JPH1187392A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH1187392A JPH1187392A JP9243690A JP24369097A JPH1187392A JP H1187392 A JPH1187392 A JP H1187392A JP 9243690 A JP9243690 A JP 9243690A JP 24369097 A JP24369097 A JP 24369097A JP H1187392 A JPH1187392 A JP H1187392A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライプロセスにより、アンダーバンプメタ
ル(UBM)を形成することで、処理薬品によりAl膜
を侵すことなく、信頼性に優れたバンプを形成すること
ができるバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ(LiTaO3 圧電基板)1上に
Al櫛歯パターン2を形成し、このAlパターン2上に
リフトオフ法を用いてバンプパッドのアンダーバンプメ
タル7を蒸着にて形成し、その後、前記アンダーバンプ
メタル7上に無電解めっきでバンプ11を形成する。
ル(UBM)を形成することで、処理薬品によりAl膜
を侵すことなく、信頼性に優れたバンプを形成すること
ができるバンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ(LiTaO3 圧電基板)1上に
Al櫛歯パターン2を形成し、このAlパターン2上に
リフトオフ法を用いてバンプパッドのアンダーバンプメ
タル7を蒸着にて形成し、その後、前記アンダーバンプ
メタル7上に無電解めっきでバンプ11を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハにバンプを
無電解めっきにより形成するバンプ形成方法に関するも
のである。
無電解めっきにより形成するバンプ形成方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の先行技術として
は、(1)ISHM 1993 Proceeding
s 439〜444頁、(2)信技報 CPM87−3
7 13〜18頁、(3)信技報 CPM87−40
31〜36頁、(4)SHM会誌 Vol.10,N
o.2,21〜26頁に開示されるものがあった。
は、(1)ISHM 1993 Proceeding
s 439〜444頁、(2)信技報 CPM87−3
7 13〜18頁、(3)信技報 CPM87−40
31〜36頁、(4)SHM会誌 Vol.10,N
o.2,21〜26頁に開示されるものがあった。
【0003】このように、ウエハにバンプを無電解めっ
きで形成する方法は、上記文献(1)及び(2)に開示
されるように、ウエハ上のAl薄膜電極にジンケート処
理により、AlとZnとを置換する前処理を行った後、
無電解ニッケルめっきでバンプを形成する方法(第1の
バンプ形成方法)と、上記文献(3)に開示されるよう
に、Al電極表面をPdにより活性化させた後、無電解
ニッケルめっきを施す方法(第2のバンプ形成方法)、
及び上記文献(4)に開示されるように、AlとNiを
直接置換させ、次に、自己触媒型無電解ニッケルめっき
を行う方法(第3のバンプ形成方法)が用いられてい
た。
きで形成する方法は、上記文献(1)及び(2)に開示
されるように、ウエハ上のAl薄膜電極にジンケート処
理により、AlとZnとを置換する前処理を行った後、
無電解ニッケルめっきでバンプを形成する方法(第1の
バンプ形成方法)と、上記文献(3)に開示されるよう
に、Al電極表面をPdにより活性化させた後、無電解
ニッケルめっきを施す方法(第2のバンプ形成方法)、
及び上記文献(4)に開示されるように、AlとNiを
直接置換させ、次に、自己触媒型無電解ニッケルめっき
を行う方法(第3のバンプ形成方法)が用いられてい
た。
【0004】図3は上記した従来の第1のバンプ形成方
法を示す工程断面図である。 (1)まず、図3(a)に示すように、シリコン基板1
01上にSiO2 膜102を形成した後、Al電極10
3を形成し、このAl電極103のコンタクト部を除い
て、パッシべーション膜104が堆積される。 (2)次に、図3(b)に示すように、Al電極103
のコンタクト部のジンケート処理105が行われる。
法を示す工程断面図である。 (1)まず、図3(a)に示すように、シリコン基板1
01上にSiO2 膜102を形成した後、Al電極10
3を形成し、このAl電極103のコンタクト部を除い
て、パッシべーション膜104が堆積される。 (2)次に、図3(b)に示すように、Al電極103
のコンタクト部のジンケート処理105が行われる。
【0005】(3)次に、図3(c)に示すように、そ
のジンケート処理105が行われた部分にNi置換10
6が行われる。 (4)次に、図3(d)に示すように、そのNi置換1
06上に第1のバンプ(Ni−P)107が形成され
る。
のジンケート処理105が行われた部分にNi置換10
6が行われる。 (4)次に、図3(d)に示すように、そのNi置換1
06上に第1のバンプ(Ni−P)107が形成され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の第1のバンプ形成方法は薄膜(0.2〜0.8
μm)のAl電極パターンの処理がウエット方法である
ため、処理条件が制約される。つまり、ジンケート処理
液が強アルカリ性であるため、Al電極がエッチングさ
れ、消失することもあり、処理条件の選定が難しい。
た従来の第1のバンプ形成方法は薄膜(0.2〜0.8
μm)のAl電極パターンの処理がウエット方法である
ため、処理条件が制約される。つまり、ジンケート処理
液が強アルカリ性であるため、Al電極がエッチングさ
れ、消失することもあり、処理条件の選定が難しい。
【0007】また、バンプパッドを、有機レジストを用
いてフォトリソグラフィー法で形成する場合、強アルカ
リで処理すると有機レジストが侵されるので、強アルカ
リを使用することができない。したがって、表面に無機
系のパッシベーション膜が形成されているウエハにしか
適用できない。
いてフォトリソグラフィー法で形成する場合、強アルカ
リで処理すると有機レジストが侵されるので、強アルカ
リを使用することができない。したがって、表面に無機
系のパッシベーション膜が形成されているウエハにしか
適用できない。
【0008】また、上記した従来の第2のバンプ形成方
法では、Pd処理を施した場合、非触媒面への金属ニッ
ケルの異常析出や絶縁不良を引き起こすことがある。更
に、上記した従来の第3のバンプ形成方法では、前処理
工程のアルカリ脱脂液及び酸エッチング液の選定と条件
を十分に管理しなければ、Al電極が溶解する。また、
AlとNiの置換速度が密着性に影響するため、置換速
度を制御する必要があり、量産化が困難であった。
法では、Pd処理を施した場合、非触媒面への金属ニッ
ケルの異常析出や絶縁不良を引き起こすことがある。更
に、上記した従来の第3のバンプ形成方法では、前処理
工程のアルカリ脱脂液及び酸エッチング液の選定と条件
を十分に管理しなければ、Al電極が溶解する。また、
AlとNiの置換速度が密着性に影響するため、置換速
度を制御する必要があり、量産化が困難であった。
【0009】本発明は、上記問題点を除去し、ドライプ
ロセスにより、アンダーバンプメタル(UBM)を形成
することで、処理薬品によりAl膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができるバンプ形成
方法を提供することを目的とする。
ロセスにより、アンダーバンプメタル(UBM)を形成
することで、処理薬品によりAl膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができるバンプ形成
方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕バンプ形成方法において、基板上にAlパターン
を形成し、このAlパターン上にリフトオフ法を用いて
バンプパッドのアンダーバンプメタルを蒸着またはスパ
ッタにて形成し、その後、前記アンダーバンプメタル上
に無電解めっきでバンプを形成するようにしたものであ
る。
成するために、 〔1〕バンプ形成方法において、基板上にAlパターン
を形成し、このAlパターン上にリフトオフ法を用いて
バンプパッドのアンダーバンプメタルを蒸着またはスパ
ッタにて形成し、その後、前記アンダーバンプメタル上
に無電解めっきでバンプを形成するようにしたものであ
る。
【0011】〔2〕上記〔1〕記載のバンプ形成方法に
おいて、前記基板には圧電基板を用い、前記Alパター
ンは櫛歯形状であるSAWフィルタ用バンプとするよう
にしたものである。
おいて、前記基板には圧電基板を用い、前記Alパター
ンは櫛歯形状であるSAWフィルタ用バンプとするよう
にしたものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
実施例を示すSAWフィルタのバンプ形成工程断面図
(その1)、図2はそのSAWフィルタのバンプ形成工
程断面図(その2)である。以下、本発明の実施例を示
すSAWフィルタのバンプ形成方法を図1及び図2を参
照しながら説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
実施例を示すSAWフィルタのバンプ形成工程断面図
(その1)、図2はそのSAWフィルタのバンプ形成工
程断面図(その2)である。以下、本発明の実施例を示
すSAWフィルタのバンプ形成方法を図1及び図2を参
照しながら説明する。
【0013】(1)まず、図1(a)に示すように、A
l蒸着により形成されているAl櫛歯パターン2を有す
るウエハ(LiTaO3 圧電基板)1を用意する。 (2)次に、図1(b)に示すように、その上にリフト
オフ用レジスト膜3を塗布する。 (3)次いで、図1(c)に示すように、マスク21を
セットして、露光を行う。
l蒸着により形成されているAl櫛歯パターン2を有す
るウエハ(LiTaO3 圧電基板)1を用意する。 (2)次に、図1(b)に示すように、その上にリフト
オフ用レジスト膜3を塗布する。 (3)次いで、図1(c)に示すように、マスク21を
セットして、露光を行う。
【0014】(4)次に、図1(d)に示すように、現
像により、パッドパターン4を形成する。 (5)次に、図1(e)に示すように、Alとの密着性
の良いCr膜5を蒸着により形成し、更に、この上にめ
っきの触媒となるNi膜6を蒸着する。この時の成膜条
件としては、以下の通りである。
像により、パッドパターン4を形成する。 (5)次に、図1(e)に示すように、Alとの密着性
の良いCr膜5を蒸着により形成し、更に、この上にめ
っきの触媒となるNi膜6を蒸着する。この時の成膜条
件としては、以下の通りである。
【0015】真空度:3×10-6Torr以下 加熱温度:約110℃ 蒸着レート:140nm/分 (6)その後、図1(f)に示すように、リフトオフ用
レジスト膜3とそのレジスト膜3上のCr膜5、Ni膜
6をリフトオフ法により、同時に溶解、剥離して除去す
ることにより、アンダーバンプメタル(UBM)7を形
成する。
レジスト膜3とそのレジスト膜3上のCr膜5、Ni膜
6をリフトオフ法により、同時に溶解、剥離して除去す
ることにより、アンダーバンプメタル(UBM)7を形
成する。
【0016】(7)次いで、図2(a)に示すように、
めっき用厚膜レジスト膜8を塗布する。 (8)次に、図2(b)に示すように、マスク22をセ
ットし、露光する。 (9)次いで、図2(c)に示すように、現像を行い、
バンプめっき用パッド9を形成する。
めっき用厚膜レジスト膜8を塗布する。 (8)次に、図2(b)に示すように、マスク22をセ
ットし、露光する。 (9)次いで、図2(c)に示すように、現像を行い、
バンプめっき用パッド9を形成する。
【0017】(10)次に、無電解めっき液に浸漬し、
図2(d)に示すように、Ni−Pめっき10を形成す
る。ここで、めっき液としては、無電解ニッケル浴を用
い、以下の条件で行う。 (1)中性浴 (2)酸性浴 PH:6〜7 PH:5.0〜5.5 温度(℃):60 温度(℃):90 (11)次に、溶剤にてメッキ用厚膜レジスト膜8を溶
解し、図2(e)に示すように、除去することにより、
バンプ付きSAWウエハ12が得られる。
図2(d)に示すように、Ni−Pめっき10を形成す
る。ここで、めっき液としては、無電解ニッケル浴を用
い、以下の条件で行う。 (1)中性浴 (2)酸性浴 PH:6〜7 PH:5.0〜5.5 温度(℃):60 温度(℃):90 (11)次に、溶剤にてメッキ用厚膜レジスト膜8を溶
解し、図2(e)に示すように、除去することにより、
バンプ付きSAWウエハ12が得られる。
【0018】その後、このSAWウエハ12を所定の形
状にダイシングすることにより、バンプ付きSAWチッ
プが得られる。なお、上記実施例は、SAWフィルタの
バンプ形成方法として好適であるが、これに限定される
ものではないことは言うまでもない。また、上記実施例
では、Alパターン上にリフトオフ法を用いてバンプパ
ッドのアンダーバンプメタルを蒸着にて形成したが、こ
れに代えて、スパッタにて形成するようにしても良い。
状にダイシングすることにより、バンプ付きSAWチッ
プが得られる。なお、上記実施例は、SAWフィルタの
バンプ形成方法として好適であるが、これに限定される
ものではないことは言うまでもない。また、上記実施例
では、Alパターン上にリフトオフ法を用いてバンプパ
ッドのアンダーバンプメタルを蒸着にて形成したが、こ
れに代えて、スパッタにて形成するようにしても良い。
【0019】上記したように、本発明によれば、ドライ
プロセスにより、アンダーバンプメタル(UBM)を形
成するようにしたので、処理薬品によりAl膜を侵すこ
となく、信頼性に優れたバンプを形成することができ
る。また、有機レジストでパターンを形成することがで
きるので、従来のように無機系のレジスト(パッシベー
ション膜、SiO2 、Si3 N4 等)が表面に無いもの
にもバンプを形成することができる。
プロセスにより、アンダーバンプメタル(UBM)を形
成するようにしたので、処理薬品によりAl膜を侵すこ
となく、信頼性に優れたバンプを形成することができ
る。また、有機レジストでパターンを形成することがで
きるので、従来のように無機系のレジスト(パッシベー
ション膜、SiO2 、Si3 N4 等)が表面に無いもの
にもバンプを形成することができる。
【0020】更に、リフトオフ法を用いるようにしたの
で、不要なパターンをエッチングすることなく、必要な
部分のみにUBM膜を形成することができる。一方、こ
のプロセスを用いれば、UBM膜を適当に選定すること
により、他の無電解めっき(例えば、無電解Cuめっ
き、無電解Ni−Bめっき等)にも適用することが可能
である。
で、不要なパターンをエッチングすることなく、必要な
部分のみにUBM膜を形成することができる。一方、こ
のプロセスを用いれば、UBM膜を適当に選定すること
により、他の無電解めっき(例えば、無電解Cuめっ
き、無電解Ni−Bめっき等)にも適用することが可能
である。
【0021】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0022】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、ドライプロセスに
より、アンダーバンプメタル(UBM)を形成するよう
にしたので、処理薬品によりAl膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、ドライプロセスに
より、アンダーバンプメタル(UBM)を形成するよう
にしたので、処理薬品によりAl膜を侵すことなく、信
頼性に優れたバンプを形成することができる。
【0023】また、有機レジストでパターンを形成する
ことができるので、従来のように無機系のレジスト(パ
ッシベーション膜、SiO2 、Si3 N4 等)が表面に
無いものにもバンプを形成することができる。更に、リ
フトオフ法を用いるので、不要なパターンをエッチング
することなく、必要な部分のみにUBM膜を形成するこ
とができる。
ことができるので、従来のように無機系のレジスト(パ
ッシベーション膜、SiO2 、Si3 N4 等)が表面に
無いものにもバンプを形成することができる。更に、リ
フトオフ法を用いるので、不要なパターンをエッチング
することなく、必要な部分のみにUBM膜を形成するこ
とができる。
【0024】(2)請求項2記載の発明によれば、本プ
ロセスを用いれば、SAWフィルタのバンプ形成方法と
して好適であり、信頼性の高いSAWフィルタのバンプ
形成方法を得ることができる。
ロセスを用いれば、SAWフィルタのバンプ形成方法と
して好適であり、信頼性の高いSAWフィルタのバンプ
形成方法を得ることができる。
【図1】本発明の実施例を示すSAWフィルタのバンプ
形成工程断面図(その1)である。
形成工程断面図(その1)である。
【図2】本発明の実施例を示すSAWフィルタのバンプ
形成工程断面図(その2)である。
形成工程断面図(その2)である。
【図3】従来の第1のバンプ形成方法を示す工程断面図
である。
である。
1 ウエハ(圧電基板LiTaO3 ) 2 Al櫛歯パターン 3 リフトオフ用レジスト膜 4 パッドパターン 5 Cr膜 6 Ni膜 7 アンダーバンプメタル(UBM) 8 めっき用厚膜レジスト 9 バンプめっき用パッド 10 Ni−Pめっき 11 バンプ 12 SAWウエハ 21,22 マスク
Claims (2)
- 【請求項1】(a)基板上にAlパターンを形成し、
(b)該Alパターン上にリフトオフ法を用いてバンプ
パッドのアンダーバンプメタルを蒸着またはスパッタに
て形成し、(c)その後、前記アンダーバンプメタル上
に無電解めっきでバンプを形成することを特徴とするバ
ンプ形成方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のバンプ形成方法におい
て、前記基板には圧電基板を用い、前記Alパターンは
櫛歯形状であるSAWフィルタ用バンプとしたことを特
徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9243690A JPH1187392A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9243690A JPH1187392A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187392A true JPH1187392A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17107545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9243690A Withdrawn JPH1187392A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1187392A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001003176A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de formation de bosses sur substrat semi-conducteur generateur de charge electrique, procede de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique, dispositif de suppression de la charge electrique d'un substrat generateur de charge electrique et substrat semi-conducteur generateur |
KR100718120B1 (ko) | 2003-07-01 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 플립 칩 솔더 제조 방법 |
DE102009037855A1 (de) | 2008-08-21 | 2010-04-15 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder Aluminiumlegierung |
JP2011035246A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Stanley Electric Co Ltd | 誘電体薄膜デバイスの製造方法 |
US9567686B2 (en) | 2010-06-23 | 2017-02-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Aluminum oxide film remover and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
CN113684472A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-23 | 广东韶钢松山股份有限公司 | 一种碱熔用铁坩埚表面处理方法 |
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1997
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