JPH0223955B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ素子の製造方法に関
する。

一般に、磁気バブルメモリ素子は第１図に示し
たように、磁気バブルを保持する磁性膜１
（Ga₃Gd₃O₁₂など非磁性基板１５上に形成されて
いる）上に、第１の絶縁膜２、導電体パターン
３、第２の絶縁膜４、バブルの転送や検出に用い
る軟磁性体パターン５などが順次積層して被着さ
れている。ここで第２の絶縁膜４は導電体パター
ン３による段差を緩和するためには高分子樹脂膜
を用いることが有効である。このような目的の高
分子樹脂膜は、溶媒にとかした原料をウエーハ上
に回転塗布し、これを加熱して固化させる（一般
には重合させる）ことにより形成される。このよ
うにして作製した高分子樹脂膜は第２図に示すよ
うに、ウエーハ６（非磁性基板１５上に、磁性ガ
ーネツト膜１、第１の絶縁膜２および導電体パタ
ーン３を第１図に示したように被着したもの）の
周縁部に高分子樹脂のもり上り７を生ずる。この
もり上り７は、後の工程で種々の幣害となる。例
えば、この後に行なわれるホトエツチング工程で
ホトマスクとウエーハの密着性をさまたげパター
ン不良の原因となる。また、蒸着やスパツタリン
グを行なう際には、このもり上り部分から剥離が
発生し、種種の欠陥が生ずる原因となる。

また、スクライブライン部分に高分子樹脂膜が
存在すると、チツプ切断時にこの部分から剥離が
発生しパターン欠陥の原因となる。

上記高分子樹脂膜形成後のウエーハとホトマス
クの密着性は非常に重要である。すなわち磁気バ
ブルメモリ素子は、第１図に示す如く、高分子樹
脂膜４上に軟磁性体パターン５を形成する必要が
あり、この軟磁性体パターン５の最小寸法は1μ
ｍと光学露光法によつて得られる寸法の限界に近
い。また、このパターン転写は密着露光により行
うが、ウエーハとホトマスクの密着性が悪いと、
1μｍのパターンを良好に形成することはほとん
ど不可能である。

本発明の目的は上記従来の問題を解決し、磁気
バブルメモリ素子を精度よく形成することのでき
る磁気バブルメモリ素子の製造方法を提供するこ
とである。上記目的を達成するため、本発明は高
分子樹脂膜形成後、ホトエツチングによりウエー
ハ周辺部およびスクライブライン部分の高分子樹
脂膜を除去するものである。

以上、本発明を詳細に説明する。

第３図は本発明の一実施例を示す工程図であ
り、高分子樹脂膜の所定部分を除去する工程を示
す。第３図ａに示すように、まず、ウエーハ６上
に高分子樹脂膜７としてポリイミド系樹脂膜を形
成し、さらにホトレジスト膜８としてAZ1350J
（シツプレイ社製商品名）の膜を形成する。

つぎに、所定のパターン１０を有するホトマス
ク９を介して上記ウエーハ６上に露光を行う。し
かる後、現像して、第３図ｂに示すように、レジ
ストパターン１２を形成する。このレジストパタ
ーン１２をマスクに用いて、酸素プラズマによつ
てポリイミド系樹脂７のエツチングを行ない露出
部分を除去する。レジストパターン１２をレジス
ト剥離剤J100（商品名）により除去し、第３図ｃ
に示すように、ポリイミド系樹脂のパターン１３
を形成する。ここでホトマスク上のパターン１０
は第４図に平面形状を示すようにウエーハ６の周
縁部およびスクライブライン部分１４が露光され
るパターンとなつているので、上記ホトエツチン
グによつて上記ウエーハの周縁部および上記スク
ライブライン部のポリイミド系樹脂膜は除去され
る。

このようにして、本発明によればウエーハ周縁
部の高分子樹脂のもり上り除去することができる
ので、後に行なわれるホトエツチング工程でのホ
トマスクとウエーハの密着性の向上に、極めて有
効である。また、スクライブライン部分の高分子
樹脂膜も上記ホトエツチングによつて同時に除去
されるので、実用上極めて有効である。すなわ
ち、後のホトエツチング工程でAZ1350J等のキノ
ンジアジド系ホトレジストを用いる場合、露光時
に窒素ガスがホトレジストより発生し、これがホ
トマスクとウエーハの間に介在して両者の密着を
阻害する。しかし、本発明によれば、第３図ｃに
示したようにスクライブライン部分１４に溝が存
在する場合、発生した窒素ガスはこの溝から外部
に放出されるので、密着性が低下することはな
い。

以上述べたように、本発明によればホトマスク
とウエーハの密着性が向上するため、後の工程で
の微細パターンの形成を容易に行うことができ
る。

なお、ウエーハ周縁部の高分子樹脂膜のもり上
りは通常のスピン塗布膜ではウエーハ端部より約
３mm以内に生ずる。したがつて、周縁のもり上り
を除去するためには、ウエーハ端部よりほぼ３mm
以上内側の領域の高分子樹脂膜を除去すれば良
い。

磁気バブルメモリ素子の製造工程において高分
子樹脂膜を除去することが望ましい領域は上記領
域の他にボンデイングパツドの直下部分および軟
磁性体によつて作られた検出器の直下部分があ
る。すなわち、ボンデイングパッドの直下部分に
高分子樹脂膜が存在するとボンデイングの信頼性
が著しく低下する。また、バブル検出器の部分で
は軟磁性パターンと磁性ガーネツト膜の距離が小
さい方が検出出力を大きくすることができ、同部
分の高分子樹脂膜を除去することが望ましい。こ
れらの部分の高分子樹脂膜の除去は上記本発明に
おけるホトエツチング工程により同時に行うこと
ができるので、本発明は、工程数を増加させるこ
となしに、ウエーハとホトマスクの密着性を向上
させることができ、磁気バブルメモリ素子を精度
よく形成するために極めて有用である。

なお、ウエーハ６は、スクライブライン１４の
部分で、スクライブされ、得られた各小片がそれ
ぞれ磁気バブルメモリ素子とに使用されることは
いうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリ素子の要部の断面構
造を示す図、第２図は高分子樹脂膜の盛り上りを
説明するための図、第３図は本発明の一実施例を
示す工程図、第４図はホトマスクの平面形状の一
例を示す図である。 １……磁性ガーネツト膜、２……第１の絶縁
膜、３……導電体パターン、４……第２の絶縁
膜、５……軟磁性体パターン、６……ウエーハ、
７……盛り上り、８……ホトレジスト膜、９……
ホトマスク、１０……マスクパターン、１２……
ホトレジストパターン、１３……高分子樹脂パタ
ーン、１４……スクライブライン部分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁性膜と、この磁性膜上に形成された第１の
   絶縁膜と導電体パターンよりなる積層構造と、こ
   の積層構造を覆うように設けられた第２の絶縁膜
   とを有し、この第２の絶縁膜がスクライブライン
   部分において除去されていることを特徴とする磁
   気バブルメモリ素子。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の磁気バブルメ
   モリ素子において、前記第２の絶縁膜は高分子樹
   脂よりなる磁気バブルメモリ素子。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載の磁気バブルメ
   モリ素子において、前記磁性膜は磁性ガーネツト
   よりなる磁気バブルメモリ素子。 ４ 下記の工程を含むことを特徴とする磁気バブ
   ルメモリ素子の製造方法。 (1) 磁性膜上に第１の絶縁膜および導電体パター
   ンの積層構造を形成する第１の工程 (2) 上記積層構造を覆うように設けられる第２の
   絶縁膜を形成する第２の工程 (3) 上記第２の絶縁膜の周辺部分およびスクライ
   ブライン部分を除去する第３の工程 ５ 特許請求の範囲第４項に記載の磁気バブルメ
   モリの製造方法において、前記第２の工程は第２
   の絶縁膜を高分子樹脂膜の塗布により形成する磁
   気バブルメモリ素子の製造方法。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載の磁気バブルメ
   モリ素子の製造方法において、前記第２の工程は
   高分子樹脂の回転塗布により行なう磁気バブルメ
   モリ素子の製造方法。 ７ 特許請求の範囲第４項に記載の磁気バブルメ
   モリ素子の製造方法において、前記磁性膜は磁性
   ガーネツトよりなる磁気バブルメモリ素子の製造
   方法。 ８ 特許請求の範囲第５項に記載の磁気バブルメ
   モリ素子の製造方法において、前記第３の工程の
   高分子樹脂膜の除去はホトエツチングにより行な
   う磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ９ 特許請求の範囲第１項に記載の磁気バブルメ
   モリ素子の製造方法において、前記第３の工程の
   前記第２の絶縁膜の周辺部分の除去は、その端部
   より少なくとも３mmの領域を除去する磁気バブル
   メモリ素子の製造方法。 １０ 特許請求の範囲第４項に記載の磁気バブル
   メモリ素子の製造方法において、前記第３の工程
   の前記第２の絶縁膜のスクライブライン部分の除
   去は、溝構造を形成する磁気バブルメモリ素子の
   製造方法。