JPH05183018A - Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法Info
- Publication number
- JPH05183018A JPH05183018A JP35793591A JP35793591A JPH05183018A JP H05183018 A JPH05183018 A JP H05183018A JP 35793591 A JP35793591 A JP 35793591A JP 35793591 A JP35793591 A JP 35793591A JP H05183018 A JPH05183018 A JP H05183018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist
- pattern
- photoresist layer
- copper layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細パターンを高精度で形成すること。
【構成】 フォトレジストで逆パターンを形成し、非パ
ターン部に導電材を埋め込んだ後、フォトレジストを除
去する。
ターン部に導電材を埋め込んだ後、フォトレジストを除
去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子の実装方式の１つであるＴＡＢ（Tape Automated B
oding)方式に使用されるＴＡＢ用テープキャリアの製造
方法に関し、特に、微細パターンの形成と電流許容量の
増大が可能なＴＡＢ用テープキャリアの製造方法に関す
る。
素子の実装方式の１つであるＴＡＢ（Tape Automated B
oding)方式に使用されるＴＡＢ用テープキャリアの製造
方法に関し、特に、微細パターンの形成と電流許容量の
増大が可能なＴＡＢ用テープキャリアの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の実装技術の自動化，
及び高速化を図るため、長尺状のテープキャリアにワイ
ヤレスボンディングによりＩＣやＬＳＩ等の半導体素子
を組み込んでゆくＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方
式が採用されている。
及び高速化を図るため、長尺状のテープキャリアにワイ
ヤレスボンディングによりＩＣやＬＳＩ等の半導体素子
を組み込んでゆくＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方
式が採用されている。
【０００３】従来のＴＡＢ用テープキャリアは、フィル
ムテープの表面に接着剤を介して銅箔をラミネートし、
この銅箔にケミカルフォトエッチングを行って、フィル
ムテープの表面にインナーリード，及びアウターリード
等を有する所定形状の導体パターンを形成し、この後、
フォトレジストの剥離，ソルダーレジストの塗布を行う
と共に、錫，或いは半田めっき等を施して製造されてい
る。
ムテープの表面に接着剤を介して銅箔をラミネートし、
この銅箔にケミカルフォトエッチングを行って、フィル
ムテープの表面にインナーリード，及びアウターリード
等を有する所定形状の導体パターンを形成し、この後、
フォトレジストの剥離，ソルダーレジストの塗布を行う
と共に、錫，或いは半田めっき等を施して製造されてい
る。
【０００４】このようなＴＡＢ用テープキャリアは、フ
ィルムテープとしてポリイミド，ガラスエポキシ，ポリ
エステル，ＢＴレジン等を幅広く適用でき、また、銅箔
も電解，圧延，合金銅を幅広く使用することができる。
ィルムテープとしてポリイミド，ガラスエポキシ，ポリ
エステル，ＢＴレジン等を幅広く適用でき、また、銅箔
も電解，圧延，合金銅を幅広く使用することができる。
【０００５】また、このＴＡＢ用テープキャリアのデバ
イスホールに半導体装置（ＩＣチップ）を配置し、ＩＣ
チップ上に形成された微小の電極とテープ上の対応する
インナーリードを、加熱したボンディングツールにより
熱圧着し、更にＩＣチップとその周辺をエポキシ等によ
ってモールドすると、ＩＣパッケージを得ることができ
る。
イスホールに半導体装置（ＩＣチップ）を配置し、ＩＣ
チップ上に形成された微小の電極とテープ上の対応する
インナーリードを、加熱したボンディングツールにより
熱圧着し、更にＩＣチップとその周辺をエポキシ等によ
ってモールドすると、ＩＣパッケージを得ることができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＴＡＢ
用テープキャリアの製造方法によると、ケミカルフォト
エッチングの腐食作用によって導体パターンを形成する
ため、リードの断面形状が台形になってしまい、微細パ
ターン（リード間のピッチが小さいパターン）を形成す
るうえで加工精度を低下させるという不都合がある。ま
た、接着剤を使用しているため、耐熱性に難点があり電
流許容量を大きくすることができない。
用テープキャリアの製造方法によると、ケミカルフォト
エッチングの腐食作用によって導体パターンを形成する
ため、リードの断面形状が台形になってしまい、微細パ
ターン（リード間のピッチが小さいパターン）を形成す
るうえで加工精度を低下させるという不都合がある。ま
た、接着剤を使用しているため、耐熱性に難点があり電
流許容量を大きくすることができない。
【０００７】従って、本発明の目的は微細パターンの形
成を容易、かつ、高精度に行うことができると共に、耐
熱性を向上させて電流許容量を増大させることができる
ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供することであ
る。
成を容易、かつ、高精度に行うことができると共に、耐
熱性を向上させて電流許容量を増大させることができる
ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、微細パターンの形成を容易、かつ、高精度に行うこ
とができると共に、耐熱性を向上させて電流許容量を増
大させるため、絶縁性フィルムテープの上部にフォトレ
ジスト層を形成し、フォトレジスト層に露光，現像等を
行って、フォトレジスト層の不要部分を除去することに
より、導体パターンと逆パターンのフォトレジストパタ
ーン層を形成し、フォトレジスト層の除去部に銅層を形
成し、フォトレジストパターン層を剥離して銅層を残す
ことにより、絶縁性フィルムテープの上部に導体パター
ンを形成するようにしたＴＡＢ用テープキャリアの製造
方法を提供するものである。
み、微細パターンの形成を容易、かつ、高精度に行うこ
とができると共に、耐熱性を向上させて電流許容量を増
大させるため、絶縁性フィルムテープの上部にフォトレ
ジスト層を形成し、フォトレジスト層に露光，現像等を
行って、フォトレジスト層の不要部分を除去することに
より、導体パターンと逆パターンのフォトレジストパタ
ーン層を形成し、フォトレジスト層の除去部に銅層を形
成し、フォトレジストパターン層を剥離して銅層を残す
ことにより、絶縁性フィルムテープの上部に導体パター
ンを形成するようにしたＴＡＢ用テープキャリアの製造
方法を提供するものである。
【００１０】
【作用】本発明は、フォトレジスト層の除去部に銅層を
設けて、フォトレジストパターン層を後で剥離すること
により、絶縁性フィルムテープの上部に導体パターンを
形成するようにしたため、導体パターンであるリードの
断面形状をフォトレジスト層の除去部に依存した真四角
にすることができる。このため、微細パターンの形成を
容易、かつ、精度良く行うことができる。また、導体パ
ターンと絶縁性フィルムテープの間に接着剤を介在させ
ていないため、耐熱性を向上させることができ、これに
よって電流許容量を増加させることができる。
設けて、フォトレジストパターン層を後で剥離すること
により、絶縁性フィルムテープの上部に導体パターンを
形成するようにしたため、導体パターンであるリードの
断面形状をフォトレジスト層の除去部に依存した真四角
にすることができる。このため、微細パターンの形成を
容易、かつ、精度良く行うことができる。また、導体パ
ターンと絶縁性フィルムテープの間に接着剤を介在させ
ていないため、耐熱性を向上させることができ、これに
よって電流許容量を増加させることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製
造方法について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
造方法について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】図１，及び図２は本発明の一実施例を示
し、図１には、各製造工程におけるテープキャリアの断
面構造が、また、図２には、そのフローチャートが示さ
れている。まず、厚さ７５，或いは１２５μｍのフィル
ムテープ１を用意して（図１の(a))、その上部に液状フ
ォトレジスト，或いはドライルフィルムのフォトレジス
トを１０〜２５μｍ塗布し、これを乾燥させてフィルム
テープ１の上部にフォトレジスト層２を形成する（図１
の(b))。
し、図１には、各製造工程におけるテープキャリアの断
面構造が、また、図２には、そのフローチャートが示さ
れている。まず、厚さ７５，或いは１２５μｍのフィル
ムテープ１を用意して（図１の(a))、その上部に液状フ
ォトレジスト，或いはドライルフィルムのフォトレジス
トを１０〜２５μｍ塗布し、これを乾燥させてフィルム
テープ１の上部にフォトレジスト層２を形成する（図１
の(b))。
【００１３】このフォトレジスト層２に、所望のパター
ン（導体パターン）と逆パターンのフォトマスクを通し
て露光し、更に現像して前記逆パターン形状のフォトレ
ジストパターン層２ａを形成する（図１の(c))。
ン（導体パターン）と逆パターンのフォトマスクを通し
て露光し、更に現像して前記逆パターン形状のフォトレ
ジストパターン層２ａを形成する（図１の(c))。
【００１４】次に、フォトレジスト層２の除去部（レジ
スト層がないフィルムテープ１の表面）２ｂを含む全表
面に、密着性を向上させるためのクロム，或いはチタン
を下地層３として薄く（Å単位）蒸着する（図１の
(d))。
スト層がないフィルムテープ１の表面）２ｂを含む全表
面に、密着性を向上させるためのクロム，或いはチタン
を下地層３として薄く（Å単位）蒸着する（図１の
(d))。
【００１５】更に、下地層３の表面に銅を１０〜２５μ
ｍの厚さで蒸着し、銅層４を形成する。このとき、フォ
トレジスパターン層２ａの除去部２ｂは銅層４によって
充填される（図１の(e))。
ｍの厚さで蒸着し、銅層４を形成する。このとき、フォ
トレジスパターン層２ａの除去部２ｂは銅層４によって
充填される（図１の(e))。
【００１６】この後、表面をサンダー，或いは化学エッ
チングにより平滑にし、フォトレジスパターン層２ａ上
に積層した下地層３，及び銅層４を除去してフォトレジ
ストパターン層２ａを露出させる（図１の(f))。
チングにより平滑にし、フォトレジスパターン層２ａ上
に積層した下地層３，及び銅層４を除去してフォトレジ
ストパターン層２ａを露出させる（図１の(f))。
【００１７】そして、露出したフォトレジストパターン
層２ａを専用のレジスト剥離液で剥離して、フィルムテ
ープ１の上部に銅層４だけを残す（図１の(g))。これに
よって、銅層４はフォトレジストパターン層２ａをマス
クとして形成される所望の導体パターンとなる。
層２ａを専用のレジスト剥離液で剥離して、フィルムテ
ープ１の上部に銅層４だけを残す（図１の(g))。これに
よって、銅層４はフォトレジストパターン層２ａをマス
クとして形成される所望の導体パターンとなる。
【００１８】最後に、銅層４に錫，半田，或いは金等の
めっき層５を施し（図１の(h))、製品化にされる。
めっき層５を施し（図１の(h))、製品化にされる。
【００１９】このように、本発明のＴＡＢ用テープキャ
リアの製造方法は、導体パターンの形成をエッチングの
腐食作用で行わず、フォトレジスト層２の除去部２ｂに
銅層を設けて、フォトレジストパターン層２ａを後で剥
離するようにしたため、導体パターンであるリードの断
面形状をフォトレジスト層の除去部に依存した真四角に
することができる。このため、微細パターンの形成を容
易、かつ、精度良く行うことができる。また、銅層４は
接着剤を用いずに蒸着によってフィルムテープ１上に設
けられるため、耐熱性を向上させて電流許容量を増加さ
せると共に、汚損物質（Ｃｌ- ，ＳＯ4 2- 等）の吸着を
防いで、信頼性を向上させることができる。
リアの製造方法は、導体パターンの形成をエッチングの
腐食作用で行わず、フォトレジスト層２の除去部２ｂに
銅層を設けて、フォトレジストパターン層２ａを後で剥
離するようにしたため、導体パターンであるリードの断
面形状をフォトレジスト層の除去部に依存した真四角に
することができる。このため、微細パターンの形成を容
易、かつ、精度良く行うことができる。また、銅層４は
接着剤を用いずに蒸着によってフィルムテープ１上に設
けられるため、耐熱性を向上させて電流許容量を増加さ
せると共に、汚損物質（Ｃｌ- ，ＳＯ4 2- 等）の吸着を
防いで、信頼性を向上させることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＴＡＢ用
テープキャリアの製造方法によると、絶縁性フィルムテ
ープの上部にフォトレジスト層を形成し、フォトレジス
ト層に露光，現像等を行って、フォトレジスト層の不要
部分を除去することにより、導体パターンと逆パターン
のフォトレジストパターン層を形成し、フォトレジスト
層の除去部に銅層を形成し、フォトレジストパターン層
を剥離して銅層を残すことにより、絶縁性フィルムテー
プの上部に導体パターンを形成するようにしたため、微
細パターンの形成を容易、かつ、高精度に行うことがで
きると共に、耐熱性を向上させて電流許容量を増大させ
ることができる。
テープキャリアの製造方法によると、絶縁性フィルムテ
ープの上部にフォトレジスト層を形成し、フォトレジス
ト層に露光，現像等を行って、フォトレジスト層の不要
部分を除去することにより、導体パターンと逆パターン
のフォトレジストパターン層を形成し、フォトレジスト
層の除去部に銅層を形成し、フォトレジストパターン層
を剥離して銅層を残すことにより、絶縁性フィルムテー
プの上部に導体パターンを形成するようにしたため、微
細パターンの形成を容易、かつ、高精度に行うことがで
きると共に、耐熱性を向上させて電流許容量を増大させ
ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す各製造工程におけるテ
ープキャリアの断面図。
ープキャリアの断面図。
【図２】本発明の製造工程を示すフローチャート。
１ テープキャリア ２
フォトレジスト層 ２ａ フォトレジストパターン層 ３
下地層 ４ 銅層 ５
めっき層
フォトレジスト層 ２ａ フォトレジストパターン層 ３
下地層 ４ 銅層 ５
めっき層
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性フィルムテープの上部にフォトレ
ジスト層を形成し、 前記フォトレジスト層に露光，現像等を行って、前記フ
ォトレジスト層の不要部分を除去することにより、導体
パターンと逆パターンのフォトレジストパターン層を形
成し、 前記フォトレジスト層の除去部に銅層を形成し、 前記フォトレジストパターン層を剥離して前記銅層を残
すことにより、前記絶縁性フィルムテープの上部に前記
導体パターンを形成することを特徴とするＴＡＢ用テー
プキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35793591A JPH05183018A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35793591A JPH05183018A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183018A true JPH05183018A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18456697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35793591A Pending JPH05183018A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7977805B2 (en) | 2004-11-11 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible wiring substrate, semiconductor device and electronic device using flexible wiring substrate, and fabricating method of flexible wiring substrate |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP35793591A patent/JPH05183018A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7977805B2 (en) | 2004-11-11 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible wiring substrate, semiconductor device and electronic device using flexible wiring substrate, and fabricating method of flexible wiring substrate |
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