JPS59211045A - ポジ型フォトレジストの露光方法 - Google Patents
ポジ型フォトレジストの露光方法Info
- Publication number
- JPS59211045A JPS59211045A JP58084923A JP8492383A JPS59211045A JP S59211045 A JPS59211045 A JP S59211045A JP 58084923 A JP58084923 A JP 58084923A JP 8492383 A JP8492383 A JP 8492383A JP S59211045 A JPS59211045 A JP S59211045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- protective film
- photomask
- resist
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路などの製造の際に適用される
ポジ型フォトレジストの密着露光方法に関する。
ポジ型フォトレジストの密着露光方法に関する。
従来から、半導体集積回路の製造に当っては、基板、例
えばシリコンウェハー上に形成されたフォトレジスト膜
にパターン描画を施す方法と（−ては、該フォトレジス
ト膜に微細パターンを有するフォトマスクを接触させ、
フォトマスク側から紫外線を照射して該微細パターンを
フォトレジスト膜に転写させる密着露光方法が採用され
ている。
えばシリコンウェハー上に形成されたフォトレジスト膜
にパターン描画を施す方法と（−ては、該フォトレジス
ト膜に微細パターンを有するフォトマスクを接触させ、
フォトマスク側から紫外線を照射して該微細パターンを
フォトレジスト膜に転写させる密着露光方法が採用され
ている。
このとき、フォトマスクの位置合わせの過程で、基板と
フォトマスクとの密着−離間操作を反復して行彦う。
フォトマスクとの密着−離間操作を反復して行彦う。
しかしながら、上記した密着露光方法においてフォトレ
ジストとしてポジ型レジストを用いた場合、該レジスト
の膜はその機械的強度が小さく、かつ、フォトマスクに
付着し易ずいという表面性状を有しているので、フォト
マスクと基板との位置合わせ過程で、ポジ型レジスト膜
に亀裂が発生したり、離間時にレジストの一部がフォト
マスクに付着して基板から剥離１−たりして、レジスト
パターンの乱れやフォトマスクの機能低下を招くという
問題が生ずる。
ジストとしてポジ型レジストを用いた場合、該レジスト
の膜はその機械的強度が小さく、かつ、フォトマスクに
付着し易ずいという表面性状を有しているので、フォト
マスクと基板との位置合わせ過程で、ポジ型レジスト膜
に亀裂が発生したり、離間時にレジストの一部がフォト
マスクに付着して基板から剥離１−たりして、レジスト
パターンの乱れやフォトマスクの機能低下を招くという
問題が生ずる。
このようなことから、最近では、基板上のポジ型レジス
ト膜の上に更にポリビニルアルコールを塗布してその保
護膜を形成し、フォトマスクの位置合わせに際してはフ
ォトマスクがポジ型レジスト膜に直接接触しないような
措置を施してから密着露光するという方法が提案されて
いる。
ト膜の上に更にポリビニルアルコールを塗布してその保
護膜を形成し、フォトマスクの位置合わせに際してはフ
ォトマスクがポジ型レジスト膜に直接接触しないような
措置を施してから密着露光するという方法が提案されて
いる。
しかしながら、この場合、たしかにポリビニルアルコー
ル保護膜の働きによって位置合わせ時におけるポジ型レ
ジスト膜の基板からの剥離現象は軽減されるものの、他
方では、ポリビニルアルコール保護膜の消泡性が劣るた
め、ポジ型レジスト膜へポリビニルアルコールを塗布す
る際に両者の膜間に気泡がとシ込まれてすい星状の塗布
むら、丸い泡の痕跡が残存することとなり、その結果、
位置合わせ時に気泡周辺のフォトレジスト膜に応力が集
中してクラックを発生したり、露光時に該気泡がフォト
レジストに転写されて欠陥を発生したりすることがある
。
ル保護膜の働きによって位置合わせ時におけるポジ型レ
ジスト膜の基板からの剥離現象は軽減されるものの、他
方では、ポリビニルアルコール保護膜の消泡性が劣るた
め、ポジ型レジスト膜へポリビニルアルコールを塗布す
る際に両者の膜間に気泡がとシ込まれてすい星状の塗布
むら、丸い泡の痕跡が残存することとなり、その結果、
位置合わせ時に気泡周辺のフォトレジスト膜に応力が集
中してクラックを発生したり、露光時に該気泡がフォト
レジストに転写されて欠陥を発生したりすることがある
。
本発明は、ポジ型レジスト膜と保護膜との間に気泡を発
生させ々い材料で保護膜を形成することによって、上記
した諸問題を解決することに成功したポジ型レジストの
密着露光方法の提供を目的とする。
生させ々い材料で保護膜を形成することによって、上記
した諸問題を解決することに成功したポジ型レジストの
密着露光方法の提供を目的とする。
本発明のポジ型フォトレジストの密着露光方法は、基板
上にポジ型レジスト膜を形成し、該レジスト膜上に所望
パターンを有するフォトマスクを、密着して載置したの
ち露光するポジ型フォトレジストの密着露光方法におい
て、該レジスト膜上に、ポリビニルピロリドン樹脂、メ
チルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体又はプル
ラン樹脂のいずれかから成る保護膜を形成し、しかる後
に、該保護膜上に所望パターンを有するフォトマスクを
密着して載置したのち露光することを特徴とする。
上にポジ型レジスト膜を形成し、該レジスト膜上に所望
パターンを有するフォトマスクを、密着して載置したの
ち露光するポジ型フォトレジストの密着露光方法におい
て、該レジスト膜上に、ポリビニルピロリドン樹脂、メ
チルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体又はプル
ラン樹脂のいずれかから成る保護膜を形成し、しかる後
に、該保護膜上に所望パターンを有するフォトマスクを
密着して載置したのち露光することを特徴とする。
本発明方法にあっては、まず、基板の上にポジ型レジス
ト膜を形成する。
ト膜を形成する。
基板としては、例えば、シリコン基板単独若しくはこの
基板を母材としここに酸化シリコン層を介して多結晶シ
リコン膜を形成したものをあげることができる。ポジ型
レジストとしては、フェノールノボラック樹脂をベース
としここにナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化
物、ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル化物のよ
うな感光剤を分散てせたもの、例えば、０ＦＰＲ−８０
０（商品名：東京応化（株）製）、ＡＺ −１３５０Ｊ
（商品名ニジツブレイ社製）をあげることができる。
基板を母材としここに酸化シリコン層を介して多結晶シ
リコン膜を形成したものをあげることができる。ポジ型
レジストとしては、フェノールノボラック樹脂をベース
としここにナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化
物、ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル化物のよ
うな感光剤を分散てせたもの、例えば、０ＦＰＲ−８０
０（商品名：東京応化（株）製）、ＡＺ −１３５０Ｊ
（商品名ニジツブレイ社製）をあげることができる。
膜形成は、かけながし法、浸漬法、回転塗布法、スプレ
ー塗布法、ローラ式塗布法など常用の方法で行なえばよ
い。
ー塗布法、ローラ式塗布法など常用の方法で行なえばよ
い。
つぎに、ポジ型レジスト膜の上に本発明にかかる保護膜
を形成する。
を形成する。
本発明における保護膜は、ポリビニルピロリドン樹脂、
メチルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体又はプ
ルラン樹脂のいずれかで構成されている。これらの膜は
いずれも極めて通気性に優れている。保護膜の厚みは、
いずれも１．０〜１Ｏ３０μｍ程度であればよい。
メチルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体又はプ
ルラン樹脂のいずれかで構成されている。これらの膜は
いずれも極めて通気性に優れている。保護膜の厚みは、
いずれも１．０〜１Ｏ３０μｍ程度であればよい。
膜形成に当っては、平均分子量がＮｏ、０００〜３ｆ５
０，０００のポリビニルピロリドン重合体の水溶液、メ
チルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体の水溶液
又は平均分子量５０，０００〜１，０００，０００のプ
ルラン樹脂の水溶液を常法によってポジ型レジスト膜の
上に塗布すればよい。
０，０００のポリビニルピロリドン重合体の水溶液、メ
チルビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体の水溶液
又は平均分子量５０，０００〜１，０００，０００のプ
ルラン樹脂の水溶液を常法によってポジ型レジスト膜の
上に塗布すればよい。
ついで、これら保護膜の上に、例えば透明ガラス基板上
にパターン状に金属クロムの薄膜、更にその上に酸化ク
ロムの薄膜を形成したもの、又はコロイド状銀をゼラチ
ン膜に分散させたガラス乾板のような所望のパターンを
有するフォトマスクを密着して露光する。
にパターン状に金属クロムの薄膜、更にその上に酸化ク
ロムの薄膜を形成したもの、又はコロイド状銀をゼラチ
ン膜に分散させたガラス乾板のような所望のパターンを
有するフォトマスクを密着して露光する。
実施例１
表面に１μｍの熱酸化膜を成長させたシリコンウェハー
上に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、商品名：
０ＦＰＲ−８００）を塗布して厚さＬ５ｐｍのレジスト
膜を形成し更に、このレジスト膜上に３チのポリビニル
ピロリドン樹脂溶液（ＧＡＦ社製、商品名：に−９０）
を塗布して厚さ約ｌｐｒ！Ｌの保護膜を形成した。次い
でこの保護膜にフォトマスクを密着−離間を１０回繰返
して位置合わせした後、フォトマスク側から紫外線露光
を施しフォトマスクの所望パターンを保護膜（レジスト
膜も含む）に転写させ、引き続き現像処理を施してシリ
コンウェハー上にレジストパターンを形成した。
上に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、商品名：
０ＦＰＲ−８００）を塗布して厚さＬ５ｐｍのレジスト
膜を形成し更に、このレジスト膜上に３チのポリビニル
ピロリドン樹脂溶液（ＧＡＦ社製、商品名：に−９０）
を塗布して厚さ約ｌｐｒ！Ｌの保護膜を形成した。次い
でこの保護膜にフォトマスクを密着−離間を１０回繰返
して位置合わせした後、フォトマスク側から紫外線露光
を施しフォトマスクの所望パターンを保護膜（レジスト
膜も含む）に転写させ、引き続き現像処理を施してシリ
コンウェハー上にレジストパターンを形成した。
保護膜形成後、気泡の数を測定した。発生気泡の数はゼ
ロであった。また、位置合せ後におけるレジスト膜の亀
裂、基板からの剥離等の欠陥を調べたところ略皆無であ
った。更には、形成されたレジストパターンの状態はパ
ターンの乱れもなく高精度であった。
ロであった。また、位置合せ後におけるレジスト膜の亀
裂、基板からの剥離等の欠陥を調べたところ略皆無であ
った。更には、形成されたレジストパターンの状態はパ
ターンの乱れもなく高精度であった。
実施例２
保護膜の材料が、１−のメチルビニルエーテＶ無水マレ
イン酸共重合体の水溶液（商品名： ＡＮ−６９、ＧＡ
Ｆ社製）であったことを除いては、実施例１と同様の方
法でレジストパターンを形成した。
イン酸共重合体の水溶液（商品名： ＡＮ−６９、ＧＡ
Ｆ社製）であったことを除いては、実施例１と同様の方
法でレジストパターンを形成した。
保護膜とレジスト膜間の発生気泡数、位置合わせ後のフ
ォトレジスト膜の欠陥、レジストパターンの状態はいず
れも実施例１と同様であった。
ォトレジスト膜の欠陥、レジストパターンの状態はいず
れも実施例１と同様であった。
実施例３
保護膜の材料が、７チのプルラン樹脂溶液（商品名：Ｐ
Ｆ２０、林原（株）製、平均分子量２００，０００）で
あったことを除いては、実施例１と同様の方法でレジス
トパターンを形成した。
Ｆ２０、林原（株）製、平均分子量２００，０００）で
あったことを除いては、実施例１と同様の方法でレジス
トパターンを形成した。
保護膜とレジスト膜間の発生気泡数、位置合わせ後のフ
ォトレジスト膜の欠陥、レジスト膜くターンの状態はい
ずれも実施例１と同様であった。
ォトレジスト膜の欠陥、レジスト膜くターンの状態はい
ずれも実施例１と同様であった。
比較例
実施例１と同様なシリコンウエノ・−上のレジスト膜に
、ポリビニルアルコール（東京応化社Ｍ：ｏｐｓ ）を
塗布して厚さ１μｍの保護膜を形成したのち、実施例１
と同様にして、フォトマスクの位置合わせ、紫外線露光
、現像処理を施して、シリコンウェハー上にレジストパ
ターンを形成した。
、ポリビニルアルコール（東京応化社Ｍ：ｏｐｓ ）を
塗布して厚さ１μｍの保護膜を形成したのち、実施例１
と同様にして、フォトマスクの位置合わせ、紫外線露光
、現像処理を施して、シリコンウェハー上にレジストパ
ターンを形成した。
保護膜とレジスト膜間の発生気泡数はｏ、 ｓ ５ ＠
／ｃｒｌであり、また保護膜は塗布むらの大きいもので
あった。位置合わせ後の欠陥数は０．４個／ＣＩ！であ
り、更に形成されたレジストパターンにはノくターン乱
扛が生じ精度も低かった。
／ｃｒｌであり、また保護膜は塗布むらの大きいもので
あった。位置合わせ後の欠陥数は０．４個／ＣＩ！であ
り、更に形成されたレジストパターンにはノくターン乱
扛が生じ精度も低かった。
以上の説明で明らかなように、本発明方法によれば、ポ
ジ型フォトレジスト膜上に保護膜を形成する際にこれら
膜間に気泡がとシこオれることを防止することができる
ので、フォトマスクの位置合わせ時にこの気泡を原因と
して発生する、ポジ型フォトレジスト膜の亀裂、基板か
らの剥離、解像度低下々どの欠陥を防止し、もってポジ
型フォトレジスト本来の解像性能を維持することができ
、量産性に優れるとともに実用性が高くその工業的価値
は大である。
ジ型フォトレジスト膜上に保護膜を形成する際にこれら
膜間に気泡がとシこオれることを防止することができる
ので、フォトマスクの位置合わせ時にこの気泡を原因と
して発生する、ポジ型フォトレジスト膜の亀裂、基板か
らの剥離、解像度低下々どの欠陥を防止し、もってポジ
型フォトレジスト本来の解像性能を維持することができ
、量産性に優れるとともに実用性が高くその工業的価値
は大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にポジ型レジスト膜を形成し７、該レジスト膜上
に所望パターンを有するフォトマスクを密着して載置し
たのち露光するポジ型フォトレジストの密着露光方法に
おいて、 該レジスト膜上に、ポリビニルピロリドン樹脂、メチル
ビニルエーテル／無水マレイン酸共重合体又はプルラン
樹脂のいずれかから成る保護膜を形成し、しかる後に、
該保護膜上に所望パターンを有するフォトマスクを密着
（７て載置したのち露光することを特徴とするポジ型フ
ォトレジストの密着露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084923A JPS59211045A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | ポジ型フォトレジストの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084923A JPS59211045A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | ポジ型フォトレジストの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211045A true JPS59211045A (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=13844219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084923A Pending JPS59211045A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | ポジ型フォトレジストの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108056A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0738929A2 (en) * | 1995-04-19 | 1996-10-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photopolymerizable sensitive material |
| JP2008532067A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 改善された性能を有する液浸トップコート材料 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114977A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of contact exposing positive photo resist |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP58084923A patent/JPS59211045A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114977A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of contact exposing positive photo resist |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02108056A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0738929A2 (en) * | 1995-04-19 | 1996-10-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photopolymerizable sensitive material |
| EP0738929A3 (en) * | 1995-04-19 | 1997-10-01 | Mitsubishi Chem Corp | Light-curing and photosensitive material |
| JP2008532067A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 改善された性能を有する液浸トップコート材料 |
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