JPH09252060A

JPH09252060A - 半導体不揮発性記憶装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09252060A
Application number: JP8274459A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Satou; 年洋佐藤
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1996-01-09
Filing date: 1996-10-17
Publication date: 1997-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ＥＣＲエッチング方式のドライエッチング装
置について、マイクロ波の透過経路である石英窓に円形
ですり鉢状のくぼみが発生することを抑制し、電気特性
上問題のない半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供
する。【解決手段】半導体基板１上の全面にアルミニウム膜
１７を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を
用いるＥＣＲエッチング方式の異方性エッチングにより
アルミニウム膜１７を、コンタクトホール１５を介して
半導体基板１と接続する金属配線１６として加工する工
程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、とくに金属−シリコン酸化膜−シリコン窒化
膜−シリコン酸化膜−半導体（ＭＯＮＯＳ）型の半導体
不揮発性記憶装置とコンタクトホールを介して接続する
金属配線の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の微細化と高集積に伴
い、半導体製造装置の一つであり、配線の加工を主な目
的とするドライエッチング装置には非常に高い加工精度
や選択性が要求されるようになってきている。

【０００３】ドライエッチング装置にはプラズマエッチ
ングや反応性イオンエッチングなどのガスプラズマを用
いた様々な方式が存在する。そしてドライエッチング装
置では、加工精度の向上とダメージフリーがその大きな
課題となっている。

【０００４】反応ガスの励起源としてマイクロ波を用
い、電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチ
ング方式（以下ＥＣＲエッチング方式と記載する）は、
高真空のガス圧力下にてエッチングを行うことを特徴と
し、微細加工の実現に非常に有効な手段であることから
近年アルミニウムなどの金属配線のエッチング加工に急
速に普及した技術である。

【０００５】ＥＣＲエッチング方式では、反応ガスの励
起源であるマイクロ波を透過性のある石英製の窓（以下
石英窓と記載する）を通して反応室内に導く。

【０００６】このため、反応室内の石英窓近傍は、最も
直接的にマイクロ波が反応ガスに影響を及ぼす領域とな
り、用いる反応ガスの種類によっては石英窓をもエッチ
ングしてしまうという問題が生じる。

【０００７】この結果、反応室内に導かれるマイクロ波
の状態も微妙に変化することから安定したガスプラズマ
状態を維持することが難しい。このため、メモリー絶縁
膜にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とシリコン酸化膜
の積層膜を用いるＭＯＮＯＳ型に代表される半導体不揮
発性記憶装置では良好な電気特性を得ることが非常に困
難となる。

【０００８】従来技術における金属配線の加工にＥＣＲ
エッチング方式を採用した、Ｎチャネル型でメモリー絶
縁膜にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜とシリコン酸化
膜の積層膜を用いるＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶装置（以
下ＭＯＮＯＳメモリーと記載する）の形成方法を、図２
６から図３２の断面図を用いて説明する。さらに、従来
技術における半球形の石英窓の状態を図３５の断面図を
用いて説明する。さらにまた、図３５に示す石英窓を用
い、ＥＣＲエッチング方式の異方性エッチングにより金
属配線の加工を行ったＭＯＮＯＳメモリーの代表的な特
性を図３８のグラフを用いて説明する。

【０００９】図２６から図３２は、従来技術におけるＭ
ＯＮＯＳメモリーの形成方法を工程順に示す断面図であ
る。さらに図３５は、従来技術における半球形石英窓の
状態を示す断面図である。さらにまた図３８は、図３５
に示す半球形の石英窓を用いてＥＣＲエッチング方式の
異方性エッチングにより金属配線の加工を行った形成し
たＭＯＮＯＳメモリーについて、情報書き込み前のゲー
ト電圧に対するドレイン電流の変化を示すグラフであ
る。なお、以下に示す従来技術の製造方法についてはＭ
ＯＮＯＳメモリーの製造方法を中心に説明する。

【００１０】まずはじめに図２６に示すように、半導体
基板１に薄い不純物濃度のＰ型拡散層２（以後Ｐウェル
と記載する）を形成し、さらに素子領域６の周囲にフィ
ールド酸化膜７を形成する。

【００１１】つぎに図２７に示すように、メモリー絶縁
膜８を形成し、さらに半導体基板１上に化学気相成長法
（以下ＣＶＤ法と記載する）によって、多結晶シリコン
膜９を全面に所定の膜厚で形成する。このメモリー絶縁
膜８は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とシリコン酸
化膜との積層膜である。そして、シリコン酸化膜は熱酸
化により形成し、シリコン窒化膜はＣＶＤ法により形成
する。

【００１２】その後、ホトレジスト５を回転塗布法によ
り全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現
像処理を行い、ホトレジスト５をゲート電極１０の形状
にパターニングする。

【００１３】つぎに図２８に示すように、パターニング
したホトレジスト５をエッチングマスクとして用いて、
多結晶シリコン膜９とメモリー絶縁膜８をゲート電極１
０としてエッチングによりパターニングする。その後、
図示しないが、ホトレジスト５を除去する。

【００１４】つぎに図２９に示すように、マスク酸化膜
１１をゲート電極１０の表面に形成し、さらにソース・
ドレインを形成するため導電型がＮ型の不純物をイオン
注入法によりにゲート電極１０に整合する半導体基板１
の素子領域６に添加し、導電型がＮ型の不純物層１２を
形成する。

【００１５】つぎに図３０に示すようにＣＶＤ法によ
り、全面にシリコン酸化膜系の層間絶縁膜１３を形成す
る。その後、窒素雰囲気中にてアニール処理を行い、図
１６を用いて説明した工程にて、ソース・ドレインとし
て添加した導電型がＮ型の不純物層１２を半導体基板１
中に拡散させ、ソース・ドレインである導電型がＮ型の
高濃度拡散層１４を形成する。

【００１６】さらに、ホトレジスト５を回転塗布法によ
り全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現
像処理を行い、ホトレジスト５をコンタクトホール１５
の形状にパターニングする。

【００１７】つぎに図３１に示すように、パターニング
したホトレジスト５をエッチングマスクとして用いて、
異方性エッチングを行い、層間絶縁膜１０の所定の箇所
をパターニングして、コンタクトホール１５を形成す
る。その後、ホトレジスト５を除去し、スパッタリング
法により全面に金属配線１６材料であるアルミニウム膜
１７を形成する。

【００１８】つぎに図３２に示すように、ホトレジスト
５を回転塗布法によって全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光し、現像処理を行い、ホトレジスト５を
金属配線１６の形状にパターニングする。その後、パタ
ーニングしたホトレジスト５をエッチングマスクとして
用いて、反応ガスとして塩素（Ｃｌ₂ ）と三塩化硼素
（ＢＣｌ₃ ）と臭化水素（ＨＢｒ）を用い、ＥＣＲエッ
チング方式による異方性エッチングを行い、アルミニウ
ム膜の所定の箇所をパターニングして、金属配線１６を
形成する。その後、図示しないが、ホトレジスト５を除
去し、ＭＯＮＯＳメモリーを完成することができる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】図３５に、上記の図３
２の反応ガスに塩素と三塩化硼素と臭化水素とを用いた
ＥＣＲエッチング方式による異方性エッチングを繰り返
した反応室である半球形の石英窓の断面図を示す。

【００２０】図３５を用いて説明した反応ガスとして塩
素と三塩化硼素と臭化水素を用いたＥＣＲエッチング方
式による異方性エッチングを繰り返した石英窓１８で
は、マイクロ波の透過経路であるその中央部の反応室内
側では円形ですり鉢状のくぼみ１９が形成される。

【００２１】このすり鉢状のくぼみ１９が形成され石英
窓１８を用いてＥＣＲエッチング方式による異方性エッ
チングにより、金属配線の加工を行った形成したＭＯＮ
ＯＳメモリーについて、情報書き込み前のゲート電圧に
対するドレイン電流の変化を図３８のグラフに示す。こ
の図３８のグラフは、横軸がＭＯＮＯＳメモリーのゲー
ト部に印加する電圧値（以下ゲート電圧と記載する）を
示し、縦軸がゲート電圧に対応するドレイン電流値を示
す。

【００２２】図３８中、実線は図３５を用いて説明した
石英窓１８を用いたＥＣＲエッチング方式による異方性
エッチングにより、金属配線の加工を行ったＭＯＮＯＳ
メモリーのゲート電圧に対するドレイン電流の変化を示
し、鎖線はすり鉢状のくぼみの無い石英窓を用いたエッ
チングにより、金属配線の加工を行ったＭＯＮＯＳメモ
リーのゲート電圧に対するドレイン電流の変化を示す。

【００２３】図３８のグラフより明らかなように、円形
ですり鉢状のくぼみ１９の発生した石英窓１８を用いて
金属配線のエッチングを行ったＭＯＮＯＳメモリーで
は、すり鉢状のくぼみ１９の無い石英窓を用いて金属配
線のエッチングを行った場合に比らべ、ゲート電圧に対
するドレイン電流の変化が増大する方向にシフトしてい
るのが解る。

【００２４】図３２を用いて説明した従来の製造方法で
金属配線の加工を繰り返したＥＣＲエッチング方式を採
用するドライエッチング装置の石英窓１８では、マイク
ロ波の透過経路である領域の反応室側に、詳細について
は明らかでないが臭化水素が主な供給源と思われる反応
種の作用により円形ですり鉢状のくぼみ１９が形成され
る。石英窓に円形ですり鉢状のくぼみ１９が形成される
と、その機構と状態は明らかではないが、エッチング時
に反応ガスの励起源であるマイクロ波の透過経路である
石英窓１８近傍にてその透過状態に変化が生じる。

【００２５】このため、エッチング時における石英窓１
８近傍のガスプラズマ状態は、石英窓１８にすり鉢状の
くぼみが存在しないに場合とは異なり、反応室の電位状
態にも変化が生じる。

【００２６】この結果、エッチングの対象となる半導体
不揮発性記憶装置は、石英窓にすり鉢状のくぼみが存在
しない場合とは状態の異なる雰囲気中に放置されること
となり、電気特性的にもなんらかの影響を受け、製造個
数に対する良品数（以下歩留まりと記載する）低下の原
因となる。

【００２７】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、ＥＣＲエッチング方式のドライエッチング
装置について、マイクロ波の透過経路である石英窓に円
形ですり鉢状のくぼみが発生することを抑制し、電気特
性上問題のない半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提
供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体不揮発性記憶装置の製造方法におい
ては、下記記載の手段を採用する。

【００２９】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウ
ム膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を
用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッ
チングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接
続するアルミニウムからなる金属配線を形成する工程を
有する。

【００３０】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配線
とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領
域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にアルミニウム膜を形
成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電
子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングに
よりコンタクトホールを介して半導体基板と接続するア
ルミニウム膜からなる金属配線を形成する工程を有す
る。

【００３１】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウ
ム合金膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼
素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用する
エッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板
と接続するアルミニウム合金からなる金属配線を形成す
る工程を有する。

【００３２】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配線
とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領
域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にアルミニウム合金膜
を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用い
る電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチン
グによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続す
るアルミニウム合金膜からなる金属配線を形成する工程
を有する。

【００３３】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒
化チタン膜とアルミニウム膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有する。

【００３４】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化処
理を行いフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極
配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイ
ン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工
程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタ
クトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム膜を積層して形成する工程と、反
応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン
共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホ
ールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム膜からなる積層構造の金属配線を形
成する工程を有する。

【００３５】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム合金膜を積層して形成する
工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコ
ンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜
と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有する。

【００３６】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配線
とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領
域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム合金膜を積層して形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム合金膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有する。

【００３７】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層
して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用
いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチ
ングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続
するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チ
タン膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有
する。

【００３８】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配線
とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領
域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層して形成
する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子
サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによ
りコンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタ
ン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜か
らなる積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００３９】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを
積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素
を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエ
ッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板と
接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜
と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成する
工程を有する。

【００４０】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配線
とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領
域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを積層して
形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる
電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチング
によりコンタクトホールを介して半導体基板と接続する
チタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チ
タン膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有
する。

【００４１】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マス
ク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸
化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型
がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶
縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成す
る工程を、全面にアルミニウム膜を形成する工程と、反
応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン
共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホ
ールを介して半導体基板と接続するアルミニウムからな
る金属配線を形成する工程を有する。

【００４２】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜を
形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合
する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高
濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、
全面にアルミニウム膜を形成する工程と、反応ガスに塩
素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズ
マを採用するエッチングによりコンタクトホールを介し
て半導体基板と接続するアルミニウム膜からなる金属配
線を形成する工程を有する。

【００４３】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マス
ク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸
化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型
がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶
縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成す
る工程を、全面にアルミニウム合金膜を形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するアルミニウム
合金からなる金属配線を形成する工程を有する。

【００４４】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜を
形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合
する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高
濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、
全面にアルミニウム合金膜を形成する工程と、反応ガス
に塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを
介して半導体基板と接続するアルミニウム合金膜からな
る金属配線を形成する工程を有する。

【００４５】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マス
ク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸
化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型
がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶
縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成す
る工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウ
ム膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩
化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用
するエッチングによりコンタクトホールを介して半導体
基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム
膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有す
る。

【００４６】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜を
形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合
する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高
濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、
全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜を積層
して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用
いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチ
ングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続
するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜からなる
積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００４７】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マス
ク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸
化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型
がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶
縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成す
る工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウ
ム合金膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と
三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを
採用するエッチングによりコンタクトホールを介して半
導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニ
ウム合金膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程
を有する。

【００４８】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜を
形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合
する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高
濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、
全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜を
積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素
を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエ
ッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板と
接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜
からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００４９】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マス
ク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸
化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型
がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶
縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成す
る工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウ
ム膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応
ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共
鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホー
ルを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン
膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜との積層構造の金属
配線を形成する工程を有する。

【００５０】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜を
形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合
する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高
濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、
全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化
チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガスに塩素
と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマ
を採用するエッチングによりコンタクトホールを介して
半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミ
ニウム膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を
形成する工程を有する。

【００５１】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マス
ク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸
化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型
がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶
縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成す
る工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウ
ム合金膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜からなる積
層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００５２】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶縁
膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜を
形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合
する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高
濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成
し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、
全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と
窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガスに
塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを介
して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム合金膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金
属配線を形成する工程を有する。

【００５３】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にア
ルミニウム膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩
化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用
するエッチングによりコンタクトホールを介して半導体
基板と接続するアルミニウムからなる金属配線を形成す
る工程を有する。

【００５４】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にアルミニウム膜を形
成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電
子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングに
よりコンタクトホールを介して半導体基板と接続するア
ルミニウム膜からなる金属配線を形成する工程を有す
る。

【００５５】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にア
ルミニウム合金膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と
三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを
採用するエッチングによりコンタクトホールを介して半
導体基板と接続するアルミニウム合金からなる金属配線
を形成する工程を有する。

【００５６】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法においては、導電型がＰ型の半導体基板上に選
択酸化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子
領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウ
ム合金膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼
素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用する
エッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板
と接続するアルミニウム合金膜からなる金属配線を形成
する工程を有する。

【００５７】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成
する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子
サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによ
りコンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタ
ン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有する。

【００５８】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化処
理を行いフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化
チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム膜からなる積層構造の金属配線を
形成する工程を有する。

【００５９】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜を積層して
形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる
電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチング
によりコンタクトホールを介して半導体基板と接続する
チタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜からなる
積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００６０】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム合金膜を積層して形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム合金膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有する。

【００６１】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜
とを積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化
硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用す
るエッチングによりコンタクトホールを介して半導体基
板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜
と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成する
工程を有する。

【００６２】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層して形成
する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子
サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによ
りコンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタ
ン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜か
らなる積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００６３】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタ
ン膜とを積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三
塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採
用するエッチングによりコンタクトホールを介して半導
体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウ
ム合金膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を
形成する工程を有する。

【００６４】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法においては、導電型がＰ型の半導体基板上に選
択酸化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子
領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを
積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素
を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエ
ッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板と
接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜
と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成する
工程を有する。

【００６５】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にアルミニウム膜を形成する工
程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイク
ロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコン
タクトホールを介して半導体基板と接続するアルミニウ
ムからなる金属配線を形成する工程を有する。

【００６６】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜
を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整
合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の
高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形
成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にアルミニウム膜を形成する工程と、反応ガス
に塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを
介して半導体基板と接続するアルミニウム膜からなる金
属配線を形成する工程を有する。

【００６７】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にアルミニウム合金膜を形成す
る工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サ
イクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングにより
コンタクトホールを介して半導体基板と接続するアルミ
ニウム合金からなる金属配線を形成する工程を有する。

【００６８】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜
を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整
合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の
高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形
成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にアルミニウム合金膜を形成する工程と、反応
ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共
鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホー
ルを介して半導体基板と接続するアルミニウム合金膜か
らなる金属配線を形成する工程を有する。

【００６９】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩
素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズ
マを採用するエッチングによりコンタクトホールを介し
て半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアル
ミニウム膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程
を有する。

【００７０】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜
を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整
合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の
高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形
成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜を
積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素
を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエ
ッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板と
接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜から
なる積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００７１】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム合金膜を積層して形成する工程と、反応ガス
に塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを
介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜と
アルミニウム合金膜からなる積層構造の金属配線を形成
する工程を有する。

【００７２】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜
を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整
合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の
高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形
成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金
膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化
硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用す
るエッチングによりコンタクトホールを介して半導体基
板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合
金膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有す
る。

【００７３】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒
化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜との積層構
造の金属配線を形成する工程を有する。

【００７４】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜
を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整
合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の
高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形
成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と
窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガスに
塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを介
して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有する。

【００７５】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、素
子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工程
と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを積層して形成する
工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコ
ンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜
と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜か
らなる積層構造の金属配線を形成する工程を有する。

【００７６】本発明における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法は、導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化に
よるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域に導
電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化膜
を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整
合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の
高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形
成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金
膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガ
スに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴
プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホール
を介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜
とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有する。

【００７７】〔作用〕反応ガスに塩素、三塩化硼素と臭
化水素を用いたＥＣＲエッチング方式による異方性エッ
チングの金属配線加工では、エッチングを繰り返すこと
により、石英窓のマイクロ波の透過経路である領域に円
形ですり鉢状のくぼみが形成される。石英窓に円形です
り鉢状のくぼみが形成されると、その機構と状態は明ら
かではないが、エッチング時に反応ガスの励起源である
マイクロ波の透過経路である石英窓近傍にてその透過状
態に変化が生じる。

【００７８】このため、エッチング時における石英窓近
傍のガスプラズマ状態は、石英窓にすり鉢状のくぼみが
存在しない場合とは異なり、反応室の電位状態にも変化
が生じる。この結果、エッチングの対象となる半導体装
置は、石英窓にすり鉢状のくぼみが存在しない場合とは
状態の異なる雰囲気中に放置されることとなり、電気特
性的にも何らかの影響を受け、歩留まり低下の一因とな
る。

【００７９】本発明における半導体装置の製造方法で
は、ＥＣＲエッチング方式の異方性エッチングによる金
属配線の加工を反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いて行
う。反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いたＥＣＲエッチ
ング方式による異方性エッチングの金属配線加工では、
エッチングを繰り返しても、石英窓のマイクロ波の透過
経路である領域に円形ですり鉢状のくぼみが形成される
ことはない。

【００８０】このため本発明の半導体不揮発性記憶装置
の製造方法では、エッチング時における石英窓近傍のガ
スプラズマ状態はつねに安定な状態にあり、反応室の電
位状態に変化が生じることはない。したがって、本発明
の半導体不揮発性記憶装置の製造方法の対象となる半導
体不揮発性記憶装置では、金属配線加工であるエッチン
グ時に電気特性的に何ら影響を受けることなく、安定し
た歩留まり得られる。

【００８１】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を実施
するための最適な形態の半導体不揮発性記憶装置の製造
方法を説明する。まずはじめに本発明の第１の実施形態
における半導体不揮発性記憶装置の製造方法を、図１か
ら図１２の断面図を用いて説明する。さらに、本発明の
第１の実施形態における半導体不揮発性記憶装置の製造
方法にて、金属配線の加工に使用したＥＣＲエッチング
装置の半球形の石英窓の状態を図３３の断面図を用いて
説明する。さらにまた、図３３に示す半球形の石英窓を
用い、ＥＣＲエッチング方式の異方性エッチングにより
金属配線の加工を行ったメモリー絶縁膜に酸化膜、窒化
膜と酸化膜の積層膜を用いる代表的な半導体不揮発性記
憶装置であるＭＯＮＯＳメモリーの代表的な特性を図３
６のグラフを用いて説明する。

【００８２】図１から図１２は、本発明の第１の実施形
態における半導体不揮発性記憶装置の製造方法を工程順
に示す断面図である。さらに図３３は本発明の第１の実
施形態における半導体不揮発性記憶装置の製造方法に
て、金属配線の加工に使用したＥＣＲエッチング装置の
半球形の石英窓の状態を示す断面図である。さらにまた
図３６は、図３３に示す石英窓を使用し、ＥＣＲエッチ
ング方式の異方性エッチングにより金属配線の加工を行
った形成したＭＯＮＯＳメモリーについて、情報書き込
み前のゲート電圧に対するドレイン電流の変化を示すグ
ラフである。なお以下に説明する本発明の実施の形態に
おける半導体装置の製造方法については、Ｎ型ＭＯＮＯ
Ｓメモリーの製造方法を中心に説明する。

【００８３】まずはじめに図１に示すように、半導体基
板１のＰウェル２形成領域にＰ型不純物であるボロンを
イオン注入量１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 程度の条件でイ
オン注入法により添加する。その後、窒素雰囲気中にお
ける温度１１４０℃の熱拡散処理を行うことによって、
ボロンを半導体基板１に拡散させＰウェル２を形成す
る。さらに温度１０００℃の酸素雰囲気中にて酸化処理
を行い、膜厚３０ｎｍのパッド酸化膜３を形成する。

【００８４】つぎに図２に示すように、パッド酸化膜３
の上に、反応ガスにジクロロシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）
とアンモニア（ＮＨ₃ ）とを用いるＣＶＤ法により、シ
リコン窒化膜４を膜厚１５０ｎｍで形成する。

【００８５】つぎにホトレジスト５を回転塗布法により
全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像
処理を行いホトレジスト５を素子領域６上に残存するよ
うにパターニングする。その後、このパターニングした
ホトレジスト５をエッチングマスクとして使用し、反応
ガスに三フッ化メタン（ＣＨＦ₃ ）と六フッ化イオウ
（ＳＦ₆ ）とヘリウム（Ｈｅ）とを用いるドライエッチ
ング法により、シリコン窒化膜４を素子領域６に形成す
るようパターニングする。

【００８６】つぎに図３に示すように、ホトレジスト５
を除去する。その後、シリコン窒化膜４を耐酸化膜とし
て用い、温度１０００℃の酸素雰囲気中における選択酸
化処理により、フィールド酸化膜７を膜厚５５０ｎｍで
形成する。この結果、素子領域６の周囲にフィールド酸
化膜７を形成することができる。

【００８７】つぎに図４に示すように、シリコン窒化膜
４を温度１６０℃に加熱した熱リン酸（Ｈ₃ ＰＯ₄ ）を
用いて除去し、さらにシリコン窒化膜４下層のパッド酸
化膜３をバッファードフッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋ＨＦ）溶液に
より除去する。

【００８８】つぎに図５に示すように、素子領域６の周
囲の領域にフィールド酸化膜７を形成した半導体基板１
上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜とシリコン酸化
膜の積層膜であるメモリー絶縁膜８を膜厚２０ｎｍで形
成する。

【００８９】メモリー絶縁膜８を構成する下層膜である
シリコン酸化膜は、温度９００℃の酸素雰囲気中の処理
により膜厚３ｎｍで形成する。メモリー絶縁膜８を構成
する中間膜であるシリコン窒化膜は、反応ガスにジクロ
ロシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）とアンモニア（ＮＨ₃ ）と
を用いるＣＶＤ法によって、膜厚１２０ｎｍで形成す
る。メモリー絶縁膜８を構成する上層膜であるシリコン
酸化膜は、温度９５０℃の酸素雰囲気中の処理により膜
厚５ｎｍで形成する。

【００９０】その後、反応ガスにモノシラン（ＳｉＨ
₄ ）を用いるＣＶＤ法により、全面に多結晶シリコン膜
９を膜厚３５０ｎｍで形成する。

【００９１】つぎに図６に示すように、全面に導電型が
Ｎ型の不純物であるリンを、イオン注入量が１０¹⁶ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ² 程度の条件でイオン注入法によって添加
し、ＭＯＮＯＳメモリー形成領域にＮ型の不純物を導入
した多結晶シリコン膜９を形成する。

【００９２】つぎに図７に示すように、ホトレジスト５
を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマスクを
用いて露光し、現像処理を行い、ホトレジスト５をゲー
ト電極１０の形状にパターニングする。

【００９３】つぎに図８に示すように、このパターニン
グしたホトレジスト５をエッチングマスクとし、エッチ
ングガスに六フッ化イオウ（ＳＦ₆ ）と塩素（Ｃｌ₂ ）
と二フッ化メタン（ＣＨ₂ Ｆ₂ ）とを用いて、異方性エ
ッチングにより多結晶シリコン膜９をエッチングしてゲ
ート電極１０としてパターニングする。その後、ホトレ
ジスト５をエッチングマスクとしてメモリー絶縁膜８を
構成する上層膜であるシリコン酸化膜をバッファードフ
ッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋ＨＦ）溶液により除去する。

【００９４】さらにその後、ホトレジスト５をエッチン
グマスクとしてメモリー絶縁膜８を構成する中間膜であ
るシリコン窒化膜を、反応ガスに四フッ化炭素（ＣＦ
₄ ）と一臭化三フッ化炭素（ＣＢｒＨＦ₃ ）とヘリウム
（Ｈｅ）とを用いるドライエッチング法により除去す
る。

【００９５】さらにその後、ホトレジスト５をエッチン
グマスクとしてメモリー絶縁膜８を構成する下層膜であ
るシリコン酸化膜をバッファードフッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋Ｈ
Ｆ）溶液により除去する。その後、図示しないが、エッ
チングマスクとして使用したゲート電極１０上のホトレ
ジスト５を除去する。

【００９６】つぎに図９に示すように、酸化拡散炉を用
い、温度９００℃の酸素雰囲気中にて、膜厚１０ｎｍの
マスク酸化膜１１をゲート電極１０の表面に形成する。
その後、ソース・ドレインを形成するため導電型がＮ型
の不純物層１２である砒素をイオン注入エネルギー７０
ＫｅＶ、イオン注入量１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 程度の
条件でイオン注入法により、ゲート電極１０とフィール
ド酸化膜７との整合する半導体基板１の素子領域６に添
加する。

【００９７】つぎに図１０に示すように、反応ガスとし
てモノシラン（ＳｉＨ₄ ）とジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）とフ
ォスフィン（ＰＨ₃ ）を用い、ＣＶＤ法によりシリコン
酸化膜系の層間絶縁膜１３を膜厚５００ｎｍで全面に形
成する。その後、酸化拡散炉を用い、温度９００℃の窒
素雰囲気中にてアニール処理を行い、図９を用いて説明
した工程にて所定の領域にイオン注入法により添加し
た、導電型がＮ型の不純物層１２である砒素を活性化さ
せる。この結果、ＭＯＮＯＳメモリーのソース・ドレイ
ンである導電型がＮ型の高濃度拡散層１４が形成され
る。

【００９８】さらに、ホトレジスト５を回転塗布法によ
り全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現
像処理を行い、ホトレジスト５をコンタクトホール１５
の形状にパターニングする。

【００９９】つぎに図１１に示すように、反応ガスに二
フッ化メタン（ＣＨ₂ Ｆ₂ ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ
₃ ）を用い、異方性エッチングにより層間絶縁膜１３の
所定の箇所を、ホトレジスト（図示せず）をエッチング
マスクに用いてパターニングして、コンタクトホール１
５を形成する。その後、ホトレジスト５を除去し、スパ
ッタリング法により全面に金属配線１６材料であるアル
ミニウム膜１７を形成する。

【０１００】つぎに図１２に示すように、ホトレジスト
５を回転塗布法によって全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光処理と、現像処理とを行い、ホトレジス
ト５を金属配線１６の形状にパターニングする。その
後、このパターニングしたホトレジスト５をエッチング
マスクとして、反応ガスに塩素（Ｃｌ₂ ）と三塩化硼素
（ＢＣｌ₃ ）を用い、ＥＣＲエッチング方式による異方
性エッチングを行い、アルミニウム膜１７の所定の箇所
をパターニングして、金属配線１６を形成する。その
後、図示しないが、ホトレジスト５を除去し、ＭＯＮＯ
Ｓメモリーを完成することができる。

【０１０１】図３３に、図１２を用いて説明した反応ガ
スとして塩素と三塩化硼素を用いたＥＣＲエッチング方
式による異方性エッチングを繰り返した反応室である半
球形の石英窓１８の断面図を示す。反応ガスに塩素と三
塩化硼素を用いたＥＣＲエッチング方式による異方性エ
ッチングを繰り返した石英窓１８では、マイクロ波の透
過経路であるその中央部の反応室内側で、従来技術のよ
うに円形ですり鉢状のくぼみが形成されることはない。

【０１０２】図３６のグラフに、くぼみが形成されてい
ない石英窓１８を用いたＥＣＲエッチング方式による異
方性エッチングにより、金属配線のエッチング加工を行
った形成したＭＯＮＯＳメモリーについて、情報書き込
み前のゲート電圧に対するドレイン電流の変化を示す。

【０１０３】この図３６のグラフは、横軸がＭＯＮＯＳ
メモリーのゲート電圧を示し、縦軸がゲート電圧に対応
するドレイン電流値を示す。そして図３６のグラフ中、
実線は図３３を用いて説明した石英窓１８を用いたＥＣ
Ｒエッチング方式による異方性エッチングにより、金属
配線の加工を行ったＭＯＮＯＳメモリーのゲート電圧に
対するドレイン電流の変化を示す。さらに図３６のグラ
フ中で、鎖線は従来技術の図３５で説明した石英窓１８
を、すり鉢状のくぼみ１９の発生していない状態で用
い、さらに反応ガスに塩素と三塩化硼素と臭化水素を用
いたエッチングにより、金属配線の加工を行ったＭＯＮ
ＯＳメモリーのゲート電圧に対するドレイン電流の変化
を示す。

【０１０４】図３６のグラフより、図３３で説明した石
英窓１８を用いたエッチングにより金属配線のエッチン
グを行ったＭＯＮＯＳメモリーでは、ゲート電圧に対す
るドレイン電流の値が、従来技術の図３５で説明した石
英窓１８をすり鉢状のくぼみ１９の発生していない状態
で用い、さらに反応ガスに塩素と三塩化硼素と臭化水素
を用いたエッチングにより金属配線の加工を行った場合
と同様の変化を示すことが解る。

【０１０５】このことは従来技術において図３８に示す
図３５で説明した石英窓１８を用いたエッチングにより
金属配線の加工を行ったＭＯＮＯＳメモリーのゲート電
圧にたいするドレイン電流のシフトが、用いる反応ガス
の種類によるものではなく、石英窓１８に形成されるす
り鉢状のくぼみ１９によるものであることを示唆してい
る。

【０１０６】以下、本発明を実施するための第２の実施
形態における半導体不揮発性記憶装置の製造方法を、図
１３から図２５を用いて説明する。さらに、本発明の第
２の実施形態における半導体不揮発性記憶装置の製造方
法において、金属配線の加工に使用したＥＣＲエッチン
グ装置の半球形の石英窓の状態を図３４の断面図を用い
て説明する。さらにまた、図３４に示す半球形の石英窓
を用い、ＥＣＲエッチング方式の異方性エッチングによ
り金属配線の加工を行ったメモリー絶縁膜に酸化膜、窒
化膜と酸化膜の積層膜を用いる代表的な半導体不揮発性
記憶装置であるＭＯＮＯＳメモリーの代表的な特性を図
３７のグラフを用いて説明する。

【０１０７】図１３から図２５は、本発明の第２の実施
形態における半導体不揮発性記憶装置の製造方法を工程
順に示す断面図である。さらに図３４は本発明の第２の
実施形態における半導体不揮発性記憶装置の製造方法に
て、金属配線の加工に使用したＥＣＲエッチング装置の
半球形の石英窓の状態を示す断面図である。さらにまた
図３７は図３４に示す石英窓を用い、ＥＣＲエッチング
方式の異方性エッチングにより金属配線の加工を行った
形成したＭＯＮＯＳメモリーについて、情報書き込み前
のゲート電圧に対するドレイン電流の変化を示すグラフ
である。なお、以下に示す本発明の第２の実施形態にお
ける半導体不揮発性記憶装置の製造方法については、Ｎ
型ＭＯＮＯＳメモリーの製造方法を中心に説明する。

【０１０８】まずはじめに図１３に示すように、半導体
基板１のＰウェル２形成領域にＰ型不純物であるボロン
をイオン注入量１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 程度の条件で
イオン注入法により添加する。その後、窒素雰囲気中に
おける温度１１４０℃の熱拡散処理を行うことによっ
て、ボロンを半導体基板１に拡散させＰウェル２を形成
する。さらに温度１０００℃の酸素雰囲気中にて酸化処
理を行い、膜厚３０ｎｍのパッド酸化膜３を形成する。

【０１０９】つぎに図１４に示すように、パッド酸化膜
３の上に、反応ガスにジクロロシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ
₂ ）とアンモニア（ＮＨ₃ ）とを用いるＣＶＤ法によ
り、シリコン窒化膜４を膜厚１５０ｎｍで形成する。

【０１１０】つぎにホトレジスト５を回転塗布法により
全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像
処理を行いホトレジスト５を素子領域６上に残存するよ
うにパターニングする。その後、このパターニングした
ホトレジスト５をエッチングマスクとして使用し、反応
ガスに三フッ化メタン（ＣＨＦ₃ ）と六フッ化イオウ
（ＳＦ₆ ）とヘリウム（Ｈｅ）とを用いるドライエッチ
ング法により、シリコン窒化膜４を素子領域６に形成す
るようパターニングする。

【０１１１】つぎに図１５に示すように、ホトレジスト
５を除去する。その後、シリコン窒化膜４を耐酸化膜と
して用い、温度１０００℃の酸素雰囲気中における選択
酸化処理により、フィールド酸化膜７を膜厚５５０ｎｍ
で形成する。この結果、素子領域６の周囲にフィールド
酸化膜７を形成することができる。

【０１１２】つぎに図１６に示すように、シリコン窒化
膜４を温度１６０℃に加熱した熱リン酸（Ｈ₃ ＰＯ₄ ）
を用いて除去し、さらにシリコン窒化膜４下層のパッド
酸化膜３をバッファードフッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋ＨＦ）溶液
により除去する。

【０１１３】つぎに図１７に示すように、温度１０００
℃の酸素雰囲気中における処理により、バッファ酸化膜
２０を膜厚２０ｎｍで形成する。

【０１１４】その後、導電型がＮ型不純物であるリン
を、イオン注入量が１０¹¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 程度の条
件でイオン注入法によって全面に添加し、ＭＯＮＯＳメ
モリー形成する素子領域６にＮ型の不純物を導入した低
濃度不純物層２１を形成する。さらにその後、図１７に
は図示しないが、バッファ酸化膜２０をバッファードフ
ッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋ＨＦ）溶液により除去する。

【０１１５】ここで、図１７を使用して説明した導電型
がＮ型の低濃度不純物層２１は、Ｎ型ＭＯＮＯＳメモリ
ーの閾値電圧を任意に制御することを目的にＭＯＮＯＳ
メモリーを形成する素子領域６に導入する不純物層であ
る。

【０１１６】つぎに図１８に示すように、素子領域６の
周囲の領域にフィールド酸化膜７を形成した半導体基板
１上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜とシリコン酸
化膜の積層膜であるメモリー絶縁膜８を膜厚２０ｎｍで
形成する。

【０１１７】メモリー絶縁膜８を構成する下層膜である
シリコン酸化膜は、温度９００℃の酸素雰囲気中の処理
により膜厚３ｎｍで形成する。メモリー絶縁膜８を構成
する中間膜であるシリコン窒化膜は、反応ガスにジクロ
ロシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）とアンモニア（ＮＨ₃ ）と
を用いるＣＶＤ法によって、膜厚１２０ｎｍで形成す
る。メモリー絶縁膜８を構成する上層膜であるシリコン
酸化膜は、温度９５０℃の酸素雰囲気中の処理により膜
厚５ｎｍで形成する。

【０１１８】その後、反応ガスにモノシラン（ＳｉＨ
₄ ）を用いるＣＶＤ法により、全面に多結晶シリコン膜
９を膜厚３５０ｎｍで形成する。

【０１１９】つぎに図１９に示すように、全面に導電型
がＮ型不純物であるリンを、イオン注入量が１０¹⁶ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ² 程度の条件でイオン注入法によって添加
し、ＭＯＮＯＳメモリー形成領域にＮ型の不純物を導入
した多結晶シリコン膜９を形成する。

【０１２０】つぎに図２０に示すように、ホトレジスト
５を回転塗布法によって全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光し、現像処理を行い、ホトレジスト５を
ゲート電極１０の形状にパターニングする。

【０１２１】つぎに図２１に示すように、このパターニ
ングしたホトレジスト５をエッチングマスクとし、エッ
チングガスに六フッ化イオウ（ＳＦ₆ ）と塩素（Ｃｌ
₂ ）と二フッ化メタン（ＣＨ₂ Ｆ₂ ）とを使用して、異
方性エッチングにより多結晶シリコン膜９をエッチング
してゲート電極１０としてパターニングする。その後、
ホトレジスト５をエッチングマスクとしてメモリー絶縁
膜８を構成する上層膜であるシリコン酸化膜をバッファ
ードフッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋ＨＦ）溶液により除去する。

【０１２２】さらにその後、ホトレジスト５をエッチン
グマスクとしてメモリー絶縁膜８を構成する中間膜であ
るシリコン窒化膜を、反応ガスに四フッ化炭素（ＣＦ
₄ ）と一臭化三フッ化炭素（ＣＢｒＨＦ₃ ）とヘリウム
（Ｈｅ）とを用いるドライエッチング法により除去す
る。

【０１２３】さらにその後、ホトレジスト５をエッチン
グマスクとしてメモリー絶縁膜８を構成する下層膜であ
るシリコン酸化膜をバッファードフッ酸（ＮＨ₄ Ｆ＋Ｈ
Ｆ）溶液により除去する。その後、図示しないが、エッ
チングマスクとして使用したゲート電極１０上のホトレ
ジスト５を除去する。

【０１２４】つぎに図２２に示すように、酸化拡散炉を
用い、温度９００℃の酸素雰囲気中にて、膜厚１０ｎｍ
のマスク酸化膜１１をゲート電極１０の表面に形成す
る。その後、ソース・ドレインを形成するため導電型が
Ｎ型の不純物層１２である砒素をイオン注入エネルギー
７０ＫｅＶ、イオン注入量１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ² 程
度の条件でイオン注入法により、ゲート電極１０とフィ
ールド酸化膜７との整合する半導体基板１の素子領域６
に添加する。

【０１２５】つぎに図２３に示すように、反応ガスとし
てモノシラン（ＳｉＨ₄ ）とジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）とフ
ォスフィン（ＰＨ₃ ）を用い、ＣＶＤ法によりシリコン
酸化膜系の層間絶縁膜１３を膜厚５００ｎｍで全面に形
成する。その後、酸化拡散炉を用い、温度９００℃の窒
素雰囲気中にてアニール処理を行い、図９を用いて説明
した工程にて所定の領域にイオン注入法により添加し
た、導電型がＮ型の不純物層１２である砒素を活性化さ
せる。この結果、ＭＯＮＯＳメモリーのソース・ドレイ
ンである導電型がＮ型の高濃度拡散層１４が形成され
る。

【０１２６】さらに、ホトレジスト５を回転塗布法によ
り全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現
像処理を行い、ホトレジスト５をコンタクトホール１５
の形状にパターニングする。

【０１２７】つぎに図２４に示すように、反応ガスに二
フッ化メタン（ＣＨ₂ Ｆ₂ ）と三フッ化メタン（ＣＨＦ
₃ ）を用い、異方性エッチングにより層間絶縁膜１３の
所定の箇所を、ホトレジスト（図示せず）をエッチング
マスクに用いてパターニングして、コンタクトホール１
５を形成する。その後、ホトレジスト５を除去し、スパ
ッタリング法により全面に金属配線１６材料であるアル
ミニウム膜１７を形成する。

【０１２８】つぎに図２５に示すように、ホトレジスト
５を回転塗布法によって全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光処理と、現像処理とを行い、ホトレジス
ト５を金属配線１６の形状にパターニングする。その
後、このパターニングしたホトレジスト５をエッチング
マスクとして、反応ガスに塩素（Ｃｌ₂ ）と三塩化硼素
（ＢＣｌ₃ ）を用い、ＥＣＲエッチング方式による異方
性エッチングを行い、アルミニウム膜１７の所定の箇所
をパターニングして、金属配線１６を形成する。その
後、図示しないが、ホトレジスト５を除去し、ＭＯＮＯ
Ｓメモリーを完成することができる。

【０１２９】図３４に、図２５を用いて説明した反応ガ
スとして塩素と三塩化硼素を用いたＥＣＲエッチング方
式による異方性エッチングを繰り返した反応室である半
球形の石英窓１８の断面図を示す。反応ガスに塩素と三
塩化硼素を用いたＥＣＲエッチング方式による異方性エ
ッチングを繰り返した石英窓１８では、マイクロ波の透
過経路であるその中央部の反応室内側で、従来技術のよ
うに円形ですり鉢状のくぼみが形成されることはない。

【０１３０】図３７のグラフに、くぼみが形成されてい
ない石英窓１８を用いたＥＣＲエッチング方式による異
方性エッチングにより、金属配線のエッチング加工を行
った形成したＭＯＮＯＳメモリーについて、情報書き込
み前のゲート電圧に対するドレイン電流の変化を示す。

【０１３１】この図３７のグラフは、横軸がＭＯＮＯＳ
メモリーのゲート電圧を示し、縦軸がゲート電圧に対応
するドレイン電流値を示す。そして図３７のグラフ中、
実線は図３４を用いて説明した石英窓１８を用いたＥＣ
Ｒエッチング方式による異方性エッチングにより、金属
配線の加工を行ったＭＯＮＯＳメモリーのゲート電圧に
対するドレイン電流の変化を示す。さらに図３７のグラ
フ中で、鎖線は従来技術の図３５で説明した石英窓１８
を、すり鉢状のくぼみ１９の発生していない状態で用
い、さらに反応ガスに塩素と三塩化硼素と臭化水素を用
いたエッチングにより、金属配線の加工を行ったＭＯＮ
ＯＳメモリーのゲート電圧に対するドレイン電流の変化
を示す。

【０１３２】図３７のグラフより、図３４で説明した石
英窓１８を用いたエッチングにより金属配線のエッチン
グを行ったＭＯＮＯＳメモリーでは、ゲート電圧に対す
るドレイン電流の値が、従来技術の図３５で説明した石
英窓１８をすり鉢状のくぼみ１９の発生していない状態
で用い、さらに反応ガスに塩素と三塩化硼素と臭化水素
を用いたエッチングにより金属配線の加工を行った場合
と同様の変化を示すことが解る。

【０１３３】このことは従来技術において図３８に示す
図３５で説明した石英窓１８を用いたエッチングにより
金属配線の加工を行ったＭＯＮＯＳメモリーのゲート電
圧に対するドレイン電流のシフトが、用いる反応ガスの
種類によるものではなく、石英窓１８に形成されるすり
鉢状のくぼみ１９によるものであることを示唆してい
る。

【０１３４】なお以上の本発明の第１の実施形態および
第２の実施形態の説明においては、半導体基板１にＰウ
ェル２を形成し、Ｐウェル２領域にＭＯＮＯＳメモリー
を形成しているが、導電型がＰ型の半導体基板１の任意
の領域にＭＯＮＯＳメモリーを形成しても、以上説明し
た本発明の実施形態の製造方法と同様の効果を得ること
ができる。

【０１３５】〔その他の本発明の実施形態における半導
体不揮発性記憶装置の製造方法〕さらに以上の本発明の
第１の実施形態および第２の実施形態の説明では、コン
タクトホール１５を介して半導体基板１と接続する金属
配線１６の配線材料にアルミニウム膜１７を用いて形成
しているが、アルミニウム合金膜を用いて形成しても、
以上説明した本発明の実施形態の製造方法と同様の効果
を得ることができる。

【０１３６】さらに以上の本発明の第１の実施形態およ
び第２の実施形態の説明では、コンタクトホール１５を
介して半導体基板１と接続する金属配線１６の配線材料
にアルミニウム膜１７を用いて形成しているが、チタン
膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜からなる積層金属膜
を用いて形成しても、以上説明した本発明の実施形態の
製造方法と同様の効果を得ることができる。

【０１３７】さらに以上の本発明の第１の実施形態およ
び第２の実施形態の説明では、コンタクトホール１５を
介して半導体基板１と接続する金属配線１６の配線材料
にアルミニウム膜１７を用いて形成しているが、チタン
膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜からなる積層金
属膜を用いて形成しても、以上説明した本発明の実施形
態の製造方法と同様の効果を得ることができる。

【０１３８】さらに以上の本発明の第１の実施形態およ
び第２の実施形態の説明では、コンタクトホール１５を
介して半導体基板１と接続する金属配線１６の配線材料
にアルミニウム膜１７を用いて形成しているが、チタン
膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜から
なる積層金属膜を用いて形成しても、以上説明した本発
明の実施形態の製造方法と同様の効果を得ることができ
る。

【０１３９】さらに以上の本発明の第１の実施形態およ
び第２の実施形態の説明では、コンタクトホール１５を
介して半導体基板１と接続する金属配線１６の配線材料
にアルミニウム膜１７を用いて形成しているが、チタン
膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜
からなる積層膜を用いて形成しても、以上説明した本発
明の実施形態の製造方法と同様の効果を得ることができ
る。

【０１４０】さらに以上の本発明の第１の実施形態およ
び第２の実施形態の説明では、ゲート電極配線を形成
後、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成しているが、ゲー
ト電極配線を形成後、ゲート電極配線とフィールド酸化
膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型が
Ｎ型の高濃度拡散層と導電型がＰ型の高濃度拡散層を形
成しても、以上説明した本発明の実施形態の製造方法と
同様の効果を得ることができる。

【０１４１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
おける半導体不揮発性記憶装置の製造方法では、ＥＣＲ
エッチング方式による異方性エッチングの金属配線加工
にて、エッチングを繰り返し行っても、石英窓のマイク
ロ波の透過経路である領域にすり鉢状のくぼみが形成さ
れることはない。

【０１４２】このため、金属配線加工であるＥＣＲエッ
チング方式によるアルミニム膜の異方性エッチングにお
いて石英窓近傍のガスプラズマ状態は、つねに安定な状
態にあり、反応室の電位状態に変化が生じることはな
い。

【０１４３】したがって、本発明の半導体不揮発性記憶
装置の製造方法の対象となる半導体装置は、金属配線加
工であるＥＣＲエッチング方式によるアルミニウム膜の
異方性エッチングにおいて電気特性的になんら影響を受
けることなく、安定した歩留まりを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図５】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図６】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図７】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図８】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図９】本発明の実施形態における半導体不揮発性記憶
装置の製造方法を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１１】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１２】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１３】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１４】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１５】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１６】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１７】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１８】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図１９】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２０】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２１】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２２】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２３】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２４】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２５】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法を示す断面図である。

【図２６】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図２７】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図２８】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図２９】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図３０】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図３１】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図３２】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を示す断面図である。

【図３３】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法で用いたＥＣＲエッチング装置の石英
窓を示す断面図である。

【図３４】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法で用いたＥＣＲエッチング装置の石英
窓を示す断面図である。

【図３５】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法で用いたＥＣＲエッチング装置の石英窓を示す
断面図である。

【図３６】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法により製造した半導体不揮発性記憶装
置の特性を示し、ゲート電圧とドレイン電流との関係を
示すグラフである。

【図３７】本発明の実施形態における半導体不揮発性記
憶装置の製造方法により製造した半導体不揮発性記憶装
置の特性を示し、ゲート電圧とドレイン電流との関係を
示すグラフである。

【図３８】従来技術における半導体不揮発性記憶装置の
製造方法により製造した半導体不揮発性記憶装置の特性
を示し、ゲート電圧とドレイン電流との関係を示すグラ
フである。

【符号の説明】

１半導体基板８メモリー絶縁膜９多結晶シリコン膜１０ゲート電極１３層間絶縁膜１４高濃度拡散層１６金属配線１８石英窓２１低濃度不純物層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/768 27/115

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウ
ム膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を
用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッ
チングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接
続するアルミニウムからなる金属配線を形成する工程を
有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造
方法。
【請求項２】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化
によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にアルミニウム膜を形
成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電
子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングに
よりコンタクトホールを介して半導体基板と接続するア
ルミニウム膜からなる金属配線を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３】半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウ
ム合金膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼
素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用する
エッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板
と接続するアルミニウム合金からなる金属配線を形成す
る工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装
置の製造方法。
【請求項４】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化
によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にアルミニウム合金膜
を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用い
る電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチン
グによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続す
るアルミニウム合金膜からなる金属配線を形成する工程
を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製
造方法。
【請求項５】半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒
化チタン膜とアルミニウム膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有することを特徴とする半導体不揮
発性記憶装置の製造方法。
【請求項６】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化
によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム膜を積層して形成する工程と、反応
ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共
鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホー
ルを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン
膜とアルミニウム膜からなる積層構造の金属配線を形成
する工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶
装置の製造方法。
【請求項７】半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム合金膜を積層して形成する
工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコ
ンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜
と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有することを特徴とする半
導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項８】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸化
によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー絶
縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極配
線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン
領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程
と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタク
トホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム合金膜を積層して形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム合金膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有することを特徴とする半導体不揮
発性記憶装置の製造方法。
【請求項９】半導体基板上にＰウェルを形成する工程
と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、メ
モリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲー
ト電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソース
ドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成
する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所に
コンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と
窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層
して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用
いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチ
ングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続
するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チ
タン膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有
することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方
法。
【請求項１０】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極
配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイ
ン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工
程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタ
クトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層して形
成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電
子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングに
よりコンタクトホールを介して半導体基板と接続するチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜
からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有するこ
とを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項１１】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲ
ート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソー
スドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形
成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所
にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜
と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜と
を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼
素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用する
エッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板
と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金
膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成す
る工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装
置の製造方法。
【請求項１２】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電極
配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレイ
ン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工
程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタ
クトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを積層し
て形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用い
る電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチン
グによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続す
るチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化
チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を
有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造
方法。
【請求項１３】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マ
スク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド
酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電
型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間
絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成
する工程を、全面にアルミニウム膜を形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するアルミニウムから
なる金属配線を形成する工程を有することを特徴とする
半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項１４】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化
膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の
整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型
の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を
形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にアルミニウム膜を形成する工程と、反応ガス
に塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを
介して半導体基板と接続するアルミニウム膜からなる金
属配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体
不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項１５】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マ
スク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド
酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電
型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間
絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成
する工程を、全面にアルミニウム合金膜を形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するアルミニウム
合金からなる金属配線を形成する工程を有することを特
徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項１６】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化
膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の
整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型
の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を
形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にアルミニウム合金膜を形成する工程と、反応
ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共
鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホー
ルを介して半導体基板と接続するアルミニウム合金膜か
らなる金属配線を形成する工程を有することを特徴とす
る半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項１７】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マ
スク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド
酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電
型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間
絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成
する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニ
ウム膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三
塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採
用するエッチングによってコンタクトホールを介して半
導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニ
ウム膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有
することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方
法。
【請求項１８】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化
膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の
整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型
の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を
形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜を
積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素
を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエ
ッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板と
接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜から
なる積層構造の金属配線を形成する工程を有することを
特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項１９】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マ
スク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド
酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電
型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間
絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成
する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニ
ウム合金膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素
と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマ
を採用するエッチングによりコンタクトホールを介して
半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミ
ニウム合金膜からなる積層構造の金属配線を形成する工
程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の
製造方法。
【請求項２０】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化
膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の
整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型
の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を
形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金
膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化
硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用す
るエッチングによりコンタクトホールを介して半導体基
板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合
金膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有す
ることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方
法。
【請求項２１】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マ
スク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド
酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電
型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間
絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成
する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニ
ウム膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反
応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン
共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホ
ールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタ
ン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有することを特徴とする半
導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項２２】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化
膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の
整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型
の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を
形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と
窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガスに
塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを介
して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配
線を形成する工程を有することを特徴とする半導体不揮
発性記憶装置の製造方法。
【請求項２３】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マ
スク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド
酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域となる導電
型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間
絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成
する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニ
ウム合金膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒
化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜からな
る積層構造の金属配線を形成する工程を有することを特
徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項２４】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、メモリー
絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸化
膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の
整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型
の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を
形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程
を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金
膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガ
スに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴
プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホール
を介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜
とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有することを特徴とする半
導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項２５】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によってフィールド酸化膜を形成した
後、素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成す
る工程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する
工程と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する
領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度
拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、
所定の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面
にアルミニウム膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と
三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを
採用するエッチングによりコンタクトホールを介して半
導体基板と接続するアルミニウムからなる金属配線を形
成する工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記
憶装置の製造方法。
【請求項２６】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウム膜
を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用い
る電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチン
グによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続す
るアルミニウム膜からなる金属配線を形成する工程を有
することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方
法。
【請求項２７】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にア
ルミニウム合金膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と
三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを
採用するエッチングによりコンタクトホールを介して半
導体基板と接続するアルミニウム合金からなる金属配線
を形成する工程を有することを特徴とする半導体不揮発
性記憶装置の製造方法。
【請求項２８】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にアルミニウム合
金膜を形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を
用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッ
チングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接
続するアルミニウム合金膜からなる金属配線を形成する
工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置
の製造方法。
【請求項２９】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成
する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子
サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによ
りコンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタ
ン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜からなる積層構造
の金属配線を形成する工程を有することを特徴とする半
導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３０】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化
チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成する工程と、
反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクト
ホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チ
タン膜とアルミニウム膜からなる積層構造の金属配線を
形成する工程を有することを特徴とする半導体不揮発性
記憶装置の製造方法。
【請求項３１】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜を積層して
形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる
電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチング
によりコンタクトホールを介して半導体基板と接続する
チタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜からなる
積層構造の金属配線を形成する工程を有することを特徴
とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３２】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化
チタン膜とアルミニウム合金膜を積層して形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒
化チタン膜とアルミニウム合金膜からなる積層構造の金
属配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体
不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３３】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜
とを積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化
硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用す
るエッチングによりコンタクトホールを介して半導体基
板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜
と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成する
工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置
の製造方法。
【請求項３４】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化
チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層して
形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる
電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチング
によりコンタクトホールを介して半導体基板と接続する
チタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン
膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３５】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、ゲート電極配線とフィールド酸化膜の整合する領域
にソースドレイン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散
層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定
の箇所にコンタクトホールを形成する工程を、全面にチ
タン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタ
ン膜とを積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三
塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採
用するエッチングによりコンタクトホールを介して半導
体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウ
ム合金膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属配線を
形成する工程を有することを特徴とする半導体不揮発性
記憶装置の製造方法。
【請求項３６】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、ゲート電
極配線とフィールド酸化膜の整合する領域にソースドレ
イン領域となる導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する
工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコン
タクトホールを形成する工程を、全面にチタン膜と窒化
チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを積層
して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用
いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチ
ングによりコンタクトホールを介して半導体基板と接続
するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒
化チタン膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程
を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製
造方法。
【請求項３７】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にアルミニウム膜を形成する工
程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイク
ロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコン
タクトホールを介して半導体基板と接続するアルミニウ
ムからなる金属配線を形成する工程を有することを特徴
とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３８】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸
化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜
の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ
型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜
を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工
程を、全面にアルミニウム膜を形成する工程と、反応ガ
スに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴
プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホール
を介して半導体基板と接続するアルミニウム膜からなる
金属配線を形成する工程を有することを特徴とする半導
体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項３９】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にアルミニウム合金膜を形成す
る工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サ
イクロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングにより
コンタクトホールを介して半導体基板と接続するアルミ
ニウム合金からなる金属配線を形成する工程を有するこ
とを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項４０】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸
化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜
の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ
型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜
を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工
程を、全面にアルミニウム合金膜を形成する工程と、反
応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン
共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホ
ールを介して半導体基板と接続するアルミニウム合金膜
からなる金属配線を形成する工程を有することを特徴と
する半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項４１】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩
素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズ
マを採用するエッチングによってコンタクトホールを介
して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜からなる積層構造の金属配線を形成する工
程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の
製造方法。
【請求項４２】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸
化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜
の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ
型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜
を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工
程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜
を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼
素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用する
エッチングによりコンタクトホールを介して半導体基板
と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜か
らなる積層構造の金属配線を形成する工程を有すること
を特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項４３】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム合金膜を積層して形成する工程と、反応ガス
に塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを
介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜と
アルミニウム合金膜からなる積層構造の金属配線を形成
する工程を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶
装置の製造方法。
【請求項４４】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸
化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜
の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ
型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜
を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工
程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合
金膜を積層して形成する工程と、反応ガスに塩素と三塩
化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プラズマを採用
するエッチングによりコンタクトホールを介して半導体
基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム
合金膜からなる積層構造の金属配線を形成する工程を有
することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方
法。
【請求項４５】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程
と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタ
クトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒
化チタン膜とアルミニウム膜と窒化チタン膜からなる積
層構造の金属配線を形成する工程を有することを特徴と
する半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項４６】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸
化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜
の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ
型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜
を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工
程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜
と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応ガス
に塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマを採用するエッチングによりコンタクトホールを
介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン膜と
アルミニウム膜と窒化チタン膜からなる積層構造の金属
配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体不
揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項４７】半導体基板上にＰウェルを形成する工
程と、選択酸化によるフィールド酸化膜を形成した後、
素子領域に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成する工
程と、メモリー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程
と、マスク酸化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィ
ールド酸化膜の整合する領域にソースドレイン領域とな
る導電型がＮ型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面
に層間絶縁膜を形成し、所定の箇所にコンタクトホール
を形成する工程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とア
ルミニウム合金膜と窒化チタン膜とを積層して形成する
工程と、反応ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを採用するエッチングによりコ
ンタクトホールを介して半導体基板と接続するチタン膜
と窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜か
らなる積層構造の金属配線を形成する工程を有すること
を特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項４８】導電型がＰ型の半導体基板上に選択酸
化によるフィールド酸化膜を形成する工程と、素子領域
に導電型がＮ型の低濃度不純物層を形成した後、メモリ
ー絶縁膜とゲート電極配線を形成する工程と、マスク酸
化膜を形成した後、ゲート電極配線とフィールド酸化膜
の整合する領域にソースドレイン領域となる導電型がＮ
型の高濃度拡散層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜
を形成し、所定の箇所にコンタクトホールを形成する工
程を、全面にチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム合
金膜と窒化チタン膜とを積層して形成する工程と、反応
ガスに塩素と三塩化硼素を用いる電子サイクロトロン共
鳴プラズマを採用するエッチングによりコンタクトホー
ルを介して半導体基板と接続するチタン膜と窒化チタン
膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜からなる積層構
造の金属配線を形成する工程を有することを特徴とする
半導体不揮発性記憶装置の製造方法。