JP2001127062A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】無電解めっき法を用いることにより、簡易な製
造工程で且つ低コストで配線を形成できる配線の形成方
法を提供する。 【解決手段】本発明に係る配線の形成方法は、ＳｉＯ2
からなる絶縁膜１上に、配線を形成する領域が開口され
たレジストパターン３を形成する工程と、前記絶縁膜１
上に無電解めっきシード膜としてのパラジウム膜４を形
成する工程と、前記パラジウム膜４及び前記レジストパ
ターン３を無電解めっき液に浸漬することにより、パラ
ジウム膜４上に無電解めっき層からなる配線５を形成す
る工程と、前記レジストパターン３を剥離する工程と、
を具備するものである。
造工程で且つ低コストで配線を形成できる配線の形成方
法を提供する。 【解決手段】本発明に係る配線の形成方法は、ＳｉＯ2
からなる絶縁膜１上に、配線を形成する領域が開口され
たレジストパターン３を形成する工程と、前記絶縁膜１
上に無電解めっきシード膜としてのパラジウム膜４を形
成する工程と、前記パラジウム膜４及び前記レジストパ
ターン３を無電解めっき液に浸漬することにより、パラ
ジウム膜４上に無電解めっき層からなる配線５を形成す
る工程と、前記レジストパターン３を剥離する工程と、
を具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき法を
用いた配線の形成方法に関する。
用いた配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）〜（ｄ）は、従来の配線の形
成方法を示す断面図である。
成方法を示す断面図である。
【０００３】まず、シリコン基板（図示せず）に半導体
素子を形成した後、このシリコン基板の上にＳｉＯ2か
らなる絶縁膜１１を形成する。次に、図２（ａ）に示す
ように、この絶縁膜１１上にスパッタリングによりＡｌ
合金膜１３を堆積する。
素子を形成した後、このシリコン基板の上にＳｉＯ2か
らなる絶縁膜１１を形成する。次に、図２（ａ）に示す
ように、この絶縁膜１１上にスパッタリングによりＡｌ
合金膜１３を堆積する。
【０００４】この後、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ合
金膜１３上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて露光、現像することにより、Ａｌ合金膜１
３上にはレジストパターン１５が形成される。
金膜１３上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて露光、現像することにより、Ａｌ合金膜１
３上にはレジストパターン１５が形成される。
【０００５】次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト
パターン１５をマスクとしてＡｌ合金膜１３をドライエ
ッチングすることにより、絶縁膜１１上にはＡｌ合金配
線１３ａが形成される。この後、図２（ｄ）に示すよう
に、レジストパターン１５をＯ2プラズマにより剥離
し、レジスト剥離溶液により剥離する。
パターン１５をマスクとしてＡｌ合金膜１３をドライエ
ッチングすることにより、絶縁膜１１上にはＡｌ合金配
線１３ａが形成される。この後、図２（ｄ）に示すよう
に、レジストパターン１５をＯ2プラズマにより剥離
し、レジスト剥離溶液により剥離する。
【０００６】ところで、上記従来の配線の形成方法で
は、Ａｌ合金膜１３をパターニングする際にドライエッ
チングを用いており、それに使用するエッチングガスは
一般に毒性、腐食性のあるものである。このため、この
エッチングガスを除害するのに比較的大きなコストがか
かる。このような事情から低コストの配線の形成方法が
求められている。
は、Ａｌ合金膜１３をパターニングする際にドライエッ
チングを用いており、それに使用するエッチングガスは
一般に毒性、腐食性のあるものである。このため、この
エッチングガスを除害するのに比較的大きなコストがか
かる。このような事情から低コストの配線の形成方法が
求められている。
【０００７】図３（ａ）〜（ｄ）は、従来の他の配線の
形成方法を示す断面図である。
形成方法を示す断面図である。
【０００８】まず、シリコン基板（図示せず）に半導体
素子を形成した後、このシリコン基板の上にＳｉＯ2か
らなる絶縁膜２１を形成する。次に、図３（ａ）に示す
ように、絶縁膜２１上に電解めっきのための導電層２３
をスパッタリングにより形成する。
素子を形成した後、このシリコン基板の上にＳｉＯ2か
らなる絶縁膜２１を形成する。次に、図３（ａ）に示す
ように、絶縁膜２１上に電解めっきのための導電層２３
をスパッタリングにより形成する。
【０００９】この後、図３（ｂ）に示すように、導電層
２３上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて露光、現像することにより、導電層２３上には
レジストパターン２５が形成される。このレジストパタ
ーン２５は、選択的電解めっきをするためのマスクであ
って、配線を形成する部分が開口されたパターンであ
る。
２３上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて露光、現像することにより、導電層２３上には
レジストパターン２５が形成される。このレジストパタ
ーン２５は、選択的電解めっきをするためのマスクであ
って、配線を形成する部分が開口されたパターンであ
る。
【００１０】次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト
パターン２５をマスクとして導電層２３上にＡｕを電解
めっきして配線としての金属膜２７を形成する。この
後、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン２５を
剥離する。次に、金属膜２７をマスクとして導電層２３
をエッチングする。これにより、配線２７の相互間は絶
縁膜２１が露出する。
パターン２５をマスクとして導電層２３上にＡｕを電解
めっきして配線としての金属膜２７を形成する。この
後、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン２５を
剥離する。次に、金属膜２７をマスクとして導電層２３
をエッチングする。これにより、配線２７の相互間は絶
縁膜２１が露出する。
【００１１】ところで、上記従来の他の配線の形成方法
では、電解めっき法により配線２７を形成するため、絶
縁膜２１上に導電層２３を形成する必要があるととも
に、レジストパターン２５の直下に位置する導電層２３
を除去する必要がある。このように製造工程が複雑にな
るので、製造工程の削減が求められている。
では、電解めっき法により配線２７を形成するため、絶
縁膜２１上に導電層２３を形成する必要があるととも
に、レジストパターン２５の直下に位置する導電層２３
を除去する必要がある。このように製造工程が複雑にな
るので、製造工程の削減が求められている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の配線の形成
方法には、前述したように、エッチングガスを除害する
のに比較的大きなコストがかかるという問題があり、上
記従来の他の配線の形成方法には、製造工程が複雑であ
るという問題がある。
方法には、前述したように、エッチングガスを除害する
のに比較的大きなコストがかかるという問題があり、上
記従来の他の配線の形成方法には、製造工程が複雑であ
るという問題がある。
【００１３】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、無電解めっき法を用いる
ことにより、簡易な製造工程で且つ低コストで配線を形
成できる配線の形成方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、無電解めっき法を用いる
ことにより、簡易な製造工程で且つ低コストで配線を形
成できる配線の形成方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る配線の形成方法は、絶縁膜上に、配線
を形成する領域が開口されたレジストパターンを形成す
る工程と、前記絶縁膜上に無電解めっきシード膜を形成
する工程と、前記無電解めっきシード膜及び前記レジス
トパターンを無電解めっき液に浸漬することにより、無
電解めっきシード膜上に無電解めっき層からなる配線を
形成する工程と、前記レジストパターンを剥離する工程
と、を具備することを特徴とする。
め、本発明に係る配線の形成方法は、絶縁膜上に、配線
を形成する領域が開口されたレジストパターンを形成す
る工程と、前記絶縁膜上に無電解めっきシード膜を形成
する工程と、前記無電解めっきシード膜及び前記レジス
トパターンを無電解めっき液に浸漬することにより、無
電解めっきシード膜上に無電解めっき層からなる配線を
形成する工程と、前記レジストパターンを剥離する工程
と、を具備することを特徴とする。
【００１５】上記配線の形成方法では、無電解めっき法
により配線を形成しているため、低コストで配線を形成
することができる。つまり、従来技術のようなドライエ
ッチング工程を必要としないので、毒性、腐食性のある
エッチングガスを用いる必要がなく、このエッチングガ
スを除害する工程も必要がないからである。さらに、上
記配線の形成方法では、製造工程を少なくすることがで
き、簡易な製造工程で配線を形成できる。つまり、従来
技術のような電解めっき法を用いると、絶縁膜上に導電
層を形成する工程及びレジストパターンの直下に位置す
る導電層を除去する工程が必要となるが、無電解めっき
法を用いると、これらの工程が不要となる代わりに、無
電解めっきシード膜を形成する工程が必要となるだけだ
からである。
により配線を形成しているため、低コストで配線を形成
することができる。つまり、従来技術のようなドライエ
ッチング工程を必要としないので、毒性、腐食性のある
エッチングガスを用いる必要がなく、このエッチングガ
スを除害する工程も必要がないからである。さらに、上
記配線の形成方法では、製造工程を少なくすることがで
き、簡易な製造工程で配線を形成できる。つまり、従来
技術のような電解めっき法を用いると、絶縁膜上に導電
層を形成する工程及びレジストパターンの直下に位置す
る導電層を除去する工程が必要となるが、無電解めっき
法を用いると、これらの工程が不要となる代わりに、無
電解めっきシード膜を形成する工程が必要となるだけだ
からである。
【００１６】また、本発明に係る配線の形成方法におい
て、前記無電解めっきシード膜を形成する工程は、パラ
ジウムを含む溶液に前記絶縁膜及び前記レジストパター
ンを浸漬することにより、前記絶縁膜上にパラジウム膜
を形成する工程であることも可能である。
て、前記無電解めっきシード膜を形成する工程は、パラ
ジウムを含む溶液に前記絶縁膜及び前記レジストパター
ンを浸漬することにより、前記絶縁膜上にパラジウム膜
を形成する工程であることも可能である。
【００１７】また、本発明に係る配線の形成方法におい
ては、前記絶縁膜がＳｉＯ2からなることが好ましい。
これにより、レジストパターンは親水性ではなく、Ｓｉ
Ｏ2からなる絶縁膜は親水性であるため、パラジウムを
含む溶液に絶縁膜を浸漬した際、絶縁膜上にのみパラジ
ウムを付着することができる。
ては、前記絶縁膜がＳｉＯ2からなることが好ましい。
これにより、レジストパターンは親水性ではなく、Ｓｉ
Ｏ2からなる絶縁膜は親水性であるため、パラジウムを
含む溶液に絶縁膜を浸漬した際、絶縁膜上にのみパラジ
ウムを付着することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１９】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形
態による配線の形成方法を示す断面図である。
態による配線の形成方法を示す断面図である。
【００２０】まず、シリコン基板（図示せず）に半導体
素子を形成した後、このシリコン基板の上にＳｉＯ2か
らなる絶縁膜１を形成する。次に、図１（ａ）に示すよ
うに、絶縁膜１上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて露光、現像することにより、絶縁膜
１上にはレジストパターン３が形成される。このレジス
トパターン３は、無電解めっきをするためのマスクであ
って、配線を形成する部分が開口されたパターンであ
る。
素子を形成した後、このシリコン基板の上にＳｉＯ2か
らなる絶縁膜１を形成する。次に、図１（ａ）に示すよ
うに、絶縁膜１上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて露光、現像することにより、絶縁膜
１上にはレジストパターン３が形成される。このレジス
トパターン３は、無電解めっきをするためのマスクであ
って、配線を形成する部分が開口されたパターンであ
る。
【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように、パラジウ
ムを含む溶液に絶縁膜１を浸漬することにより、レジス
トパターン３の開口部により露出した絶縁膜１上にのみ
無電解めっきシード膜としてのパラジウム膜４を形成す
る。この際、レジストパターン３は親水性ではなく、Ｓ
ｉＯ2からなる絶縁膜１は親水性であるため、絶縁膜１
上にのみパラジウムが付着する。この後、無電解めっき
液にパラジウム膜４を有する絶縁膜１を浸漬することに
より、パラジウム膜４上に無電解めっき膜５が形成され
る。なお、無電解めっき膜５としては、種々の膜を形成
することが可能であり、例えばＮｉめっき膜、Ｃｕめっ
き膜又は合金めっき膜などを形成することも可能であ
る。
ムを含む溶液に絶縁膜１を浸漬することにより、レジス
トパターン３の開口部により露出した絶縁膜１上にのみ
無電解めっきシード膜としてのパラジウム膜４を形成す
る。この際、レジストパターン３は親水性ではなく、Ｓ
ｉＯ2からなる絶縁膜１は親水性であるため、絶縁膜１
上にのみパラジウムが付着する。この後、無電解めっき
液にパラジウム膜４を有する絶縁膜１を浸漬することに
より、パラジウム膜４上に無電解めっき膜５が形成され
る。なお、無電解めっき膜５としては、種々の膜を形成
することが可能であり、例えばＮｉめっき膜、Ｃｕめっ
き膜又は合金めっき膜などを形成することも可能であ
る。
【００２２】この後、図１（ｃ）に示すように、レジス
トパターン３をレジスト剥離溶液により剥離する。この
ようにして絶縁膜１上に無電解めっき膜からなる配線５
が形成される。なお、レジストパターン３を剥離する工
程においては、前述した従来の配線の形成方法のような
Ｏ2プラズマによる剥離工程を行う必要がない。その理
由は、ドライエッチング時にレジストがプラズマにさら
されることで形成されるレジスト表面の変質層が、めっ
きによる配線形成の場合は形成されない。従って、レジ
スト剥離溶液で容易に剥離することができるためであ
る。
トパターン３をレジスト剥離溶液により剥離する。この
ようにして絶縁膜１上に無電解めっき膜からなる配線５
が形成される。なお、レジストパターン３を剥離する工
程においては、前述した従来の配線の形成方法のような
Ｏ2プラズマによる剥離工程を行う必要がない。その理
由は、ドライエッチング時にレジストがプラズマにさら
されることで形成されるレジスト表面の変質層が、めっ
きによる配線形成の場合は形成されない。従って、レジ
スト剥離溶液で容易に剥離することができるためであ
る。
【００２３】上記実施の形態によれば、無電解めっき法
により配線５を形成しているため、従来の配線の形成方
法のようにドライエッチング工程を必要としない。従っ
て、毒性、腐食性のあるエッチングガスを用いる必要が
なく、このエッチングガスを除害する工程も必要ないた
め、本実施の形態は低コストの配線の形成方法であると
共に、環境にも優しい配線の形成方法である。
により配線５を形成しているため、従来の配線の形成方
法のようにドライエッチング工程を必要としない。従っ
て、毒性、腐食性のあるエッチングガスを用いる必要が
なく、このエッチングガスを除害する工程も必要ないた
め、本実施の形態は低コストの配線の形成方法であると
共に、環境にも優しい配線の形成方法である。
【００２４】また、本実施の形態は、前述した従来の他
の配線の形成方法に比べて製造工程を少なくすることが
できる。
の配線の形成方法に比べて製造工程を少なくすることが
できる。
【００２５】すなわち、従来の他の配線の形成方法で
は、電解めっき法を用いているため、絶縁膜２１上に導
電層２３を形成する工程及びレジストパターン２５の直
下に位置する導電層２３を除去する工程が必要となる。
これに対して、本実施の形態では、無電解めっき法を用
いているため、これらの工程が不要となる代わりに、パ
ラジウム膜４を形成する工程が必要となる。従って、製
造工程を少なくすることができ、しかも、パラジウム膜
４を形成する工程は溶液に絶縁膜１を浸漬することによ
り実施できるので、無電解めっき法を用いる方が簡易な
製造工程で配線を形成することが可能となる。
は、電解めっき法を用いているため、絶縁膜２１上に導
電層２３を形成する工程及びレジストパターン２５の直
下に位置する導電層２３を除去する工程が必要となる。
これに対して、本実施の形態では、無電解めっき法を用
いているため、これらの工程が不要となる代わりに、パ
ラジウム膜４を形成する工程が必要となる。従って、製
造工程を少なくすることができ、しかも、パラジウム膜
４を形成する工程は溶液に絶縁膜１を浸漬することによ
り実施できるので、無電解めっき法を用いる方が簡易な
製造工程で配線を形成することが可能となる。
【００２６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態では、無電解めっきシード膜としてパラジ
ウム膜を用いているが、これに限定されず、他の無電解
めっきシード膜を用いることも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態では、無電解めっきシード膜としてパラジ
ウム膜を用いているが、これに限定されず、他の無電解
めっきシード膜を用いることも可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、無
電解めっき法により配線を形成している。したがって、
簡易な製造工程で且つ低コストで配線を形成できる配線
の形成方法を提供することができる。
電解めっき法により配線を形成している。したがって、
簡易な製造工程で且つ低コストで配線を形成できる配線
の形成方法を提供することができる。
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に
よる配線の形成方法を示す断面図である。
よる配線の形成方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、従来の配線の形成方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、従来の他の配線の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
１…絶縁膜 ３…レジストパターン ４…パラジウム膜 ５…無電解めっき膜（配線） １１…絶縁膜 １３…Ａｌ合金膜 １３ａ…Ａｌ合金配線 １５…レジストパターン ２１…絶縁膜 ２３…導電層 ２５…レジストパターン ２７…配線（金属膜）
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁膜上に、配線を形成する領域が開口さ
れたレジストパターンを形成する工程と、前記絶縁膜上
に無電解めっきシード膜を形成する工程と、前記無電解
めっきシード膜及び前記レジストパターンを無電解めっ
き液に浸漬することにより、無電解めっきシード膜上に
無電解めっき層からなる配線を形成する工程と、前記レ
ジストパターンを剥離する工程と、を具備することを特
徴とする配線の形成方法。 - 【請求項２】前記無電解めっきシード膜を形成する工程
は、パラジウムを含む溶液に前記絶縁膜及び前記レジス
トパターンを浸漬することにより、前記絶縁膜上にパラ
ジウム膜を形成する工程であることを特徴とする請求項
１記載の配線の形成方法。 - 【請求項３】前記絶縁膜がＳｉＯ2からなることを特徴
とする請求項１又は２記載の配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144299A JP2001127062A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30144299A JP2001127062A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127062A true JP2001127062A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17896951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30144299A Withdrawn JP2001127062A (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127062A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100603261B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2006-07-20 | 삼성코닝 주식회사 | 금속막의 패턴 형성방법 |
| CN1305109C (zh) * | 2003-01-15 | 2007-03-14 | 精工爱普生株式会社 | 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法 |
| US7752750B2 (en) | 2006-03-01 | 2010-07-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of forming wiring |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30144299A patent/JP2001127062A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100603261B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2006-07-20 | 삼성코닝 주식회사 | 금속막의 패턴 형성방법 |
| CN1305109C (zh) * | 2003-01-15 | 2007-03-14 | 精工爱普生株式会社 | 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法 |
| US7238615B2 (en) | 2003-01-15 | 2007-07-03 | Seiko Epson Corporation | Formation method for metal element, production method for semiconductor device, production method for electronic device, semiconductor device, electronic device, and electronic equipment |
| US7752750B2 (en) | 2006-03-01 | 2010-07-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of forming wiring |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |