KR950001298B1 - 와이어 본딩 패드 형성방법 - Google Patents
와이어 본딩 패드 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950001298B1 KR950001298B1 KR1019910022979A KR910022979A KR950001298B1 KR 950001298 B1 KR950001298 B1 KR 950001298B1 KR 1019910022979 A KR1019910022979 A KR 1019910022979A KR 910022979 A KR910022979 A KR 910022979A KR 950001298 B1 KR950001298 B1 KR 950001298B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photosensitive polyimide
- wire bonding
- bonding pad
- pattern
- exposed
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 51
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
내용없음.
Description
제1도는 집적회로칩을 나타낸 평면도.
제2a도 내지 제2c도는 제1도의 A-A' 부분을 절단한 종래의 와이어 본딩 패드 형성단계를 나타낸 단면도.
제3a도 내지 제3c도는 제1도의 A-A'부분을 절단한 본 발명의 실시예에 의한 와이어 본딩 패드 형성단계를 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 집적회로칩 2 : 집적회로부
3 : 와이어 본딩 패드 3A : 와이어 본딩 패드부
4 : 실리콘 기판 5 : 금속층
5A : 금속배선 6 : 보호막
7 : 폴리이미드층 8 : 절연층
7A : 폴리이미드 패턴 10 : 패드영역
본 발명은 와이어 본딩 패드(Wire Bonding Pad) 형성방법에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정에서 집적회로칩 상에 와이어 본딩 패드 형성공정시 보호막(Passivation Layer)을 증착한 후 그 상부에 감광성 폴리이미드(Polymide)를 코팅한 다음, 감광성 폴리이미드 패턴을 형성하고 노출되는 보호막을 식각하여 예정된 패드 영역을 노출시키는 와이어 본딩 패드 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 칩 제조공정에서 설계된 단위셀을 배열하고 연결하기 위해 실리콘 기판의 예정된 부분에 불순물의 선택적 도입공정, 절연층과 도전층을 적층하는 적층공정 및 패턴 마스크 공정등이 차례로 실행되어 각각의 칩에 집적회로가 형성된다.
이와같이 하여 형성된 집적회로칩은 조립공정으로 보내져서 칩절단, 칩부착, 와이어 본딩, 몰드, 포밍, 트림공정등의 순서로 진행하여 각각의 IC를 형성한다.
본 발명에서 조리공정중 와이어를 칩상부의 패드에 본딩하는데 사용되는 와이어 본딩 패드를 형성하는 방법을 설명하고자 한다.
종래의 와이어 본딩 패드 형성방법을 제1도 및 제2a도 내지 제2c도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 웨이퍼에서 절단된 집적회로칩(1)을 도시한 평면도로서, 집적회로칩(1)의 중앙부에는 단위셀이 배열되어 회로를 구성한 집적회로부(2)가 형성되고, 집적회로부(2)의 주변부를 따라 일정부분에 다수의 와이어 본딩 패드(3)가 형성됨을 개략적으로 도시한 것이다.
제2a도 내지 제2c도는 제1도의 A-A'를 따라 절단하여 와이어 본딩 패드(3)를 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.
제2a도는 실리콘 기판(4)의 절연층(8) 상부에 금속층(5) 예를들어 알루미늄층을 증착한다음, 마스크 패턴공정으로 금속배선(5A)을 길게 형성한 후, 전반적으로 보호막(6)을 증착 형성된 상태를 도시한 것으로, 상기 보호막(6)은 제품의 품질을 향상시키고 습기에 의한 제품의 신뢰도 저하 및 α-입자(α-Particle)에 의한 소프트 에러를 방지하기 위하여 산화막 또는 질화막으로 증착한 것이다.
제2b도는 상기 보호막(6) 상부에 와이어 본딩 패드 마스크를 사용하여 감광막 마스크 패턴을 형성하고(도시안됨), 노출되는 보호막(6)을 식각하여 금속배선(5A)의 예정된 영역이 노출된 와이어 본딩 패드부(3A)를 형성한 다음, 상기 감광막 마스크 ㅐ턴을 제거한 상태의 단면도이다.
제2c도는 와이어 본딩 패드부(3A)를 포함한 전체구조 상부에 감광석 폴리이미드층(7)을 코팅한 후, 와이어 본딩 패드부(3A)를 노출시키기 위해 마스크를 이용하여 빛을 노광시킨 다음, 상기 감광성 폴리이미드층(7)을 현상액으로 현상하여 와이어 본딩 패드부(3A)를 노출시킨 감광석 폴리이미드 패턴(7A)를 형성하고, 이것을 고dhs에서 경화(Curing)시킨 상태를 도시한 것으로, 감광성 폴리이미드층(7)을 경화시키면 α-입자에 의한 소프트 에러 방지 보호막으로 작용하게 된다.
상기한 바와같은 종래의 와이어 본딩 패드 형성방법은 와이어 본딩 패드부 형성용 마스크를 보호막과 감광성 폴리이미드층의 예정된 부분을 제거하기 위해 각각 사용하므로써 공정과정이 복잡해짐과, 감광성 폴리이미드층의 노광된 영역을 현상공정으로 제거한 후에도 와이어 본딩부에 얇은 감광성 폴리이미드층이 잔존하게 된다. 그로인하여 후공정의 와이어 본딩시 접촉불량이 발생하여, 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위해 금속배선을 형성하고, 그 상부에 보호막과 감광성 폴리이미드층을 적층한 다음, 와이어 본딩 패드 마스크를 이용하여 감광성 폴리이미드의 예정된 부분을 노광시키고 현상하여 감광성 폴리이미드 패턴을 형성한다음, 하부의 노출된 보호막을 식각하여 와이어 본딩 패드부를 형성하는 와이어 본딩 패드 형성방법을 제공하는데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명 실시예에 의하면, 반도체 제조공정중 와이어 본딩 패드 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 일련의 금속배선을 형성한 집직회로칩상에 전반적으로 보호막을 증착하는 단계와, 상기 보호막 상부에 감광성 폴리이미드를 전반적으로 코팅한 후, 프리-베이크 공정으로 상기 감광성 폴리이미드를 소프트 경화한 다음, 와이어 본딩 패드 마스크의 노광장치를 이용하여 감광성 폴리이미드를 노광시키고, 노광된 감광성 폴리이미드를 현상액으로 현상하여 감광성 폴리이미드 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광성 폴리이미드 패턴을 하드-베이크 공정으로 경화한다음, 감광성 폴리이미드 패턴을 마스크로하여 노출된 보호막을 식각하여 와이어 본딩 패드부를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제3a도 내지 제3c도는 제1도의 A-A' 부분을 절단하여 본 발명의 실시예에 의한 와이어 본딩 패드 형성단계를 나타낸 단면도이다.
제3a도는 제2a도와 같이 실리콘 기판(4)상에 금속층(예를 들어, 알루미늄)(5)을 증착하고 마스크 패턴 공정으로 금속배선(5A)을 형성한 다음, 전반적으로 보호막(6)을 형성한 단면도이다.
제3b도는 상기 보호막(6)상부에 감광성 폴리이미드층(7)을 전반적으로 코팅한 후, 프리-베이크(Pre-Bake) 공정으로 상기 감광성 폴리이미드층(7)을 소프트 경화시킨다음, 와이어 본딩 패드 마스크와 노광장치를 이용하여 감광성 폴리이미드층(7)의 예정된 부분을 노광하고, 노광된 감광성 폴리이미드층(7)을 현상액으로 현상하여 감광성 폴리이미드 패턴(7A)을 형성한 단면도로서, 상기 감광성 폴리이미드층(7)은 스트레스 완화(Stress Buffer)의 역할을 위해 스핀 코팅(Spin Coating)방식으로 코팅두께는 5 내지 20㎛로 코팅하고, 상기 프리-베이크 공정은 폴리이미드층의 감광도를 조절하기 위하여 70 내지 150℃ 온도로 경화시키고, 상기 노광공정은 마스크와 노광장치를 이용하여 본딩패드 패턴을 300 내지 1500mj/C㎡의 세기로 노광한 것이다.
제3c도는 상기 감광성 폴리이미드 패턴(7A)을 하드-베이크(Hard-Bake) 공정으로 경화시킨 다음, 이 감광성 폴리이미드층(7)을 마스크층으로 하고 노출된 와이어 본딩 패드부(3A')의 보호막(6)을 식각하여 금속배선(5A)의 예정부분이 노출된 와이어 본딩 패드부(3A)를 형성한 상태를 도시한 것으로, 상기 하드베이크 공정은 300 내지 400℃의 고온에서 30 내지 60분 경화하여 감광성 물질을 폴리이미드화시켜 보호막(6)과 더불어 보호막 역할을 한다.
상술한 바와같이 본 발명 실시예에 의한 와이어 본딩 패드 형성방법은 별도의 감광막을 형성하는 대신으로 감광성 폴리이미드를 사용하여 1회 마스킹 공정으로 와이어 본딩 패드부를 형성할 수 있으므로써 공정의 간편화를 이루었을 뿐만아니라, 감광성 폴리이미드층을 보호막 상부에 코팅한 후 상기 폴리이미드로 와이어 본딩 패드부 상부가 노출된 감광성 폴리이미드층을 마스크로 하여 하부의 노출된 금속배선을 식각하므로써 와이어 본딩 패드부에 잔존하고 있는 폴리이미드층이 완전히 제거된다. 그러므로 후공정의 와이어 본딩 공정시 불량원인을 제거하여 제품의 수률증가와 품질을 향상시킬 수 있다.
Claims (5)
- 반도체 제조공정중 와이어 본딩 패드 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 일련의 금속배선을 형성한 집적회로칩상에 전반적으로 보호막을 증착하는 단계와, 상기 보호막 상부에 감광성 폴리이미드를 전반적으로 코팅한 후, 프리-베이크 공정으로 상기 감광성 폴리이미드를 소프트 경화되게 한 다음, 와이어 본딩 패드 마스크와 노광장치를 이용하여 감광성 폴리이미드를 노광시키고, 노광된 감광성 폴리이미드를 현상액으로 현상하여 감광성 폴리이미드 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광성 폴리이미드 패턴을 하드-베이크 공정으로 경화한다음, 감광성 폴리이미드 패턴을 마스크로하여 노출된 보호막을 식각하여 와이어 본딩 패드부를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 패드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 폴리이미드층은 스트레스 완화의 역할을 위해 스핀코팅 방식으로 코팅되게 하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 패드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 폴리이미드층은 5 내지 20㎛로 코팅되게 하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 패드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 폴리이미드층의 프리-베이크 공정은 70 내지 150℃의 온도에서 경화시키는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 패드 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광성 폴리이미드층의 하드베이크 공정은 300 내지 400℃에서 30 내지 60분동안 경화되게 하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 패드 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910022979A KR950001298B1 (ko) | 1991-12-14 | 1991-12-14 | 와이어 본딩 패드 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910022979A KR950001298B1 (ko) | 1991-12-14 | 1991-12-14 | 와이어 본딩 패드 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014853A KR930014853A (ko) | 1993-07-23 |
| KR950001298B1 true KR950001298B1 (ko) | 1995-02-15 |
Family
ID=19324802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910022979A KR950001298B1 (ko) | 1991-12-14 | 1991-12-14 | 와이어 본딩 패드 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950001298B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437621B1 (ko) * | 1996-10-30 | 2004-08-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100542721B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 감광성 폴리이미드 패턴 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의보호막 형성 방법 |
| KR100787267B1 (ko) * | 2004-08-27 | 2007-12-21 | 학교법인 동국대학교 | 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법 |
-
1991
- 1991-12-14 KR KR1019910022979A patent/KR950001298B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930014853A (ko) | 1993-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6603191B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US6479900B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US6841853B2 (en) | Semiconductor device having grooves to relieve stress between external electrodes and conductive patterns | |
| US5405809A (en) | Semiconductor device, an image sensor device, and methods for producing the same | |
| KR960016007B1 (ko) | 반도체 칩 범프의 제조방법 | |
| US7534664B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
| JPH05144823A (ja) | 高密度バンプ形成方法 | |
| KR100691151B1 (ko) | 솔더범프 앵커시스템 | |
| JPH0652732B2 (ja) | パツシベ−シヨン膜の形成方法 | |
| JP3481899B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR950001298B1 (ko) | 와이어 본딩 패드 형성방법 | |
| US4907039A (en) | Semiconductor device | |
| JP2000286283A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB2378578A (en) | Semiconductor device encapsulation | |
| JP2003347471A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005216921A (ja) | 半導体装置製造用のメタルマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3173488B2 (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
| JPH06268098A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR100605174B1 (ko) | 반도체 소자의 본딩 패드 형성방법 | |
| JPH05136298A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3275306B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR940007290B1 (ko) | 와이어 본딩 패드 형성방법 | |
| JPH0661233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3722784B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5320264B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100126 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |