JP3096061B2 - フリップチップ実装のためのマイクロバンプの製造方法 - Google Patents
フリップチップ実装のためのマイクロバンプの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、フリップチップ実装法を用いて半導体デバ
イスをマイクロ回路パターンへ接続するための、マイク
ロ回路の特徴を製造する方法に関するものである。
イスをマイクロ回路パターンへ接続するための、マイク
ロ回路の特徴を製造する方法に関するものである。
背景技術 フリップチップデバイス実装法においては、小さな金
属突起又はマイクロバンプ（microbump）が、半導体デ
バイスの電極接点上に配されるか、又はデバイスが接続
されるべき回路上に配される。半導体デバイスは、回路
上の導体パターンと配列され、ハンダ付け又は硬化性樹
脂接着剤によって回路に固定される。これに関しては、
例えば1988年６月７日のハタダらの米国特許第4,749,12
0号を参照のこと。
属突起又はマイクロバンプ（microbump）が、半導体デ
バイスの電極接点上に配されるか、又はデバイスが接続
されるべき回路上に配される。半導体デバイスは、回路
上の導体パターンと配列され、ハンダ付け又は硬化性樹
脂接着剤によって回路に固定される。これに関しては、
例えば1988年６月７日のハタダらの米国特許第4,749,12
0号を参照のこと。
装置のうちの一種類として、LED（ライト・エミッテ
ィング・ダイオード）プリントヘッドは、フリップチッ
プ実装法によってガラス基板上に実装される。このガラ
ス基板は写真マスクを有するものである。これに関して
は、コントイス（Contois）らの1989年７月３日出願の
米国特許出願第375,154号を参照のこと。また、ガラス
基板は、レンズアレーを組み込んでいてもよい。そのよ
うなレンズアレーは、例えばLEDプリントヘッド用のセ
ル−フォック（sel−foc）レンズである。フリップチッ
プ実装法は、そのようなレンズアレーに関して、LEDダ
イの表面の精密な取り付けを可能にするものである。
ィング・ダイオード）プリントヘッドは、フリップチッ
プ実装法によってガラス基板上に実装される。このガラ
ス基板は写真マスクを有するものである。これに関して
は、コントイス（Contois）らの1989年７月３日出願の
米国特許出願第375,154号を参照のこと。また、ガラス
基板は、レンズアレーを組み込んでいてもよい。そのよ
うなレンズアレーは、例えばLEDプリントヘッド用のセ
ル−フォック（sel−foc）レンズである。フリップチッ
プ実装法は、そのようなレンズアレーに関して、LEDダ
イの表面の精密な取り付けを可能にするものである。
低抵抗と高周波操作のために、回路導体は実際上でき
る限り厚いことが望ましい。
る限り厚いことが望ましい。
また、マイクロバンプは、変形可能であることが望ま
しい。これは高さに多少のばらつきや、ボンディング操
作中にマイクロ回路の平坦度がばらついたりするからで
ある。フォトレジストマスクを用いてパターンしたエッ
チングされたアルミニウムは、従来よりフリップチップ
実装において用いる回路用の導体として使用されてき
た。そしてハンダバンプは、マイクロバンプのために使
用されてきた。フォトレジストを用いたパターニングに
よるアルミニウム製の導体の形成に関する問題は、膜厚
が限定されることにある。これは、レジストの耐久性に
よるものである。更なる問題は、バンプの変形による高
さの差を補償するということに関して、ハンダのバンプ
は、望ましい程には柔軟ではないか又は延性がないとい
うことである。
しい。これは高さに多少のばらつきや、ボンディング操
作中にマイクロ回路の平坦度がばらついたりするからで
ある。フォトレジストマスクを用いてパターンしたエッ
チングされたアルミニウムは、従来よりフリップチップ
実装において用いる回路用の導体として使用されてき
た。そしてハンダバンプは、マイクロバンプのために使
用されてきた。フォトレジストを用いたパターニングに
よるアルミニウム製の導体の形成に関する問題は、膜厚
が限定されることにある。これは、レジストの耐久性に
よるものである。更なる問題は、バンプの変形による高
さの差を補償するということに関して、ハンダのバンプ
は、望ましい程には柔軟ではないか又は延性がないとい
うことである。
発明の概要 それゆえ、本発明の目的は、フリップチップ実装法を
用いて半導体デバイスを回路へ接続するためのマイクロ
回路導体及びマイクロバンプを形成する改良方法を提供
することを目的とする。
用いて半導体デバイスを回路へ接続するためのマイクロ
回路導体及びマイクロバンプを形成する改良方法を提供
することを目的とする。
本発明の目的は、基板上に第一耐火物金属の層を物理
気相堆積法によって堆積し、そして第一耐火物金属の層
上全体にアルミニウム層を物理気相堆積法によって堆積
して、誘電体基板上にマイクロ回路を形成することによ
り達成される。ポジティブフォトレジストのリフトオフ
パターンを、フォトリソグラフ法によってアルミニウム
層上に形成する。次いで、フォトレジストのパターン上
全体に第二耐火物金属の層を物理気相堆積法によって堆
積する。そして、第二耐火物金属層上全体に金属を物理
気相堆積法によって堆積する。フォトレジストのパター
ン並びにその上にある第二耐火物金属の層及び金層を除
去して、その下にあるアルミニウム層を露出せしめる。
残っている金をエッチングマスクとして使用することに
より、露出しているアルミニウムをエッチングによって
除去し、その下にある第一耐火物金属の層を露出せしめ
る。そして、残っている金をエッチングマスクとして使
用することにより、露出している第一耐火物金属の層を
除去する。この方法は、半導体デバイス又は回路基板上
に厚いアルミニウム製の導体又はマイクロバンプを形成
するために使用してもよい。
気相堆積法によって堆積し、そして第一耐火物金属の層
上全体にアルミニウム層を物理気相堆積法によって堆積
して、誘電体基板上にマイクロ回路を形成することによ
り達成される。ポジティブフォトレジストのリフトオフ
パターンを、フォトリソグラフ法によってアルミニウム
層上に形成する。次いで、フォトレジストのパターン上
全体に第二耐火物金属の層を物理気相堆積法によって堆
積する。そして、第二耐火物金属層上全体に金属を物理
気相堆積法によって堆積する。フォトレジストのパター
ン並びにその上にある第二耐火物金属の層及び金層を除
去して、その下にあるアルミニウム層を露出せしめる。
残っている金をエッチングマスクとして使用することに
より、露出しているアルミニウムをエッチングによって
除去し、その下にある第一耐火物金属の層を露出せしめ
る。そして、残っている金をエッチングマスクとして使
用することにより、露出している第一耐火物金属の層を
除去する。この方法は、半導体デバイス又は回路基板上
に厚いアルミニウム製の導体又はマイクロバンプを形成
するために使用してもよい。
図面の簡単な説明 図1A〜Ｆは、本発明に従って導体のパターンを作るた
めの方法を示す図である。
めの方法を示す図である。
図２は、従来の基板上の半導体デバイスのフリップチ
ップ実装を表す模式図である。
ップ実装を表す模式図である。
図3A〜Ｉは、本発明の方法を用いて導体のパターンお
よびその上の延性を有するマイクロバンプを形成する方
法を表す図である。
よびその上の延性を有するマイクロバンプを形成する方
法を表す図である。
発明を実施するための態様 まず、図２には半導体デバイスが示してある。この半
導体デバイスは、フリップチップ実装プロセスによっ
て、誘電体基板14上の回路12に接続されている。半導体
デバイスのボンディングパッド16は、マイクロバンプ18
を介して回路12に接続されている。従来技術において公
知なように、マイクロバンプ18は、はじめから回路上に
形成してもよく、又は半導体デバイス上に形成してもよ
い。回路の特徴に合わせてマイクロバンプを配列し、加
圧下、硬化性接着材を使用して、半導体デバイスを誘電
体基板に結合することにより回路を完成させる。
導体デバイスは、フリップチップ実装プロセスによっ
て、誘電体基板14上の回路12に接続されている。半導体
デバイスのボンディングパッド16は、マイクロバンプ18
を介して回路12に接続されている。従来技術において公
知なように、マイクロバンプ18は、はじめから回路上に
形成してもよく、又は半導体デバイス上に形成してもよ
い。回路の特徴に合わせてマイクロバンプを配列し、加
圧下、硬化性接着材を使用して、半導体デバイスを誘電
体基板に結合することにより回路を完成させる。
図１には、高周波操作用の適した厚い導体12の製造方
法が示されている。図1Aには、15分間の溶媒浴、紫外線
及びオゾン処理から成る通常の洗浄操作（図には示して
いない）の後に、誘電体基板14を第一耐火物金属の層20
の層で被覆し、次いで１〜10μｍのアルミニウム層22で
被覆する工程が示されている。誘電体基板14は、例え
ば、ガラス、セラミック、樹脂、二酸化珪素のような誘
電性物質で覆われた半導体ウエファー又は金属酸化物若
しくはその類似物質で覆われた金属から成っていてもよ
い。耐火物金属20は、クロム、チタン又は類似金属から
成っていてもよい（好ましくは0.025μｍ厚のクロ
ム）。耐火物金属及びアルミニウムの層は物理気相堆積
法によって堆積される。そのような方法は、例えば蒸発
法、スパッタリング法又はこれら二法を組み合わせた方
法である（好ましくは電子ビーム蒸発法）。第一耐火物
金属は、物理気相堆積プロセスの間に、基板14との間で
酸化物の結合を形成する。第一耐火物金属堆積の後にア
ルミニウムが堆積される場合にも、アルミニウムに強固
な結合が形成する。
法が示されている。図1Aには、15分間の溶媒浴、紫外線
及びオゾン処理から成る通常の洗浄操作（図には示して
いない）の後に、誘電体基板14を第一耐火物金属の層20
の層で被覆し、次いで１〜10μｍのアルミニウム層22で
被覆する工程が示されている。誘電体基板14は、例え
ば、ガラス、セラミック、樹脂、二酸化珪素のような誘
電性物質で覆われた半導体ウエファー又は金属酸化物若
しくはその類似物質で覆われた金属から成っていてもよ
い。耐火物金属20は、クロム、チタン又は類似金属から
成っていてもよい（好ましくは0.025μｍ厚のクロ
ム）。耐火物金属及びアルミニウムの層は物理気相堆積
法によって堆積される。そのような方法は、例えば蒸発
法、スパッタリング法又はこれら二法を組み合わせた方
法である（好ましくは電子ビーム蒸発法）。第一耐火物
金属は、物理気相堆積プロセスの間に、基板14との間で
酸化物の結合を形成する。第一耐火物金属堆積の後にア
ルミニウムが堆積される場合にも、アルミニウムに強固
な結合が形成する。
次に、図1Bに示すように、ポジティブフォトレジスト
を用いてリフトオフマスク24が形成される。このポジテ
ィブフォトレジストを適正に現像すると、ネールヘッド
（釘の頭）の形状となる。本技術分野において「ネール
ヘッド」とは、フォトレジストパターン上に生じた僅か
なオーバーハングをいう。このフォトレジストパターン
は、リフトオフ法を助長するものである。この種のフォ
トレジストはマイクロ回路の形成においてリフトオフ法
を行うものとして公知である。そして、フェノール樹脂
中のノボラック類を含有するものである。ハントケミカ
ル社（Hunt Chemical Co.）のHPR1182フォトレジストを
使用することが好ましい。フォトレジストは、回転数40
00RPMにてスピンコーティングして施し、膜厚1.3μｍの
塗膜が得られる。塗膜を温度110℃で30分間焼成し、マ
スクを用いて露光する。フォトレジストパターンを１分
間に30サイクルでかき混ぜながら30秒間現像する。
を用いてリフトオフマスク24が形成される。このポジテ
ィブフォトレジストを適正に現像すると、ネールヘッド
（釘の頭）の形状となる。本技術分野において「ネール
ヘッド」とは、フォトレジストパターン上に生じた僅か
なオーバーハングをいう。このフォトレジストパターン
は、リフトオフ法を助長するものである。この種のフォ
トレジストはマイクロ回路の形成においてリフトオフ法
を行うものとして公知である。そして、フェノール樹脂
中のノボラック類を含有するものである。ハントケミカ
ル社（Hunt Chemical Co.）のHPR1182フォトレジストを
使用することが好ましい。フォトレジストは、回転数40
00RPMにてスピンコーティングして施し、膜厚1.3μｍの
塗膜が得られる。塗膜を温度110℃で30分間焼成し、マ
スクを用いて露光する。フォトレジストパターンを１分
間に30サイクルでかき混ぜながら30秒間現像する。
使用した現像液は、Waycoat（登録商標）LSIポジティ
ブフォトレジスト現像液を水で1/4に希釈したものであ
った。この現像液は、米国ニュージャージー州ウエスト
パターソンのオリン・ハント・スペシャリティ・プロダ
クツ（Olin HuntSpecialty Products）から購入したも
のである。
ブフォトレジスト現像液を水で1/4に希釈したものであ
った。この現像液は、米国ニュージャージー州ウエスト
パターソンのオリン・ハント・スペシャリティ・プロダ
クツ（Olin HuntSpecialty Products）から購入したも
のである。
図1Cに示すように、第二耐火物金属の層26（第一耐火
物金属層がクロムの場合には、好ましくは0.025μｍ厚
のチタン）は、物理気相堆積法によって全体に堆積さ
れ、その後に厚さ0.1〜1.0μｍの金が堆積される。チタ
ンの層26は、アルミニウム22と金28との間に良好な接着
結合をもたらす。引き続き、図1Dに示すように、フォト
レジストを取り除く。例えば、温度65℃の熱アセトン中
に浸漬して超音波振動によって攪拌して金層を除去し、
その下層のアルミニウム22を露出せしめる。
物金属層がクロムの場合には、好ましくは0.025μｍ厚
のチタン）は、物理気相堆積法によって全体に堆積さ
れ、その後に厚さ0.1〜1.0μｍの金が堆積される。チタ
ンの層26は、アルミニウム22と金28との間に良好な接着
結合をもたらす。引き続き、図1Dに示すように、フォト
レジストを取り除く。例えば、温度65℃の熱アセトン中
に浸漬して超音波振動によって攪拌して金層を除去し、
その下層のアルミニウム22を露出せしめる。
次いで、図1Eに示すように、残っている金をエッチン
グマスクとして用いて露出したアルミニウムをエッチン
グによって取り除く。エッチング液として適当なもの
は、16部のリン酸、１部の酢酸、１部の硝酸及び２部の
脱イオン水の溶液である。
グマスクとして用いて露出したアルミニウムをエッチン
グによって取り除く。エッチング液として適当なもの
は、16部のリン酸、１部の酢酸、１部の硝酸及び２部の
脱イオン水の溶液である。
最後に、図1Fに示すように、残っている金の層28をエ
ッチングマスクとして使用して、露出しているクロムの
層20をエッチングによって取り除く。エッチング液とし
て適当なものは、オハイオ州コロンバスのGFSケミカル
社より＃5913エッチング液として市販されている、セリ
ウムを含有する過塩素酸である。本発明の方法によって
得られるマイクロ回路は、従来技術の回路に比して有利
である。金をエッチングマスクとして使用することで、
従来のフォトレジストマスクを用いていた場合よりも、
アルミニウムの厚みを大きくし得る。その結果、高周波
応答に優れた回路が得られる。
ッチングマスクとして使用して、露出しているクロムの
層20をエッチングによって取り除く。エッチング液とし
て適当なものは、オハイオ州コロンバスのGFSケミカル
社より＃5913エッチング液として市販されている、セリ
ウムを含有する過塩素酸である。本発明の方法によって
得られるマイクロ回路は、従来技術の回路に比して有利
である。金をエッチングマスクとして使用することで、
従来のフォトレジストマスクを用いていた場合よりも、
アルミニウムの厚みを大きくし得る。その結果、高周波
応答に優れた回路が得られる。
本発明の方法によれば20μｍの中心上に、10μｍの幅
を有する回路を得ることができる。しかも、その均一性
は10％も改良されている。アルミニウム及び金の層の厚
みは、回路性能の要求に応じて容易に変更し得る。
を有する回路を得ることができる。しかも、その均一性
は10％も改良されている。アルミニウム及び金の層の厚
みは、回路性能の要求に応じて容易に変更し得る。
本発明に従って、回路パターン上に延性を有するマイ
クロバンプを有する回路を製造する方法は、図３を参照
することによって理解される。
クロバンプを有する回路を製造する方法は、図３を参照
することによって理解される。
図3Aによれば、上述の標準的な洗浄工程（図示してい
ない）の後、ポジティブフォトレジストのリフトオフパ
ターン30が、誘電体基板14上に形成される。フォトレジ
ストパターンは、上述のようにポジティブフォトレジス
ト（上記にて使用したノボラックフォトレジスト等）を
用いて形成され、リフトオフ法用のネールヘッドパター
ンとなるように処理される。次に、図3Bに示すように、
物理気相堆積法を用いて、第一の耐火物金属の層32（好
ましくは0.03μｍ厚のチタンの層）が、続いて金の層34
（0.1〜２μｍ厚、好ましくは0.4μ厚）が基板上に堆積
される。耐火物金属は、基板と金のワイヤリングパター
ンとの間の強固な酸化物結合を供するものである。次
に、フォトレジストパターンを除去して、フォトレジス
ト上の金をリフトオフして基板14上に所望する金のワイ
ヤリングパターン34を残す。この様子を図3Cに示す。リ
フトオフ工程は、基板を熱アセトン（好ましくは65℃）
中に入れ、そして超音波攪拌するものである。
ない）の後、ポジティブフォトレジストのリフトオフパ
ターン30が、誘電体基板14上に形成される。フォトレジ
ストパターンは、上述のようにポジティブフォトレジス
ト（上記にて使用したノボラックフォトレジスト等）を
用いて形成され、リフトオフ法用のネールヘッドパター
ンとなるように処理される。次に、図3Bに示すように、
物理気相堆積法を用いて、第一の耐火物金属の層32（好
ましくは0.03μｍ厚のチタンの層）が、続いて金の層34
（0.1〜２μｍ厚、好ましくは0.4μ厚）が基板上に堆積
される。耐火物金属は、基板と金のワイヤリングパター
ンとの間の強固な酸化物結合を供するものである。次
に、フォトレジストパターンを除去して、フォトレジス
ト上の金をリフトオフして基板14上に所望する金のワイ
ヤリングパターン34を残す。この様子を図3Cに示す。リ
フトオフ工程は、基板を熱アセトン（好ましくは65℃）
中に入れ、そして超音波攪拌するものである。
本発明に従う延性を有するマイクロバンプは、以下に
述べる各順の工程によって、得られた金の回路パターン
の所望する部分上に製作される。もう一回の標準的な洗
浄工程（図示していない）の後、物理気相堆積法を用い
て、第二耐火物金属の層36（好ましくは0.03μｍ厚のク
ロム）が、続いてアルミニウムの層38（１〜10μｍ厚、
好ましくは３μｍ厚）が基板上の全面に堆積される。そ
の結果得られる構造を図3Dに示す。クロムは、アルミニ
ウム38と下層の金の回路パターン34との間の接着を促進
するものである。
述べる各順の工程によって、得られた金の回路パターン
の所望する部分上に製作される。もう一回の標準的な洗
浄工程（図示していない）の後、物理気相堆積法を用い
て、第二耐火物金属の層36（好ましくは0.03μｍ厚のク
ロム）が、続いてアルミニウムの層38（１〜10μｍ厚、
好ましくは３μｍ厚）が基板上の全面に堆積される。そ
の結果得られる構造を図3Dに示す。クロムは、アルミニ
ウム38と下層の金の回路パターン34との間の接着を促進
するものである。
次に図3Eに示すように、ポジティブフォトレジストの
リフトオフパターン40が、フォトリソグラフィーによっ
て形成される。このフォトリソグラフィーでは、マイク
ロバンプが形成される部分に開口部がある。物理気相堆
積法を用いて、耐火物金属の層42（好ましくは0.03μｍ
厚のチタン）が、続いて0.20μｍ厚の金44が堆積され
る。その結果得られる構造を図3Fに示す。
リフトオフパターン40が、フォトリソグラフィーによっ
て形成される。このフォトリソグラフィーでは、マイク
ロバンプが形成される部分に開口部がある。物理気相堆
積法を用いて、耐火物金属の層42（好ましくは0.03μｍ
厚のチタン）が、続いて0.20μｍ厚の金44が堆積され
る。その結果得られる構造を図3Fに示す。
次いで、フォトレジストのパターンを、例えば熱アセ
トン中で超音波攪拌しながら除去する。その結果得られ
る構造を図3Gに示す。表面上に残っている金44は、マイ
クロバンプ製作用のエッチングマスクとして使用され
る。露出しているアルミニウム38をエッチングによって
除去する。エッチングは、例えば16部のリン酸、１部の
酢酸、１部の硝酸及び２部の脱イオン水を含むエッチン
グ液を用いて、温度40℃にて行う。その結果得られる構
造を図3Hに示す。
トン中で超音波攪拌しながら除去する。その結果得られ
る構造を図3Gに示す。表面上に残っている金44は、マイ
クロバンプ製作用のエッチングマスクとして使用され
る。露出しているアルミニウム38をエッチングによって
除去する。エッチングは、例えば16部のリン酸、１部の
酢酸、１部の硝酸及び２部の脱イオン水を含むエッチン
グ液を用いて、温度40℃にて行う。その結果得られる構
造を図3Hに示す。
最後に、図3Iに示すように、露出しているクロムを、
上述のセリウムを含有する過塩素酸エッチング液を用い
て除去する。その結果、３〜3.5μｍ高のマイクロバン
プを有する、0.4μｍ厚の金のワイヤリングパターンが
得られる。このマイクロバンプはフリップチップ実装用
に優透な延性を有する。アルミニウムは、非常に軟らか
いので、金の非常に薄い層を用いることができ、それに
よって、材料のコストを下げることができる。
上述のセリウムを含有する過塩素酸エッチング液を用い
て除去する。その結果、３〜3.5μｍ高のマイクロバン
プを有する、0.4μｍ厚の金のワイヤリングパターンが
得られる。このマイクロバンプはフリップチップ実装用
に優透な延性を有する。アルミニウムは、非常に軟らか
いので、金の非常に薄い層を用いることができ、それに
よって、材料のコストを下げることができる。
同様の方法を用いることによって、半導体デバイス上
に又は基板上に取り付けられるマイクロ回路上にマイク
ロバンプを設置することができる。第一耐火物金属及び
第二耐火物金属の好ましい例としてチタンとクロムを述
べたが、両者を逆に使用し得るということも理解すべき
である。即ち、クロムを金と基板との間の接着を促進す
るために使用し、そしてチタンをアルミニウムと金との
間の接着を促進するために使用し得るのである。この場
合には、チタン用のエッチング液を調製し、そして使用
することになろう。クロム用のエッチング液が商業的に
容易に入手可能であったので、好ましい順序は選択され
ていた。
に又は基板上に取り付けられるマイクロ回路上にマイク
ロバンプを設置することができる。第一耐火物金属及び
第二耐火物金属の好ましい例としてチタンとクロムを述
べたが、両者を逆に使用し得るということも理解すべき
である。即ち、クロムを金と基板との間の接着を促進す
るために使用し、そしてチタンをアルミニウムと金との
間の接着を促進するために使用し得るのである。この場
合には、チタン用のエッチング液を調製し、そして使用
することになろう。クロム用のエッチング液が商業的に
容易に入手可能であったので、好ましい順序は選択され
ていた。
産業上の利用性及び利点 本発明に従う回路導体及びマイクロバンプは、回路上
の半導体部品のフリップチップ実装に有用である。本発
明の方法によって製作された回路特徴は、従来技術のそ
れよりも導体の厚みが大きく、また、マイクロバンプの
延性が優れているという点において有利である。
の半導体部品のフリップチップ実装に有用である。本発
明の方法によって製作された回路特徴は、従来技術のそ
れよりも導体の厚みが大きく、また、マイクロバンプの
延性が優れているという点において有利である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｇ (72)発明者 イーヴァンス，マーク・ディー アメリカ合衆国ニューヨーク州14624, ロチェスター，ディー・ホッブズ・レー ン 38 (56)参考文献 特開 昭63−124552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−27247（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/3205
Claims (10)
- 【請求項１】マイクロ回路の特徴を、誘電体基板上に形
成する方法であって、次の工程； a.基板上に第一耐火物金属の層を物理気相堆積法によっ
て堆積し； b.第一耐火物金属の層上全体にアルミニウム層を物理気
相堆積法によって堆積し； c.フォトリソグラフィーによって、アルミニウム層上に
ポジティブフォトレジストのリフトオフパターンを形成
し、 d.フォトレジストのパターン上全体に第二耐火物金属の
層を物理気相堆積法によって堆積し、 e.第二耐火物金属の層上全体に金層を物理気相堆積法に
よって堆積し、 f.フォトレジストと共に、その上にある金層及び第二耐
火物金属の層をリフトオフして、その下にあるアルミニ
ウム層を露出せしめ、 g.残っている金をエッチングマスクとして使用すること
により、露出しているアルミニウム層をエッチングによ
って除去し、その下にある第一耐火物金属の層を露出せ
しめ；そして h.残っている金をエッチングマスクとして使用すること
により、露出している第一耐火物金属の層をエッチング
により除去すること； を特徴とする方法。 - 【請求項２】第一耐火物金属がクロムであり、そして第
二耐火物金属がチタンである、請求の範囲第１項に記載
の方法。 - 【請求項３】フォトレジストがノボラック樹脂であり、
そしてリフトオフ工程が基板を熱アセトン中に浸漬して
超音波振動によって攪拌することを特徴とする、請求の
範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項４】アルミニウム層の厚みが１〜10μｍであ
り、そして金層の厚みが0.1〜1.5μｍである、範囲第１
項に記載の方法。 - 【請求項５】マイクロ回路の特徴が導体のパターンであ
る、範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項６】マイクロ回路の特徴がフリップチップ実装
法において電気的接触を作るためのマイクロバンプであ
る、請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項７】マイクロ回路の特徴を、誘電体基板上に形
成する方法であって、次の工程； a.基板上にポジティブフォトレジストのリフトオフパタ
ーンをフォトリソグラフィーによって形成し； b.工程ａの該フォトレジストパターン上全体に第一耐火
物金属の層を物理気相堆積法によって堆積し； c.工程ｂの該第一耐火物金属の層上全体に、金層を物理
気相堆積法によって堆積し； d.基板上のフォトレジストと共に、その上にある金層及
び第一耐火物金属の層をリフトオフして、金製の導体の
パターンを残すこと； e.金製の導体パターンが形成されている基板の上方に第
二耐火物金属の層を物理気相堆積法によって堆積し； f.第二耐火物金属の層上全体にアルミニウム層を物理気
相堆積法によって堆積し； g.フォトリソグラフィーによって、アルミニウム層上に
ポジティブフォトレジストのリフトオフパターンを形成
し、 h.工程ｇのフォトレジストのパターン上全体に第一耐火
物金属の層を物理気相堆積法によって堆積し、 i.工程ｈの第一耐火物金属の層上全体に金層を物理気相
堆積法によって堆積し、 j.フォトレジストと共に、その上にある金層及び第一耐
火物金属の層をリフトオフして、その下にあるアルミニ
ウム層を露出せしめ、 k.残っている金をエッチングマスクとして使用すること
により、露出しているアルミニウム層をエッチングによ
って除去し、その下にある第二耐火物金属の層を露出せ
しめ；そして l.残っている金をエッチングマスクとして使用すること
により、露出している第二耐火物金属の層をエッチング
により除去すること； を特徴とする方法。 - 【請求項８】該第一耐火物金属の層が0.03μｍ厚のチタ
ンであり、そして該金層の厚みが0.4μｍである、請求
の範囲第７項に記載の方法。 - 【請求項９】請求の範囲第１項に記載の方法によって製
造されたマイクロバンプを有する、フリップチップ実装
のためのマイクロバンプ回路。 - 【請求項１０】請求の範囲第１項に記載の方法によって
製造された導体のパターンを有する、フリップチップ実
装のためのマイクロバンプ回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US531,736 | 1990-06-01 | ||
| US07/531,736 US5118584A (en) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | Method of producing microbump circuits for flip chip mounting |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05500737A JPH05500737A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3096061B2 true JP3096061B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=24118843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03510647A Expired - Fee Related JP3096061B2 (ja) | 1990-06-01 | 1991-05-28 | フリップチップ実装のためのマイクロバンプの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5118584A (ja) |
| EP (1) | EP0485582B1 (ja) |
| JP (1) | JP3096061B2 (ja) |
| DE (1) | DE69113743T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991019319A1 (ja) |
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| US5547740A (en) * | 1995-03-23 | 1996-08-20 | Delco Electronics Corporation | Solderable contacts for flip chip integrated circuit devices |
| US5607099A (en) * | 1995-04-24 | 1997-03-04 | Delco Electronics Corporation | Solder bump transfer device for flip chip integrated circuit devices |
| US5807469A (en) * | 1995-09-27 | 1998-09-15 | Intel Corporation | Flexible continuous cathode contact circuit for electrolytic plating of C4, tab microbumps, and ultra large scale interconnects |
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| US6230963B1 (en) | 1997-01-28 | 2001-05-15 | Eric L. Hertz | Method and apparatus using colored foils for placing conductive preforms |
| CN100405622C (zh) * | 1997-01-31 | 2008-07-23 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
| CN1300859C (zh) | 1997-01-31 | 2007-02-14 | 松下电器产业株式会社 | 发光元件 |
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| US6641030B1 (en) | 1997-02-06 | 2003-11-04 | Speedline Technologies, Inc. | Method and apparatus for placing solder balls on a substrate |
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1990
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-
1991
- 1991-05-28 EP EP91911063A patent/EP0485582B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-28 WO PCT/US1991/003718 patent/WO1991019319A1/en active IP Right Grant
- 1991-05-28 DE DE69113743T patent/DE69113743T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-28 JP JP03510647A patent/JP3096061B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| DE69113743D1 (de) | 1995-11-16 |
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| US5118584A (en) | 1992-06-02 |
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