JPS60170944A - 半導体装置と基板の取付方法 - Google Patents
半導体装置と基板の取付方法Info
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- JPS60170944A JPS60170944A JP2773784A JP2773784A JPS60170944A JP S60170944 A JPS60170944 A JP S60170944A JP 2773784 A JP2773784 A JP 2773784A JP 2773784 A JP2773784 A JP 2773784A JP S60170944 A JPS60170944 A JP S60170944A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体装置と基板の取付方法に関する。
〔従来技術および問題点」
従来、半導体装置な基板に取付けるには、半導体素子お
よび電極端子を有する半導体装置にり一ドピンを設けて
、全体を樹脂で封着した上、前記半導体装置の電極端子
を基板の接続端子に接触させて半田付けしていた。この
ため、半導体装置自体が大きくなり、小型化や薄型化が
困難であり、また、半田付けによる短絡等が発生し易い
と゛いう問題があった。さらに、特にＩ （ｉ Ｓ Ｉ
等の高密度集積回路装置では、半導体素子に接続される
ポンディングパッドに金ワイヤの一端を接続するインナ
ーリードボンディングや金ワイヤの他端をリードピンに
接続するアウターリードボンディングのため亮価なボン
ディング用装置が必要であり、かつ、工数もかふるもの
であった。
よび電極端子を有する半導体装置にり一ドピンを設けて
、全体を樹脂で封着した上、前記半導体装置の電極端子
を基板の接続端子に接触させて半田付けしていた。この
ため、半導体装置自体が大きくなり、小型化や薄型化が
困難であり、また、半田付けによる短絡等が発生し易い
と゛いう問題があった。さらに、特にＩ （ｉ Ｓ Ｉ
等の高密度集積回路装置では、半導体素子に接続される
ポンディングパッドに金ワイヤの一端を接続するインナ
ーリードボンディングや金ワイヤの他端をリードピンに
接続するアウターリードボンディングのため亮価なボン
ディング用装置が必要であり、かつ、工数もかふるもの
であった。
本発明は、ｉｆｆ記の状況に鑑みてなされたもので、半
導体装置の電極端子に直接基板の接続用リードを接続す
ることにより、小型で薄型化可能な半導体装置と基板の
取付方法を提供することを目的とする。また、半導体集
積回路装置ｔｌｔＫ対してはポンディングパッドとリー
ドビンとのワイヤボンデイングを軛止することを可能と
しさらに、リードビン間の短絡等を防止して信頼性を向
上させることを可能とするものである。
導体装置の電極端子に直接基板の接続用リードを接続す
ることにより、小型で薄型化可能な半導体装置と基板の
取付方法を提供することを目的とする。また、半導体集
積回路装置ｔｌｔＫ対してはポンディングパッドとリー
ドビンとのワイヤボンデイングを軛止することを可能と
しさらに、リードビン間の短絡等を防止して信頼性を向
上させることを可能とするものである。
本発明の半導体装置と基板の取付方法は、電極端子を除
く部分に保護膜を設けた半導体装置と、接続用リードお
よび配線パターンを設けたＡ 板、！＝を、前記半導体
装１ｉ′に樹脂を・ｆ皮渚することなく、直接前６［１
半導体装置の電極端子と前記基板の接続用リードを対接
させて仮固定した上、前記半導体装置と基板とを接着剤
により取付けるようにしたものである。
く部分に保護膜を設けた半導体装置と、接続用リードお
よび配線パターンを設けたＡ 板、！＝を、前記半導体
装１ｉ′に樹脂を・ｆ皮渚することなく、直接前６［１
半導体装置の電極端子と前記基板の接続用リードを対接
させて仮固定した上、前記半導体装置と基板とを接着剤
により取付けるようにしたものである。
〔第１実施例」
以下、本発明の半導体装置と基板の取付方法を図面とと
もに説明する。
もに説明する。
第１図は、半導体装置として集積回路装置を例にして回
路基板に取付けた状態を示す平面図であり、第２図はそ
の要部拡大断面図である。
路基板に取付けた状態を示す平面図であり、第２図はそ
の要部拡大断面図である。
尚、以下においては、半導体装置は集積回路装置を例と
して説明することとする。
して説明することとする。
各図において、符号１は、多数の半導体素子および配線
電極が形成された半導体ペレットを示し、符号２は配線
基板を示す。ベレット１は内部の構造については後述す
るが、ウェハな例えば、４Ｘ４ＩＩｌ鳳口の大きさにグ
イシングして得らねるもので、厚さは代表的には０．２
５ ｒｎａ程度とされる。また、配線基板２は、厚さ０
．１〜０．２１１１１８度のポリエステル、ポリイミド
、ポリサルホン、ガラスエポキシ４ｔｆＪＪｉ、ビスマ
レイミド−トリアジン樹脂をペース部材とする。ベレッ
ト１の主面１ａ周縁部には多数の電極端子１０・・・が
設けてあり、配線基板２の一面２ａには前記ＮＬ電極端
子（）・・・と同一ピッチに対向配列した接続用リード
２０・・・および該接続用リードにそれぞれ接続される
配線パターン２１・・・、２２・・・が設げである。配
がＡパターン２１・・・は配線基板２の一側縁にて表示
体電極（図示せず）等に接続される接続用端子２１ａ・
・・となし、また、配線パターン２２・・・はスルーホ
ール２３・・・により配線基板２の他面２ｂに引き廻さ
ねて固定接点２２３等が形成される。配線パターン２１
・・・、２２・・・上には、接続端子２１ａ・・・およ
び固定接点２２ａ・・・の周縁部以外に絶縁および保護
用のレジスト２４が被着されている。こ〜で、ベレット
１の電極端子１０・・・および配線基板２の接続用リー
ド２０・・・のピッチは０．１〜Ｑ、５１１１１１１程
度の小さなもので、各接続用リード２０の巾はピッチの
半分、０．０５〜０．２５朋程度とさねる。また、配線
基板２には、ベレット１の電極端子１０・・・の内側に
沿う矩形状の貫通孔２５が設けである。この貫通孔２５
はペレツ）１を配線基板２に仮固定するときおよび接着
するときに心安なものであるが、詳細は後述する。しか
して、ベレット１と配線基板２は、相対応する電極端子
１０・・・と接続用リード２０・・・を相互に対接した
状態でベレット１の周側部と配線基板２の一部２ａ上に
塗層した接着剤：３、および貫通穴２５に充填さねベレ
ット１の主面１ａと配線基板２の他面２ｂＫ塗着した接
着剤４により電気的導通状態に取付けらねている。前述
したベレット１および配線基板２に関する各寸法は、特
に限定されるものではないが、本発明の半導体装置、と
基板の取付方法による場合は、このように小型かつ薄型
化が可能とされるのである。
電極が形成された半導体ペレットを示し、符号２は配線
基板を示す。ベレット１は内部の構造については後述す
るが、ウェハな例えば、４Ｘ４ＩＩｌ鳳口の大きさにグ
イシングして得らねるもので、厚さは代表的には０．２
５ ｒｎａ程度とされる。また、配線基板２は、厚さ０
．１〜０．２１１１１８度のポリエステル、ポリイミド
、ポリサルホン、ガラスエポキシ４ｔｆＪＪｉ、ビスマ
レイミド−トリアジン樹脂をペース部材とする。ベレッ
ト１の主面１ａ周縁部には多数の電極端子１０・・・が
設けてあり、配線基板２の一面２ａには前記ＮＬ電極端
子（）・・・と同一ピッチに対向配列した接続用リード
２０・・・および該接続用リードにそれぞれ接続される
配線パターン２１・・・、２２・・・が設げである。配
がＡパターン２１・・・は配線基板２の一側縁にて表示
体電極（図示せず）等に接続される接続用端子２１ａ・
・・となし、また、配線パターン２２・・・はスルーホ
ール２３・・・により配線基板２の他面２ｂに引き廻さ
ねて固定接点２２３等が形成される。配線パターン２１
・・・、２２・・・上には、接続端子２１ａ・・・およ
び固定接点２２ａ・・・の周縁部以外に絶縁および保護
用のレジスト２４が被着されている。こ〜で、ベレット
１の電極端子１０・・・および配線基板２の接続用リー
ド２０・・・のピッチは０．１〜Ｑ、５１１１１１１程
度の小さなもので、各接続用リード２０の巾はピッチの
半分、０．０５〜０．２５朋程度とさねる。また、配線
基板２には、ベレット１の電極端子１０・・・の内側に
沿う矩形状の貫通孔２５が設けである。この貫通孔２５
はペレツ）１を配線基板２に仮固定するときおよび接着
するときに心安なものであるが、詳細は後述する。しか
して、ベレット１と配線基板２は、相対応する電極端子
１０・・・と接続用リード２０・・・を相互に対接した
状態でベレット１の周側部と配線基板２の一部２ａ上に
塗層した接着剤：３、および貫通穴２５に充填さねベレ
ット１の主面１ａと配線基板２の他面２ｂＫ塗着した接
着剤４により電気的導通状態に取付けらねている。前述
したベレット１および配線基板２に関する各寸法は、特
に限定されるものではないが、本発明の半導体装置、と
基板の取付方法による場合は、このように小型かつ薄型
化が可能とされるのである。
こ〜で、ベレット１および配線基板２の製造方法につい
て述べる。
て述べる。
第３図はベレット１の帯部拡大断面図、第４図は主面１
ａ側からの平面図である。１１はＮ型の半導体基体であ
って、この主面１ａ上に酸化膜１２を形成した上、エツ
チングにより主面１ａが露出される開口部１２ａを設け
る。この開口部１２ａよりＰ型不純物を選択的に熱拡散
してＰ型の半導体素子１１ａを形成し、４Ｉｆｆ１様に
このＰ型の半導体素子１１ａ中にＮ型の半導体素子１１
ｂを形成する。仄いで、アルミニウム、金等の金属を蒸
着法、スパッタリング法またはイオンブレーティング法
等により形成し、選択的にエラチン名して配＃電極１３
を形成する。配線電極１３の一部は側縁部にまで延長し
て′電極端子部１３ａとする。この後、気相成長法等に
より電極端子部１３ａ以外の主面ｌａ上の全面にＳｉｎ
、等の保膿膜１４を形成する。
ａ側からの平面図である。１１はＮ型の半導体基体であ
って、この主面１ａ上に酸化膜１２を形成した上、エツ
チングにより主面１ａが露出される開口部１２ａを設け
る。この開口部１２ａよりＰ型不純物を選択的に熱拡散
してＰ型の半導体素子１１ａを形成し、４Ｉｆｆ１様に
このＰ型の半導体素子１１ａ中にＮ型の半導体素子１１
ｂを形成する。仄いで、アルミニウム、金等の金属を蒸
着法、スパッタリング法またはイオンブレーティング法
等により形成し、選択的にエラチン名して配＃電極１３
を形成する。配線電極１３の一部は側縁部にまで延長し
て′電極端子部１３ａとする。この後、気相成長法等に
より電極端子部１３ａ以外の主面ｌａ上の全面にＳｉｎ
、等の保膿膜１４を形成する。
そして、電極端子部１３ａに金属電極１０を突出し状に
形成するのである。こσ）とき、金属電極１０が第４図
に示す如く、ベレット１の周側部に所定のピッチで配列
されるようにして、第１図および第２図に示す如きもの
となす。尚、配線電極１３を多層配緋とするには一保護
膜１４を選択的にエツチングして金属蒸着およびこσ）
金属σ）エツチング加工を繰り返せば良い。たｙこの場
′合には、各層に電極端子部１３ａが設けられると配線
基板２・＼の取付時に接触不良の問題が生じるため、ど
σ）層の電極端子部も最上層まで引き廻すことが望まし
い。
形成するのである。こσ）とき、金属電極１０が第４図
に示す如く、ベレット１の周側部に所定のピッチで配列
されるようにして、第１図および第２図に示す如きもの
となす。尚、配線電極１３を多層配緋とするには一保護
膜１４を選択的にエツチングして金属蒸着およびこσ）
金属σ）エツチング加工を繰り返せば良い。たｙこの場
′合には、各層に電極端子部１３ａが設けられると配線
基板２・＼の取付時に接触不良の問題が生じるため、ど
σ）層の電極端子部も最上層まで引き廻すことが望まし
い。
また、第５図（ａ）、（ｂ）および（Ｃ）は配線基板２
に接続用リード２０および配線パターン２１．２２を設
ける方法の一実施例を示す。前述した如く、配剥基板２
に設ける接続用リード２０・・・は、その巾を０．０５
〜０．２５ｍ１程度の微細ノ（ターンにする必要がある
。このため、接続用リード２０・・・、および配線パタ
ーン２１・・・、２２を形成する方法としてはフォトエ
ツチング法によることが実用的である。さらに、フォト
エツチング法による場合でも、感光剤が厚い場合には、
露光時の光の回折により解像度が低下するので、感光剤
の厚さは非常に薄くすることが望まれる。第５図（ａ）
はスピンナーコーティングによって回路基板２に感光液
を塗布する方法を示す。基板２はホアラー（図示せず）
内のターンテーブル３０上に載置さねる。ターンテーブ
ル３０上には真空装置（図示せず）に連通ずる通気孔３
１・・・が設けてあり、配線基板２はターンテーブル上
に真壁吸着される。ターンテーブル３０を高速回転させ
ながら感光液３３を配線基板２上に注ぐ。こねにより、
配線基板２上には感光液３３が薄くかつ均一に塗布され
る。この方法による場合には感光液の厚さは数μｍ程度
とすることが可能である。次に、感光液３３の上にネガ
フィルム３４を配して感光するのであるが、これを同図
（ｂ）に示す。ネガフィルム３４は高解像カメラにより
原図（図示せず）のパターンに対してネガティブに形成
されている。このネガフィルム３４を感光液３３上に真
壁吸着して紫外線３５を照射すると、原図と同じパター
ン部が硬化する。３３ａ・・・、３３ｂ・・・は各々感
光＃３３の硬化部分、未硬化部分を示す。この後、ネガ
フィルム３４を取り除いて、感光液３３の未硬化部分３
３ｂ・・・をエツチングする。第５図（Ｃ）は、この状
態の配線基板２にメッキ層３６・・・を形成した断面図
を示し、この後、感光＠３３の硬化部分３３ａ・・・を
除去して、新装の配服基板を得ることができる。前記に
おいて、感光孜は未硬化部分をエツチングするものとし
て説明したが、硬化部分をエツチングすることも可能な
ことは周知Ｑ））ｉｉｉりである。
に接続用リード２０および配線パターン２１．２２を設
ける方法の一実施例を示す。前述した如く、配剥基板２
に設ける接続用リード２０・・・は、その巾を０．０５
〜０．２５ｍ１程度の微細ノ（ターンにする必要がある
。このため、接続用リード２０・・・、および配線パタ
ーン２１・・・、２２を形成する方法としてはフォトエ
ツチング法によることが実用的である。さらに、フォト
エツチング法による場合でも、感光剤が厚い場合には、
露光時の光の回折により解像度が低下するので、感光剤
の厚さは非常に薄くすることが望まれる。第５図（ａ）
はスピンナーコーティングによって回路基板２に感光液
を塗布する方法を示す。基板２はホアラー（図示せず）
内のターンテーブル３０上に載置さねる。ターンテーブ
ル３０上には真空装置（図示せず）に連通ずる通気孔３
１・・・が設けてあり、配線基板２はターンテーブル上
に真壁吸着される。ターンテーブル３０を高速回転させ
ながら感光液３３を配線基板２上に注ぐ。こねにより、
配線基板２上には感光液３３が薄くかつ均一に塗布され
る。この方法による場合には感光液の厚さは数μｍ程度
とすることが可能である。次に、感光液３３の上にネガ
フィルム３４を配して感光するのであるが、これを同図
（ｂ）に示す。ネガフィルム３４は高解像カメラにより
原図（図示せず）のパターンに対してネガティブに形成
されている。このネガフィルム３４を感光液３３上に真
壁吸着して紫外線３５を照射すると、原図と同じパター
ン部が硬化する。３３ａ・・・、３３ｂ・・・は各々感
光＃３３の硬化部分、未硬化部分を示す。この後、ネガ
フィルム３４を取り除いて、感光液３３の未硬化部分３
３ｂ・・・をエツチングする。第５図（Ｃ）は、この状
態の配線基板２にメッキ層３６・・・を形成した断面図
を示し、この後、感光＠３３の硬化部分３３ａ・・・を
除去して、新装の配服基板を得ることができる。前記に
おいて、感光孜は未硬化部分をエツチングするものとし
て説明したが、硬化部分をエツチングすることも可能な
ことは周知Ｑ））ｉｉｉりである。
次に、前記の如くして形成した半導体ベレット１と配線
基板２の取付方法について第６図を用いて説明する。
基板２の取付方法について第６図を用いて説明する。
先ず、配＃ｉ！基板２を接続用リード２０・・・が設け
ら４た一面２ａを上方にして、上面が平らな受け冶具４
０上に載置する。その上から、ベレット１を電極端子１
（）・・・が形成さ４た主面】ａ側を下向きにして、接
続用リード２０・・・とｔ＠！、端子１０・・・を相互
に対接させる。受は冶具４０には、配線基板２の貞通孔
２５と対応する位置に孔４０ａが穿設してあり、この孔
４０ａに吸着管４】が取り付けである。吸着管の先端４
１ａはベレット１の主面１ａに接する位置に配してあり
、かつ、他端は真空装置に連結しである。従って、真空
装置を作動して吸着管４１０通気孔４１ｂを負圧にする
ことにより、ベレット１は仮固定される。この仮固定状
態においてベレン）ｌと配線基板２の一面２ａに亘り、
紫外線硬化型の接着剤３な塗着する。
ら４た一面２ａを上方にして、上面が平らな受け冶具４
０上に載置する。その上から、ベレット１を電極端子１
（）・・・が形成さ４た主面】ａ側を下向きにして、接
続用リード２０・・・とｔ＠！、端子１０・・・を相互
に対接させる。受は冶具４０には、配線基板２の貞通孔
２５と対応する位置に孔４０ａが穿設してあり、この孔
４０ａに吸着管４】が取り付けである。吸着管の先端４
１ａはベレット１の主面１ａに接する位置に配してあり
、かつ、他端は真空装置に連結しである。従って、真空
装置を作動して吸着管４１０通気孔４１ｂを負圧にする
ことにより、ベレット１は仮固定される。この仮固定状
態においてベレン）ｌと配線基板２の一面２ａに亘り、
紫外線硬化型の接着剤３な塗着する。
そして、接着剤３に紫外線を照射してこわを硬化するの
である。酸化防止を図るため、接着剤３はベレット１の
上面全面に塗着しても良い。また、同じ目的とさらに接
着力の増大を図り、受は冶具４０および吸着管４１を配
線基板２から取り除いた後、貞通孔２５に接着剤４を充
填し、てベレット１の主面ｌａ側も接着剤により覆うよ
うにしても良い。このようにして第１図および第２図に
示す状態が得られる。
である。酸化防止を図るため、接着剤３はベレット１の
上面全面に塗着しても良い。また、同じ目的とさらに接
着力の増大を図り、受は冶具４０および吸着管４１を配
線基板２から取り除いた後、貞通孔２５に接着剤４を充
填し、てベレット１の主面ｌａ側も接着剤により覆うよ
うにしても良い。このようにして第１図および第２図に
示す状態が得られる。
なお、本実施例において、配線基板２は薄い可撓性のあ
るものとして説明したが、こねに限ることなくフェノー
ル樹脂を用いた硬質基板に対しても、あるいはケースや
取付部材として用いられるＡＢＳ樹脂、ポリスチロール
等の合成樹脂に対しても適用できるものである。また、
配線基板２に接続用リード２（）・・・等を設ける場合
、感光材料の塗付方法としてスピンナーコーティングに
より説明したが、厚さ２０μｍ程度もしくはそれ以下の
ドライフィルムをラミネートする方法によっても良く、
さらに必すしもフォトエツチング方法に限定されるもの
でもない。また、ペレット１を配線基板２上に仮固定す
る場合も、具空吸漸方法によらず、予じめ接続用リード
２（）・・・上に４を性接着剤を塗付しておくか、もし
くは接続用リード２０・・・以外の部分に絶縁性接着剤
を塗付し、ておく方法もｉｊ丁能である。配線基板１に
設けらねるペレット１の主面１ａに対向する貫通孔２５
も必ずしも必要ではない。このような場合の取付方法を
第８図に示す。この場合は、ペレット１の主面１ａに対
向する部分に貫通孔を有していない配線基板２′は、受
は冶具４２上に載置さね、その上からペレット１が所定
位置に位置決めされる。このペレット１の上面１ｂの略
中央部に押圧冶具４３を押し当て、ペレット１を配線基
板２′上に仮固定する。次いで、ペレット１の側面部と
配線基板２′の一面２ａに亘り接着剤３を塗付して硬化
させるのでル・る。
るものとして説明したが、こねに限ることなくフェノー
ル樹脂を用いた硬質基板に対しても、あるいはケースや
取付部材として用いられるＡＢＳ樹脂、ポリスチロール
等の合成樹脂に対しても適用できるものである。また、
配線基板２に接続用リード２（）・・・等を設ける場合
、感光材料の塗付方法としてスピンナーコーティングに
より説明したが、厚さ２０μｍ程度もしくはそれ以下の
ドライフィルムをラミネートする方法によっても良く、
さらに必すしもフォトエツチング方法に限定されるもの
でもない。また、ペレット１を配線基板２上に仮固定す
る場合も、具空吸漸方法によらず、予じめ接続用リード
２（）・・・上に４を性接着剤を塗付しておくか、もし
くは接続用リード２０・・・以外の部分に絶縁性接着剤
を塗付し、ておく方法もｉｊ丁能である。配線基板１に
設けらねるペレット１の主面１ａに対向する貫通孔２５
も必ずしも必要ではない。このような場合の取付方法を
第８図に示す。この場合は、ペレット１の主面１ａに対
向する部分に貫通孔を有していない配線基板２′は、受
は冶具４２上に載置さね、その上からペレット１が所定
位置に位置決めされる。このペレット１の上面１ｂの略
中央部に押圧冶具４３を押し当て、ペレット１を配線基
板２′上に仮固定する。次いで、ペレット１の側面部と
配線基板２′の一面２ａに亘り接着剤３を塗付して硬化
させるのでル・る。
〔第２実施例」
次に、本発明の半導体装置と基板の接続方法の第２笑施
例をｉｇ７図によって説明する。尚、不実施例において
第１実施例と同一のものは同一符号を付してそσ）説明
を省略する。
例をｉｇ７図によって説明する。尚、不実施例において
第１実施例と同一のものは同一符号を付してそσ）説明
を省略する。
配線基板２″は、第１実施例と同様に、接続用リードお
よび配線パターンか設けられたものである。
よび配線パターンか設けられたものである。
しかし、不実施例における接続用リード２０′・・・は
貫通孔２５′の内方に迄延長しである。また、貫通孔２
５′はペレット１より大ぎく、ペレット１を嵌入して側
壁２６との間に間隙が形成される。すなわち、接続用リ
ード２０′をフォトエツチング法等線基板２′の接続用
リード２０′・・・を下向きにして、受は冶具に載置し
た上、貫通孔２５′内に嵌入されて、電極端子１０・・
・と接続用リード２０′・・・が相互に対接さ幻る。こ
の後、前述したいずねかの方法でペレット１を仮固定状
態に保持し、貫通孔２５′の側壁２６とペレット１の側
部の間隙に接着剤３′を充填し、硬化する。本実施例に
よる場合は、配線基板２の厚さ分が吸収さ′に１第１実
施例よりもさらに薄型化が可能となる。
貫通孔２５′の内方に迄延長しである。また、貫通孔２
５′はペレット１より大ぎく、ペレット１を嵌入して側
壁２６との間に間隙が形成される。すなわち、接続用リ
ード２０′をフォトエツチング法等線基板２′の接続用
リード２０′・・・を下向きにして、受は冶具に載置し
た上、貫通孔２５′内に嵌入されて、電極端子１０・・
・と接続用リード２０′・・・が相互に対接さ幻る。こ
の後、前述したいずねかの方法でペレット１を仮固定状
態に保持し、貫通孔２５′の側壁２６とペレット１の側
部の間隙に接着剤３′を充填し、硬化する。本実施例に
よる場合は、配線基板２の厚さ分が吸収さ′に１第１実
施例よりもさらに薄型化が可能となる。
尚、以上の説明において、半導体装置は集積回路素子を
例としたが、本発明は、ダイオードトラ２「 ンジスタ等の他の半導体装置にも適用することができる
ものであり、また、接着剤としての紫外線硬化型も、こ
ねに限られるものではない。
例としたが、本発明は、ダイオードトラ２「 ンジスタ等の他の半導体装置にも適用することができる
ものであり、また、接着剤としての紫外線硬化型も、こ
ねに限られるものではない。
〔発明の効果Ｊ
叙上の如く、本発明の半導体装置と基板の取付方法は、
小型および薄型化の面で極めて効果的なものであり、ま
た、半導体装置のリードピンや樹脂をなくすことを可能
とするものであるから価格低減に対しても大変効果的で
あるという利点を有する。
小型および薄型化の面で極めて効果的なものであり、ま
た、半導体装置のリードピンや樹脂をなくすことを可能
とするものであるから価格低減に対しても大変効果的で
あるという利点を有する。
図面はいずれも本発明に関し、第１図は半導体ベレット
と配線基板の接続構造の一実施例を示す平面図、第２図
はその要部拡大断面図、第３図は半導体ペレットの構造
の一実施例を示す断面図、第４図はその主面側からの平
面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）、（Ｃ）は、いずわも
配線基板の製造方法の一実施例を示す断面図、第６図は
半導体ペレットと配線基板の接続方法の一実施例を示す
断面図、第７図および第８図は、他の実施例を示す。 １・・・半導体ペレット（半導体装置）、１ａ・・・主
面、２・・・配線基板（基板）、３．４・・・接着剤、
１（）・・・電極端子、１１・・・半導体基体、ｌｌａ
、ｌｌｂ・・・半導体素子、１２・・・酸化物、１３・
・・配＃ｉ！電極、１４・・・保護膜、２０・・・接続
用リード、２１．２２・・・配線パターン。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 乎３ （支） 革４回 竿５回 羽 ↓ ↓ ↓ ↓〜３５ 早６回 ３ 茅８回
と配線基板の接続構造の一実施例を示す平面図、第２図
はその要部拡大断面図、第３図は半導体ペレットの構造
の一実施例を示す断面図、第４図はその主面側からの平
面図、第５図（ａ） 、 （ｂ）、（Ｃ）は、いずわも
配線基板の製造方法の一実施例を示す断面図、第６図は
半導体ペレットと配線基板の接続方法の一実施例を示す
断面図、第７図および第８図は、他の実施例を示す。 １・・・半導体ペレット（半導体装置）、１ａ・・・主
面、２・・・配線基板（基板）、３．４・・・接着剤、
１（）・・・電極端子、１１・・・半導体基体、ｌｌａ
、ｌｌｂ・・・半導体素子、１２・・・酸化物、１３・
・・配＃ｉ！電極、１４・・・保護膜、２０・・・接続
用リード、２１．２２・・・配線パターン。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 乎３ （支） 革４回 竿５回 羽 ↓ ↓ ↓ ↓〜３５ 早６回 ３ 茅８回
Claims (1)
- 半導体素子が形成され、かつ、該半導体素子に接続され
た電極端子および少なくとも該電極端子が接続さねた半
導体素子の一面に保＃＃が設けられた半導体装置と、前
記半導体装置の！極端子に接続される接続用リードおよ
び該接続用リードに接続さｈる所定の配線パターンが設
けられた基板との取付方法であって、相対応する前記半
導体装１にの電極端子とＡｉｌ記基板基板続用リードを
対接させて仮固定した上、前記半導体装置と基板とを接
着剤により取付けたことを特徴とする半導体装置と基板
の取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2773784A JPS60170944A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 半導体装置と基板の取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2773784A JPS60170944A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 半導体装置と基板の取付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170944A true JPS60170944A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0520901B2 JPH0520901B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=12229340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2773784A Granted JPS60170944A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 半導体装置と基板の取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281360A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08241937A (ja) * | 1996-03-21 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2773784A patent/JPS60170944A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281360A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08241937A (ja) * | 1996-03-21 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520901B2 (ja) | 1993-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |