JPH06104315A - 半導体パッケージとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体パッケージの構造とその製造方法に関
し、ボンディングパッドの剥離を防止すること、及び位
置合わせマークの寸法精度を高めることを目的とする。 【構成】 絶縁基体１上に薄膜導体パターン２を形成
し、これらの上に感光性ポリイミド樹脂膜を被着し、こ
れを選択的に露光、現像することによりパターニングし
て耐熱性絶縁膜３を形成する。この耐熱性絶縁膜３は薄
膜導体パターン２と絶縁基体１の表面を覆うが、薄膜導
体パターン２のボンディングパッドとなる部位ではその
周縁部を残してその表面が露出するように、即ち、絶縁
基体１上の耐熱性絶縁膜３がボンディングパッドの周縁
部上に張り出すように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体パッケージの構造
とその製造方法に関する。近年、半導体装置は高密度実
装の要求に対応して、半導体チップにＴＡＢ( Tape Aut
omated Bonding )方式でリードの一端をボンディング
し、このリード（以下、ＴＡＢリードと記す）の他端を
パッケージの導体パターン（ボンディングパッド）にボ
ンディングする方式が広く採用されるようになってい
る。このＴＡＢリードは微細化・小ピッチ化が進められ
ているため、セラミックパッケージにあっては導体パタ
ーンを薄膜法で形成することが多くなって来た。

【０００２】この薄膜法は、パッケージの絶縁基体上に
スパッタリング法、蒸着法等により金属を被着し、これ
をフォトエッチング法（フォトリソグラフィ）により所
望の形状にパターニングするものであり、微細パターン
を精度よく形成することが出来る。

【０００３】

【従来の技術】従来の半導体パッケージとその製造方法
を図４及び図５を参照しながら説明する。

【０００４】図４ (A)〜(C) は従来例を示す図（その
一）である。同図において、図１と同じものには同一の
符号を付与した。１は絶縁基体、２は薄膜導体パター
ン、３は耐熱性絶縁膜である。耐熱性絶縁膜３は薄膜導
体パターン２と半導体チップとのショートを防ぐ目的で
設けたものであり、薄膜導体パターン２と絶縁基体１の
双方の表面を覆っているが、薄膜導体パターン２のＴＡ
Ｂリード用ボンディングパッドとなる部位とその近傍で
は耐熱性絶縁膜３はなく、絶縁基体１と薄膜導体パター
ン２の双方の表面が露出している。但し絶縁基体１の表
面については、パターン間のショートを防ぐ目的で被覆
することがある。

【０００５】図５ (A)，(B) は従来例を示す図（その
二）である。この例では、薄膜導体パターン２が位置合
わせマークである。このマークはＴＡＢリードとボンデ
ィングパッドとの位置合わせに使用するものであり、こ
の部位では耐熱性絶縁膜３は除去されて、薄膜導体パタ
ーン２の表面とその周辺の絶縁基体１の表面は露出して
いる。この位置合わせマークとなる薄膜導体パターン２
はボンディングパッドとなる薄膜導体パターン２と同時
に、フォトエッチング法で形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
半導体パッケージでは、ＴＡＢリード用のボンディング
パッドは極めて幅が狭く、しかもエッチングの際にアン
ダカットされていることが多いから、絶縁基体との密着
強度が低い。これにＴＡＢリードをボンディングするこ
とにより密着強度が更に低下して、剥離することがあ
る。これを防ぐためには、ボンディング条件を厳しくす
る必要がある。又、位置合わせマークにおいては、寸法
がエッチング条件等に左右されてばらつき、位置合わせ
精度を低下させることがある。従来の半導体パッケージ
にはこのような問題があった。

【０００７】本発明は、このような問題を解決して、ボ
ンディングパッドの剥離を防止し、或いは位置合わせマ
ークの寸法精度を高めることが可能な半導体パッケージ
とその製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、〔１〕絶縁基体と、該絶縁基体上に選択的に形成さ
れた薄膜導体パターンと、該絶縁基体の露出部上面から
該薄膜導体パターンの周縁部上面に延在する耐熱性絶縁
被膜とを有することを特徴とする半導体パッケージとす
ることで、〔２〕前記〔１〕において、前記薄膜導体パ
ターンのボンディングパッド部分近傍に前記絶縁基体が
露出する孔が設けられており、該薄膜導体パターンの上
面から該孔内を含む該絶縁基体上面に延在する耐熱性絶
縁被膜を有するように構成することで、〔３〕絶縁基体
上に薄膜導体パターンを形成する工程と、該薄膜導体パ
ターン及び該絶縁基体の表面に感光性ポリイミド樹脂膜
を形成する工程と、該感光性ポリイミド樹脂膜を選択的
に露光及び現像することによりパターニングして該絶縁
基体の露出部上面から該薄膜導体パターンの周縁部上面
に延在する耐熱性絶縁被膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする半導体パッケージの製造方法とすること
で、達成される。

【０００９】

【作用】本発明のパッケージでは、絶縁基体表面に密着
しているポリイミド樹脂の耐熱性絶縁膜がボンディング
パッドの上面にも僅かながら張り出して密着しているか
ら、ＴＡＢリードをボンディングすることによってこの
ボンディングパッド部分の密着強度が低下しても、剥離
しにくい。

【００１０】尚、導体パターンのボンディング領域は周
囲を耐熱性絶縁膜の壁に囲まれるからボンディング時に
ロウ材が他に流出することがない。従って、バンプのロ
ウ材を節減することが出来る。

【００１１】又、第二の実施例では、ポリイミド樹脂膜
がボンディングパッド近傍の導体パターンに設けた孔内
でも絶縁基体表面に密着しているから、上記の効果を高
めることになる。絶縁基体の表層がポリイミド樹脂の場
合に特に有効である。

【００１２】本発明の製造方法では、耐熱性絶縁膜に感
光性ポリイミド樹脂を使用し、その樹脂自体を露光・現
像してパターニングする方法としたから、レジストパタ
ーンをマスクとしてエッチングすることによりパターニ
ングする場合に比して高精度のパターンが得られる。従
って、この方法で導体パターンを露出させ、この絶縁膜
と導体パターン表面とでコントラストを得る位置合わせ
マークとすることにより、絶縁基体表面と導体パターン
とでコントラストを得る場合よりも位置合わせ精度を向
上させることが出来る。

【００１３】

【実施例】本発明に係る半導体パッケージとその製造方
法の実施例を図１〜図３を参照しながら説明する。

【００１４】図１ (A)〜(C) は本発明の第一の実施例を
示す図である。同図において、１はセラミック又はポリ
イミド樹脂（但し多層構造の場合）からなる絶縁基体、
２は金属（例えば Au/Ni/Cu ）からなる薄膜導体パター
ン、３はポリイミド樹脂からなる耐熱性絶縁膜である。
耐熱性絶縁膜３は薄膜導体パターン２と絶縁基体１の表
面を覆っているが、薄膜導体パターン２のＴＡＢリード
用ボンディングパッドとなる部位では、その周縁部を残
して開孔部3aが形成されており、この部分では薄膜導体
パターン２の表面が露出している。

【００１５】このような構造の半導体パッケージは、次
のようにして製造する。先ず絶縁基体１上にスパッタリ
ング法、蒸着法等により金属を被着し、これをフォトエ
ッチング法によりパターニングして薄膜導体パターン２
を形成する。次にこれらの上に感光性ポリイミド樹脂を
塗布し、パターンマスクを介して露光した後、現像し
て、薄膜導体パターン２のボンディングパッドとなる部
位の樹脂を除去し、開孔部3aを形成する。この際、薄膜
導体パターン２の周縁部上には樹脂を残す。その後、こ
の樹脂を加熱して耐熱性絶縁膜３を得て、工程を完了す
る。

【００１６】図２ (A)，(B) は本発明の第二の実施例を
示す図である。この例では、薄膜導体パターン２のボン
ディングパッドとなる部位の近傍に孔2aが設けられてお
り、この孔2a内には耐熱性絶縁膜３のポリイミド樹脂が
充填されている。尚、この孔2aは、薄膜導体パターン２
を形成する工程で形成する。

【００１７】図３ (A)，(B) は本発明の第三の実施例を
示す図である。この例では、薄膜導体パターン２が位置
合わせマークである。耐熱性絶縁膜３には薄膜導体パタ
ーン２上にその周縁部を残して孔3aが設けられている。
この孔3aの寸法が所望の位置合わせマークの寸法に等し
く、従って、薄膜導体パターン２の寸法は孔3aのそれよ
り充分に大きい。

【００１８】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ボンディングパッドの剥離を防止し、或いは位置合わせ
マークの寸法精度を高めることが可能な半導体パッケー
ジとその製造方法を提供することが出来、半導体装置製
造の歩留り向上、半導体装置の信頼性向上等に寄与す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一の実施例を示す図である。

【図２】 本発明の第二の実施例を示す図である。

【図３】 本発明の第三の実施例を示す図である。

【図４】 従来例を示す図（その一）である。

【図５】 従来例を示す図（その二）である。

【符号の説明】

１ 絶縁基体 ２ 薄膜導体パターン 2a 開孔部 ３ 耐熱性絶縁膜 3a 孔

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基体と、 該絶縁基体上に選択的に形成された薄膜導体パターン
   と、 該絶縁基体の露出部上面から該薄膜導体パターンの周縁
   部上面に延在する耐熱性絶縁被膜とを有することを特徴
   とする半導体パッケージ。
2. 【請求項２】 前記薄膜導体パターンのボンディングパ
   ッド部分近傍に前記絶縁基体が露出する孔が設けられて
   おり、 該薄膜導体パターンの上面から該孔内を含む該絶縁基体
   上面に延在する耐熱性絶縁被膜を有することを特徴とす
   る請求項１記載の半導体パッケージ。
3. 【請求項３】 絶縁基体上に薄膜導体パターンを形成す
   る工程と、 該薄膜導体パターン及び該絶縁基体の表面に感光性ポリ
   イミド樹脂膜を形成する工程と、 該感光性ポリイミド樹脂膜を選択的に露光及び現像する
   ことによりパターニングして該絶縁基体の露出部上面か
   ら該薄膜導体パターンの周縁部上面に延在する耐熱性絶
   縁被膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体
   パッケージの製造方法。