JPH03120824A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JPH03120824A JPH03120824A JP26044189A JP26044189A JPH03120824A JP H03120824 A JPH03120824 A JP H03120824A JP 26044189 A JP26044189 A JP 26044189A JP 26044189 A JP26044189 A JP 26044189A JP H03120824 A JPH03120824 A JP H03120824A
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- bonding pad
- insulating film
- organic insulating
- cured
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路の製造方法に関し、特にパッシベーシ
ョン膜の製造方法に関する。
ョン膜の製造方法に関する。
有機系絶縁膜を用いたパッシベーション膜は、集積回路
表面を平坦化でき、集積回路を封入するパッケージのモ
ールド樹脂の応力から集積回路を保護可能であることな
どから広く用いられている。しかしながら半導体基板上
のボンディングパッド部を選択的に露出させるためのフ
ォトレジスト工程において５．そのバターニング精度が
低く、製造歩留低下や、信頼度低下の問題が顕在化して
いる。
表面を平坦化でき、集積回路を封入するパッケージのモ
ールド樹脂の応力から集積回路を保護可能であることな
どから広く用いられている。しかしながら半導体基板上
のボンディングパッド部を選択的に露出させるためのフ
ォトレジスト工程において５．そのバターニング精度が
低く、製造歩留低下や、信頼度低下の問題が顕在化して
いる。
以下図面を用いて説明する。
まず第３図（ａ）に示すように、シリコン等の半導体基
板ｌの主表面にフィールド絶縁膜２を含む集積回路を形
成し、Ａｆｆｌ等の金属層によりボンディングパッド３
を形成する。次いでその表面に、有機系の絶縁膜として
厚さ約４μｍのポリイミド層４を塗布する。続いて約２
００〜３００’Ｃの熱処理により、ポリイミド層４中の
溶剤を放出させると共に、ポリイミドを硬化させる。
板ｌの主表面にフィールド絶縁膜２を含む集積回路を形
成し、Ａｆｆｌ等の金属層によりボンディングパッド３
を形成する。次いでその表面に、有機系の絶縁膜として
厚さ約４μｍのポリイミド層４を塗布する。続いて約２
００〜３００’Ｃの熱処理により、ポリイミド層４中の
溶剤を放出させると共に、ポリイミドを硬化させる。
次に、同図（ｂ）に示すように、フォトレジスト層６を
形成したのちパターニングしボンディングパッド３上に
開口部７を形成する。
形成したのちパターニングしボンディングパッド３上に
開口部７を形成する。
次に同図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層６をマ
スクとし、ヒドラジンを含むエツチング液でポリイミド
層４をエツチングする。
スクとし、ヒドラジンを含むエツチング液でポリイミド
層４をエツチングする。
次で同図（ｄ）に示すように、フォトレジスト層６を除
去する。
去する。
上述した従来の集積回路の製造方法では、第３図（ｄ）
に示したように、ボンディングパッド３上のポリイミド
層４に設けられた開口部がフォトレジスト層６の開口部
７に比較し、８〜１０μｍ等大きくサイドエツチングさ
れ、そのサイドエツチング量の制御が困難であるため、
工程歩留の低下や、サイドエツチング部８が形成される
なめ、フィールド絶縁膜２が露出した部分からの汚染物
質の進入など信頼性上大きな問題を引き起こすという欠
点がある。
に示したように、ボンディングパッド３上のポリイミド
層４に設けられた開口部がフォトレジスト層６の開口部
７に比較し、８〜１０μｍ等大きくサイドエツチングさ
れ、そのサイドエツチング量の制御が困難であるため、
工程歩留の低下や、サイドエツチング部８が形成される
なめ、フィールド絶縁膜２が露出した部分からの汚染物
質の進入など信頼性上大きな問題を引き起こすという欠
点がある。
本発明の集積回路の製造方法は、ボンディングパッドが
形成された半導体基板表面に有機系絶縁膜を塗布する工
程と、該有機系絶縁膜を熱処理して硬化させる工程と、
少くとも前記ボンディングパッドの周辺部の硬化した前
記有機系絶縁膜にレーザー光を照射する工程とを含んで
構成される。
形成された半導体基板表面に有機系絶縁膜を塗布する工
程と、該有機系絶縁膜を熱処理して硬化させる工程と、
少くとも前記ボンディングパッドの周辺部の硬化した前
記有機系絶縁膜にレーザー光を照射する工程とを含んで
構成される。
次に本発明について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ＞に示すように、シリコン等からなる半
導体基板１上にフィールド絶縁膜２、ボンディングパッ
ド３およびポリイミド層４を形成し、従来方法と同様に
熱処理してポリイミド層４を硬化させる。
導体基板１上にフィールド絶縁膜２、ボンディングパッ
ド３およびポリイミド層４を形成し、従来方法と同様に
熱処理してポリイミド層４を硬化させる。
次に第１図（ｂ）に示すように、レーザー光を選択的に
ボンディングパッド３の周辺部分に照射する。レーザー
光を選択的に照射することは、次の方法により簡単にで
きる。即ち、レーザー光を半導体基板上に掃引照射させ
る光学装置及び選択的に照射するための光学マスクを用
いることにより行なう。レーザー光の波長は、ポリイミ
ド層４でエネルギー吸収の起こる可視光より短波長のも
のを用いる。ポリイミド層にレーザー光を照射すること
により重合が更にすす１み、ポリイミド硬化層５が形成
される。このポリイミド硬化層５のエツチングレートは
、照射するレーザー光のエネルギー及び照射時間により
変化するが、レーザー光を照射しない部分の５０％から
１０％程度まで遅くすることが可能である。
ボンディングパッド３の周辺部分に照射する。レーザー
光を選択的に照射することは、次の方法により簡単にで
きる。即ち、レーザー光を半導体基板上に掃引照射させ
る光学装置及び選択的に照射するための光学マスクを用
いることにより行なう。レーザー光の波長は、ポリイミ
ド層４でエネルギー吸収の起こる可視光より短波長のも
のを用いる。ポリイミド層にレーザー光を照射すること
により重合が更にすす１み、ポリイミド硬化層５が形成
される。このポリイミド硬化層５のエツチングレートは
、照射するレーザー光のエネルギー及び照射時間により
変化するが、レーザー光を照射しない部分の５０％から
１０％程度まで遅くすることが可能である。
次に第１図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜６を
形成したのちパターニングして開口部７を形成する。
形成したのちパターニングして開口部７を形成する。
次に第１図（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜６を
マスクとし、従来方法と同様にヒドラジンを含むエツチ
ング液でポリイミド層４をエツチングする。この時ボン
ディングパッド３の周辺部には、エツチングレートの遅
いポリイミド硬化層５が存在するため、オーバーエツチ
ングを行なってもサイドエツチング量は問題の無いレベ
ル、例えば２〜３μｍ以下に抑えることができる。
マスクとし、従来方法と同様にヒドラジンを含むエツチ
ング液でポリイミド層４をエツチングする。この時ボン
ディングパッド３の周辺部には、エツチングレートの遅
いポリイミド硬化層５が存在するため、オーバーエツチ
ングを行なってもサイドエツチング量は問題の無いレベ
ル、例えば２〜３μｍ以下に抑えることができる。
このように第１の実施例によれば、ボンディングパッド
３の周辺部はポリイミド硬化層５により保護されるため
、従来のように汚染物質が侵入することはなくなる。
３の周辺部はポリイミド硬化層５により保護されるため
、従来のように汚染物質が侵入することはなくなる。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための、半導体チップの断面図である。
るための、半導体チップの断面図である。
この第２の実施例に於いて、第１図における第１の実施
例と異なるところは、第２図（ａ）に示すように、レー
ザー光の照射をボンディングパッド３の周辺部だけでな
く、ボンディングパッド３上を除くポリイミド層全面に
照射することである。
例と異なるところは、第２図（ａ）に示すように、レー
ザー光の照射をボンディングパッド３の周辺部だけでな
く、ボンディングパッド３上を除くポリイミド層全面に
照射することである。
次で第２図（ｂ）に示すように、フオトレジス）［６を
マスクにボンディングパッド３上のポリイミド層４をエ
ツチングする。
マスクにボンディングパッド３上のポリイミド層４をエ
ツチングする。
の実施例と同様であるが、レーザー光照射の為の光学マ
スクとして、ボンディングパッド部開口のためのフォト
レジスト工程の光学マスクを使用できるという利点を有
する。
スクとして、ボンディングパッド部開口のためのフォト
レジスト工程の光学マスクを使用できるという利点を有
する。
以上説明したように本発明は、有機系絶縁膜を用いたパ
ッシベーション膜の製造方法において、少くともボンデ
ィングパッドの周辺部の有機系絶縁膜にレーザ光を照射
することにより、ボンディングパッド開口部のサイドエ
ツチング量が少なくできるため、工程歩留が良く信頼度
の高い集積回路の製造方法を得ることができる。
ッシベーション膜の製造方法において、少くともボンデ
ィングパッドの周辺部の有機系絶縁膜にレーザ光を照射
することにより、ボンディングパッド開口部のサイドエ
ツチング量が少なくできるため、工程歩留が良く信頼度
の高い集積回路の製造方法を得ることができる。
第１図及び第２図は、本発明の第１及び第２の実施例を
説明するための半導体チップの断面図、第３図は従来の
製造方法を説明するための半導体チップの断面図である
。 １・・・半導体基板、２・・・フィールド絶縁膜、３・
・・ボンディングパッド、４・・・ポリイミド層、５・
・・ポリイミド硬化層、６・・・フォトレジスト膜、７
．７Ａ・・・開口部、８・・・サイドエツチング部。
説明するための半導体チップの断面図、第３図は従来の
製造方法を説明するための半導体チップの断面図である
。 １・・・半導体基板、２・・・フィールド絶縁膜、３・
・・ボンディングパッド、４・・・ポリイミド層、５・
・・ポリイミド硬化層、６・・・フォトレジスト膜、７
．７Ａ・・・開口部、８・・・サイドエツチング部。
Claims (1)
- ボンディングパッドが形成された半導体基板表面に有機
系絶縁膜を塗布する工程と、該有機系絶縁膜を熱処理し
て硬化させる工程と、少くとも前記ボンディングパッド
の周辺部の硬化した前記有機系絶縁膜にレーザー光を照
射する工程とを含むことを特徴とする集積回路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26044189A JPH03120824A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26044189A JPH03120824A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120824A true JPH03120824A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17347982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26044189A Pending JPH03120824A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100550380B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2006-02-09 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP26044189A patent/JPH03120824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100550380B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2006-02-09 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 |
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