JPH11204519A

JPH11204519A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11204519A
Application number: JP231398A
Authority: JP
Inventors: Ryuichi Sawara; 隆一佐原; Yoshifumi Nakamura; 嘉文中村; Nozomi Shimoishizaka; 望下石坂; Takahiro Kumagawa; 隆博隈川
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-01-08
Filing date: 1998-01-08
Publication date: 1999-07-30

Abstract

(57)【要約】【課題】個別の半導体チップでの表面電極と裏面電極
との接続に代えて、ウェハ状態で接続を行ったあとにウ
ェハを切断して半導体チップを製造する。【解決手段】まず、ウェハ１０の各チップ領域に各々
表面電極１２を形成する。次に、表面電極１２のウェハ
表面露出部２０に貫通穴２１を形成する。次に、表面電
極１２に接続される接続配線１４と、該接続配線１４に
接続される裏面配線１５とを同時に形成する。次に、貫
通穴２１の中心部をダイシングすることによってウェハ
１０を各チップ領域に切断し、半導体チップ１１を得
る。ウエハ状態で表面電極１２と裏面電極１５との接続
を行うので、製造工数を大幅に削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、第１の面と第２の
面とに電極を有する半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化と高機能化とに
伴い、半導体装置には小型化、高密度化、及び高速化が
要求されるようになった。そのため、チップサイズパッ
ケージ（ＣＳＰ）のように、半導体チップ自体に限りな
く近いサイズを有する半導体装置が開発されている。ま
た、更に高密度の実装を実現するために、３次元実装が
可能なＳｈｅｌｌＣａｓｅと呼ばれる半導体装置が開発
されている。

【０００３】従来のＳｈｅｌｌＣａｓｅと呼ばれる半導
体装置及びその製造方法について、図７を参照して説明
する。図７は、従来のＳｈｅｌｌＣａｓｅの断面図であ
る。図７において、１は半導体チップ、２Ａ，２Ｂはガ
ラスプレート、３は金属配線リード、４は外部電極端
子、５Ａ，５Ｂは接着剤である。

【０００４】従来のＳｈｅｌｌＣａｓｅの製造方法につ
いて、図７を参照して説明する。ただし、図７は完成後
の、つまり個別の半導体装置を示す。まず、複数の半導
体チップ１からなるウェハ（図示せず）の表面にわたっ
て、接着剤５Ａを用いてガラスプレート２Ａとなるべき
部分を含むガラスを貼り付ける。次に、ウェハの裏面に
おいて、研磨によってウェハ自体を薄くし、各半導体チ
ップ１の境界線に沿って溝をつけ、その後にエッチング
を行う。このことにより、各半導体チップ１の境界部分
において、金属パッドのみを露出させて金属配線リード
３を形成すると同時に、半導体チップ１のシリコン層に
えぐれを形成する。次に、ウェハの裏面に接着剤５Ｂを
用いてガラスプレート２Ｂとなるべき部分を含むガラス
を貼り付け、２枚のガラスによってウェハをサンドイッ
チ状にはさみ込む。次に、金属配線リード３を狙って切
断して、個別の半導体チップ１に切り離す。この状態に
おいて、半導体チップ１のシリコン層は側面に直接露出
せず、かつ、金属配線リード３の側端面は露出してい
る。次に、半導体チップ１をはさみ込んだガラスプレー
ト２Ａ，２Ｂの全面に対してスパッタリングを行って金
属配線層を形成することにより、該金属配線層と金属配
線リード３とを接続する。次に、フォトエッチング技術
を用いて金属配線層の不要な部分を除去し、外部電極端
子４を形成して図７の半導体装置が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によれば、フォトエッチングによって外部電極
端子４を形成する以前に、それぞれガラスプレート２Ａ
とガラスプレート２Ｂとが個々の半導体チップ１をはさ
んだ状態に分割する必要がある。すなわち、ウエハ状態
で外部電極端子４を形成できず、分割された個々の半導
体チップ１に対してのみ外部電極端子４を形成する。し
たがって、製造プロセスが複雑となり、製造工数の増
加、ひいては製造コストの上昇を招くという欠点を有し
ていた。

【０００６】本発明は、上記従来の問題に鑑み、ウェハ
状態において表面と裏面との電極同士が接続される半導
体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、請求項１〜５に記載された半導体装
置と、請求項６〜１１に記載された半導体装置の製造方
法に関する手段とを講じている。

【０００８】本発明の第１の半導体装置は、請求項１に
記載されているように、第１の面と該第１の面に対向す
る第２の面とを有する半導体チップからなる半導体装置
であって、第１の面上に形成された第１の電極と、第２
の面上に形成された第２の電極と、半導体チップが有す
る第１及び第２の面につながる溝状又は穴状の第３の面
上に形成され、第１の電極と第２の電極とを接続するた
めの導電膜とを備えている。

【０００９】これにより、第１の電極と第２の電極とが
溝状又は穴状の第３の面上の導電膜を介して接続された
半導体チップからなる半導体装置が得られる。したがっ
て、導電膜が半導体チップの側端面上にはないので、後
工程におけるチップの取扱い時に破損することがなく信
頼性が向上する。

【００１０】請求項２に記載されているように、請求項
１の半導体装置において、第３の面は前記半導体チップ
の側面に形成されており、ウェハに設けられた貫通穴を
分割してなる溝部であるとすることができる。

【００１１】これにより、半導体装置の製造の際にウェ
ハ状態で形成された貫通穴の内面に導電膜を形成した後
に、該貫通穴で分割された半導体チップが得られる。し
たがって、ウェハから分割された個別の半導体チップで
第１の電極と第２の電極とを接続する必要がないので、
半導体装置の製造工数を低減でき、半導体装置のコスト
を低減できる。

【００１２】請求項３に記載されているように、請求項
１の半導体装置において、第３の面は半導体チップを貫
いて形成された貫通穴の内面であるとすることができ
る。

【００１３】これにより、半導体装置の製造の際にウェ
ハ状態で形成された貫通穴の内面に導電膜を形成した後
に、該貫通穴を含む半導体チップが得られる。したがっ
て、ウェハから分割された個別の半導体チップで第１の
電極と第２の電極とを接続する必要がないので、半導体
装置の製造工数を低減でき、半導体装置のコストを低減
できる。しかも、導電膜が半導体チップの側面にまった
く露出しないので、導電膜の信頼性が向上する。

【００１４】請求項４に記載されているように、請求項
１〜３のうちいずれか１つに記載の半導体装置におい
て、第１の面上に第１の電極の上を開口して形成された
絶縁膜と、絶縁膜及び第１の電極の上にわたって形成さ
れた金属配線とを更に備え、導電膜は金属配線を介して
第１の電極に接続されているとすることができる。

【００１５】これにより、第１の電極の配置場所を自由
に選択できるので、設計の自由度が向上する。

【００１６】本発明の第２の半導体装置は、請求項５に
記載されているように、第１の面と該第１の面に対向す
る第２の面とを有し、該第１の面上に各々半導体チップ
となるチップ領域を有するウェハ状の半導体装置であっ
て、各々チップ領域に形成された第１の電極と、第２の
面に形成された第２の電極と、各々チップ領域でウェハ
を貫いて形成された貫通穴と、各々貫通穴の内面に形成
され、第１の電極と第２の電極とをそれぞれ接続するた
めの導電膜とを備えている。

【００１７】これにより、各々半導体チップとなるチッ
プ領域に形成された第１の電極と、第２の電極とが、貫
通穴の内面上の導電膜によって接続されたウェハ状の半
導体装置が得られる。したがって、ウェハの状態で第１
の電極と第２の電極とが導電膜を介して接続されている
ので、製造工数の削減によって安価な半導体チップを製
造できるウェハ状の半導体装置を得られる。

【００１８】本発明の第１の半導体装置の製造方法は、
請求項６に記載されているように、第１の面と該第１の
面に対向する第２の面とを有するウェハから得られる複
数の半導体チップ上に設けられる半導体装置の製造方法
として、各半導体チップとなる各チップ領域の上に第１
の電極を形成する工程と、ウェハを貫くように複数の貫
通穴を形成する工程と、各貫通穴の内面に、第１の電極
に接続される導電層を形成する工程と、第２の面におい
て導電層に接続される第２の電極を形成する工程と、ウ
ェハをダイシングラインに従って切断して各半導体チッ
プに分離する工程とを設け、各半導体チップには、第１
及び第２の電極と導電層とを設けるとしたものである。

【００１９】この方法によれば、個別の半導体チップで
第１の電極と第２の電極とをそれぞれ接続する工程に代
えて、ウェハ状態で貫通穴の導電層を介して第１の電極
と第２の電極とを接続し、その後にウェハを切断して半
導体チップを製造できる。したがって、半導体装置の製
造工数及び製造コストを大幅に削減できる。

【００２０】請求項７に記載されているように、請求項
６の半導体装置の製造方法において、第１の電極を形成
する工程の後にウェハ上に第１の電極の上を開口した絶
縁膜を形成する工程と、第１の面と絶縁膜との上にわた
って第１の電極に接続される金属配線を形成する工程と
を更に備え、貫通穴を形成する工程では各金属配線にお
いてウェハを貫通し、導電層を形成する工程では各貫通
穴の内面に金属配線を介して接続される導電層を形成す
るとしたものである。

【００２１】この方法によれば、第１の電極の配置場所
を自由に選択できるので、設計の自由度が向上する。

【００２２】請求項８又は９に記載されているように、
請求項６又は７の半導体装置の製造方法において、第１
の電極と第２の電極とを接続するための導電層を、半導
体チップの側面又は内部の貫通穴の内面に形成すること
ができる。

【００２３】請求項１０に記載されているように、請求
項６〜９のいずれか１つの半導体装置の製造方法におい
て、導電層を形成する工程と、第２の電極を形成する工
程とを同時に行うことが好ましい。

【００２４】この方法によれば、導電層と第２の電極と
を同時に形成できるので、製造工数を更に削減できる。

【００２５】また、請求項１１に記載されているよう
に、請求項６〜９のいずれか１つの半導体装置の製造方
法において、貫通穴を形成する工程の後に、第１及び第
２の電極と導電層とを構成する膜を同時に堆積し、その
後第１及び第２の電極をパターニングすることもでき
る。

【００２６】この方法によれば、第１及び第２の電極と
導電層とを構成する膜を堆積させるためのめっき、ＣＶ
Ｄ等の工程が１度で済むので、製造工数を更に削減でき
る。

【００２７】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について、図１〜図３を参照しながら説明す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体装置のそれぞれ平面図、正面図及び下面図で
ある。図１において、１１はトランジスタ等の半導体素
子によって構成される半導体集積回路を内部に有する四
角形状の半導体チップを示す。該半導体チップ１１の表
面において、各辺部に接するように表面電極１２がそれ
ぞれ配置されている。表面電極１２が各辺部に接する部
分において、半導体チップ１１の側面はほぼ半円状の溝
部１３を有する。溝部１３における半導体チップ１１の
露出面には、導電膜からなる接続配線１４が形成されて
いる。半導体チップ１１の裏面において、溝部１３と裏
面とが接する部分を含むようにして、裏面電極１５が配
置されている。すなわち、表面電極１２と裏面電極１５
とは、溝部１３における半導体チップ１１の露出面に形
成された接続配線１４を介して接続されている。

【００２８】図１に示された半導体装置の製造方法につ
いて、図２〜図４を用いて説明する。図２（ａ）〜
（ｄ）は、図１の半導体装置の製造工程を示すウェハの
部分平面図である。図３（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図
１の半導体装置の製造工程を示す、図２のIIIa−IIIa〜
IIId−IIId線における断面図である。

【００２９】まず、図２（ａ）と図３（ａ）とにそれぞ
れ示すように、複数の半導体チップが製造されるべきウ
ェハ１０の表面において、各チップ領域ＲＣ１，ＲＣ
２，…にそれぞれ表面電極１２を形成する。この場合に
は、各チップ領域ＲＣ１，ＲＣ２，…の境界をまたぐ
ように、例えば円形のウェハ表面露出部２０を残して境
界をまたぐようにして表面電極１２を形成する。

【００３０】次に、図２（ｂ）と図３（ｂ）とにそれぞ
れ示すように、表面電極１２のそれぞれにおいて、各チ
ップ領域ＲＣ１，ＲＣ２，…の境界にまたがるように
して、レーザーを用いてウェハ表面露出部２０に貫通穴
２１を形成する。

【００３１】次に、図２（ｃ）と図３（ｃ）とにそれぞ
れ示すように、ウェハ１０の全面にわたって小さい膜厚
を有する金属薄膜を形成し、その後に、接続配線１４と
該接続配線１４に導通する裏面電極１５とが同時に得ら
れるようにパターニングする。金属薄膜の形成は、無電
解めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶ
Ｄ法によって行う。本実施形態においては、無電解Ｎｉ
めっきを用いる。ここで、接続配線１４と裏面電極１５
とを同時に得るためのパターニングを、以下のようにし
て行う。ウェハ１０の表面と裏面とにおいて、金属薄膜
の上に感光性レジストを塗布して、貫通穴２１とその周
辺とを含む所定のパターン部以外のレジストを露光によ
って硬化させた後に、該パターン部のレジストを除去す
る。電解めっきを使用して、前記パターン部に例えばＣ
ｕからなる大きい膜厚を有する金属層を形成する。その
後に、無電解Ｎｉめっきと無電解Ａｕめっきとを順次行
い、更にレジストを溶融して除去する。その後にエッチ
ング液に浸漬して、金属薄膜のみからなる部分を溶か
し、かつ大きい膜厚を有する金属層を残すことによっ
て、接続配線１４と裏面電極１５とを含む所定の金属配
線を同時に形成する。したがって、裏面電極１５と同時
に形成された接続配線１４によって、表面電極１２と裏
面電極１５とが接続される。

【００３２】なお、各貫通穴２１の内面を含むウェハの
全面に金属層を堆積させ、その上にレジストを塗布し、
フォトリソグラフィー技術を使用して所定のパターン部
の上にエッチングマスク用レジストを形成し、このレジ
ストをマスクとして金属層をエッチングすることによ
り、接続配線１４と裏面電極１５とを含む所定の金属配
線を同時に形成してもよい。

【００３３】最後に、図２（ｄ）と図３（ｄ）とにそれ
ぞれ示すように、ウェハを各チップ領域ＲＣ１，ＲＣ
２，…の境界において、つまり各貫通穴２１の中心を通
るようにダイシングして、各半導体チップ１１に分割す
る。

【００３４】図４は、貫通穴の中心を通るダイシングを
示す図である。図４に示すように、内面に接続配線１４
を有する貫通穴２１において、該貫通穴２１の中心を通
るダイシングラインＤＬに従ってダイシングする。ダイ
サーのブレード幅に応じた領域である切断領域２２を考
慮して貫通穴２１の大きさ及び形状を定めておけば、ダ
イシング後の各半導体装置において、表面電極１２と図
示されていない裏面電極とに接続された接続配線１４が
得られる。なお、ダイシングにおいて、貫通穴２１の中
心を通るダイシングラインＤＬに従って切断したが、中
心に限らないことはいうまでもない。

【００３５】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、ウェハ１０が有する各半導体チップ１１の表面電極
１２の領域に貫通穴２１を設け、該貫通穴２１の内面に
接続配線１４を形成すると同時にウェハ１０の裏面にお
ける各貫通穴２１の周囲に裏面電極１５を形成し、その
後に貫通穴２１の中央を切断するようにダイシングす
る。したがって、ウェハ状態で表面電極１２と裏面電極
１５とを接続配線１４を介して接続できるので、ウェハ
から分割された個別の半導体チップに対して表面電極と
裏面電極とを接続する場合に比較して製造工数を大幅に
削減できる。

【００３６】（第２の実施形態）本発明の第１の実施形
態について、図５を参照しながら説明する。図５
（ａ），（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の平面
図及び正面図である。第１の実施形態と同一の構成要素
に対しては、図１における符号と同一の符号を付して、
その説明を省略する。図５（ａ），（ｂ）において、半
導体チップ１１の表面の中央部を盛り上げるようにし
て、弾性率の小さい絶縁性材料からなる低弾性率層１７
が平坦に形成されている。半導体チップ１１の各角部を
含むようにして、半導体チップ１１の表面と低弾性率層
１７の上とにわたって、表面電極１２に接続された金属
配線１６がそれぞれ形成されている。金属配線１６は、
前記角部のそれぞれにおいて、接続配線１４を介して裏
面電極１５に接続された、半導体チップ１１を例えばプ
リント基板に実装するためのパッドを有する配線であ
る。

【００３７】本実施形態における半導体チップ１１は、
表面電極１２が形成された半導体チップ１１に対して、
ウェハ状態で次のように金属配線１６の形成を行うこと
によって製造される。すなわち、各チップ領域境界の交
点、つまり半導体チップ１１における各角部となるべき
部分をまたぐように円形のウェハ表面露出部を残し、前
記交点をまたぐようにして、かつ、各表面電極１２に接
続させるようにウェハ表面と各低弾性率層１７の上とに
わたって金属配線１６を形成する。貫通穴と接続配線１
４と裏面電極１５との形成及びダイシングは、第１の実
施形態と同様にして行う。

【００３８】本実施形態によれば、ウェハが有する各半
導体チップ１１において、表面電極１２に接続され低弾
性率層１７の上にわたって形成された金属配線１６の領
域に貫通穴を設け、該貫通穴の内面に接続配線１４を形
成すると同時にウェハ１０の裏面における各貫通穴の周
囲に裏面電極１５を形成し、その後に貫通穴の中央を切
断するようにダイシングする。したがって、低弾性率層
１７の上にわたって形成された金属配線１６を有する半
導体チップにおいて、ウェハ状態で表面電極１２と裏面
電極１５とを接続配線１４を介して接続できるので、個
別の半導体チップに対して表面電極と裏面電極とを接続
する場合に比較して製造工数を大幅に削減できる。

【００３９】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態について、図６を参照しながら説明する。図６（ａ）
は本実施形態に係る半導体装置の平面図、図６（ｂ）は
図６（ａ）の V−V 線における断面図、及び図６（ｃ）
は該半導体装置の下面図である。第１の実施形態と同一
の構成要素に対しては、図１における符号と同一の符号
を付して、その説明を省略する。本実施形態は、第１の
実施形態においては貫通穴２１の中心を通るようにして
ダイシングしたことに代えて、貫通穴２１を半導体チッ
プ１１に完全に含むように、該貫通穴２１から離れたダ
イシングラインに従ってウェハを切断するものである。

【００４０】本実施形態によれば、ウェハが有する各半
導体チップ１１の表面電極１２において、該半導体チッ
プ１１の辺部になるべき部分から離れた領域に貫通穴２
１を設ける。該貫通穴２１の内面に導電層からなる接続
配線１４を形成すると同時にウェハ１０の裏面における
各貫通穴２１の周囲に裏面電極１５を形成し、その後に
各半導体チップ１１に貫通穴２１を完全に残すようにダ
イシングする。したがって、ウェハ状態で表面電極１２
と裏面電極１５とを接続配線１４を介して接続できるの
で、個別の半導体チップに対して表面電極と裏面電極と
を接続する場合に比較して製造コストを大幅に削減でき
る。

【００４１】なお、以上説明した各実施形態において
は、貫通穴２１をレーザーによって形成したが、これに
代えてエッチングを用いてもよい。

【００４２】また、貫通穴２１の形状を円形としたが、
これに限らず楕円形、小判形、矩形等を用いることもで
きる。

【００４３】また、所定の金属配線を形成した後に必要
に応じてはんだディップ等を行い、所望のパターン上に
はんだを供給することもできる。

【００４４】また、接続配線１４と裏面電極１５とを同
時に形成したが、これに代えて、無電解Ｎｉめっきを用
いてウェハ１０の全面にわたって小さい膜厚を有する金
属薄膜を形成し、接続配線１４を含む所定の金属配線が
得られるようにパターニングし、その後に連続して、ウ
ェハ１０の裏面において接続配線１４と接続されるよう
に裏面電極１５を形成してもよい。

【００４５】

【発明の効果】請求項１〜４の発明によれば、半導体チ
ップからなる半導体装置が有する第１の面上と第２の面
上とにそれぞれ形成された第１の電極と第２の電極と
が、第１及び第２の面につながる第３の面に形成された
導電膜によって接続された半導体装置を得られる。した
がって、個別の半導体チップに分割する以前に、導電膜
による第１の電極と第２の電極との接続が可能になるの
で、半導体装置の製造工数を削減できる。

【００４６】請求項１〜４の構造は、請求項６〜９の方
法によって容易に実現できる。

【００４７】請求項５の発明によれば、ウェハ状の半導
体装置の第１の面が有する複数のチップ領域に各々形成
された第１の電極と、第２の面に各々形成された第２の
電極とが、貫通穴の内部に形成された導電膜を介して接
続される。したがって、ウェハ状の半導体装置を個別に
分割した後における第１の電極と第２の電極との接続に
代えて、ウェハ状態で接続が一括して行われるので、半
導体装置の製造工数を大幅に削減できる。

【００４８】請求項１０，１１の発明によれば、導電層
と第２の電極とを同時に形成し、又は第１及び第２の電
極と導電層とを同時に形成できるので、半導体装置の製
造工数を更に削減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体装置のそれぞれ平面図、正面図及び下面図で
ある。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１の半導体装置の製造工
程を示すウェハの部分平面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図１の半導体装置
の製造工程を示す、図２のIIIa−IIIa〜IIId−IIId線に
おける断面図である。

【図４】貫通穴の中心を通るダイシングを示す図であ
る。

【図５】（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に
係る半導体装置の平面図及び正面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に
係る半導体装置のそれぞれ平面図、（ａ）の V−V 線に
おける断面図及び下面図である。

【図７】従来の半導体装置の例を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ウェハ１１半導体チップ１２表面電極（第１の電極）１３溝部１４接続配線（導電膜）１５裏面電極（第２の電極）１６金属配線１７絶縁樹脂（絶縁膜）２０ウェハ表面露出部２１貫通穴２２切断領域ＤＬダイシングラインＲＣ１，ＲＣ２チップ領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者隈川隆博大阪府高槻市幸町１番１号松下電子工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の面と該第１の面に対向する第２の
面とを有する半導体チップからなる半導体装置であっ
て、前記第１の面上に形成された第１の電極と、前記第２の面上に形成された第２の電極と、前記半導体チップが有する前記第１及び第２の面につな
がる溝状又は穴状の第３の面上に形成され、前記第１の
電極と前記第２の電極とを接続するための導電膜とを備
えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、前記第３の面は前記半導体チップの側面に形成されてお
り、ウェハに設けられた貫通穴を分割してなる溝部であ
ることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、前記第３の面は前記半導体チップを貫いて形成された貫
通穴の内面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
の半導体装置において、前記第１の面上に前記第１の電極の上を開口して形成さ
れた絶縁膜と、前記絶縁膜及び第１の電極の上にわたって形成された金
属配線とを更に備え、前記導電膜は前記金属配線を介して前記第１の電極に接
続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】第１の面と該第１の面に対向する第２の
面とを有し、該第１の面上に各々半導体チップとなるチ
ップ領域を有するウェハ状の半導体装置であって、各々前記チップ領域に形成された第１の電極と、前記第２の面に形成された第２の電極と、各々前記チップ領域で前記ウェハを貫いて形成された貫
通穴と、各々前記貫通穴の内面に形成され、前記第１の電極と前
記第２の電極とをそれぞれ接続するための導電膜とを備
えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】第１の面と該第１の面に対向する第２の
面とを有するウェハから得られる複数の半導体チップ上
に設けられる半導体装置の製造方法であって、前記各半導体チップとなる各チップ領域の上に第１の電
極を形成する工程と、前記ウェハを貫くように複数の貫通穴を形成する工程
と、前記各貫通穴の内面に、前記第１の電極に接続される導
電層を形成する工程と、前記第２の面において前記導電層に接続される第２の電
極を形成する工程と、前記ウェハをダイシングラインに従って切断して前記各
半導体チップに分離する工程とを備え、前記各半導体チップには、前記第１及び第２の電極と導
電層とが設けられていることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項７】請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１の電極を形成する工程の後に前記ウェハ上に前
記第１の電極の上を開口した絶縁膜を形成する工程と、前記第１の面と前記絶縁膜との上にわたって前記第１の
電極に接続される金属配線を形成する工程とを更に備
え、前記貫通穴を形成する工程では前記各金属配線において
前記ウェハを貫通し、前記導電層を形成する工程では前
記各貫通穴の内面に前記金属配線を介して接続される導
電層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項８】請求項６又は７記載の半導体装置の製造
方法において、前記ウェハを切断する工程では、各々前記貫通穴を通る
前記ダイシングラインに従って、前記各半導体チップが
有すべき側面に前記導電層を残すように前記ウェハを切
断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項６又は７記載の半導体装置の製造
方法において、前記ウェハを切断する工程では、各々前記貫通穴以外の
部分を通る前記ダイシングラインに従って、前記各半導
体チップに前記貫通穴を残すように前記ウェハを切断す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】請求項６〜９のいずれか１つに記載の
半導体装置の製造方法であって、前記導電層を形成する工程と、前記第２の電極を形成す
る工程とを同時に行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項１１】請求項６〜９のいずれか１つに記載の
半導体装置の製造方法であって、前記貫通穴を形成する工程の後に、前記第１の電極の少
なくとも一部と、前記第２の電極の少なくとも一部と、
前記導電層の少なくとも一部とを構成する膜を同時に堆
積し、その後第１及び第２の電極をパターニングするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。