JPH03113748A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、光露光方式におけるフォトマスクの製造方法
に関するものである。

［従来の技術］ 従来、情報記録媒体成形用スタンバ−は１通常特開昭６
１−２８４８４３号公報、実開昭５８−１４１４３５号
公報、光デイスクプロセス技術の要点Ｎｏ５　（日本光
業技術センター発行）に記載されているように製造され
ている。

具体的に述べると、第３図の（ａ）〜（ｅ）に示すよう
に、まずガラス基板９の表面にフォトレジスト８を塗布
し、この上にトラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸
の微細パターン８′を形成することによってガラス原ｇ
１６を得る。

次に、この表面に導電化１ｉ１１を形成した後電鋳法に
より金属膜１２を形成させ、これら導電化１！１ｌｌｌ
、及び金属膜１２を一体として同時にガラス原ｇｉ６か
ら剥離させ、情報記録媒体成形層スタンバ−（マザー、
マスター）１３を製造している。

ところで−船釣な電鋳法（Ｅｌｅｃｔｒｏ　ｆｏｒｌｎ
ｇ）のプロセスは上述した通りであるが、ガラス原ｉ６
を得るために、トラッキング用溝、情報用ピット等に相
当する凹凸の微細パターン８′の形成は、Ａｒレーザー
等のレーザービームな用いるレーザー露光法や特開昭６
２−１８７１４３号公報に記載されているようなフォト
マスクを用いるマスク露光法によって行なわれている。

このマスク露光法は大面積の露光な回持に行なうことが
できるため量産に適した方法である。

ところでこのフォトマスクの製造工程は通常第２図に示
す工程を有している。即ち、マスク基板１に、Ｃｒ等の
露光光を通過させない遮光性薄膜２を蒸着、スパッタリ
ング等で成膜し、上記薄膜２上にスピンナー等によりフ
ォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜３
を形成する。つぎに上記フォトレジスト膜３を露光、現
像してレジストパターン４を形成する。

次に上記薄膜２をトライ又はウェットでエツチングし、
最後にフォトレジスト膜３を剥離剤で除去して、マスク
パターン５を有するフォトマスクを形成する。

しかし、上述した方法により製造されたフォトマスクで
は、洗浄工程等でマスクパターンの剥離が生ずる為に欠
陥が発生し易いという欠点があった。さらに、Ｃｒ等の
露光光を通過させない薄膜（約１０００程度度の膜厚）
が、密着面に凹凸を形成するため、完全な密着状態で露
光できないという欠点もある。一方近年、高密度記録化
に伴いマスクパターンの微細化が要求されている為、露
光面に密着させることができるように遮光部をマスク基
材中に埋込んだフォトマスクが考案されている。しかし
マスク基板上にレジストパターンを形成し、マスク基材
の異方性エツチングを行なった後、遮光性薄膜を成膜し
た場合、第５図（ａ）に示すようにレジストの側面に遮
光性薄膜が付着し、レジストの剥離後も、レジストの側
面に付着していた遮光性薄膜が残り、フォトマスクの表
面が平面とならず密着露光に適したフォトマスクが得ら
れない。

そこでこれを解決するために公開特許公報昭６２−２３
１９６０、昭６２−２３１９５９には第４図（ａ）〜（
ｆ）に示すように、マスク基板上にフォトレジストを塗
布しくａ）、フォトレジスト膜を形成した後、露光・現
像を行ない微細パターンを形成する（ｂ）。さらに異方
性エツチングした後（Ｃ）、等方性エツチングを行ない
（ｄ）、エツチング部分にＣｒ、Ｔａ等の遮光性薄膜を
形成しくｅ）１次いでフォトレジストを除去してフォト
マスクを得る（ｆ）、という方法も考えられている。

しかしながら、第４図に示されるように、マスク基板上
にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト膜を形成し
た後、露光・現像を行ない、微細なレジストパターンを
形成する。さらに異方性エツチングを行ない、エツチン
グ部分にＣｒ、Ｔａ等の遮光性薄膜を形成することによ
り、フォトマスクを製造すると、工程中に等方性エツチ
ングの工程を含むため、第５図（ｂ）及び（Ｃ）に示さ
れるように、サイドエツチング部分が形成されてしまう
。そのため、次のような欠点がありた。

（１）密着露光する際に、サイドエッチ部分にフォトレ
ジストが付着しやすく、付着したフォトレジストは洗浄
が困難である。

（２）フォトレジストが付着するため、正確な密着露光
が困難である。又、付着したフォトレジストが、ガラス
基板上のフォトレジスト膜を剥離させ、凹凸の微細パタ
ーンに欠陥を発生させる。

［発明が解決しようとしている問題点］本発明は上記問
題点に鑑みなされたものであって、本発明は微細パター
ンの正確な露光かでき、又長寿命のフォトマスクの製造
方法を提供することを目的とするものである。

即ち、本発明によれば、サイドエツチング部分が少なく
露光面に密着させたときにフォトレシストの付着が少な
いため、長寿命のフォトマスクを得ることができ、又密
着面に凹凸がないため、高精度のパターンの露光かでき
るフォトマスクを得ることができるものである。

［問題点を解決するための手段］ 即ち本発明のフォトマスクの製造方法は基板にパターン
状に遮光部が埋込まれたフォトマスクの製造方法に於て
マスク基板上にレジストパターンを形成し、該基板のエ
ツチングを行なって溝を形成する工程、該マスク基板上
の溝形成面に遮光性薄膜を少なくとも溝が埋まる厚さに
形成する工程。該遮光性薄膜上にフォトレジストを塗布
、選択的に露光・現像し溝部上に形成したレジスト膜が
残るようにレジストパターンを形成する工程、次いで該
レジスト膜及び非溝部の遮光性薄膜のエツチングを行な
って、該基板の溝形成面を平面にする工程を有すること
を特徴とするものである。

以下、本発明を図を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明のフォトマスクの製造方法の一実施態様
を示す工程図である。

同図において、ｌは石英またはガラス等からなる透光性
のマスク基板、３はこのマスク基板に凹凸の微細パター
ンを施すためのフォトレジスト膜、４は密着露光又はレ
ーザービーム露光を施し現像することで得られるスパイ
ラル、同心円状又は、ストライプ状のレジストパターン
である。

２はマスク基板上にスパッタリング、蒸着等の手法で形
成される。Ｃｒ、Ｔａ、Ａ見等の露光光を通過させない
薄膜、１０は露光光を通過させない薄膜２に、窒素雰囲
気中で、レーザー光を照射することで得られる、露光光
を通過させない窒化薄膜、１４は窒化を施すためのレー
ザー光、５は情報記録媒体成形用スタンバ−等の製作に
用いられるマスクパターンである。

第１図に於てまず工程（ａ）ではマスク基板上にフォト
レジスト膜を形成する。マスク基板の材質としては通常
用いられるものを使用することができるが、例えば石英 等が挙げられる。

次に工程（ｂ）に於て、レーザーカッティング装置や密
着露光装置を用いて選択的に露光し、現像することによ
り、レジストパターン４を形成する。

工程（Ｃ）では、レジストパターン４の非形成部（マス
ク基板ｌの露出部分）をエツチングし、残留レジストを
除去し、溝付きのマスク基板１を得る。マスク基板に形
成する溝の深さは本発明のフォトマスクの遮光部の厚さ
となり、この遮光部が十分に露光光を反射し且つ露光光
の回折を抑えるために５００〜３０００人が好ましい。

次に工程（ｄ）では、第２図（ｂ）に示したガラス原盤
６を作成する際に使用する露光光を透過させない遮光性
薄膜２をマスク基板の溝形成面上に形成する。この遮光
性薄膜２の材料としては例えばＡｆＬ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｎｉ。

Ｆｅ等を用いることができ、又その厚さはマスク基板に
形成された溝が埋まるような厚さに形成するのが好まし
い。

工程（ｅ）では遮光性薄膜２上に、フォトレジスト膜３
を形成した後、選択的に露光現像を行なって第１図（ｆ
）に示されるようにマスクパターン上に形成した、レジ
スト膜が残るようにレジストパターンを形成する。

最後に工程（ｇ）に於て、露出した遮光性薄膜２のエツ
チングを行ない残ったレジストの除去を行なって、マス
ク基板の溝形成面を平面として溝部の遮光性薄膜がエツ
チングされないで残った密着露光に適したフォトマスク
を得ることができる。

［実施例］ 以下実施例を用いて、本発明を更に詳細に説明する。

［実施例１］ マスク基板１として石英ガラスを用い、基板上にフォト
レジスト（商品名ＡＺ−１３００＜、　ｔ、ｃｐ　；ヘ
キストジャバン）を用い、レジスト：シンナ＝１＝２の
重量比で希釈した塗布溶液を、スピンす一回転速度２５
００ｒｐｍ　〜３０００ｒｐｍで塗布し、１０００〜１
５００人のレジスト膜を形成した。

次いて密着露光装置（商品名ＰＬＡ−５０２ＦＡ　、キ
ャノン製）を用いて、光デイスク用基板に形成する幅０
．６ｇｍ、ピッチ！、６　、ｍのスパイラル状のトラッ
ク溝のパターンを露光して現像液（商品名ＡＺ−：１１
２ＭＩＦ　、ヘキストジャパン製）で現像した。次いで
マスク基板ｌの露出部分をフッ素とフッ化アンモニウム
の混合液（重量比ｌニア）でエツチングした後、リムー
バー（商品名ＡＺ−１００、ヘキストジャバン製）で残
りのレジストを剥離することにより幅０．６ＪＬｍ、ピ
ッチ１．６ｕＬｍ、深さ１０００人のスパイラル状の溝
をマスク基板に形成した。次いでマスク基板の溝形成面
上にクロムを厚さ１０００人に蒸着して遮光性薄膜とし
た後、その上にフォトレジスト膜を厚さ３０００人に形
成した。

次に溝部分に形成した遮光性薄膜上のフォトレジスト膜
に選択的にＡｒレーザーを照射して現像することにより
１、マスクパターン５の上にレジストパターンを形成し
た。次いで、クロムのエツチング液（硝酸セリウム第２
アンモニウム：過塩素酸：水＝　１７：５：２０）で露
出している遮光性８８２をエツチングし次いでマスクパ
ターン５上のレジストパターンを除去して表面が平面で
遮光部にサイドエツチングの無いフォトマスクを得た。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明のフォトマスク
の製造方法によれば、次のような顕著な効果を奏するこ
とができる。

（１）マスクパターンの剥離が発生し難く、信頼性の高
い長寿命なフォトマスクを提供することができる。

又、Ｃｒ等の露光光を通過させない薄膜が密着面に凹凸
を形成しないため、完全な密着状態で露光ができる。

（２）サイドエッチ部分が発生しないため、密着露光す
る際にサイドエッチ部分にフォトレジストが付着するこ
とがなく、洗浄が容易である。

又、サイドエッチ部にフォトレジストが付着することが
原因で起こる、ガラス基板上のフォトレジスト膜の剥離
がなくなり、凹凸の微細パターンに欠陥を発生させるお
それがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のフォトマスクの製造方法を示す工程説
明図、 第２図は従来のフォトマスクの製造工程を示す説明図、 第３図は電鋳法による情報記録媒体用基板成形用スタン
バ−の製造方法を示す工程説明図、第４図は従来のフォ
トマスクの製造方法を示す工程説明図、 第５図は従来の製造方法で作成されたフォトマスクの断
面図である。 ｌ：マスク基板 ２：遮光性薄膜 ３：フォトレジスト膜 ４ニレジストパターン ５：マスクパターン ６：ガラス原盤 ７：サイトエッチ部 ８：フォトレジスト ８′　ニレジストパターン ９ニガラス基板 １１：導電化膜 １２：金属膜 １３：情報記録媒体成形用スタンバ− １４：レーザ光 （り） １１　Ｗ　ｕ　ｈＪ　１ｆｆｌ　ｕ　ｔ＆　！＄　　　
１第５７ （α）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板にパターン状に遮光部が埋込まれたフォトマ
   スクの製造方法に於てマスク基板 上にレジストパターンを形成し、該基板の エッチングを行なって溝を形成する工程、 該マスク基板上の溝形成面に遮光性薄膜 を少なくとも溝が埋まる厚さに形成する工 程、 該遮光性薄膜上にフォトレジストを塗 布、次いで選択的に露光・現像し溝部の遮 光性薄膜上のフォトレジスト膜が残るよう にレジストパターンを形成する工程、 次いで該レジスト膜及び非溝部の遮光性 薄膜のエッチングを行なって、該基板の溝 形成面を平面にする工程、 を有することを特徴とするフォトマスクの 製造方法。