JP3538029B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ等の
半導体素子を有する半導体装置を製造する製造方法であ
って、特に外部装置と接続するための配線の微細化を可
能にする半導体装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高機能化に伴
い、半導体装置に対して小型化、高密度化、高速化が要
求されるようになってきた。このため、例えば、メモリ
ー用パッケージとしてはＬＯＣ（リード・オン・チッ
プ）やＳＯＮ（スモール・アウトライン・ノンリード）
等が開発され、あるいはＴＡＢテープを利用したμＢＧ
Ａ（マイクロ・ボール・グリッド・アレイ）（特表平０
６−５０４４０８号公報）といったパッケージが開発さ
れている。

【０００３】以下、μＢＧＡと呼ばれる従来の半導体装
置及びその製造方法について、図３を参照しながら説明
する。図３は、μＢＧＡと呼ばれる従来の半導体装置を
示す断面図である。図３において、１０１はトランジス
タ等の半導体素子を内蔵する半導体チップ、１０２は半
導体チップ１０１上に設けられた配線回路シート、１０
３は半導体チップ１０１と配線回路シート１０２との間
に介在するしなやかな低弾性率材料、１０４は配線回路
シート１０２が有する部分リード、１０５は半導体チッ
プ１０１が有する電極、１０６は配線回路シート１０２
の電極であって半導体装置と外部装置とを接続するため
の外部電極である。図３に示すように、μＢＧＡと呼ば
れる半導体装置は、半導体チップ１０１上に低弾性率材
料１０３を介して配線回路シート１０２が接合された構
造を有し、半導体チップ１０１の電極１０５と配線回路
シート１０２の外部電極１０６とが、部分リード１０４
を介して電気的に接続されたものである。

【０００４】次に、μＢＧＡと呼ばれる従来の半導体装
置の製造方法を図３を参照して説明する。まず、半導体
チップ１０１上に、外部電極１０６と該外部電極１０６
から延設された部分リード１０４とを有する配線回路シ
ート１０２を、低弾性率材料１０３を介して載置する。
次に、「ＴＡＢ」（テープ・オートメイテッド・ボンデ
ィング）作業で電気的に接続する際に通常用いられる従
来の熱圧着技術又は超音波ボンディング技術によって、
部分リード１０４と電極１０５とを電気的に接続する。
以上の方法により、μＢＧＡと呼ばれる半導体装置を製
造していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置の製造方法によれば、予め半導体ウエハ
を個々の半導体チップ１０１に分割した後に、それぞれ
各半導体チップ１０１に対して、配線回路シート１０２
を載置し部分リード１０４と電極１０５とを電気的に接
続するので、製造工数が増大する。加えて、予め配線回
路シート１０２を作成する必要があるので、この点から
も製造工数が増大し、併せて製造コストが増大する。

【０００６】また、配線回路シート１０２は高価であ
り、半導体チップ１０１上に配線回路シート１０２を載
置するためには高性能なマウンタ（搭載設備）が必要と
なるので、材料コスト及び設備コストの増大を免れなか
った。

【０００７】また、電極１０５と配線回路シート１０２
から延在した部分リード１０４とを接続する場合、特に
微細配線における場合には、部分リード１０４の幅や厚
みが小さくなって形状が安定しないので、部分リード１
０４と電極１０５との接続が困難となるという欠点を有
していた。

【０００８】本発明は、上記従来の課題に鑑み、配線回
路シート１０２を設けることなく、外部装置と接続する
ための配線の微細化を可能にする半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の半導体装置の製造方法は、電極を
持つ複数のチップ領域を主面上に有する半導体ウエハの
前記主面上に感光性を有する絶縁材料からなる下地層を
形成する第１の工程と、散乱光を用いて前記下地層を露
光し現像することにより前記下地層をパターニングし
て、前記電極上に第１開口部と、前記第１開口部近傍に
テーパ状の断面形状とを有する絶縁層を形成する第２の
工程と、前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上
へ延びる金属配線を形成する第３の工程と、前記半導体
ウエハの主面上に、前記金属配線の一部の上に第２開口
部を有する保護膜を形成する第４の工程と、前記第２開
口部内に突起状電極を形成する第５の工程と、前記突起
状電極が形成された前記半導体ウエハを、前記複数のチ
ップ領域の各チップ領域ごとに分離する第６の工程とを
備える。

【００１０】この方法により、半導体ウエハの状態で外
部電極を開口して保護膜を形成し、外部電極上に突起状
電極を形成した後に、半導体ウエハを各チップ領域ごと
に分離するので、半導体装置を効率よく製造することが
できる。さらに、感光性を有する下地層自体を散乱光に
より露光するので、少ない工数でテーパ状の断面形状を
有する第１開口部を形成できるとともに、第１開口部に
おいて安定して金属配線を形成することができる。本発
明の第２の半導体装置の製造方法は、電極を持つ複数の
チップ領域を主面上に有する半導体ウエハの前記主面上
に絶縁材料からなる下地層を形成する第１の工程と、前
記下地層をパターニングして前記電極上に開口部を有す
る絶縁層を形成する第２の工程と、前記電極に接続され
前記電極から前記絶縁層上へ延びて、一部が外部電極に
なる金属配線を形成する第３の工程と、前記金属配線の
前記外部電極上に突起状電極を形成する第４の工程と、
前記半導体ウエハの主面と前記突起状電極とを覆う保護
膜を形成する第５の工程と、前記保護膜を機械的又は化
学的に研磨して前記突起状電極の頂部を露出させる第６
の工程と、前記突起状電極を露出した前記半導体ウエハ
を前記複数のチップ領域の各チップ領域ごとに分離する
第７の工程とを備える。

【００１１】この方法により、半導体ウエハの状態で突
起状電極を完全に覆うように保護膜を形成し、突起状電
極が露出するように保護膜を研磨し、半導体ウエハを各
チップ領域ごとに分離する。したがって、突起状電極と
保護膜との間に空隙ができないので、信頼性が高い半導
体装置を半導体ウエハから分離することにより効率よく
製造することができる。

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】この方法により、絶縁層に接触することな
く半導体ウエハをチップ領域ごとに分離できるので、絶
縁層の端部において剥離やクラック等を防止して、信頼
性が高い半導体装置を製造することができる。

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】本発明の第４の半導体装置の製造方法は、
電極を持つ複数のチップ領域を主面上に有する半導体ウ
エハの前記主面上に感光性を有する絶縁材料からなる下
地層を形成する第１の工程と、平行光を用いて前記半導
体ウエハの主面に対し直角以外の照射角で前記下地層を
露光し現像することにより前記下地層をパターニングし
て、前記電極上に第１開口部と、前記第１開口部近傍に
テーパ状の断面形状とを有する絶縁層を形成する第２の
工程と、前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上
へ延びる金属配線を形成する第３の工程と、前記半導体
ウエハの主面上に、前記金属配線の一部の上に第２開口
部を有する保護膜を形成する第４の工程と、前記第２開
口部内に突起状電極を形成する第５の工程と、前記突起
状電極が形成された前記半導体ウエハを、前記複数のチ
ップ領域の各チップ領域ごとに分離する第６の工程とを
備える。

【００４１】この方法により、半導体ウエハの状態で外
部電極を開口して保護膜を形成し、外部電極上に突起状
電極を形成した後に、半導体ウエハを各チップ領域ごと
に分離するので、半導体装置を効率よく製造することが
できる。さらに、平行光を用いて半導体ウエハに対し直
角以外の照射角で照射し、感光性を有する下地層自体を
露光するので、少ない工数で寸法精度よくテーパ状の断
面形状を有する第１開口部を形成できるとともに、第１
開口部において安定して金属配線を形成することができ
る。

【００４２】本発明の第５の半導体装置の製造方法は、
電極を持つ複数のチップ領域を主面上に有する半導体ウ
エハの前記主面上に感光性を有する絶縁材料からなる下
地層を形成する第１の工程と、平行光及び散乱光を用い
て前記半導体ウエハの主面を照射し、該照射光と前記半
導体ウエハの主面による反射光とで前記下地層を露光し
現像することにより前記下地層をパターニングして、前
記電極上に第１開口部と、前記第１開口部近傍にテーパ
状の断面形状とを有する絶縁層を形成する第２の工程
と、前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上へ延
びる金属配線を形成する第３の工程と、前記半導体ウエ
ハの主面上に、前記金属配線の一部の上に第２開口部を
有する保護膜を形成する第４の工程と、前記第２開口部
内に突起状電極を形成する第５の工程と、前記突起状電
極が形成された前記半導体ウエハを、前記複数のチップ
領域の各チップ領域ごとに分離する第６の工程とを備え
る。

【００４３】この方法により、半導体ウエハの状態で外
部電極を開口して保護膜を形成し、外部電極上に突起状
電極を形成した後に、半導体ウエハを各チップ領域ごと
に分離するので、半導体装置を効率よく製造することが
できる。さらに、平行光及び散乱光を用いて、ハレーシ
ョンを利用して感光性を有する下地層自体を露光するの
で、より少ない工数で更に寸法精度よくテーパ状の断面
形状を有する第１開口部を形成できるとともに、第１開
口部において安定して金属配線を形成することができ
る。

【００４４】

【００４５】

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係
る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の
概略を、絶縁コートの一部を開口して示す斜視図であ
る。図１において、１０は半導体チップ、２０は端部に
おける断面形状がテーパ状であるとともに低弾性率を有
する絶縁層、３０は半導体チップの電極（図示せず）上
に設けられたパッド、３１はパッド３０から絶縁層２０
上へと延びるように設けられた配線パターン、３２は絶
縁層２０上へ設けられ配線パターン３１を介してパッド
３０につながるランド、４０は例えばソルダーレジスト
からなる絶縁コート、５０はランド３２上へ設けられ例
えば金属ボールからなるバンプである。そして、パッド
３０と配線パターン３１とランド３２とは、併せて金属
配線３３を構成する。

【００４７】ここで、本実施形態に係る製造方法によっ
て製造された半導体装置の特徴は、配線パターン３１と
ランド３２とが、端部における断面形状がテーパ状であ
るとともに低弾性率を有する絶縁層２０の上へ形成され
ていることである。これにより、配線パターン３１は、
テーパ状の断面形状を有する絶縁層２０の端部におい
て、小さくかつ安定した幅と厚さとを有するようにして
形成される。更に、半導体装置がプリント基板等の外部
装置に実装された後に、例えば熱応力等の応力が半導体
装置に印加された場合には、低弾性率を有する絶縁層２
０が、ランド３２上へ設けられたバンプ４０に印加され
た応力を吸収する。このことにより、半導体装置の信頼
性が向上する。

【００４８】以下、図１に示された半導体装置の製造方
法について、図２（ａ）〜（ｈ）を参照しながら説明す
る。

【００４９】まず、図２（ａ）に示すように、半導体ウ
エハ１の主面上のパッシベーション膜２から電極３が露
出した半導体ウエハ１に対して、主面の全面を覆うよう
に感光性絶縁材料を塗布し、乾燥して下地層１５を形成
する。感光性絶縁材料としては、例えばそれぞれ感光性
を有するポリイミド、エポキシ等のような、低弾性率と
絶縁性とを有するポリマーであればよい。ここで、半導
体ウエハ１の主面上に感光性絶縁材料を塗布する方法と
しては、例えば、カーテンコート法、スクリーン等を用
いた印刷法、スピンコート法、ローラコート法等を用い
ることができる。また、所定の膜厚を実現するために
は、塗布回数を１回に限らず複数回としてもよい。

【００５０】次に、図２（ｂ）に示すように、形成され
た下地層１５に対して、露光、現像を順次行って、半導
体ウエハ１の主面上において少なくとも電極３を開口し
た絶縁層２０を形成する。この場合において、例えば露
光で散乱光を使用して、開口部における絶縁層２０の断
面形状を、半導体ウエハ１の主面に対して垂直ではなく
テーパ状にして形成する。ここで、テーパ状とは、開口
部近傍における絶縁層２０の断面形状について、絶縁層
２０と半導体ウエハ１とが接触する部分に近いほど膜厚
が小さくなるような形状をいう。開口部近傍における絶
縁層２０の断面形状が完全なくさび状の場合だけでな
く、一部又は全部が円弧状であってもよい。

【００５１】ここで、図２（ｂ）に示すように、絶縁層
２０を形成する際に、半導体ウエハ１における仮想的な
スクライブライン６０が設けられた領域を、予め露出さ
せておくことが好ましい。これにより、ダイシングする
際に、絶縁層２０に接触することなく半導体ウエハ１を
切断する。したがって、絶縁層２０において剥離やクラ
ック等を防止して、絶縁層２０の下側へ水分や不純物等
が侵入することを抑制できるので、信頼性が高い半導体
装置を製造することができる。

【００５２】次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁層２
０が形成された半導体ウエハ１の主面の全面において、
無電解めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法、又は
ＣＶＤ法により金属薄膜層２１を形成する。ここでは、
スパッタリング法を用いて、ＴｉとＣｕとを順次堆積さ
せて金属薄膜層２１を形成する。

【００５３】次に、図２（ｄ）に示すように、金属薄膜
層２１が形成された半導体ウエハ１の主面の全面にわた
って感光性レジストを塗布し、露光によって所定のパタ
ーン部以外のレジストを硬化させ、該パターン部のレジ
ストを除去してめっき用レジストパターン２２を形成す
る。

【００５４】次に、図２（ｅ）に示すように、電解めっ
きを使用して、めっき用レジストパターン２２から露出
する前記パターン部に例えばＣｕからなる大きい膜厚を
有する金属層を形成し、レジストを溶融して除去する。
その後に、エッチング液に浸漬して、金属薄膜層２１の
みからなる部分を溶かし、かつ大きい膜厚を有する金属
層を残すことによって、所定のパッド３０と配線パター
ン３１とランド３２とからなる金属配線３３を、同時に
形成する。

【００５５】ここで、半導体ウエハ１の主面の全面にわ
たって金属膜を堆積させ、その上にレジストを塗布し、
公知のフォトリソグラフィー技術を使用して所定のパタ
ーン部の上にエッチングマスク用レジストを形成し、こ
のレジストをマスクとして金属層をエッチングすること
によって、金属配線３３を同時に形成してもよい。

【００５６】次に、図２（ｆ）に示すように、絶縁層２
０と金属配線３３とが形成された半導体ウエハ１の主面
の全面にわたって感光性ソルダーレジストを塗布した後
に、フォトリソグラフィー技術を使用して、少なくとも
ランド３２を露出させて絶縁コート４０を形成する。絶
縁コート４０によって、ランド３２以外の配線であるパ
ッド３０と配線パターン３１とが、後工程において溶融
したハンダから保護される。

【００５７】次に、図２（ｇ）に示すように、絶縁コー
ト４０から露出しているランド３２に対して無電解Ｎｉ
めっきと無電解Ａｕめっきとを順次行った後に、フラッ
クスを塗布する。その後に、ハンダボール又はハンダめ
っきされた金属ボールをランド３２の上に載置し、リフ
ローする。これにより、金属ボールとランド３２とを溶
融接合して、ランド３２上へバンプ５０を形成する。

【００５８】次に、図２（ｈ）に示すように、半導体ウ
エハ１に仮想的に設けられたスクライブライン６０に沿
ってダイシング又はスクライブすることにより、半導体
ウエハ１を個々の半導体チップ１０に分割する。以上の
工程によって、図１に示された半導体装置を製造するこ
とができる。

【００５９】以上説明したように、本発明によれば、図
３に示された従来の半導体装置における配線回路シート
１０２に代えて、半導体ウエハ１上に設けられ端部にお
いてテーパ状の断面形状を有する絶縁層２０の上に、配
線パターン３１とランド３２とを形成する。これによ
り、絶縁層２０の端部において、配線パターン３１が小
さくかつ安定した幅と厚さとを有するように形成される
ので、配線の微細化が可能になり、その結果小型化され
た半導体装置を製造することができる。また、配線回路
シートとマウンタとを用いないので、材料コスト、製造
コスト、及び設備コストを削減できる。

【００６０】更に、低弾性率を有する絶縁層２０を用い
ることにより、実装後の半導体装置に応力が印加された
場合には、プリント基板等に対する接続部であるバンプ
４０において印加された応力を、絶縁層２０が吸収す
る。これにより、信頼性が高い半導体装置を製造するこ
とができる。

【００６１】なお、以上の説明においては、感光性絶縁
材料を塗布することとしたが、これに限らず、予めフィ
ルム状に形成された、低弾性と感光性とを有する絶縁材
料を使用してもよい。この場合には、低弾性と感光性と
を有するフィルム状の絶縁材料を半導体ウエハ１の主面
上に貼り合わせた後に露光、現像して、電極３を露出さ
せる。

【００６２】また、電極３を開口し絶縁層２０を形成す
る方法としては、感光性を有する下地層１５に対して露
光、現像する方法に代えて、半導体ウエハ１上に形成し
た感光性を持たない下地層の上に写真法によりエッチン
グマスクを形成し、その後にエッチングしてもよい。こ
の場合には、エッチングにより下地層を溶融し、電極３
を開口して絶縁層２０を形成することができる。

【００６３】また、エッチングマスクと等方性を持つエ
ッチングとにより、感光性を持たない下地層に開口を形
成した後に、その下地層を上面から研磨してもよい。こ
の場合には、感光性を持たない下地層において等方性エ
ッチングにより形成された開口は、上部と底部とに比べ
て中間部において大きな直径を有している。したがっ
て、下地層を上面から適当な研磨量だけ研磨することに
より、テーパ上の断面形状を有する下地層を形成するこ
とができる。

【００６４】また、感光性を持たない下地層に対してレ
ーザー加工することにより、電極３を開口して絶縁層２
０を形成することができる。

【００６５】また、感光性を持たない下地層の上にマス
クを形成し、プラズマ加工又はサンドブラスト加工した
後にマスクを除去することにより、電極３を開口して絶
縁層２０を形成することができる。

【００６６】また、下地層１５に開口を形成した後に、
その開口を有する絶縁層の上面に印刷マスクを載置し
て、印刷マスクを通して絶縁層上に更に絶縁材料を塗布
してもよい。この場合には、例えばメタルマスクを用い
て絶縁層の上面に、又はメッシュスクリーンを用いて絶
縁層の上面を含む領域に、絶縁材料を形成する。そし
て、絶縁材料の粘度や硬化条件等を適切に選定すること
により、絶縁層２０の外縁を超えて、テーパ状の断面形
状を有する絶縁材料からなる新たな層を形成するので、
テーパ状の断面形状を有する絶縁層２０を形成できる。
この方法によれば、印刷マスクが半導体ウエハ１の上面
に接触しないので、半導体ウエハ１上に設けられた半導
体素子を破損するおそれがないとともに、安定して絶縁
層２０を形成することができる。

【００６７】また、絶縁層２０を形成した後に、絶縁層
２０の上面を機械的又は化学的に研磨してもよい。これ
により、絶縁層２０の上面の平坦性が増すので、その上
面に形成された配線パターン３１とランド３２とにおい
て、形状及び膜厚が更に安定化し、かつ絶縁層２０に対
する密着強度が向上する。したがって、配線がいっそう
微細化され、信頼性が更に向上した半導体装置を製造す
ることができる。

【００６８】また、絶縁層２０の端部における断面形状
をテーパ状にするために、露光光として、散乱光に代え
て平行光を用いてもよい。この場合には、半導体ウエハ
１に対する入射角を直角以外の角度にし、かつ絶縁層２
０の平面的にみた外縁に応じて入射方向を変えることに
よって、テーパ状の断面形状を有する絶縁層２０を形成
できる。

【００６９】更に、絶縁層２０の端部における断面形状
をテーパ状にするために、露光光として、散乱光に加え
て平行光を用いてもよい。この場合には、半導体ウエハ
１に対する露光光を強くすることが好ましい。これによ
り、半導体ウエハ１の表面による反射光が感光性絶縁材
料を露光する現象、つまりハレーションが発生する。し
たがって、ハレーションを利用することにより、少ない
工数で寸法精度よくテーパ状の断面形状を有する絶縁層
２０を形成できる。

【００７０】また、下地層１５に対して露光、現像を順
次行って電極３を露出させた後に、新たに感光性絶縁材
料を半導体ウエハ１の主面上に塗布し、露光し、現像し
て電極３を再び露出させてもよい。この場合には、感光
性絶縁材料を再度塗布して形成された下地層が電極３上
において有する膜厚は、他の領域での膜厚よりも小さく
なる。したがって、適当な条件で上述の工程を行い、又
はこれを繰り返すことにより、電極３を開口する部分に
おいてテーパ状の断面形状を有する絶縁層２０を形成で
きる。

【００７１】また、絶縁材料をエッチングして開口部を
形成した後に、例えば円盤状で周縁部においてテーパ状
の断面形状を有するブレードを回転させて、開口部の上
縁のみを研磨することにより、テーパ状の断面形状を有
する絶縁層２０を形成してもよい。

【００７２】また、例えば円盤状で周縁部においてテー
パ状の断面形状を有するブレードを回転させて、絶縁材
料に、下部よりも上部が広いテーパ状の断面形状を有す
る溝を予め機械的に形成し、絶縁層２０をエッチングす
ることもできる。これにより、電極３を開口する部分に
おいてテーパ状の断面形状を有する絶縁層２０を形成で
きる。

【００７３】また、電極３上の絶縁材料に開口を形成し
た後に、絶縁層２０を硬化させるための熱処理を行い、
その際の温度プロファイルをコントロールすることによ
り、開口においてテーパ状の断面形状を有する絶縁層２
０を形成できる。この場合には、絶縁層２０の開口部近
傍を熱によって塑性変形させることにより、テーパ状の
断面形状を形成することもできる。

【００７４】更に、ランド３２を開口して絶縁コート４
０を形成した後にランド３２へバンプ５０を載置した
が、これに代えて、ランド３２へバンプ５０を載置した
後に半導体ウエハ１の主面とバンプ５０とを完全に覆う
ように絶縁コート４０を形成し、絶縁コート４０の上面
を機械的又は化学的に研磨してバンプ５０を露出させる
こともできる。これにより、バンプ５０と絶縁コート４
０との間において空隙ができないので、水分や不純物等
が絶縁コート４０の下側へ侵入することを抑制できる。
したがって、金属配線３３の腐食等を防止できるので、
信頼性が高い半導体装置を製造することができる。

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハ上に設け
られ端部においてテーパ状の断面形状を有する絶縁層の
上に、配線パターンとランドとを形成す、その後に半導
体ウエハを各チップ領域ごとに分離する。これにより、
絶縁層の端部において配線パターンが小さくかつ安定し
た幅と厚さとを有するように形成される。したがって、
外部装置に接続するための配線が微細化された半導体装
置を、半導体ウエハを各チップ領域へ分離することによ
り効率よく製造することができる。

【００７６】また、絶縁コートで半導体ウエハの主面と
バンプとを覆った後に絶縁コートを研磨してバンプを露
出させることにより、バンプと絶縁コートとの間に隙間
が生じないので、水分や不純物等の侵入を防止でき信頼
性が高い半導体装置を製造することができる。

【００７７】また、低弾性率を有する絶縁層を用いるこ
とにより、実装後の半導体装置に応力が印加された場合
には、プリント基板等に対する接続部であるバンプにお
いて印加された応力を絶縁層が吸収するので、信頼性が
高い半導体装置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る製造方法により製造された半導体
装置の概略を、絶縁コートの一部を開口して示す斜視図
である

【図２】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明に係る半導
体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。

【図３】μＢＧＡと呼ばれる従来の半導体装置を示す断
面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ ２ パッシベーション膜 ３ 電極 １０ 半導体チップ １５ 下地層 ２０ 絶縁層 ２１ 金属薄膜層 ２２ めっき用レジストパターン ３０ パッド ３１ 配線パターン ３２ ランド（外部電極） ３３ 金属配線 ４０ 絶縁コート（保護膜） ５０ バンプ（突起状電極） ６０ スクライブライン（仮想線）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 隈川 隆博 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−196856（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−74766（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12 501

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極を持つ複数のチップ領域を主面上に
   有する半導体ウエハの前記主面上に感光性を有する絶縁
   材料からなる下地層を形成する第１の工程と、 散乱光を用いて前記下地層を露光し現像することにより
   前記下地層をパターニングして、前記電極上に第１開口
   部と、前記第１開口部近傍にテーパ状の断面形状とを有
   する絶縁層を形成する第２の工程と、 前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上へ延びる
   金属配線を形成する第３の工程と、 前記半導体ウエハの主面上に、前記金属配線の一部の上
   に第２開口部を有する保護膜を形成する第４の工程と、 前記第２開口部内に突起状電極を形成する第５の工程
   と、 前記突起状電極が形成された前記半導体ウエハを、前記
   複数のチップ領域の各チップ領域ごとに分離する第６の
   工程とを備える半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 電極を持つ複数のチップ領域を主面上に
   有する半導体ウエハの前記主面上に絶縁材料からなる下
   地層を形成する第１の工程と、 前記下地層をパターニングして前記電極上に開口部を有
   する絶縁層を形成する第２の工程と、 前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上へ延び
   て、一部が外部電極になる金属配線を形成する第３の工
   程と、 前記金属配線の前記外部電極上に突起状電極を形成する
   第４の工程と、 前記半導体ウエハの主面と前記突起状電極とを覆う保護
   膜を形成する第５の工程と、 前記保護膜を機械的又は化学的に研磨して前記突起状電
   極の頂部を露出させる第６の工程と、 前記突起状電極を露出した前記半導体ウエハを前記複数
   のチップ領域の各チップ領域ごとに分離する第７の工程
   とを備える半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 電極を持つ複数のチップ領域を主面上に
   有する半導体ウエハの前記主面上に感光性を有する絶縁
   材料からなる下地層を形成する第１の工程と、 平行光を用いて前記半導体ウエハの主面に対し直角以外
   の照射角で前記下地層を露光し現像することにより前記
   下地層をパターニングして、前記電極上に第１開口部
   と、前記第１開口部近傍にテーパ状の断面形状とを有す
   る絶縁層を形成する第２の工程と、 前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上へ延びる
   金属配線を形成する第３の工程と、 前記半導体ウエハの主面上に、前記金属配線の一部の上
   に第２開口部を有する保護膜を形成する第４の工程と、 前記第２開口部内に突起状電極を形成する第５の工程
   と、 前記突起状電極が形成された前記半導体ウエハを、前記
   複数のチップ領域の各チップ領域ごとに分離する第６の
   工程とを備える半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 電極を持つ複数のチップ領域を主面上に
   有する半導体ウエハの前記主面上に感光性を有する絶縁
   材料からなる下地層を形成する第１の工程と、 平行光及び散乱光を用いて前記半導体ウエハの主面を照
   射し、該照射光と前記半導体ウエハの主面による反射光
   とで前記下地層を露光し現像することにより前記下地層
   をパターニングして、前記電極上に第１開口部と、前記
   第１開口部近傍にテーパ状の断面形状とを有する絶縁層
   を形成する第２の工程と、 前記電極に接続され前記電極から前記絶縁層上へ延びる
   金属配線を形成する第３の工程と、 前記半導体ウエハの主面上に、前記金属配線の一部の上
   に第２開口部を有する保護膜を形成する第４の工程と、 前記第２開口部内に突起状電極を形成する第５の工程
   と、 前記突起状電極が形成された前記半導体ウエハを、前記
   複数のチップ領域の各チップ領域ごとに分離する第６の
   工程とを備える半導体装置の製造方法。