JPH05206121A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
- Publication number
- JPH05206121A JPH05206121A JP194392A JP194392A JPH05206121A JP H05206121 A JPH05206121 A JP H05206121A JP 194392 A JP194392 A JP 194392A JP 194392 A JP194392 A JP 194392A JP H05206121 A JPH05206121 A JP H05206121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- catalyst layer
- electroless plating
- plating
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁性または半絶縁性基板上に、無電解メッキ
法で配線を形成する場合に、サイドエッチによる配線細
りや、配線形成部以外にメッキ層が形成されるのを防
ぐ。 【構成】メッキ用触媒を含むフォトレジストを塗布し、
配線パターンを転写した後プラズマ灰化し、次いでスパ
ッタエッチングで配線パターン部以外に残存する触媒層
を除去し、熱処理で密着性を向上した後無電解メッキを
行う工程をそなえる。メッキ後にエッチングを行なわな
いためサイドエッチを考える必要がなく、配線パターン
部以外にメッキが成長する触媒層を除いていることから
不要なメッキの成長を防ぐ。
法で配線を形成する場合に、サイドエッチによる配線細
りや、配線形成部以外にメッキ層が形成されるのを防
ぐ。 【構成】メッキ用触媒を含むフォトレジストを塗布し、
配線パターンを転写した後プラズマ灰化し、次いでスパ
ッタエッチングで配線パターン部以外に残存する触媒層
を除去し、熱処理で密着性を向上した後無電解メッキを
行う工程をそなえる。メッキ後にエッチングを行なわな
いためサイドエッチを考える必要がなく、配線パターン
部以外にメッキが成長する触媒層を除いていることから
不要なメッキの成長を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜の配線の形成方法に
係わり、特に無電解メッキを用いた微細パターンの形成
方法に関する。
係わり、特に無電解メッキを用いた微細パターンの形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁性基板や半絶縁性基板上ある
いは絶縁膜を有する基板上に薄膜配線を形成するには、
予め蒸着、スパッタ、無電解メッキ等で導電性の下地被
膜を形成し、この上にさらに配線の抵抗を下げるため
に、電解メッキ、無電解メッキで被膜を厚く形成した
後、フォトリソグラフィー法で所望の配線パターンを形
成している。
いは絶縁膜を有する基板上に薄膜配線を形成するには、
予め蒸着、スパッタ、無電解メッキ等で導電性の下地被
膜を形成し、この上にさらに配線の抵抗を下げるため
に、電解メッキ、無電解メッキで被膜を厚く形成した
後、フォトリソグラフィー法で所望の配線パターンを形
成している。
【０００３】この従来技術を図３で、無電解メッキ下地
の例を参照しながら詳述すると、まず図３の（Ａ）で無
電解メッキの反応触媒層、例えばパラジウム（Ｐｄ）を
含む層２を塗布形成する。次いで焼きしめにより基板１
上に強固に固着させ図３の（Ｂ）の触媒層３となる。次
いで無電解メッキ液、例えば水溶性ニッケル（Ｎｉ）
塩、と次亜リン酸塩（ＮａＨ2 ＰＯ2 ）の混合液中に浸
漬すると、触媒層３の働きにより無電解メッキ液中のＮ
ｉイオンが還元し、触媒層に被着し、さらに還元したＮ
ｉを核に還元反応が進行してゆく結果、約８０℃、２０
分で１μｍ程度の厚さの無電解メッキ層４が形成され
る。これにフォトレジスト５を塗布し、フォトリソグラ
フィーで配線パターンを形成したのが図３の（ｃ）であ
る。次いで露出している無電解メッキ層４と触媒層３を
選択的にエッチング除去し、レジスト層５を除去すれ
ば、残余せる触媒層３を下地とした無電解メッキ層４か
らなる所望の配線パターンを有する基板が完成する。
の例を参照しながら詳述すると、まず図３の（Ａ）で無
電解メッキの反応触媒層、例えばパラジウム（Ｐｄ）を
含む層２を塗布形成する。次いで焼きしめにより基板１
上に強固に固着させ図３の（Ｂ）の触媒層３となる。次
いで無電解メッキ液、例えば水溶性ニッケル（Ｎｉ）
塩、と次亜リン酸塩（ＮａＨ2 ＰＯ2 ）の混合液中に浸
漬すると、触媒層３の働きにより無電解メッキ液中のＮ
ｉイオンが還元し、触媒層に被着し、さらに還元したＮ
ｉを核に還元反応が進行してゆく結果、約８０℃、２０
分で１μｍ程度の厚さの無電解メッキ層４が形成され
る。これにフォトレジスト５を塗布し、フォトリソグラ
フィーで配線パターンを形成したのが図３の（ｃ）であ
る。次いで露出している無電解メッキ層４と触媒層３を
選択的にエッチング除去し、レジスト層５を除去すれ
ば、残余せる触媒層３を下地とした無電解メッキ層４か
らなる所望の配線パターンを有する基板が完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の形成法では、無
電解メッキ層４のエッチング液と、触媒層３のエッチン
グ液により、レジスト５下の無電解メッキ層４が大きく
浸食されるサイドエッチン現象が現われ、微細な配線が
形成しにくい欠点がある。
電解メッキ層４のエッチング液と、触媒層３のエッチン
グ液により、レジスト５下の無電解メッキ層４が大きく
浸食されるサイドエッチン現象が現われ、微細な配線が
形成しにくい欠点がある。
【０００５】サイドエッチを小さくする形成法として図
４の（Ａ）のように配線部を開口する様にレジスト５を
パターニングし、次いで触媒層２を被着する。この後レ
ジスト５を溶解除去し、レジスト５上の触媒層２も除去
すると開口部底部のみに触媒層２が残存し、これを無電
解メッキ液に浸漬すれば所望の配線パターンを有す基板
が完成する。しかしこの方法ではレジスト上の触媒層２
が基板１上にこびりつく場合があり、このままメッキを
行うと図４の（Ｂ）に示すように、触媒層６上に無電解
メッキ層７が形成されるという欠点があった。
４の（Ａ）のように配線部を開口する様にレジスト５を
パターニングし、次いで触媒層２を被着する。この後レ
ジスト５を溶解除去し、レジスト５上の触媒層２も除去
すると開口部底部のみに触媒層２が残存し、これを無電
解メッキ液に浸漬すれば所望の配線パターンを有す基板
が完成する。しかしこの方法ではレジスト上の触媒層２
が基板１上にこびりつく場合があり、このままメッキを
行うと図４の（Ｂ）に示すように、触媒層６上に無電解
メッキ層７が形成されるという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の配線の形成法
は、無電解メッキの触媒を含有するフォトレジストを塗
布する工程と、必要とする配線パターンを転写する工程
と、転写したパターンをプラズマ灰化する工程と、スパ
ッタエッチングを行う工程と、無電解メッキを行う工程
とを有してなる。
は、無電解メッキの触媒を含有するフォトレジストを塗
布する工程と、必要とする配線パターンを転写する工程
と、転写したパターンをプラズマ灰化する工程と、スパ
ッタエッチングを行う工程と、無電解メッキを行う工程
とを有してなる。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の基板の断面図であ
る。
る。図１は本発明の第１の実施例の基板の断面図であ
る。
【０００８】図１の（Ａ）は、無電解メッキ用触媒、例
えばパラジウムの有機化合物やパラジウム塩を含有させ
たフォトレジストを基板１の上に塗布し、フォトリソグ
ラフィー法で触媒入りレジスト８のパターンを形成した
図である。
えばパラジウムの有機化合物やパラジウム塩を含有させ
たフォトレジストを基板１の上に塗布し、フォトリソグ
ラフィー法で触媒入りレジスト８のパターンを形成した
図である。
【０００９】ここでレジスト８部以外の部分には、それ
まで表面を覆っていたレジストから析出した触媒層が残
存しており、うすい残存触媒層９を形成している。
まで表面を覆っていたレジストから析出した触媒層が残
存しており、うすい残存触媒層９を形成している。
【００１０】次いでプラズマ灰化を行うと、レジスト８
と残存する触媒層９に含まれる有機物が分解し、無機成
分である触媒のパラジウム層１０，１１が残り、図１の
（Ｂ）のようになる。プラズマ灰化はＲＦ電力４００〜
８００Ｗ，９０分〜１８０分程度で充分である。
と残存する触媒層９に含まれる有機物が分解し、無機成
分である触媒のパラジウム層１０，１１が残り、図１の
（Ｂ）のようになる。プラズマ灰化はＲＦ電力４００〜
８００Ｗ，９０分〜１８０分程度で充分である。
【００１１】次いで、この基板１をスパッタエッチング
し、表面に残存する触媒層１１を除去すると図１の
（Ｃ）のようになる。ここで配線パターン部以外にわず
かでも触媒層が残存すると、この触媒により無電解メッ
キ層が析出するため、完全除去は不可欠であり、この工
程の効果は大きい。このとき触媒層１０も表面の一部が
除去されるが、残存する触媒層１１の厚みが触媒層１０
の厚みに比べ薄いため、影響は少ない。
し、表面に残存する触媒層１１を除去すると図１の
（Ｃ）のようになる。ここで配線パターン部以外にわず
かでも触媒層が残存すると、この触媒により無電解メッ
キ層が析出するため、完全除去は不可欠であり、この工
程の効果は大きい。このとき触媒層１０も表面の一部が
除去されるが、残存する触媒層１１の厚みが触媒層１０
の厚みに比べ薄いため、影響は少ない。
【００１２】図１の（Ｄ）はこのようにして得られた基
板１を無電解メッキ液に浸漬し、触媒層上のみに無電解
メッキ層１２を析出させたものであり、本発明による配
線１２を形成した完成図である。
板１を無電解メッキ液に浸漬し、触媒層上のみに無電解
メッキ層１２を析出させたものであり、本発明による配
線１２を形成した完成図である。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例を示す工程断
面図であり、図２の（Ａ）は図１の（Ｃ）の工程の後に
熱処理を行い、基板１内に触媒層１０を拡散させ、触媒
層１３を形成した図である。図１の（Ｃ）では触媒層１
０の密着性が物理的な力のみであるのに比べ、図２の
（Ａ）の様に拡散させる事によりより強固な密着を得る
ことができる。
面図であり、図２の（Ａ）は図１の（Ｃ）の工程の後に
熱処理を行い、基板１内に触媒層１０を拡散させ、触媒
層１３を形成した図である。図１の（Ｃ）では触媒層１
０の密着性が物理的な力のみであるのに比べ、図２の
（Ａ）の様に拡散させる事によりより強固な密着を得る
ことができる。
【００１４】次いで無電解メッキ液に浸漬し、無電解メ
ッキ層１２を析出すれば本発明による配線１２の形成が
図２の（Ｂ）に示すように完成される。
ッキ層１２を析出すれば本発明による配線１２の形成が
図２の（Ｂ）に示すように完成される。
【００１５】またこの図２の（Ａ）は次の手段でも実現
できる。すなわち図１の（Ｃ）の工程の前に熱処理を行
い、触媒層１０を拡散させる。このとき残存する触媒層
１１も同時に拡散されるが、次の工程の前に基板１表面
を軽くエッチングすることで、残存触媒層１１を露出で
き、次いでスパッタエッチングで除去すれば図２の
（Ａ）と同様の形状を得ることができる。なおフォトレ
ジストに含有する触媒は、例えばＰｄであれば、Ｐｄ重
量で０．１〜１％を加えておけば良い。
できる。すなわち図１の（Ｃ）の工程の前に熱処理を行
い、触媒層１０を拡散させる。このとき残存する触媒層
１１も同時に拡散されるが、次の工程の前に基板１表面
を軽くエッチングすることで、残存触媒層１１を露出で
き、次いでスパッタエッチングで除去すれば図２の
（Ａ）と同様の形状を得ることができる。なおフォトレ
ジストに含有する触媒は、例えばＰｄであれば、Ｐｄ重
量で０．１〜１％を加えておけば良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は下地触媒層を
形成した後無電解メッキを行うのでサイドエッチによる
配線浸食が無く微細な配線が形成できる。
形成した後無電解メッキを行うのでサイドエッチによる
配線浸食が無く微細な配線が形成できる。
【００１７】また、配線形成部以外に残存する触媒層を
完全に除去する工程を有しているので、不要部分に無電
解メッキ層が形成されるのを防止することができる効果
を有する。
完全に除去する工程を有しているので、不要部分に無電
解メッキ層が形成されるのを防止することができる効果
を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の工程断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の工程断面図。
【図３】従来技術を示す工程断面図。
【図４】従来技術を示す工程断面図。
１ 基板 ２，１０ 触媒層 ３ 焼きしめた触媒層 ４，１２ 無電解メッキ層 ５ レジスト層 ６ こびりついた触媒層 ７ 触媒層６上に形成された無電解メッキ層 ８ 触媒入りレジスト層 ９，１１ 残存する触媒層 １３ 基板に拡散した触媒層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に配線を形成するに当り、無電解
メッキの触媒を含有するフォトレジストを塗布する工程
と、必要とする配線パターンを転写する工程と、転写し
たパターンをプラズマ灰化する工程と、スパッタエッチ
ングを行う工程と、無電解メッキを行う工程とを有する
ことを特徴とする配線の形成方法。 - 【請求項２】 スパッタエッチング工程の前または後工
程に熱処理の工程が含まれている事を特徴とする請求項
１に記載の配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP194392A JPH05206121A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP194392A JPH05206121A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206121A true JPH05206121A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11515701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP194392A Withdrawn JPH05206121A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110051387A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-03-03 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Method for electroless nickel-palladium-gold plating, plated product, printed wiring board, interposer and semiconductor apparatus |
| KR20140092258A (ko) | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 배선기판의 제조방법 |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP194392A patent/JPH05206121A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110051387A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-03-03 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Method for electroless nickel-palladium-gold plating, plated product, printed wiring board, interposer and semiconductor apparatus |
| KR20140092258A (ko) | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 배선기판의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5580668A (en) | Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating | |
| JPS5812344B2 (ja) | 銅を基材とする金属パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6244812B2 (ja) | ||
| EP0073910B1 (en) | Method of etching polyimide | |
| JPH07273118A (ja) | 配線、電極の形成方法 | |
| US5126007A (en) | Method for etching a pattern in layer of gold | |
| US6020261A (en) | Process for forming high aspect ratio circuit features | |
| US4988413A (en) | Reducing plating anomalies in electroplated fine geometry conductive features | |
| US20020184761A1 (en) | Ink jet printer head and manufacturing method thereof | |
| JPS63170925A (ja) | 基板上に配線を形成する方法およびリフトオフ膜 | |
| JPH09139386A (ja) | 非平面層の平坦化方法 | |
| JPH05206121A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPH0817798A (ja) | ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法 | |
| US4081315A (en) | Cermet etch technique | |
| JPH02253628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7316783B2 (en) | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components | |
| JPS62172741A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH05218020A (ja) | 薄膜配線の形成方法 | |
| JPH1187392A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP2002076574A (ja) | プリント基板およびプリント基板の製造方法 | |
| JP2001127062A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JP2002076573A (ja) | プリント基板およびプリント基板の製造方法 | |
| JPH0629647A (ja) | フォトレジストの剥離方法 | |
| JPS62149125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06267961A (ja) | 金属配線の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |