に無いもの
にもバンプを形成することができる。
【００２０】更に、リフトオフ法を用いるようにしたの
で、不要なパターンをエッチングすることなく、必要な
部分のみにＵＢＭ膜を形成することができる。一方、こ
のプロセスを用いれば、ＵＢＭ膜を適当に選定すること
により、他の無電解めっき（例えば、無電解Ｃｕめっ
き、無電解Ｎｉ−Ｂめっき等）にも適用することが可能
である。
で、不要なパターンをエッチングすることなく、必要な
部分のみにＵＢＭ膜を形成することができる。一方、こ
のプロセスを用いれば、ＵＢＭ膜を適当に選定すること
により、他の無電解めっき（例えば、無電解Ｃｕめっ
き、無電解Ｎｉ−Ｂめっき等）にも適用することが可能
である。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ドライプロセスに
より、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するよう
にしたので、処理薬品によりＡｌ膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ドライプロセスに
より、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するよう
にしたので、処理薬品によりＡｌ膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができる。
【００２３】また、有機レジストでパターンを形成する
ことができるので、従来のように無機系のレジスト（パ
ッシベーション膜、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等）が表面に
無いものにもバンプを形成することができる。更に、リ
フトオフ法を用いるので、不要なパターンをエッチング
することなく、必要な部分のみにＵＢＭ膜を形成するこ
とができる。
ことができるので、従来のように無機系のレジスト（パ
ッシベーション膜、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等）が表面に
無いものにもバンプを形成することができる。更に、リ
フトオフ法を用いるので、不要なパターンをエッチング
することなく、必要な部分のみにＵＢＭ膜を形成するこ
とができる。
【００２４】（２）請求項２記載の発明によれば、本プ
ロセスを用いれば、ＳＡＷフィルタのバンプ形成方法と
して好適であり、信頼性の高いＳＡＷフィルタのバンプ
形成方法を得ることができる。
ロセスを用いれば、ＳＡＷフィルタのバンプ形成方法と
して好適であり、信頼性の高いＳＡＷフィルタのバンプ
形成方法を得ることができる。
【図１】本発明の実施例を示すＳＡＷフィルタのバンプ
形成工程断面図（その１）である。
形成工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施例を示すＳＡＷフィルタのバンプ
形成工程断面図（その２）である。
形成工程断面図（その２）である。
【図３】従来の第１のバンプ形成方法を示す工程断面図
である。
である。
１ ウエハ（圧電基板ＬｉＴａＯ3 ） ２ Ａｌ櫛歯パターン ３ リフトオフ用レジスト膜 ４ パッドパターン ５ Ｃｒ膜 ６ Ｎｉ膜 ７ アンダーバンプメタル（ＵＢＭ） ８ めっき用厚膜レジスト ９ バンプめっき用パッド １０ Ｎｉ−Ｐめっき １１ バンプ １２ ＳＡＷウエハ ２１，２２ マスク
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）基板上にＡｌパターンを形成し、
（ｂ）該Ａｌパターン上にリフトオフ法を用いてバンプ
パッドのアンダーバンプメタルを蒸着またはスパッタに
て形成し、（ｃ）その後、前記アンダーバンプメタル上
に無電解めっきでバンプを形成することを特徴とするバ
ンプ形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のバンプ形成方法におい
て、前記基板には圧電基板を用い、前記Ａｌパターンは
櫛歯形状であるＳＡＷフィルタ用バンプとしたことを特
徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9243690A JPH1187392A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9243690A JPH1187392A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187392A true JPH1187392A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17107545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9243690A Withdrawn JPH1187392A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187392A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003176A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de formation de bosses sur substrat semi-conducteur generateur de charge electrique, procede de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique, dispositif de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique et substrat semi-conducteur generateur |
| KR100718120B1 (ko) | 2003-07-01 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 플립 칩 솔더 제조 방법 |
| DE102009037855A1 (de) | 2008-08-21 | 2010-04-15 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder Aluminiumlegierung |
| JP2011035246A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Stanley Electric Co Ltd | 誘電体薄膜デバイスの製造方法 |
| US9567686B2 (en) | 2010-06-23 | 2017-02-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Aluminum oxide film remover and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
| CN113684472A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-23 | 广东韶钢松山股份有限公司 | 一种碱熔用铁坩埚表面处理方法 |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP9243690A patent/JPH1187392A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003176A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de formation de bosses sur substrat semi-conducteur generateur de charge electrique, procede de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique, dispositif de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique et substrat semi-conducteur generateur |
| US6818975B1 (en) | 1999-07-02 | 2004-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric charge generating semiconductor substrate bump forming device, method of removing electric charge from electric charge generating semiconductor substrate device for removing electric charge from electric charge generating semiconductor substrate, and electric charge generating semiconductor substrate |
| US7005368B1 (en) | 1999-07-02 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bump forming apparatus for charge appearance semiconductor substrate, charge removal method for charge appearance semiconductor substrate, charge removing unit for charge appearance semiconductor substrate, and charge appearance semiconductor substrate |
| US7014092B2 (en) | 1999-07-02 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bump forming apparatus for charge appearance semiconductor substrate, charge removal method for charge appearance semiconductor substrate, charge removing unit for charge appearance semiconductor substrate, and charge appearance semiconductor substrate |
| KR100718120B1 (ko) | 2003-07-01 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 플립 칩 솔더 제조 방법 |
| DE102009037855A1 (de) | 2008-08-21 | 2010-04-15 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder Aluminiumlegierung |
| US8414711B2 (en) | 2008-08-21 | 2013-04-09 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Method of surface treatment for aluminum or aluminum alloy |
| DE102009037855B4 (de) | 2008-08-21 | 2022-12-15 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder Aluminiumlegierungen |
| JP2011035246A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Stanley Electric Co Ltd | 誘電体薄膜デバイスの製造方法 |
| US9567686B2 (en) | 2010-06-23 | 2017-02-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Aluminum oxide film remover and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
| CN113684472A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-23 | 广东韶钢松山股份有限公司 | 一种碱熔用铁坩埚表面处理方法 |
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