JPH11135624A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11135624A JPH11135624A JP29833397A JP29833397A JPH11135624A JP H11135624 A JPH11135624 A JP H11135624A JP 29833397 A JP29833397 A JP 29833397A JP 29833397 A JP29833397 A JP 29833397A JP H11135624 A JPH11135624 A JP H11135624A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置のコンタクト抵抗異常に起因する
不良を防止する。 【解決手段】 半導体基盤１０上に素子分離領域１２と
ゲート酸化膜１４を形成し、その後、ゲート電極１５と
高濃度拡散領域１６を形成し、層間絶縁膜１７を形成
し、その後、コンタクトホール１８を形成し、その後、
ホトレジストをアッシングすることによりエッチングダ
メージ層１９を除去する。
不良を防止する。 【解決手段】 半導体基盤１０上に素子分離領域１２と
ゲート酸化膜１４を形成し、その後、ゲート電極１５と
高濃度拡散領域１６を形成し、層間絶縁膜１７を形成
し、その後、コンタクトホール１８を形成し、その後、
ホトレジストをアッシングすることによりエッチングダ
メージ層１９を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、とくに配線を高濃度拡散領域、およびゲート
電極と接続するために設けるコンタクトホールの形成方
法に関する。
法に関し、とくに配線を高濃度拡散領域、およびゲート
電極と接続するために設けるコンタクトホールの形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術における半導体装置の製造方
法を、図１３から図１８の断面図を用いて説明する。
法を、図１３から図１８の断面図を用いて説明する。
【０００３】まず図１３に示すように、Ｐ型の半導体基
盤１０上に、選択的に素子分離領域１２を形成する。
盤１０上に、選択的に素子分離領域１２を形成する。
【０００４】つぎに、図１４に示すように、熱酸化法に
よりゲート酸化膜１４を形成する。その後、化学気相成
長法によって多結晶シリコンからなるゲート電極１５を
形成し、ゲート電極１５をホトエッチング法により所定
の形状に形成する。
よりゲート酸化膜１４を形成する。その後、化学気相成
長法によって多結晶シリコンからなるゲート電極１５を
形成し、ゲート電極１５をホトエッチング法により所定
の形状に形成する。
【０００５】つぎに、リンをイオン注入して、ゲート電
極１５と素子分離領域との整合する半導体基盤上の所定
領域に高濃度拡散領域１６を形成する。
極１５と素子分離領域との整合する半導体基盤上の所定
領域に高濃度拡散領域１６を形成する。
【０００６】つぎに、図１５に示すように、リンおよび
ボロンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１７
を半導体基盤全面に形成する。その後、ホトレジスト２
１を半導体基盤全面に形成し、露光処理と、現像処理と
を行い、このホトレジスト２１をパーン形成する。
ボロンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１７
を半導体基盤全面に形成する。その後、ホトレジスト２
１を半導体基盤全面に形成し、露光処理と、現像処理と
を行い、このホトレジスト２１をパーン形成する。
【０００７】つぎに、図１６に示すように、ホトレジス
ト２１をエッチングマスクとして、反応性イオンエッチ
ング法により層間絶縁膜をパターン形成し、コンタクト
ホール１８を形成する。
ト２１をエッチングマスクとして、反応性イオンエッチ
ング法により層間絶縁膜をパターン形成し、コンタクト
ホール１８を形成する。
【０００８】このコンタクトホール１８を形成するエッ
チング工程において、エッチングによるダメージ層１９
が形成する。
チング工程において、エッチングによるダメージ層１９
が形成する。
【０００９】つぎに、図１７に示すように、熱硫酸によ
り、ホトレジストを除去する。このとき、ダメージ層１
９は熱硫により除去されない。
り、ホトレジストを除去する。このとき、ダメージ層１
９は熱硫により除去されない。
【００１０】つぎに、図１８に示すように、アルミニウ
ムからなる配線２０を半導体基盤全面に形成し、ホトエ
ッチイングにより配線２０をパターン形成する。この工
程により、半導体装置が完成する。
ムからなる配線２０を半導体基盤全面に形成し、ホトエ
ッチイングにより配線２０をパターン形成する。この工
程により、半導体装置が完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１３から図１８を用
いて説明した従来の技術による半導体装置の製造法にお
いては、コンタクトホールの形成工程において、半導体
基盤の下地シリコン膜との選択比を得るために、エッチ
ング表面にフロロカーボン膜が堆積するエッチングダメ
ージ層が形成しており、このエッチングダメージ層によ
り配線とコンタクトホールとを接続するコンタクト抵抗
が著しく増大する。したがって、半導体装置の電気的導
通が損なわれ、半導体装置の不良の原因となった。
いて説明した従来の技術による半導体装置の製造法にお
いては、コンタクトホールの形成工程において、半導体
基盤の下地シリコン膜との選択比を得るために、エッチ
ング表面にフロロカーボン膜が堆積するエッチングダメ
ージ層が形成しており、このエッチングダメージ層によ
り配線とコンタクトホールとを接続するコンタクト抵抗
が著しく増大する。したがって、半導体装置の電気的導
通が損なわれ、半導体装置の不良の原因となった。
【００１２】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、半導体装置の電気的導通不良が発生しない
半導体装置の製造方法を提供することにある。
を解決して、半導体装置の電気的導通不良が発生しない
半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下記記載の構成
を採用する。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下記記載の構成
を採用する。
【００１４】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基盤上に、素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化
膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域
との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、
リンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を形成
する工程と、層間絶縁膜上部にエッチングマスクのホト
レジストを形成し、ドライエッチングによりコンタクト
ホールを形成する工程と、ホトレジストをアッシングに
より除去する工程と、コンタクトホールを介して配線を
形成する工程とを有することを特徴とする。
基盤上に、素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化
膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域
との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、
リンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を形成
する工程と、層間絶縁膜上部にエッチングマスクのホト
レジストを形成し、ドライエッチングによりコンタクト
ホールを形成する工程と、ホトレジストをアッシングに
より除去する工程と、コンタクトホールを介して配線を
形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基盤上に、素子分離領域を形成する工程と、 ゲート酸
化膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領
域との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程
と、リンおよびボロンを含んだシリコン酸化膜からなる
層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上部にエッチ
ングマスクのホトレジストを形成し、ドライエッチング
によりコンタクトホールを形成する工程と、ホトレジス
トをアッシングにより除去する工程と、コンタクトホー
ルを介して配線を形成する工程とを有することを特徴と
する。
基盤上に、素子分離領域を形成する工程と、 ゲート酸
化膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領
域との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程
と、リンおよびボロンを含んだシリコン酸化膜からなる
層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上部にエッチ
ングマスクのホトレジストを形成し、ドライエッチング
によりコンタクトホールを形成する工程と、ホトレジス
トをアッシングにより除去する工程と、コンタクトホー
ルを介して配線を形成する工程とを有することを特徴と
する。
【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基盤上に、素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化
膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域
との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、
リンを含んだシリコン酸化膜からなる層第１の間絶縁膜
を形成し、第１の層間絶縁膜上部にリンおよびボロンを
含んだシリコン酸化膜からなる第２の層間絶縁膜を形成
する工程と、第２の層間絶縁膜上部にエッチングマスク
のホトレジストを形成し、ドライエッチングによりコン
タクトホールを形成する工程と、ホトレジストをアッシ
ングにより除去する工程と、コンタクトホールを介して
配線を形成する工程とを有することを特徴とする。
基盤上に、素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化
膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域
との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、
リンを含んだシリコン酸化膜からなる層第１の間絶縁膜
を形成し、第１の層間絶縁膜上部にリンおよびボロンを
含んだシリコン酸化膜からなる第２の層間絶縁膜を形成
する工程と、第２の層間絶縁膜上部にエッチングマスク
のホトレジストを形成し、ドライエッチングによりコン
タクトホールを形成する工程と、ホトレジストをアッシ
ングにより除去する工程と、コンタクトホールを介して
配線を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】〔作用〕本発明のコンタクトホールの形成
方法は、コンタクトホールエッチングにおけるエッチン
グダメージ層をエッチングマスクのホトレジストを除去
する目的で行うアッシングにより、同一工程内で除去す
ることを特徴とする。したがって、コンタクト抵抗の増
大の原因であったダメージ層を除去することにより、半
導体装置の電気的導通が損なわれることがない。
方法は、コンタクトホールエッチングにおけるエッチン
グダメージ層をエッチングマスクのホトレジストを除去
する目的で行うアッシングにより、同一工程内で除去す
ることを特徴とする。したがって、コンタクト抵抗の増
大の原因であったダメージ層を除去することにより、半
導体装置の電気的導通が損なわれることがない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の最適
な実施形態を、図１から図１２を用いて説明する。図１
から図１１２は本発明における半導体装置の製造方法を
工程順に示す断面図である。
な実施形態を、図１から図１２を用いて説明する。図１
から図１１２は本発明における半導体装置の製造方法を
工程順に示す断面図である。
【００１９】まずはじめに、図１に示すように、導電型
がＰ型の半導体基盤１０上に、酸素雰囲気中で温度１０
００℃の熱処理を行い、膜厚４０ｎｍのパッド酸化膜１
１を形成する。
がＰ型の半導体基盤１０上に、酸素雰囲気中で温度１０
００℃の熱処理を行い、膜厚４０ｎｍのパッド酸化膜１
１を形成する。
【００２０】つぎに、図２に示すように、反応ガスにジ
クロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）とアンモニア（ＮＨ
3 ）を用いた化学気相成長法により、膜厚１５０ｎｍの
シリコン窒化膜１３を全面に形成する。
クロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）とアンモニア（ＮＨ
3 ）を用いた化学気相成長法により、膜厚１５０ｎｍの
シリコン窒化膜１３を全面に形成する。
【００２１】つぎに、ホトレジスト（図示せず）を回転
塗布法により半導体基盤全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光処理と現像処理を行ない、このホトレジ
ストを素子領域上に残存するようにパターン形成する。
塗布法により半導体基盤全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光処理と現像処理を行ない、このホトレジ
ストを素子領域上に残存するようにパターン形成する。
【００２２】つぎに、このパターン形成したホトレジス
トをエッチングマスクとして使用して、反応ガスに六フ
ッ化硫黄（ＳＦ6 ）、三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）、お
よびヘリウム（Ｈｅ）を用いた反応性イオンエッチング
法により、窒化シリコンを素子領域上に形成する。その
後、このホトレジストを温度１５０℃の熱硫酸により除
去する。
トをエッチングマスクとして使用して、反応ガスに六フ
ッ化硫黄（ＳＦ6 ）、三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）、お
よびヘリウム（Ｈｅ）を用いた反応性イオンエッチング
法により、窒化シリコンを素子領域上に形成する。その
後、このホトレジストを温度１５０℃の熱硫酸により除
去する。
【００２３】つぎに、図３に示すように、水蒸気添加し
た酸素雰囲気中で、温度１０００℃の熱処理を行ない、
膜厚７１０ｎｍの酸化シリコンの素子分離領域１２を選
択的に形成する。その後、窒化シリコンを温度１８０℃
の熱リン酸を用いて除去する。さらにその後、パッド酸
化膜をフッ酸を用いて除去する。
た酸素雰囲気中で、温度１０００℃の熱処理を行ない、
膜厚７１０ｎｍの酸化シリコンの素子分離領域１２を選
択的に形成する。その後、窒化シリコンを温度１８０℃
の熱リン酸を用いて除去する。さらにその後、パッド酸
化膜をフッ酸を用いて除去する。
【００２４】つぎに、図４に示すように、酸素雰囲気中
で、温度１０００℃の熱処理を行ない、膜厚３０ｎｍの
酸化シリコンからなるゲート酸化膜１４を形成する。
で、温度１０００℃の熱処理を行ない、膜厚３０ｎｍの
酸化シリコンからなるゲート酸化膜１４を形成する。
【００２５】つぎに、反応ガスにモノシラン（ＳｉＨ
4 ）を用いた化学気相成長法により、膜厚４５０ｎｍの
多結晶シリコンのゲート電極１５を半導体基盤１０の上
全面に形成する。
4 ）を用いた化学気相成長法により、膜厚４５０ｎｍの
多結晶シリコンのゲート電極１５を半導体基盤１０の上
全面に形成する。
【００２６】つぎに、図５に示すように、ホトレジスト
（図示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定の
ホトマスクを用いて露光し、現像処理を行ない、ホトレ
ジストをゲート電極領域上に残存するようにパターン形
成する。
（図示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定の
ホトマスクを用いて露光し、現像処理を行ない、ホトレ
ジストをゲート電極領域上に残存するようにパターン形
成する。
【００２７】つぎに、このパターン形成したホトレジス
トをエッチングマスクとして使用して、反応ガスに六フ
ッ化硫黄（ＳＦ6 ）、塩素（Ｃｌ2 ）、および二フッ化
メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）を用いた反応性イオンエッチング
法により、多結晶シリコンのゲート電極１５を形成す
る。その後、このホトレジストを温度１５０℃の熱硫酸
により除去する。
トをエッチングマスクとして使用して、反応ガスに六フ
ッ化硫黄（ＳＦ6 ）、塩素（Ｃｌ2 ）、および二フッ化
メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）を用いた反応性イオンエッチング
法により、多結晶シリコンのゲート電極１５を形成す
る。その後、このホトレジストを温度１５０℃の熱硫酸
により除去する。
【００２８】つぎに、図６に示すように、リンを加速エ
ネルギー５０ｋｅＶにおいて、注入量３．５×１０15ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ2 の条件でイオン注入し、ゲート電極１
５の整合する半導体基盤１０に高濃度拡散領域１６を形
成する。
ネルギー５０ｋｅＶにおいて、注入量３．５×１０15ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ2 の条件でイオン注入し、ゲート電極１
５の整合する半導体基盤１０に高濃度拡散領域１６を形
成する。
【００２９】つぎに、図７に示すように、反応ガスにモ
ノシラン（ＳｉＨ4 ）およびホスフィン（ＰＨ3 ）を用
いた化学気相成長法により、リンを含んだシリコン酸化
膜のＰＳＧの層間絶縁膜１７を半導体基盤上全面に５５
０ｎｍの膜厚で形成する。この層間絶縁膜は、後に形成
する配線と半導体素子領域とを電気的に分離する機能を
有する。
ノシラン（ＳｉＨ4 ）およびホスフィン（ＰＨ3 ）を用
いた化学気相成長法により、リンを含んだシリコン酸化
膜のＰＳＧの層間絶縁膜１７を半導体基盤上全面に５５
０ｎｍの膜厚で形成する。この層間絶縁膜は、後に形成
する配線と半導体素子領域とを電気的に分離する機能を
有する。
【００３０】つぎに、窒素雰囲気中において温度９００
℃、時間３０分の熱処理を行い、第１の層間絶縁膜を粘
性流動させる、いわゆるリフローを行い、ＰＳＧ膜を平
坦化すると同時に、高濃度拡散領域が横方向に拡散し
て、ゲート電極の下部に高濃度拡散領域を形成する。
℃、時間３０分の熱処理を行い、第１の層間絶縁膜を粘
性流動させる、いわゆるリフローを行い、ＰＳＧ膜を平
坦化すると同時に、高濃度拡散領域が横方向に拡散し
て、ゲート電極の下部に高濃度拡散領域を形成する。
【００３１】つぎに、図８に示すように、ホトレジスト
２１を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光処理と、現像処理を行い、ホトレジスト
２１をコンタクトホール形成領域以外の層間絶縁膜上に
残存するようにパターン形成する。
２１を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマス
クを用いて露光処理と、現像処理を行い、ホトレジスト
２１をコンタクトホール形成領域以外の層間絶縁膜上に
残存するようにパターン形成する。
【００３２】つぎに、図９に示すように、このパターン
形成したホトレジストをエッチングマスクとして使用
し、反応ガスに二フッ化メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）、三フッ
化メタン（ＣＨＦ3 ）、および酸素（Ｏ2 ）を用いた反
応性イオンエッチング法によって、層間絶縁膜にコンタ
クトホール１８を開口する。このエッチング工程におい
て、エッチング種により高濃度拡散領域にエッチングに
よるダメージ層１９が形成する。
形成したホトレジストをエッチングマスクとして使用
し、反応ガスに二フッ化メタン（ＣＨ2 Ｆ2 ）、三フッ
化メタン（ＣＨＦ3 ）、および酸素（Ｏ2 ）を用いた反
応性イオンエッチング法によって、層間絶縁膜にコンタ
クトホール１８を開口する。このエッチング工程におい
て、エッチング種により高濃度拡散領域にエッチングに
よるダメージ層１９が形成する。
【００３３】つぎに、図１０に示すように、ホトレジス
トを反応ガスとして三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）、およ
び酸素（Ｏ2 ）を用いたアッシングにより除去する。こ
のアッシング処理においては、Ｃ−Ｏの発光輝線を用い
て、アッシング終点を検出を行なう。
トを反応ガスとして三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）、およ
び酸素（Ｏ2 ）を用いたアッシングにより除去する。こ
のアッシング処理においては、Ｃ−Ｏの発光輝線を用い
て、アッシング終点を検出を行なう。
【００３４】つぎにアッシングと同一工程内にて、反応
ガスに三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）および酸素（Ｏ2 ）
を用いて、シリコン基盤中に形成したエッチングダメー
ジ層３０の除去を行う。このアッシング後に行う理由
は、ＣＨＦ3 、およびＯ2 の活性種がレジストの存在す
る状態では、コンタクトホール底部に十分に到達しない
からである。
ガスに三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）および酸素（Ｏ2 ）
を用いて、シリコン基盤中に形成したエッチングダメー
ジ層３０の除去を行う。このアッシング後に行う理由
は、ＣＨＦ3 、およびＯ2 の活性種がレジストの存在す
る状態では、コンタクトホール底部に十分に到達しない
からである。
【００３５】つぎに図１１に示すように、スパッタリン
グ法を用いてアルミニウからなる配線２０を膜厚１μｍ
形成し、配線２０とゲート電極とを接続し、さらに配線
２０と高濃度拡散領域を接続する。
グ法を用いてアルミニウからなる配線２０を膜厚１μｍ
形成し、配線２０とゲート電極とを接続し、さらに配線
２０と高濃度拡散領域を接続する。
【００３６】つぎに、ホトレジスト（図示せず）を回転
塗布法により全面に形成し、所定のマスクを用いて露光
処理と、現像処理を行い、ホトレジストを配線形成領域
上に残存するようにパターン形成する。
塗布法により全面に形成し、所定のマスクを用いて露光
処理と、現像処理を行い、ホトレジストを配線形成領域
上に残存するようにパターン形成する。
【００３７】つぎに、このホトレジストをエッチングマ
スクとし、反応ガスに三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）、臭化
水素（ＨＢｒ）用いた反応性イオンエッチング法によ
り、配線５をエッチングする。その後、ホトレジストを
発煙硝酸により除去する。
スクとし、反応ガスに三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）、臭化
水素（ＨＢｒ）用いた反応性イオンエッチング法によ
り、配線５をエッチングする。その後、ホトレジストを
発煙硝酸により除去する。
【００３８】つぎに、図２３のグラフにコンタクトホー
ル形成時にアッシングを行った場合と、行わない場合の
コンタクト抵抗の比較を示す。アッシングを行った場合
は、このグラフから明らかなように、コンタクト抵抗を
低減することできる
ル形成時にアッシングを行った場合と、行わない場合の
コンタクト抵抗の比較を示す。アッシングを行った場合
は、このグラフから明らかなように、コンタクト抵抗を
低減することできる
【００３９】以上説明した本発明の半導体装置の製造方
法では、コンタクトホールのエッチング工程においてレ
ジストのアッシングをコンタクトホールのエッチングと
同一工程内で行うことにより、コンタクト抵抗を確実に
低減できる。
法では、コンタクトホールのエッチング工程においてレ
ジストのアッシングをコンタクトホールのエッチングと
同一工程内で行うことにより、コンタクト抵抗を確実に
低減できる。
【００４０】以上説明した半導体装置の製造方法は、リ
ンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜で説明し
たが、リンおよびボロンを含んだシリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜を用いてもよい。
ンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜で説明し
たが、リンおよびボロンを含んだシリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜を用いてもよい。
【００４１】さらに、層間絶縁膜は、リンを含んだ第１
の層間絶縁膜上部にリンおよびボロンを含んだ第２の層
間絶縁膜を形成する２層構造でもよい。
の層間絶縁膜上部にリンおよびボロンを含んだ第２の層
間絶縁膜を形成する２層構造でもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる半導体装置の製造方法は、コンタクトホール形成に
おいて発生するダメージ層を確実に除去できる。
よる半導体装置の製造方法は、コンタクトホール形成に
おいて発生するダメージ層を確実に除去できる。
【００４３】したがって、本発明の半導体装置の製造方
法においては、ダメージ層によるコンタクト抵抗異常を
防ぎ、半導体装置の生産性を向上させることができる。
法においては、ダメージ層によるコンタクト抵抗異常を
防ぎ、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態における半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態における半導体装置の製
造方法におけるコンタクトのアッシング依存性の特性を
示すグラフである。
造方法におけるコンタクトのアッシング依存性の特性を
示すグラフである。
【図１３】従来の技術における半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１４】従来の技術における半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１５】従来の技術における半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１６】従来の技術における半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１７】従来の技術における半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１８】従来の技術における半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
１０ 半導体基盤 １１ パッド酸化膜 １２ 素子分離領域 １３ シリコン窒化膜 １４ ゲート酸化膜 １５ ゲート電極 １６ 高濃度拡散領域 １７ 層間絶縁膜 １８ コンタクトホール １９ ダメージ層 ２０ 配線 ２１ ホトレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基盤上に、素子分離領域を形成す
る工程と、 ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素
子分離領域との整合する領域に高濃度拡散領域を形成す
る工程と、 リンを含んだシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を形成
する工程と、 層間絶縁膜上部にエッチングマスクのホトレジストを形
成し、ドライエッチングによりコンタクトホールを形成
する工程と、 ホトレジストをアッシングにより除去する工程と、 コンタクトホールを介して配線を形成する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基盤上に、素子分離領域を形成す
る工程と、 ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素
子分離領域との整合する領域に高濃度拡散領域を形成す
る工程と、 リンおよびボロンを含んだシリコン酸化膜からなる層間
絶縁膜を形成する工程と、 層間絶縁膜上部にエッチングマスクのホトレジストを形
成し、ドライエッチングによりコンタクトホールを形成
する工程と、 ホトレジストをアッシングにより除去する工程と、 コンタクトホールを介して配線を形成する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基盤上に、素子分離領域を形成す
る工程と、 ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素
子分離領域との整合する領域に高濃度拡散領域を形成す
る工程と、 リンを含んだシリコン酸化膜からなる層第１の間絶縁膜
を形成し、第１の層間絶縁膜上部にリンおよびボロンを
含んだシリコン酸化膜からなる第２の層間絶縁膜を形成
する工程と、 第２の層間絶縁膜上部にエッチングマスクのホトレジス
トを形成し、ドライエッチングによりコンタクトホール
を形成する工程と、 ホトレジストをアッシングにより除去する工程と、 コンタクトホールを介して配線を形成する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29833397A JPH11135624A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29833397A JPH11135624A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135624A true JPH11135624A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17858315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29833397A Pending JPH11135624A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859650B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-09-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 배선형성 방법 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP29833397A patent/JPH11135624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859650B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-09-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 배선형성 방법 |
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