JPS5841765B2 - フオトマスク材の傷修復方法 - Google Patents
フオトマスク材の傷修復方法Info
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- JPS5841765B2 JPS5841765B2 JP51097269A JP9726976A JPS5841765B2 JP S5841765 B2 JPS5841765 B2 JP S5841765B2 JP 51097269 A JP51097269 A JP 51097269A JP 9726976 A JP9726976 A JP 9726976A JP S5841765 B2 JPS5841765 B2 JP S5841765B2
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトエツチング工程で使用されるフォトマ
スクのガラス板に生じた傷を修復スル方法に関する。
スクのガラス板に生じた傷を修復スル方法に関する。
半導体装置の製造におけるフォトエツチングは、たとえ
ば半導体基板上の二酸化シリコン薄膜上にフォトレジス
トパターンを形成し、これをマスク材として二酸化シリ
コン薄膜を選択エツチングする。
ば半導体基板上の二酸化シリコン薄膜上にフォトレジス
トパターンを形成し、これをマスク材として二酸化シリ
コン薄膜を選択エツチングする。
そしてフォトレジストのパターンを形成するには、二酸
化シリコン薄膜の上にフォトレジストを塗布した後、ガ
ラス板に不透光薄膜でパターンを形成したフォトマスク
材を密着させて露光し、現像工程で不要な部分のフォト
レジストを溶解する。
化シリコン薄膜の上にフォトレジストを塗布した後、ガ
ラス板に不透光薄膜でパターンを形成したフォトマスク
材を密着させて露光し、現像工程で不要な部分のフォト
レジストを溶解する。
ところで、フォトマスクに傷等の欠陥があった場合、そ
の欠陥は露光によりフォトレジスト上に焼き付けられて
現像によりその欠陥がフォトレジストパターンに転写さ
れる。
の欠陥は露光によりフォトレジスト上に焼き付けられて
現像によりその欠陥がフォトレジストパターンに転写さ
れる。
そしてフォトレジストパターンに欠陥かめるママ選択エ
ツチングを行なった場合、半導体装置が不良製品となっ
て歩留りが低下する。
ツチングを行なった場合、半導体装置が不良製品となっ
て歩留りが低下する。
このため、従来はフォトマスクのガラス板に傷が発見さ
れた場合には、その部分を研磨により削り取っていた。
れた場合には、その部分を研磨により削り取っていた。
しかしながら、このような方法で傷を修復すると、ガラ
ス板の一部が窪むので、露光の際この部分で光が異常屈
折し、フォトレジストに正確なパターンが転写されなか
ったり、またその窪みが転写されるような場合がある。
ス板の一部が窪むので、露光の際この部分で光が異常屈
折し、フォトレジストに正確なパターンが転写されなか
ったり、またその窪みが転写されるような場合がある。
本発明は、上述の如き従来の欠点を改善する新規な発明
で、その目的はフォトマスクのガラス板の傷を修復して
もその痕跡が転写されないようなフォトマスク材の傷修
復方法を提供することにある。
で、その目的はフォトマスクのガラス板の傷を修復して
もその痕跡が転写されないようなフォトマスク材の傷修
復方法を提供することにある。
その目的な達成せしめるため、本発明のフォトマスク材
の傷修復方法は、ガラス基板上に不透光のパターンを形
成したマスク材のガラス基板に生じた傷部分にガラス基
板と屈折率がほぼ等しい透明物質な被着した後、傷部分
を研磨により平担にすることを特徴とするもので、以下
実施例について詳細に説明する。
の傷修復方法は、ガラス基板上に不透光のパターンを形
成したマスク材のガラス基板に生じた傷部分にガラス基
板と屈折率がほぼ等しい透明物質な被着した後、傷部分
を研磨により平担にすることを特徴とするもので、以下
実施例について詳細に説明する。
第１図は、フォトマスク材の断面図であり、同図におい
て、１はガラス基板、２はガラス基板１０表面に形成し
た不透光のパターンで、普通アルミニウムやクロムの薄
膜で形成されている。
て、１はガラス基板、２はガラス基板１０表面に形成し
た不透光のパターンで、普通アルミニウムやクロムの薄
膜で形成されている。
３および４はガラス基板１の裏面に生じた傷である。
このような欠陥を持ったフォトマスク材の表側（パター
ンを形成した側）をフォトレジスト膜に密着させ、上か
ら光を照射した場合、傷３は不透光のパターン２のため
にその欠陥はフォトレジストに転写されないが、傷４は
転写される。
ンを形成した側）をフォトレジスト膜に密着させ、上か
ら光を照射した場合、傷３は不透光のパターン２のため
にその欠陥はフォトレジストに転写されないが、傷４は
転写される。
そこで、この傷４が数〔μ扉〕程度の深さの場合には、
１ず第２図のように傷４の１わりを残し、その他の部分
にフォトレジスト５を被着する。
１ず第２図のように傷４の１わりを残し、その他の部分
にフォトレジスト５を被着する。
次にスパッタリングなどの技術を用いて第３図のように
ガラスの薄膜６を数〔μｍ〕の厚さに付着させた後、フ
ォトレジスト５を剥離してその上に被着したガラスの薄
膜を除去する。
ガラスの薄膜６を数〔μｍ〕の厚さに付着させた後、フ
ォトレジスト５を剥離してその上に被着したガラスの薄
膜を除去する。
続いて傷４の上に付着したガラスの薄膜を研磨により削
り落して第４図のようにガラス基板の裏面な平担にする
。
り落して第４図のようにガラス基板の裏面な平担にする
。
次に、傷４の深さが数十〔μ扉〕以上あり、スパッタリ
ングなど現在のイオン工学的表面処理技術ではその傷を
埋めることができない場合には、次のようにしてその傷
を埋める。
ングなど現在のイオン工学的表面処理技術ではその傷を
埋めることができない場合には、次のようにしてその傷
を埋める。
すなわち、第２図に示したように、傷４のまわりを残し
、その他の部分にフォトレジスト５を被着した後、水ガ
ラスを塗布しこれを乾燥してガラス状に固化せしめた後
、フォトレジスト５を剥離し、前記実施例と同様研磨に
より固化した水ガラスを削り取り、ガラス基板１の裏面
を平担にすればよい。
、その他の部分にフォトレジスト５を被着した後、水ガ
ラスを塗布しこれを乾燥してガラス状に固化せしめた後
、フォトレジスト５を剥離し、前記実施例と同様研磨に
より固化した水ガラスを削り取り、ガラス基板１の裏面
を平担にすればよい。
なお、上記実施例は、フォトエツチングの際に用いるフ
ォトマスク材の傷の修復について説明したが、フォトマ
スク材のパターンを形成する場合に使用されるレチクル
の修復にも本発明を用いることができることは勿論のこ
とである。
ォトマスク材の傷の修復について説明したが、フォトマ
スク材のパターンを形成する場合に使用されるレチクル
の修復にも本発明を用いることができることは勿論のこ
とである。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、フォトマ
スク材のガラス板の傷を、ガラス板と屈折率がほぼ等し
い物質で埋め、余分な物質を削り取るようにしたので、
何らガラス板の平担性はそこなわれず、會た傷を埋めた
部分とガラス部分との間に屈折率の差による光の屈折が
起らないので傷の痕跡は全く転写されず、ガラス板の傷
を元の通りに修復することができる。
スク材のガラス板の傷を、ガラス板と屈折率がほぼ等し
い物質で埋め、余分な物質を削り取るようにしたので、
何らガラス板の平担性はそこなわれず、會た傷を埋めた
部分とガラス部分との間に屈折率の差による光の屈折が
起らないので傷の痕跡は全く転写されず、ガラス板の傷
を元の通りに修復することができる。
第１図〜第４図は本発明の修復方法を説明するための工
程断面図である。 図において、１はガラス基板、２は不透光のパターン、
３および４は傷、６はガラスの薄膜である。
程断面図である。 図において、１はガラス基板、２は不透光のパターン、
３および４は傷、６はガラスの薄膜である。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に不透光のパターンを形成したマスク
材のガラス基板に生じた傷部分にガラス基板と屈折率が
ほぼ等しい透明物質な被着した後、傷部分を研磨により
平担にすることを特徴とするフォトマスク材の傷修復方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51097269A JPS5841765B2 (ja) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | フオトマスク材の傷修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51097269A JPS5841765B2 (ja) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | フオトマスク材の傷修復方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5322369A JPS5322369A (en) | 1978-03-01 |
| JPS5841765B2 true JPS5841765B2 (ja) | 1983-09-14 |
Family
ID=14187801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51097269A Expired JPS5841765B2 (ja) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | フオトマスク材の傷修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841765B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656073U (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-02 | オーチス エレベータ カンパニー | 昇降路内保護板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010170011A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Hoya Corp | フォトマスクの修正方法 |
-
1976
- 1976-08-13 JP JP51097269A patent/JPS5841765B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656073U (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-02 | オーチス エレベータ カンパニー | 昇降路内保護板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5322369A (en) | 1978-03-01 |
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