JP2010034595A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域CAの第3層配線M3およびスクライブ領域SAの第3層配線M3を、それぞれ、TiN膜M3a、Al合金膜M3bおよびTiN膜M3cで構成し、チップ領域CAの再配線49上の第2パッド部PAD2を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でAu膜53aを形成する。さらに、Au膜53a形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Au膜53bを形成した後、半田バンプ電極55を形成する。その結果、TiN膜M3cによってTEGであるスクライブ領域SAの第3層配線M3の第1パッド部PAD1のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Au膜53a、53bによって第2パッド部PAD2の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。
【選択図】図33
Description
本発明の実施の形態である半導体集積回路装置をその製造方法に従って説明する。
実施の形態1においては、第3層配線M3をAl合金膜を用いて形成したが、Cu膜を用いて形成してもよい。なお、第3層配線M3より下層の層、例えば、酸化シリコン膜35やその内部のプラグ等は、実施の形態1と同様に形成し得るため、その説明を省略する。
4 素子分離
6 酸化シリコン膜
8 p型ウエル
11 ゲート絶縁膜
13a 多結晶シリコンパターン
15 ONO膜
17 多結晶シリコン膜
19 窒化シリコン膜
21 n−型半導体領域
22 n+型半導体領域
23 サイドウォールスペーサ
25 n+型半導体領域
31 酸化シリコン膜
33 酸化シリコン膜
35 酸化シリコン膜
41 パッシベーション膜
43 ポリイミド樹脂膜
45 シード層
47 長溝
49 再配線
49a Cu膜
49b Ni膜
50 合金層
51 ポリイミド樹脂膜
53 下地膜
53a Au膜
53b Au膜
55 バンプ電極(半田バンプ電極)
60 実装基板
62 アンダフィル樹脂
153a Au膜
237 窒化シリコン膜
239 酸化シリコン膜
241 窒化シリコン膜
243 酸化シリコン膜
244 TiN膜
2M3 第3層配線
2M3c TiN膜
C1 コンタクトホール
C2 コンタクトホール
C3 コンタクトホール
CG 制御電極
FG 浮遊電極
G ゲート電極
CA チップ領域(チップ)
M1 第1層配線
M2 第2層配線
M3 第3層配線
M3a TiN膜
M3b Al合金膜
M3c TiN膜
CSL 共通ソース線
MBL 主ビット線
MG 配線溝
ML 導電性層
N プローブ針
OA1 開口部
OA2 開口部
Or 有機汚染層
Ox 酸化膜
P1 プラグ
P2 プラグ
P3 プラグ
PAD1 第1パッド部
PAD2 第2パッド部
R レジスト膜
SA スクライブ領域
SBL 副ビット線
Claims (21)
- (a)第1導電性膜とその上部の第2導電性膜とを有する第1配線と、
(b)前記第1配線の一部である第1パッド領域に開口部を有する絶縁膜と、
(c)前記開口部内を含み前記絶縁膜上に形成された第3導電性膜および前記第3導電性膜上に形成された第4導電性膜を有する第2配線であって、前記第1パッド領域と前記第2配線の一部である第2パッド領域とを接続する第2配線と、
(d)前記第2パッド領域上に形成されたバンプ電極と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記第1導電性膜は、Al(アルミニウム)もしくはCu(銅)を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2導電性膜は、TiN(窒化チタン)膜、Ta(タンタル)膜、TaN(窒化タンタル)膜、W(タングステン)膜もしくはWN(窒化タングステン)膜の単層膜、もしくはこれらの膜の積層膜よりなることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3導電性膜は、Cr(クロム)膜もしくはCr膜を有する積層膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記第4導電性膜は、Cu(銅)膜とNi(ニッケル)膜との積層膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記バンプ電極は、前記Ni(ニッケル)膜上に形成されたAu(金)膜であって、メッキ法により形成されたAu膜上に形成された半田よりなることを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路装置。
- (a)半導体ウエハ上に形成された半導体素子と電気的に接続された第1配線を形成する工程と、
(b)前記第1配線の一部であるパッド領域上に、第1導電性膜を形成する工程と、
(c)前記(b)工程の後、前記半導体ウエハに熱処理を施す工程と、
(d)前記(c)工程の後に、前記パッド領域を利用して前記半導体素子の特性を検査する工程と、
(e)前記(d)工程の後、前記第1導電性膜上にさらに第2導電性膜を形成する工程と、
(f)前記第2導電性膜上にバンプ電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記(b)工程は、前記パッド領域上に、メッキ法により第1Au(金)膜を形成する工程であり、
前記(e)工程は、前記第1Au膜上に、メッキ法により第2Au膜を形成する工程であることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記メッキ法は、置換メッキ法であることを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記半導体集積回路装置の製造方法は、さらに、
前記(e)工程の前に、前記第1導電性膜表面を洗浄する工程を有することを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記半導体素子は、不揮発性メモリであることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(a)工程の半導体素子は、不揮発性メモリであり、前記(d)工程は、不揮発性メモリの浮遊電極に蓄積される情報の保持特性を検査する工程であることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- (a)ウエハ状態の半導体基板上に形成された不揮発性メモリと電気的に接続された配線を形成する工程と、
(b)前記配線上に、前記配線のパッド領域に開口部を有するポリイミド膜を形成する工程と、
(c)前記(b)工程の後、ウエハ状態で、前記半導体基板に一定時間の熱負荷を加え、前記パッド領域を利用して前記不揮発性メモリの情報保持特性を検査する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記半導体集積回路装置の製造方法は、
(d)前記(c)工程の前後に、前記パッド領域上に、メッキ法によりAu(金)膜を形成する工程、
を有することを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記メッキ法は、置換メッキ法であることを特徴とする請求項14記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記半導体集積回路装置の製造方法は、
(d)前記(c)工程の前後に、前記パッド領域上に、メッキ法によりAu(金)膜を形成する工程と、
(e)前記パッド領域のAu膜上に半田バンプ電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記半導体集積回路装置の製造方法は、さらに、
前記(d)工程の後に、前記パッド領域上に形成されたAu(金)膜表面を洗浄する工程を有することを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - (a)ウエハ状態の半導体基板上に形成された不揮発性メモリと電気的に接続された配線を形成する工程と、
(b)前記配線上に、前記配線のパッド領域に開口部を有するポリイミド膜を形成する工程と、
(c)前記(b)工程の後、ウエハ状態で、前記半導体基板に一定時間の熱負荷を加え、前記パッド領域を利用して前記不揮発性メモリの情報保持特性を検査する工程と、
(d)前記(c)工程の後、前記パッド領域上にメッキ膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記メッキ膜は、Au(金)膜であることを特徴とする請求項18記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記半導体集積回路装置の製造方法は、
(e)前記(c)工程の前に、前記パッド領域上に置換メッキ法によりAu(金)膜を形成する工程、
を有することを特徴とする請求項18記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記半導体集積回路装置の製造方法は、
(f)前記Au(金)膜上に半田バンプ電極を形成する工程、
を有することを特徴とする請求項19記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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