KR930014853A - 와이어 본딩 패드 형성방법 - Google Patents

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photosensitive
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이두희
이성권
이근호
김정희
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정몽헌
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Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에서 와이어 본딩 패드 형성방법에 관한것으로 실리콘 기판상에 형성된 금속배선 상부에 보호막을 증착하고 그 상부에 감광성 폴리이미드를 코팅한 후 상기 감광성 폴리이미드를 와이어 본딩 패드 마스크와 노광장치를 이용하여 감광성 폴리이미드 패턴을 형성하고 그 하부의 보호막을 식각하여 하부의 급속배선이 노출된 와이어 본딩 패드를 형성하므로써 공정을 단순화시키는 동시에 와이어 본딩 공정에서 불량을 방지할수 있는 기술이다.

Description

와이어 본딩 패드 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 내지 제3C는 제1도의 A-A′부분을 절단한 본 발명의 실시예에 의한 와이어 본딩 패드 형성단계를 나타낸 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 제조공정중 와이어 본딩 패드 형성방법에 있어서 실리콘 기판상에 일련의 금속배선을 형성한 집적회로 칩상에 전반적으로 보호막을 증착하는 단계와, 상기 보호막 상부에 감광성 폴리이미드를 전반적으로 코팅한 후 프리-베이크 공정으로 상기 감광성 폴리이미드를 소프트 경화한 다음, 와이어 본딩 패드 마스크와 노광장치를 이용하여 감광성 폴리이미드를 노광시키고 노광된 감광성 폴리이디를 현상액으로 현상하여 감광성 폴리이미드 패턴을 형성하는 단계와 상기 가광성 폴리이미드 패턴을 하드-베이크 공정으로 경화한 다음, 감광성 폴리이미드 패턴을 마스크로하여 노출된 보호막을 식각하여 와이어 본딩 패드부를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 와이어본딩 패드 형성방법.
  2. 제1항에 있어서 상기 감광성 폴리이드층은 스트레스 완화의 역할을 위해 스핀코팅 방식으로 코팅하는 것을 특징으로하는 와이어본딩 패드 형성방법.
  3. 제1항에 있어서 상기 감광성 폴리이드층은 5~20㎛로 코팅하는 것을 특징으로하는 와이어본딩 패드 형성방법.
  4. 제1항에 있어서 상기 감광성 폴리이드층의 프리-베이크 공정은 70~150℃의 온도에서 경화시키는 것을 특징으로하는 와이어본딩 패드 형성방법.
  5. 제1항에 있어서 상기 감광성 폴리이드층의 하드베이크 공정은 300~400℃에서 30~60분 동안 경화하는 것을 특징으로하는 와이어본딩 패드 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437621B1 (ko) * 1996-10-30 2004-08-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
KR100542721B1 (ko) * 1999-05-11 2006-01-11 삼성전자주식회사 감광성 폴리이미드 패턴 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의보호막 형성 방법
KR100787267B1 (ko) * 2004-08-27 2007-12-21 학교법인 동국대학교 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100542721B1 (ko) * 1999-05-11 2006-01-11 삼성전자주식회사 감광성 폴리이미드 패턴 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의보호막 형성 방법
KR100787267B1 (ko) * 2004-08-27 2007-12-21 학교법인 동국대학교 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법

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