JPH08139094A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08139094A JPH08139094A JP6278848A JP27884894A JPH08139094A JP H08139094 A JPH08139094 A JP H08139094A JP 6278848 A JP6278848 A JP 6278848A JP 27884894 A JP27884894 A JP 27884894A JP H08139094 A JPH08139094 A JP H08139094A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体基板上に素子分離領域とゲート酸化膜
を形成し、高濃度拡散領域とゲート電極を接続孔を有す
る層間絶縁膜を介して配線で接続し、シリコンナイトラ
イドからなる第１の保護膜とポリイミドの第２の保護膜
を形成し、引き出引き出し電極の上部にアルミニウム、
クロム、銅からなる積層電極を形成し、積層電極上部に
銅電極８と突起電極１１を形成する工程とを備える。 【効果】 引き出し電極がアルミニウムよりも堅い銅で
覆われているため、検査工程で、測定針による引き出し
電極の変形を防ぐと同時に、突起電極の変形を防止し、
さらに突起電極が引き出し電極の上部以外に形成される
ことも防ぐことが可能となり、半導体装置を確実に回路
基板に実装することができ、生産性が向上する。
を形成し、高濃度拡散領域とゲート電極を接続孔を有す
る層間絶縁膜を介して配線で接続し、シリコンナイトラ
イドからなる第１の保護膜とポリイミドの第２の保護膜
を形成し、引き出引き出し電極の上部にアルミニウム、
クロム、銅からなる積層電極を形成し、積層電極上部に
銅電極８と突起電極１１を形成する工程とを備える。 【効果】 引き出し電極がアルミニウムよりも堅い銅で
覆われているため、検査工程で、測定針による引き出し
電極の変形を防ぐと同時に、突起電極の変形を防止し、
さらに突起電極が引き出し電極の上部以外に形成される
ことも防ぐことが可能となり、半導体装置を確実に回路
基板に実装することができ、生産性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、とくに半導体基板に形成する引き出し電極および
突起電極の製造方法に関する。
関し、とくに半導体基板に形成する引き出し電極および
突起電極の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術における半導体装置の製造工
程を、図９から図１２の断面図を用いて説明する。
程を、図９から図１２の断面図を用いて説明する。
【０００３】まずはじめに図９に示すように、導電型が
Ｐ型の半導体基板１６上に、選択的に素子分離領域１５
を形成し、さらにゲート酸化膜１を形成する。
Ｐ型の半導体基板１６上に、選択的に素子分離領域１５
を形成し、さらにゲート酸化膜１を形成する。
【０００４】その後、化学気相成長法を用いて、多結晶
シリコンからなるゲート電極３を形成し、ゲート電極３
をホトエッチング処理により所定の形状に形成する。
シリコンからなるゲート電極３を形成し、ゲート電極３
をホトエッチング処理により所定の形状に形成する。
【０００５】その後、リンをイオン注入法を用いて、ゲ
ート電極３と素子分離領域１５との整合する半導体基板
１６の所定領域に導入して、高濃度拡散領域２を形成す
る。
ート電極３と素子分離領域１５との整合する半導体基板
１６の所定領域に導入して、高濃度拡散領域２を形成す
る。
【０００６】つぎに図１０に示すように、化学気相成長
法を用いて、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜４を全
面に形成する。
法を用いて、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜４を全
面に形成する。
【０００７】その後、ホトエッチング処理により層間絶
縁膜４をパターニングして、接続穴１７を形成する。そ
の後、アルミニウムからなる配線５を高濃度拡散領域２
の露出部とゲート電極３とに接続するように形成する。
縁膜４をパターニングして、接続穴１７を形成する。そ
の後、アルミニウムからなる配線５を高濃度拡散領域２
の露出部とゲート電極３とに接続するように形成する。
【０００８】その後、シリコン窒化膜からなる第１の保
護膜６ａを全面に形成し、ホトエッチング処理により第
１の保護膜を開口し、引き出し電極９を形成する。
護膜６ａを全面に形成し、ホトエッチング処理により第
１の保護膜を開口し、引き出し電極９を形成する。
【０００９】その後、半導体装置の所定の測定検査を行
う。半導体装置の測定検査では、この引き出し電極９に
測定針１２を接触させて所定の検査を行う。
う。半導体装置の測定検査では、この引き出し電極９に
測定針１２を接触させて所定の検査を行う。
【００１０】つぎに図１１に示すように、半導体装置の
検査を行なうため、引き出し電極９に測定針１２を接触
させて、半導体装置の測定を行なう。
検査を行なうため、引き出し電極９に測定針１２を接触
させて、半導体装置の測定を行なう。
【００１１】この測定針１２の構成材料はタングステン
であり、アルミニウムからなる引き出し電極９よりも硬
いので、測定針１２の接触により引き出し電極９の変形
が発生してしまう。
であり、アルミニウムからなる引き出し電極９よりも硬
いので、測定針１２の接触により引き出し電極９の変形
が発生してしまう。
【００１２】この引き出し電極９の変形により、図１２
に示すように、検査工程後に形成される突起電極１１が
変形したり、あるいは突起電極１１が引き出し電極９の
上部以外の領域に形成されてしまう。
に示すように、検査工程後に形成される突起電極１１が
変形したり、あるいは突起電極１１が引き出し電極９の
上部以外の領域に形成されてしまう。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の製
造方法では、アルミニウムからなる引き出し電極９は、
半導体装置の検査工程において、アルミニウムより硬い
タングステンからなる測定針１２の接触によって変形す
る。
造方法では、アルミニウムからなる引き出し電極９は、
半導体装置の検査工程において、アルミニウムより硬い
タングステンからなる測定針１２の接触によって変形す
る。
【００１４】このため、検査工程後、突起電極１１を形
成すると、突起電極１１の変形や、あるいは引き出し電
極９の上部以外に突起電極１１が形成されてしまうとい
う問題点がある。
成すると、突起電極１１の変形や、あるいは引き出し電
極９の上部以外に突起電極１１が形成されてしまうとい
う問題点がある。
【００１５】したがって、半導体装置を回路基板に実装
すると、半導体装置と回路基板の位置合わせずれが生
じ、実装不良の原因となり、半導体装置が所定の動作を
しないという問題点が発生する。
すると、半導体装置と回路基板の位置合わせずれが生
じ、実装不良の原因となり、半導体装置が所定の動作を
しないという問題点が発生する。
【００１６】本発明の目的は、上記課題を解決して、引
き出し電極の上部の所定領域に突起電極を形成すること
が可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
き出し電極の上部の所定領域に突起電極を形成すること
が可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下記記載の手段
を採用する。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下記記載の手段
を採用する。
【００１８】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上に素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化膜
とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域と
の整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、層
間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に接続穴を形成する工程
と、配線を形成し、引き出し電極上部積層電極を形成
し、積層電極上部に突起電極を形成することを有するこ
とを特徴とする。
基板上に素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化膜
とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域と
の整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、層
間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に接続穴を形成する工程
と、配線を形成し、引き出し電極上部積層電極を形成
し、積層電極上部に突起電極を形成することを有するこ
とを特徴とする。
【００１９】
【作用】本発明の積層電極は、その最上層を銅で形成し
ている。そして、この銅は配線の主成分であるアルミニ
ウムより硬度が高い金属であるので、検査工程における
測定針の接触による引き出し電極の変形を防ぐことがで
きる。
ている。そして、この銅は配線の主成分であるアルミニ
ウムより硬度が高い金属であるので、検査工程における
測定針の接触による引き出し電極の変形を防ぐことがで
きる。
【００２０】したがって、検査工程後に形成する突起電
極の変形を防ぎ、確実に引き出し電極上部に突起電極を
形成することができる。
極の変形を防ぎ、確実に引き出し電極上部に突起電極を
形成することができる。
【００２１】この結果、突起電極を有する半導体装置を
回路基板に位置合わせずれなしに実装でき、実装不良を
防止でき、半導体装置が所定の動作をしないという問題
点の発生はなくなる。
回路基板に位置合わせずれなしに実装でき、実装不良を
防止でき、半導体装置が所定の動作をしないという問題
点の発生はなくなる。
【００２２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例の半導体
装置の製造方法を説明する。図１から図８は、本発明の
実施例におけるにおける半導体装置の製造方法を工程順
に示す断面図である。
装置の製造方法を説明する。図１から図８は、本発明の
実施例におけるにおける半導体装置の製造方法を工程順
に示す断面図である。
【００２３】まずはじめに図１に示すように、Ｐ型の半
導体基板１６上に、反応ガスにジクロルシラン（ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）とを用いる化学気相
成長法により、膜厚１５０ｎｍのシリコン窒化膜１３を
全面に形成する。
導体基板１６上に、反応ガスにジクロルシラン（ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）とを用いる化学気相
成長法により、膜厚１５０ｎｍのシリコン窒化膜１３を
全面に形成する。
【００２４】その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法により半導体基板１６の全面に形成し、所定のフォ
トマスクを用いて露光、現像処理を行ない、この感光性
樹脂を素子領域上に残存するようにパターン形成する。
布法により半導体基板１６の全面に形成し、所定のフォ
トマスクを用いて露光、現像処理を行ない、この感光性
樹脂を素子領域上に残存するようにパターン形成する。
【００２５】その後、このパターニングした感光性樹脂
をエッチングフォトマスクとして用い、反応ガスに六フ
ッ化イオウ（ＳＦ6 ）と、三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）
と、ヘリウム（Ｈｅ）とを用いる反応性イオンエッチン
グ法により、シリコン窒化膜１３を素子領域上に形成す
るようにパターニングする。
をエッチングフォトマスクとして用い、反応ガスに六フ
ッ化イオウ（ＳＦ6 ）と、三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）
と、ヘリウム（Ｈｅ）とを用いる反応性イオンエッチン
グ法により、シリコン窒化膜１３を素子領域上に形成す
るようにパターニングする。
【００２６】その後、このエッチングマスクとして用い
た感光性樹脂を、温度１５０℃に加熱した熱硫酸により
除去する。
た感光性樹脂を、温度１５０℃に加熱した熱硫酸により
除去する。
【００２７】その後、水蒸気を添加した酸素雰囲気中
で、温度１０００℃の酸化処理を行なって、膜厚７１０
ｎｍの酸化シリコン膜からなる素子分離領域１５を、シ
リコン窒化膜１３が形成していない領域に選択的に形成
する。
で、温度１０００℃の酸化処理を行なって、膜厚７１０
ｎｍの酸化シリコン膜からなる素子分離領域１５を、シ
リコン窒化膜１３が形成していない領域に選択的に形成
する。
【００２８】つぎに図２に示すように、窒化シリコン膜
１３を、温度１８０℃に加熱した熱リン酸を用いて除去
する。
１３を、温度１８０℃に加熱した熱リン酸を用いて除去
する。
【００２９】その後、酸素雰囲気中で、温度１０００℃
の熱処理を行ない、膜厚３０ｎｍの酸化シリコンからな
るゲート酸化膜１を形成する。
の熱処理を行ない、膜厚３０ｎｍの酸化シリコンからな
るゲート酸化膜１を形成する。
【００３０】その後、反応ガスにモノシラン（ＳｉＨ
4 ）を用いる化学気相成長法により、膜厚４５０ｎｍの
多結晶シリコンのゲート電極３材料を半導体基板１６上
の全面に形成する。
4 ）を用いる化学気相成長法により、膜厚４５０ｎｍの
多結晶シリコンのゲート電極３材料を半導体基板１６上
の全面に形成する。
【００３１】その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行ない、感光性樹脂をゲート電極３
の形成領域上に残存するようにパターン形成する。
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行ない、感光性樹脂をゲート電極３
の形成領域上に残存するようにパターン形成する。
【００３２】その後、このパターン形成した感光性樹脂
をエッチングマスクとして用いて、反応ガスとして六フ
ッ化イオウ（ＳＦ6 ）と、塩素（Ｃｌ2 ）と、二フッ化
メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）とを用いる反応性イオンエッチン
グ法により、多結晶シリコンからなるゲート電極３を形
成する。
をエッチングマスクとして用いて、反応ガスとして六フ
ッ化イオウ（ＳＦ6 ）と、塩素（Ｃｌ2 ）と、二フッ化
メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）とを用いる反応性イオンエッチン
グ法により、多結晶シリコンからなるゲート電極３を形
成する。
【００３３】その後、リンを加速エネルギー５０ｋｅ
Ｖ、注入量３．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 の条件で
イオン注入し、ゲート電極３の整合する半導体基板１６
に導入して高濃度拡散領域２を形成する。
Ｖ、注入量３．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 の条件で
イオン注入し、ゲート電極３の整合する半導体基板１６
に導入して高濃度拡散領域２を形成する。
【００３４】つぎに図３に示すように、反応ガスにモノ
シラン（ＳｉＨ4 ）と、ホスフィン（ＰＨ3 ）と、ボラ
ン（Ｂ2 Ｈ6 ）とを用いる化学気相成長法により、リン
とボロンとを含む酸化シリコン膜からなるＢＰＳＧ膜の
層間絶縁膜４を、半導体基板１６上の全面に５５０ｎｍ
の膜厚で形成する。
シラン（ＳｉＨ4 ）と、ホスフィン（ＰＨ3 ）と、ボラ
ン（Ｂ2 Ｈ6 ）とを用いる化学気相成長法により、リン
とボロンとを含む酸化シリコン膜からなるＢＰＳＧ膜の
層間絶縁膜４を、半導体基板１６上の全面に５５０ｎｍ
の膜厚で形成する。
【００３５】その後、窒素雰囲気中において温度９００
℃、時間３０分の熱処理を行って、層間絶縁膜４のＢＰ
ＳＧ膜を粘性流動させる、いわゆるリフローを行い、層
間絶縁膜４表面の平坦化すると同時に、高濃度拡散領域
２を横方向に拡散させてゲート電極３の下部領域に高濃
度拡散領域２を形成する。
℃、時間３０分の熱処理を行って、層間絶縁膜４のＢＰ
ＳＧ膜を粘性流動させる、いわゆるリフローを行い、層
間絶縁膜４表面の平坦化すると同時に、高濃度拡散領域
２を横方向に拡散させてゲート電極３の下部領域に高濃
度拡散領域２を形成する。
【００３６】その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を接続穴形成領域
以外の層間絶縁膜４上に残存するようにパターン形成す
る。
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を接続穴形成領域
以外の層間絶縁膜４上に残存するようにパターン形成す
る。
【００３７】その後、この感光性樹脂をエッチングマス
クとして用い、反応ガスに二フッ化メタン（ＣＨ2 Ｆ
2 ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）とを用いる反応性イ
オンエッチング法によって、層間絶縁膜４に接続穴１７
を開口するようにパターニングする。
クとして用い、反応ガスに二フッ化メタン（ＣＨ2 Ｆ
2 ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）とを用いる反応性イ
オンエッチング法によって、層間絶縁膜４に接続穴１７
を開口するようにパターニングする。
【００３８】その後、このエッチングマスクに用いた感
光性樹脂を、温度１５０℃に加熱した熱硫酸により除去
する。
光性樹脂を、温度１５０℃に加熱した熱硫酸により除去
する。
【００３９】つぎに、スパッタリング法を用いてアルミ
ニウからなる配線５を、膜厚１μｍで全面に形成する。
ニウからなる配線５を、膜厚１μｍで全面に形成する。
【００４０】その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法によって配線５上の全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を配
線５の形成領域に残存するようにパターン形成する。
布法によって配線５上の全面に形成し、所定のフォトマ
スクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を配
線５の形成領域に残存するようにパターン形成する。
【００４１】その後、このパターン形成した感光性樹脂
をエッチングマスクとして用い、反応ガスに三塩化ホウ
素（ＢＣｌ3 ）と臭化水素（ＨＢｒ）とを用いる反応性
イオンエッチング法により、配線５をエッチングする。
をエッチングマスクとして用い、反応ガスに三塩化ホウ
素（ＢＣｌ3 ）と臭化水素（ＨＢｒ）とを用いる反応性
イオンエッチング法により、配線５をエッチングする。
【００４２】その後、このエッチングマスクに用いた感
光性樹脂を発煙硝酸を用いて除去する。この結果、配線
５とゲート電極３とを接続し、さらに配線５と高濃度拡
散領域２を接続する。
光性樹脂を発煙硝酸を用いて除去する。この結果、配線
５とゲート電極３とを接続し、さらに配線５と高濃度拡
散領域２を接続する。
【００４３】つぎに、図４にすように、反応ガスとして
モノシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）とを用
いる化学気相成長法により、膜厚８００ｎｍの窒化シリ
コンからなる第１の保護膜６ａを全面に形成する。
モノシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）とを用
いる化学気相成長法により、膜厚８００ｎｍの窒化シリ
コンからなる第１の保護膜６ａを全面に形成する。
【００４４】その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を引き出し電極９
形成領域以外の保護膜６ａ上に残存するようにパターン
形成する。
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を引き出し電極９
形成領域以外の保護膜６ａ上に残存するようにパターン
形成する。
【００４５】その後、この感光性樹脂をエッチングマス
クとして用いて、反応ガスに四フッ化炭（ＣＦ4 ）と酸
素（Ｏ2 ）を用いる反応性イオンエッチング法により、
第１の保護膜６ａを引き出し電極９が露出するようにパ
ターン形成する。
クとして用いて、反応ガスに四フッ化炭（ＣＦ4 ）と酸
素（Ｏ2 ）を用いる反応性イオンエッチング法により、
第１の保護膜６ａを引き出し電極９が露出するようにパ
ターン形成する。
【００４６】その後、このこのエッチングマスクに用い
た感光性樹脂を、発煙硝酸を用いて除去する。この引き
出し電極９は、検査工程において、半導体装置の測定用
電極としての機能を有する。
た感光性樹脂を、発煙硝酸を用いて除去する。この引き
出し電極９は、検査工程において、半導体装置の測定用
電極としての機能を有する。
【００４７】その後、膜厚２．０μｍの感光性ポリイミ
ドからなる第２の保護膜６ｂを回転塗布法により全面に
形成する。その後、所定のフォトマスクを用いて露光処
理を行う。
ドからなる第２の保護膜６ｂを回転塗布法により全面に
形成する。その後、所定のフォトマスクを用いて露光処
理を行う。
【００４８】その後、キシレン（Ｃ6 Ｈ4 （ＣＨ3 ）
2 ）を主成分とする現像液によって、第２の保護膜６ｂ
を第１の保護膜６ａ上にパターン形成し、引き出し電極
９を露出させる。ここで、第１の保護膜６ａと第２の保
護膜６ｂとの開口の大きさは同一寸法である。
2 ）を主成分とする現像液によって、第２の保護膜６ｂ
を第１の保護膜６ａ上にパターン形成し、引き出し電極
９を露出させる。ここで、第１の保護膜６ａと第２の保
護膜６ｂとの開口の大きさは同一寸法である。
【００４９】つぎに図５に示すように、膜厚０．７μｍ
のアルミニウムと膜厚０．０１μｍのクロムと膜厚０．
７μｍの銅の順番でスパッタリング法により、積層電極
７を全面に形成する。
のアルミニウムと膜厚０．０１μｍのクロムと膜厚０．
７μｍの銅の順番でスパッタリング法により、積層電極
７を全面に形成する。
【００５０】ここで、積層電極７の最下部に形成するア
ルミニウムは、引き出し電極９を形成する配線５とほぼ
同一な金属材料であり、積層電極７と引き出し電極９の
密着性に優れている。
ルミニウムは、引き出し電極９を形成する配線５とほぼ
同一な金属材料であり、積層電極７と引き出し電極９の
密着性に優れている。
【００５１】積層電極７の最上部の銅は、突起電極を形
成する金属と同一材料であり、積層電極７と突起電極と
の密着性を強める働きをもつ。
成する金属と同一材料であり、積層電極７と突起電極と
の密着性を強める働きをもつ。
【００５２】さらに、積層電極７の中間部に形成するク
ロムは、アルミニウムと銅の相互拡散を防ぐバリアメタ
ルとして機能する働きを有する。
ロムは、アルミニウムと銅の相互拡散を防ぐバリアメタ
ルとして機能する働きを有する。
【００５３】その後、反応ガスにモノシラン（ＳｉＨ
4 ）を用いる化学気相成長法により、シリコン酸化膜１
０を全面に形成する。
4 ）を用いる化学気相成長法により、シリコン酸化膜１
０を全面に形成する。
【００５４】その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を引き出し電極９
の上部に残存するようにパターン形成する。
布法により全面に形成し、所定のフォトマスクを用いて
露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を引き出し電極９
の上部に残存するようにパターン形成する。
【００５５】その後、この感光性樹脂をエッチングマス
クとして、フッ酸（ＨＦ）を用いるウェットエッチング
法により、シリコン酸化膜１０を引き出し電極９の上部
に形成するようにパターニングする。
クとして、フッ酸（ＨＦ）を用いるウェットエッチング
法により、シリコン酸化膜１０を引き出し電極９の上部
に形成するようにパターニングする。
【００５６】このパターニングしたシリコン酸化膜１０
は、後工程で説明する積層電極７をエッチングするとき
のエッチングマスクとなる役割をもつ。
は、後工程で説明する積層電極７をエッチングするとき
のエッチングマスクとなる役割をもつ。
【００５７】つぎに図６に示すように、図５を用いて説
明した工程で形成したたシリコン酸化膜１０をエッチン
グマスクとして用い、積層電極７の最上部に形成する銅
を所定のエッチャントを用いるウェットエッチング法に
よりエッチングする。
明した工程で形成したたシリコン酸化膜１０をエッチン
グマスクとして用い、積層電極７の最上部に形成する銅
を所定のエッチャントを用いるウェットエッチング法に
よりエッチングする。
【００５８】引き続き、クロムとアルミニウムを反応ガ
スに三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）と臭化水素（ＨＢｒ）を
用いる反応性イオンエッチング法により、引き出し電極
９の上部にパターン形成する。
スに三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）と臭化水素（ＨＢｒ）を
用いる反応性イオンエッチング法により、引き出し電極
９の上部にパターン形成する。
【００５９】その後、シリコン酸化膜１０をフッ酸（Ｈ
Ｆ）により除去して、引き出し電極９を開口する。
Ｆ）により除去して、引き出し電極９を開口する。
【００６０】その後、所定の特性検査を行う。すなわ
ち、測定針１２を引き出し電極９に接触させ、半導体装
置の特性検査を行う。
ち、測定針１２を引き出し電極９に接触させ、半導体装
置の特性検査を行う。
【００６１】この検査工程において、引き出し電極９の
上部に設ける積層電極７は、アルミニウムより硬度が高
い銅で表面を形成しているので、従来から問題になって
いる測定針１２の接触による引き出し電極９の変形を防
ぐことができる。
上部に設ける積層電極７は、アルミニウムより硬度が高
い銅で表面を形成しているので、従来から問題になって
いる測定針１２の接触による引き出し電極９の変形を防
ぐことができる。
【００６２】つぎに図７に示すように、スッパタリング
法によって、膜厚０．７μｍの銅電極８を全面に形成す
る。この銅電極８は、後工程である突起電極形成工程に
おいて、メッキ電極としての機能を有する。
法によって、膜厚０．７μｍの銅電極８を全面に形成す
る。この銅電極８は、後工程である突起電極形成工程に
おいて、メッキ電極としての機能を有する。
【００６３】その後、膜厚５．０μｍの感光性樹脂１４
を回転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマスク
を用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を積層電
極７の上部以外の銅電極８上に残存するようにパターン
形成する。
を回転塗布法により全面に形成し、所定のフォトマスク
を用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を積層電
極７の上部以外の銅電極８上に残存するようにパターン
形成する。
【００６４】その後、このパターニングした感光性樹脂
をメッキマスクとして用いて、電解メッキ法により銅か
らなる突起電極１１を形成する。さらに、この突起電極
１１の表面に、電解メッキ法により、金メッキをおこな
い金（Ａｕ）を形成する。
をメッキマスクとして用いて、電解メッキ法により銅か
らなる突起電極１１を形成する。さらに、この突起電極
１１の表面に、電解メッキ法により、金メッキをおこな
い金（Ａｕ）を形成する。
【００６５】つぎに図８に示すように、突起電極１１を
エッチングマスクとして用い、反応ガスに酸素（Ｏ2 ）
を用いる反応性イオンエッチングにより、突起電極１１
の張り出しているひさし状の下部以外の感光性樹脂を除
去する。すなわち、突起電極１１の張り出しているひさ
し状の下部に感光性樹脂を残存させる。
エッチングマスクとして用い、反応ガスに酸素（Ｏ2 ）
を用いる反応性イオンエッチングにより、突起電極１１
の張り出しているひさし状の下部以外の感光性樹脂を除
去する。すなわち、突起電極１１の張り出しているひさ
し状の下部に感光性樹脂を残存させる。
【００６６】その後、突起電極１１をエッチングマスク
として、突起電極１１のひさしの下部以外の銅電極８を
所定のエッチャントを用いるウェットエッチング法によ
り除去する。
として、突起電極１１のひさしの下部以外の銅電極８を
所定のエッチャントを用いるウェットエッチング法によ
り除去する。
【００６７】その後、突起電極１１の張り出しているひ
さし状の下部に残っている感光性樹脂を、発煙硝酸によ
り除去する。
さし状の下部に残っている感光性樹脂を、発煙硝酸によ
り除去する。
【００６８】以上の本発明の実施例における半導体装置
の製造方法は、検査工程において測定針１２を接触させ
る引き出し電極９は、アルミニウムより硬度が高い銅で
覆われているので、測定針１２の接触による引き出し電
極９の変形を防止することができる。
の製造方法は、検査工程において測定針１２を接触させ
る引き出し電極９は、アルミニウムより硬度が高い銅で
覆われているので、測定針１２の接触による引き出し電
極９の変形を防止することができる。
【００６９】さらに、突起電極１１の形成工程におい
て、従来の突起電極の下地金属膜の構成を変えることな
く、突起電極１１の変形を防ぎ、突起電極１１を引き出
し電極９の上部に従来技術よりも確実に形成することが
できる。
て、従来の突起電極の下地金属膜の構成を変えることな
く、突起電極１１の変形を防ぎ、突起電極１１を引き出
し電極９の上部に従来技術よりも確実に形成することが
できる。
【００７０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる半導体装置の製造方法は、検査工程での引き出し電
極の変形を防止でき、突起電極を従来技術より確実に引
き出し電極上部に形成することができる。
よる半導体装置の製造方法は、検査工程での引き出し電
極の変形を防止でき、突起電極を従来技術より確実に引
き出し電極上部に形成することができる。
【００７１】したがって、突起電極が形成した半導体装
置を位置合わせずれなく回路基板に実装することがで
き、生産性が向上する。
置を位置合わせずれなく回路基板に実装することがで
き、生産性が向上する。
【図１】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例における半導体装置の製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】従来例における半導体装置の製造方法を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図１１】従来例における半導体装置の製造方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図１２】従来例における半導体装置の製造方法におけ
る課題点を説明するための断面図である。
る課題点を説明するための断面図である。
４ 層間絶縁膜 ５ 配線 ６ａ 第１の保護膜 ６ｂ 第２の保護膜 ７ 積層電極 ８ 銅電極 ９ 引き出し電極 １１ 突起電極 １２ 測定針 １６ 半導体基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9169−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４ Ｂ 9169−4Ｍ ６０４ Ｎ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に素子分離領域を形成する
工程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ゲート
電極と素子分離領域との整合する領域に高濃度拡散領域
を形成する工程と、層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に
接続穴を形成する工程と、配線を形成し、引き出し電極
上部に積層電極を形成する工程と、積層電極上部に突起
電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 半導体基板上に素子分離領域を形成する
工程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ゲート
電極と素子分離領域との整合する領域に高濃度拡散領域
を形成する工程と、層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に
接続穴を形成する工程と、配線を形成し、引き出し電極
上部にアルミニウムとクロムと銅との多層膜で構成する
積層電極を形成する工程と、積層電極上部に突起電極を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6278848A JPH08139094A (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6278848A JPH08139094A (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139094A true JPH08139094A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17602993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6278848A Pending JPH08139094A (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139094A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349165A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-12-15 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置と半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2006203215A (ja) * | 2006-01-23 | 2006-08-03 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2010034595A (ja) * | 2009-11-12 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2018085413A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-14 JP JP6278848A patent/JPH08139094A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349165A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-12-15 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置と半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2006203215A (ja) * | 2006-01-23 | 2006-08-03 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2010034595A (ja) * | 2009-11-12 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2018085413A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
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