JPS5936597B2 - 凹凸画像の形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は凹凸画像の形成方法に関するものであつて、レ
ーザ光などのエネルギービームによる記録部材の部分的
除去と、エツチングなどによる、上記記録部材に隣接し
た他の記録部材の部分的除去とを組合わせた凹凸画像の
形成方法に関するものである。

従来、薄膜にたとえばレーザ光（場合によつては電子ビ
ーム）などのエネルギービームを照射して照射部分に窪
み（凹部）を形成し、記録を行なう場合の薄膜を構成す
る材料として、無機材料としてはＢｉ，Ｂｉ−Ｓｅ系材
料、ＣｄｌＧｅ，，Ｔｅ８，−λ（ＰｂＩ２）λ（０〈
λ〈７）などが知られている。

これらは特定の用途については確かに有用な材料である
が、ＢｉやＢｉ−Ｓｅ系材料の場合には凹部の形状（特
に輪郭）が乱れる、Ｃｄの場合には平担な膜を蒸着する
のが困難である、という欠点を持つために、たとえば高
密度画像記録光デイスク用など、蒸着膜の平担度や、凹
部の形状が、信号対雑音比に大きな影響を持つ用途に対
しては、実用上問題があつた。また、形成した凹凸画像
からレプリカを形成し、凹凸面から反射する光の位相差
を利用して読出しを行なうには、１０００人程度の凹凸
が必要であり、Ｂｉなどの記録用部材を用いてこのよう
に深い凹部を形成すると、凹部の形状はさらに乱れやす
くなる。

上記の困難を克服するために、次のような方法が特許公
開公報昭５０−６２４０２および昭５０一６２４０３に
述べられている。

すなわち、まずＢｉ薄膜をガラス基板上に形成してこれ
に穴あけによる記録を行なう。次にその上にネガタイプ
のフオトレジストを塗布し、ガラス基板側からＢｉ薄膜
をマスクとしてフオトレジストを露光し、現像して十分
な深さの凹凸画像を得る方法である。本発明者等の実験
によると、この方法は完全な密着露光となつているので
、フオトレジストの記録特性を表わすγが小さいにもか
かわらず、鋭い段差を持つた凹凸画像が得られる。しか
し、マスクとなるＢｉ薄膜に形成された凹部の形状が乱
れているので、十分良好な凹部の形状は得られない。し
たがつて本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、良好な凹凸画像の形成方法を提供することにある。
本発明においては、有機材料等による凹凸画像形成と、
新規な無機物薄膜を用いたエネルギービームによる直接
画像形成の利点を結合させ、高品質の凹凸画像形成を行
なわせる。

本発明による凹凸画像形成法は、透光性基板上に第１の
材料から成る第１層の薄膜を形成する工程と、上記第１
層薄膜にエネルギービームを照射し、前記第１層薄膜に
開口部を形成する［程と、上記開１コ部によつて露出せ
しめられた上記基板表面上及び前記第１層薄膜上に、露
光・現像により凹部を形成し得る第２の材料から成る第
２層の薄膜を形成する工程と、前記基板側より前記第１
層薄膜及び上記第２層薄膜を光照射する工程と、前記第
２層薄膜の、上記光照射後可溶である部分を除去する工
程とを有することを特徴としている。

第１の材料としては、（１）Ｔｅを原子数パーセントで
５０パーセント以上含有する、Ａｓ−Ｔｅ系材料、Ｓｅ
−Ｔｅ系材料、Ｔｌ−Ｔｅ系材料、（２）Ｔｅを原子数
パーセントで７０パーセント以上含有する、Ｇｅ−Ｔｅ
系材料Ｃｄ−Ｔｅ系材料、Ｚｎ−Ｔｅ系材料、（３にれ
らの混合材料、及び（４）上記の各材料に少量の他元素
、たとえばＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｓｎ
，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓ，Ｏ及びＩなどから選ばれ
た少なくとも一元素を含有し、実質的に前記各材料とみ
なし得る材料、などの酸性溶液に可溶な無機材料、及び
、（５）Ｓｅ，（６）Ｓｅを原子数パーセントで５０パ
ーセント以上含有する、Ｓｂ−Ｓｅ系材料、Ａｓ−Ｓｅ
系材料、Ｇｅ−Ｓｅ系材料、Ｉｎ一Ｓｅ系材料、Ｔｌ−
Ｓｅ系材料、Ｓｉ−Ｓｅ系材料、（７）Ｓｅを原子数パ
ーセントで３０パーセント以上含有し、且つ、Ｇａ，Ｓ
ｎ，Ｓの少なくとも一元素を合計量として、原子数パー
セントで２０パーセント以上含有する材料、（８にれら
の混合材料、及び（９）上記の各材．料に、Ｃｕ，Ａｇ
，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｏ，及び
Ｉなどから選ばれた少なくとも一元素を含有し、実質的
に前記各材料とみなせる材料、などのアルカリ性溶液に
可溶な無機材料が用いられる。これら第１の材料は．深
い凹部を形成しても、その凹部の形状が乱れず、高品質
の凹凸画像形成に適している。

第２の材料としては、（ハネガ形フオトレジストあるい
はエネルギービーム照射によりアルカリ性溶液に溶けに
くくなる材料、及び（２）ポジ形フオトレジストあるい
はエネルギービーム照射によりアルカリ性溶液に溶け易
くなる材料が用いられる。

ネガ形のフオトレジストとしては、たとえばＰＶＡ（ポ
リビニルアルコール）−ケイ皮酸エステル、還化ゴムビ
スアジド、光硬化性ナイロン等を含む各種のものを用い
ることができる。また、その他の、エネルギービーム照
射によりアルカリに溶けにくくなるものとして、例を掲
げるならばたとえばＡｓ２ｓ３，Ａｓ２４ｓ７ＯＴｅ６
，Ａｓｌ６ｓ８ＯＴｅ４，ＡｓｌＯｓ８６Ｔｅ４，Ａｓ
２Ｏｓ６Ｏｓｅ２Ｏ，９Ａｓ２Ｓｅ３゜ＡＳ２Ｔｅ３な
どと、Ｚｎ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｂ
ｉ，Ｔｅなどの金属または半導体との多層膜・およびＡ
ｓ４Ｏｓｅｌ５ｓ３５ＧｅｌＯの組成の膜などが知られ
ており、これらを用いることができる。ポジ形のフオト
レジストとしては、たとえばナフトキノンジアジド、環
状スルホニウム過塩素酸塩、キノリンキノンジアゾ化合
物、石灰ロジンなどを含む各種のものを用いることがで
きる。

その他のエネルギービーム照射によつてアルカリに溶け
やすくなるものとしては、Ｓｃ７５Ｇｅ２５，ｓｅ６７
Ｇｅ３３，ＡｓｌＯｓｅ６７・５Ｇｅ２２・５，Ａｓ３
０ｓｅ５２．５Ｇｅ１７．５などの組成の膜を熱処理し
たものなどが知られており、用いることができる。第１
図及び第２図は、本発明に抽ける第１層薄膜の一例の溶
解性を示す図である。

第１図は、ＡＳ２ＯＳｅ８Ｏ−ＸＴｅｘ（８０≧Ｘ≧０
）という組成の、厚さ約４００λの膜を３０重量パーセ
ントＨＮＯ３水溶液に５分間入れた場合について、溶解
膜厚の面内での平均値の、組成依存性を示したものであ
つて、Ｔｅを原子数パーセントで５０パーセント以上含
めば、硝酸に溶けやすいことがわかる。

第２図は、Ａｓ２ＯＳｅｘＴｅ８Ｏ−ｘ（８０≧ｘ≧０
）という組成の、厚さ約４００λの膜を、２０モルパー
セントのＮａＯＨ水溶液に５分間入れた場合について、
溶解膜厚の面内での平均の、組成依存性を示したもので
あつて、Ｓｅを原子数パーセントで５０パーセント以上
含むものはＮａＯＨ水溶液に溶けやすいことがわかる。

本発明の方法は、透明基板上に前記第１の材料を蒸着し
て第１層薄膜を形成し、次いで上記第１層薄膜にエネル
ギービームを照射して所望の凹部を形成した後、前記第
２の材料から成る第２層薄膜を形成する。

しかる後、上記透明基板側から前記第１層薄膜及び上記
第２層薄膜に光照射し、前記第２層薄膜の所望の可溶化
部分を除去するのであるが、前記第２の材料の選択によ
り、エネルギービームを照射することによつて形成され
た上記所望の凹部に対応した、第２層薄膜の凸部あるい
は凹部を任意に形成することができる。即ち、第２層薄
膜がネガ形フオトレジストあるいはエネルギービーム照
射によりアルカリ性溶液に溶けにくくなる材料で形成さ
れている場合には、基板側から光照射すると、第１層薄
膜上の第２層薄膜部分は、第１層薄膜がマスクとなつて
光が照射されず、可溶状態になつているが、基板上の第
２層薄膜部分は溶けない状態になる。

従つて、第２層薄膜の可溶部分を除去することにより、
第１層薄膜に形成された凹部に対応した、第２層薄膜の
凸部を得ることができる。また、第２層薄膜がポジ形フ
オトレジストあるいはエネルギービーム照射によりアル
カリ性溶液に溶け易くなる材料で形成されている場合に
は、基板側から光照射すると、光の照射された部分、即
ち、第２層薄膜の凹部に対応した部分が可溶化状態とな
る。

従つて、第２層薄膜の可溶化部分を除去することにより
、第１層薄膜に形成された凹部に対応した、第２層薄膜
の凹部を得ることができる。本発明においては、第１層
薄膜の厚さは、２０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましい
。

２０ｎｍ以下では第２層薄膜への光照射の際のマスクと
しての作用が不充分となる場合が生じ、５０ｎｍ以上で
は基板への第２層薄膜の塗布が困難となる場合が生ずる
からである。

第２層薄膜の厚さは、本発明によつて得た凹凸画像を画
像記録光デイスクのレプリカの作成に用いる場合、その
レプリカの凹凸の段差に応じて決定される。

上述の本発明によつて得た凹凸画像を用いてレプリカを
形成する場合であつて、第２層薄膜の凸部が第１層薄膜
に形成された凹部に対応した凹凸画像である場合は、第
１層の薄膜がアルカリ性溶液に可溶な材料から成ると、
凹凸画像を形成した後、そのままニツケルマスタ一作製
工程に入つて良い。

ただし、アルカリ性溶液で第１層薄膜を除去後二ツケル
マスタ一作製工程に入ることももちろん可能である。ま
た、第１層の薄膜が酸性溶液に可溶な材料から成り、第
２層薄膜の凸部が第１層薄膜に形成された凹部に対応し
た凹凸画像である場合には、凹凸画像を形成した後、第
１層の薄膜を酸によつて除去した後、ニツケルマスタ一
作製工程に入る。上述の第２層薄膜の凹部が第１層薄膜
に形成された凹部に対応した凹凸画像を用いてレプリカ
を形成した場合、凹凸画像原盤とニツケルマスタ一との
引きはがしの際、凹凸画像原盤からニツケルマスタ一上
に付着した第１層薄膜及び第２層薄膜は、アルカリ性溶
液で除去する。

ただし、第１層薄膜がアルカリ性溶液に可溶である場合
には問題ないが、第１層がアルカリに溶解しないもので
ある場合は、第２層が溶解することによつて第１層が浮
き上がる形でアルカリ性溶液中に入るので、第１層の１
部がニツケルマスタ一に付着し、ドロツプアウトとなる
ことがある。したがつて、第１層薄膜としては、アルカ
リ性溶液に可溶であるものの方が、酸性溶液に可溶であ
るものより好ましい。なお上記の各方法において、基板
と第１の層または第２の層との間、また場合によつて第
１の層と第２の層の間にも、接着性改良層を設けること
ができる。

第１の層および第２の層に、ともにＳ，Ｓｅ，Ｔｅなど
を含むものを用いる場合には、実施例に述べる多源回転
蒸着法において、第１の層の蒸着から第２の層の蒸着に
移る時に、第１の層の材料蒸着速度を低下させながら第
２の層の材料蒸着速度を上げてゆくことによつて、オー
バーラツプ部分を形成し、さらに密着性を良くすること
も可能である。以下に本発明を実施例によつて詳しく説
明する。

実施例 １ 第３図に示したように、両面に光学研摩し、洗浄した直
径３５Ｃｆ１Ｌのガラスデイスク１を中心軸２のまわり
に回転させられるようにして真空蒸着装置中に配置する
。

上記デイスクの、情報を記録しようとする部分の下であ
つて、中心軸と中心を同一にする一つの円上にほぼ位置
する、４つの蒸着用ボート３，４，５，および６を配置
する。４つのボートにはそれぞれＡＳｌ６Ｓ８ＯＴｅ４
，Ａｇ，Ａｓ，Ｔｅ３，および、Ｔｅを入れる。

４つのボートは、いずれも、蒸着材料の液滴または小塊
が飛んで基板に付着するのを防ぐため、蒸着基板（デイ
スク）の、蒸着膜が着く場所から、直接蒸着材料が見え
ない構造のボートを用いる。

それぞれのボートとデイスクとの間には、扇形のスリツ
ト７，８，９，および１０と、゛シヤツタ一１１，１２
，１３，および１４を配置し、シヤツタ一が動くとスリ
ツトの任意の割合をふさぐようにする。装置を真空に排
気した後、ガラスデイスクを１２０ｒｐｍで回転させて
おいて、各ポート中の材料を蒸発させる。各ポートから
の蒸発量は、水晶振動子式膜厚モニター１５，１６，Ｉ
Ｔ，および１８で検出し、蒸発速度が一定になるように
ポートに流す電流を制御する。各ポートからデイスクへ
の蒸着速度の比は、各シヤツタ一の開き角の比によつて
決め、まず、第５図１に示したように、Ａｓ５ＯＴｅ，
Ｏの組成の蒸着膜２１を膜厚が４００λになるまで蒸着
する。

第１層の膜は、膜厚方向に組成変動があるので、上記の
値は平均値である。上記のようにして形成した膜に記録
を行なうには、第４図に示したように、上記ガラスデイ
スク１を高速（１８００ｒｐｍ）で回転させながら記録
用ヘツド１９をデイスクに一定距離を保つて接近させ、
パルス状で、パルスの間隔が記録すべき情報に応じて変
調された約１５ｍＷのアルゴンイオン（４８８０λ）レ
ーザ光２０をレンズで集光して照射する。

レーザ光を照射された部分のＡｓ，ＯＴｅ，Ｏ蒸着膜に
は、第５図２に示したように、おおよそ短径０．７μｍ
（一般に大略短径０．５〜３μｍを用いており、特に有
用である。

）の楕円形の穴が多数でき、記録が行なわれる。この穴
の輪郭がなめらかであることが、ノイズが小さく、正確
な読出しを行なえるための条件である。記録用ヘツドは
、デイスクの回転に応じてデイスクの半径方向に平行な
線上を移動させられる。Ａｓ，ＯＴｅ，Ｏ蒸着膜に穴あ
けによる記録が終つたら、再びデイスクを真空蒸着装置
中に入れ、Ａｓｌ６ｓ８ＯＴｅ４の組成の蒸着膜２２を
膜厚が１０００λになるまで蒸着する。

次にＡｇ２３を１００λの膜厚に蒸着する。第５図３に
示したように、ガラスデイスク側から、ＡＳ５ＯＴｅ５
Ｏ蒸着膜２１をマスクとして、たとえば高圧水銀、ラン
プでＡｓｌ６ｓ８ＯＴｅ４蒸着膜２２を露光する。この
露光によつてＡｓ，ＯＴｅ，Ｏ膜に穴をあけた部分の近
傍では、第５図４に示したように、Ａｇ２３がＡｑｌ６
ｓ８ＯＴｅ４蒸着膜中に拡散して、アルカリ性溶液に溶
解しにくくなる。そこで、第５図５に示したように、露
光後Ａｓ，ＯＴｅ，Ｏ蒸着膜およびＡｇ膜の残つた部分
をまず３０％の硝酸で除去し、水洗後、第５図６に示し
たように、ＡＳ，６Ｓ８ＯＴｅ４蒸着膜の感光しなかつ
た部分をカセイソーダ水溶液で溶かし去り、現像する。
その後Ａｓ，ＯＴｅ５Ｏ蒸着膜を３０重量パーセントの
硝酸で除去し、水洗、乾燥を行なう。次に、上記のよう
にして形成した凹凸画像原盤から、レプリカの形成を行
なう。

すなわち、まず塩化第一スズ水溶液による凹凸画像原盤
の表面処理、塩化パラジウムによる表面処理のあと、ニ
ツケル鏡反応によつて表面にニツケル膜を形成する。そ
の後続いて約０．２ｎ厚までニツケルメツキを行ない、
ニツケル部分を引きはがしてニツケルマスタ一とする。
引きはがしの際、凹凸画像原盤からはがれてニツケルマ
スター側に着いた、Ａｇの拡散したＡｓｌ６ｓ８ＯＴｅ
４蒸着膜を、現像時よりも濃度の高いアルカリ性溶液で
除去する。その後水洗・乾燥を行なう。続いて通常のレ
コード製造プロセスと同様に、このニツケルマスタ一か
らマザー、スタンパ一の順でニツケルの型を形成し、プ
ラスチツク（塩化ビニル）板をプレスしてプラスチツク
板に凹凸を写す。次に第５図Ｔに示したように、このプ
ラスチツク板２４の凹凸面上に、Ａｌ２５を約８００λ
の厚みに蒸着する。さらに透明プラスチツク２６をスピ
ンナーで塗布した後、硬化させる。このようにプラスチ
ツクに形成したレプリカからの、読出しは次のようにし
て行なう。

すなわち、レプリカを１８００ｒｐｍで回転させ、読出
しヘツドをデイスクと一定の間隔を保つて近づける。レ
プリカと読出しヘツドとの間隔を保つには、レプリカの
アルミ蒸着膜を一方の電極、読出しヘツドの金属部分を
他方の電極として、両電極間の電気容量を検出し、これ
が一定になるようにヘツドを駆動することによつて行な
う。Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３２８λ）からの読出し光を
、読出しヘツド中のレンズで集光してアルミ蒸着膜面に
照射し、反射光の位相差打消しによる反射光の強度変化
を検出して膜面の凹凸を読出す。上記のようにして形成
したレプリカの、信号対雑音比は、次のような方法で測
定した。

原磐デイスクに、あらかじめ６ＭＨｚでパルス巾約６５
ｎｓのパルス状信号で０．７μｍ×１．２μｍの穴の形
で記録しておき、これから形成したレプリカの読出しを
行なつた時の、６ＭＨｚの信号と、６ＭＨｚの近傍にお
ける雑音との比を、カラービデオ信号の場合に換算し、
信号対雑音比とした。本実施例においては信号対雑音比
４０ｄｂが実現できた。

上記のアルカリに不要になる材料として ＡＳ，６Ｓ８ＯＴｅ４のかわりにＡｓ２Ｏｓ６Ｏｓｅ２
Ｏ，ＡＳ２４Ｓ，ＯＴｅ６など、Ａｇのかわりに、Ｃｄ
，Ｍｎ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｔｅなど、第１の材
料としてＡｓ，ＯＴｅ５ＯのかわりにＡｓ２ＯＴｅ８Ｏ
，Ａ８２ＴＯ３９Ａ８３ＯＴｅ７Ｏ・ＧｅｌＯＴｅ９Ｏ
などを用いても類似の結果が得られる。

実施例 ２ 実施例１に示した蒸着装置を用いて、第６図に示したよ
うに、実施例１に用いたものと同様のガラスデイスク２
７上に、Ａｓ３５Ｔｅ６５またはＣｄ，ＯＴｅ７Ｏまた
は、Ｇｅ，３Ｔｅ８７またはＴｌｌ，Ｔｅ８５２８を約
４００人の膜厚に蒸着した。

ただし組成は膜厚方向の平均値である。記録は実施例１
と同様にして行ない、第６図２のように微細パターンを
形成した。その上に第６図３に示したようにネガ型フオ
トレジスト（米国ＫＯｄａｋ社製のＫＰＲ）２９を、ノ
蒸着膜に穴のあいていない部分の上で膜厚がＯλとなる
ように塗布、ベーキング（８５℃０分間）した。

次に第６図４に示すようにガ基板側より高圧水銀灯によ
りＡｓ３５Ｔｅ６５などの蒸着膜をマスクとして露光（
照度１０，０００ルツクス、露光時間５０秒）を行ない
、照射部分のネガ型フオトレジストを硬化させた。その
後第６図５のように未硬化部分を現像液にて除去し、１
００℃でポストベーキングを行ない、続いて硝酸（３０
重量パーセント）でＡｓ３５Ｔｅ６５などの蒸着膜を溶
解して、第６図６に示すように凹凸画像原盤を形成した
。凹凸画像原盤の表面には薄い剥離層を形成した。上記
の凹凸画像原盤からは、実施例１と同様にＮｉマスター
を形成し、レプリカを作製した。

レプリカからの信号読出しは実施例１と同様にして行な
つた。レプリカの信号対雑音比は各組成に対して次の値
が得られた。ＡＳ３５Ｔｅ６５：〜４５ｄｂ，Ｄｄ３０
Ｔｅ，０：〜３０ｄｂ，Ｇｅ１８Ｔｅ８７：〜４０ｄｂ
，Ｔ２，５Ｔｅ８，：〜３５ｄｂ０さらにネガ型フオト
レジストとしてＫＰＲの代りにＫＴＦＲ，ＫＭＥＲを用
いて同様の結果を得た。

実施例 ３ 実施例１に示した蒸着装置を用いて、第７図に示したよ
うに、実施例１に用いたものと同様のガラスデイスク３
０上にＡｓ２Ｏｓｅ５ＯＴｅ３ＯまたはＧｅＳｅ，また
はＧｅ３ＯＡｓｌ２ｓｅ５８，またはＳｎ７Ｏｓｅ３Ｏ
，またはＧｅ２Ｏｓｎ５Ｏｓｅ３Ｏ，またはＡｓ５Ｏｓ
ｅ３Ｏｓ２Ｏ，またはＴｌｌＯＳｅ，Ｏ，またはＴｅ３
ＯＳｅ７Ｏ３ｌを約４００人の膜厚に蒸着した。

ただし組成は膜厚方向の平均値である。記録は実施例１
と同様にして行ない、ＡＳ２ＯＳｅ５ＯＴｅ，Ｏなどの
蒸着膜上に第７図２のように微細パターンを作成した。
その上に第７図３に示すようにネガ型フオトレジスト（
ＫＰＲ）３２を蒸着膜に穴があいていない部分の上で膜
厚が１，０００人となるように塗布、ベーキング（８５
℃で３０分間）したのち、第７図４に示すようにガラス
基板側より高圧水銀灯によりＡｓ２Ｏｓｅ５ＯＴｅ３Ｏ
などの蒸着膜をマスクとして露光（照度１０，０００ル
ツクス、露光時間５０秒）を行ない、照射部分のネガ型
フオトレジストを硬化させた。

その後第７図５のようにして未硬化部分を現像液にて除
去し、凹凸画像原盤を得た。続いて実施例１と同様にし
てＮｉマスター３３を作製し、レプリカを作つた。Ａｓ
２ＯＳｅ，ＯＴｅ，Ｏなどの蒸着膜３１とフオトレジス
ト３２とは、Ｎｉマスターと凹凸画像原盤との引きはが
しの際、第７図６に示したようにＮｉマスター３３側に
移るのでＮａＯＨ水溶液で溶解し、第７図７のようにし
た。たとえば第８図は、Ａｓｌ２Ｇｅ８８−ＸｓｅＸ（
８８≧ｘ≧０）という組成の厚さ約４００Ａの膜を約３
３ｍ０２％のＮａＯＨ水溶液に１０秒間入れた場合の溶
解膜厚の面内での平均値を示したものであつて、Ｓｅの
含有量が原子数パーセントで５０パーセントを越すと、
ＮａＯＨ水溶液に溶けやすいことがわかる。第９図はＳ
ｎ，ＯＯ−ＸＳｅｘという組成の厚さ約４００人の膜を
約１０ｍ０１パーセントのＮａＯＨ水溶液に１分間入れ
た場合の溶解膜厚の面内での平均値を示したものであり
、Ｓｅの含有量が原子数パーセントで３０パーセントを
越すとＮａＯＨ水溶液に溶けやすいことがわかる。第１
０図はＳｎｘＧｅ７Ｏ−ＸＳｅ３Ｏ（７０≧ｘ≧０）と
いう組成の厚さ約４００λの膜を、約１０ｍ０１パーセ
ントのＮａＯＨ水溶液に１分間入れた場合の溶解膜厚の
面内での平均値を示したもので、Ｓｎの含有量が原子数
パーセントで２０パーセントを越すと、ＮａＯＨ水溶液
に溶けやすいことがわかる。レプリカからの信号読出し
は実施例１と同様にして行なつた。たとえばＧｅＳｅを
用いたものではレプリカの信号対雑音比は４０ｄｂ）Ｔ
ｌｌＯＳｅ９Ｏを用いたものでは３５ｄｂ，．Ｓｎ７０
Ｓｅ３０を用いたものでは３５ｄｂが得られた。さらに
ネガ型フオトレジストとしてＫＴＦＲ，ＫＭＥＲを用い
て同様の結果を得た。実施例 ４ 両面を光学研摩し、洗浄した直径３５ｃｍのガラスデイ
スクを実施例１と同様にして蒸着装置中に配置した。

蒸着装置の構造は実施例１と同様であるが、４っの蒸着
用ポートには、それぞれＡｓ２ｓｅ３，Ｓｎ，Ｇａおよ
びＳｅを入れた。蒸着は実施例１と同様な方法で行ない
、蒸着膜の膜厚は約４００λとした。蒸着膜の組成は、
代表的なものとして、Ａｓｌ５ｓｅ８５ｓｎ７Ｏｓｅ３
Ｏ，およびＧａ７Ｏｓｅ３Ｏのものを蒸着した。ただし
この組成は膜厚方向の平均値である。蒸着膜に記録を行
なう方法は実施例１と同様にした。次に第１１図に示し
たように、上記のように記録を行なつたそれぞれの蒸着
膜３５にポジ型フオトレジスタ３６（Ａｚｌ３５Ｏ）を
スピンナーで塗布し、蒸着膜３５に穴があいていない部
分の上で膜厚が約６００λとなるようにした。

次にプリベーキングを行なつた。続いて、第１１図３に
示したように、ガラスデイスク３４側から上記の蒸着膜
をマスクとして超高圧水銀ランプで露光を行なつた。こ
の露光によつて、Ｓｎ７Ｏｓｅ３Ｏなどの蒸着膜に穴を
あけた部分の近傍では、フオトレジストが溶解しやすく
なる。したがつてフオトレジストを現像し、水洗してこ
れらの部分を除去し、第１１図４のようにフオトレジス
トに凹部を形成し、凹凸画像を得た。次にこの凹凸画像
のレプリカを形成するために、まず１００℃でフオトレ
ジストのポストベーキングを行なつた後、実施例１と同
様にしてレプリカを形成した。レプリカ形成のためのＮ
ｉマスターを凹凸画像原盤から引きはがす際に、第１１
図６に示したように、Ｎｉマスター３Ｔ上に移つたフオ
トレジストおよび蒸着膜は、ＮａＯＨ水溶液で除去し、
第１１図Ｔに示したようにした。レプリカからの読出し
は実施例１と同様にして行なつた。蒸着膜の各組成に対
応するレプリカの信号対雑音比は次のとおりであつた。

第１の材料としてＳｎ７Ｏｓｅ５Ｏなどのかわりに、ど
を用いても同様に行なえる。

実施例 ５ 両面を光学研摩し、洗浄した直径３５ｃｍのガラスデイ
スクを実施例１と同様にして蒸着装置中に配置した。

蒸着装置の構造は実施例１と同様であるが、４つの蒸着
用ポートには、それぞれＡｓ，Ｔｅ，Ｔｌ，Ａｓ２Ｓｅ
３を入れた。蒸着は実施例１と同様な方法力行ない、蒸
着膜の膜厚は約４００λとした。蒸着膜の組成は、代表
的なものとして、ＡＳ３５Ｓｅｌ５Ｔｅ５Ｏ，ＡＳ２Ｏ
ＴｌｌＯＴｅ７Ｏ，およびＴｌｌＯＴｅ９Ｏのものを蒸
着した。ただしこの組成は膜厚方向の平均値である。蒸
着膜に記録を行なう方法は実施例１と同様にした。次に
上記のように記録を行なつたそれぞれの蒸着膜にポジ型
フオトレジストＡｚｌ３５Ｏをスピンナーで塗布し、蒸
着膜に穴があいていない部分の上で膜厚が約６００λと
なるようにした。

次にプリベーキングを行なつた。続いて、ガラスデイス
ク側から上記の蒸着膜をマスクとして超高圧水銀ランプ
で露光を行なつた。この露光によつて、Ａｓ３５ｓｅ，
５Ｔｅ５Ｏなどの蒸着膜に穴をあけた部分の近傍では、
フオトレジストが溶解しやすくなる。したがつてフオト
レジストを現像し、水洗してこれらの部分を除去し、フ
オトレジストに凹部を形成し、凹凸画像を得た。次にこ
の凹凸画像のレプリカを形成するために、まず１００℃
でフオトレジストのポストベーキングを行なつた後、実
施例１と同様にしてレプリカを形成した。レプリカ形成
のためのＮ１マスターを凹凸画像原盤から引きはがす際
に、Ｎｉマスター上に移つたフオトレジストおよび蒸着
膜は、ＮａＯＨ水溶液で除去した。レプリカからの読出
しは実施例１と同様にして行なつた。蒸着膜の各組成に
対応するレプリカの信号対雑音比は次のとおりであつた
。

本実施例では、Ｎｉマスター上に移つこ蒸着膜がＮａＯ
Ｈ水溶液に溶けにくく、ＮａＯＨ水溶液中に残るので、
その一部がＮｉマスターに付着し、信号対雑音比をやや
小さくした。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明において用いる蒸着膜の
溶解性を示す図、第３図は本発明の１実施例において蒸
着膜を形成するのに用いる蒸着装置の構造を示す図、第
４図は本発明の１実施例において蒸着膜にレーザ光を照
射する方法を示す図、第５図、第６図、第７図、および
第１１図は、本発明の各実施例における記録工程を示す
図、第８図、第９図、および第１０図は本発明の１実施
例において用いる蒸着膜の溶解性を示す図である。 １，２７，３０，３４・・・・・・ガラスデイスク、２
１・・・・・・Ａｓ，ＯＴｅ５Ｏ蒸着膜、２２・・・・
・・ＡＳ，６Ｓ８ＯＴｅ４蒸着膜、２３・・・・・・Ａ
ｇ膜、２４・・・・・・プラスチツク板、２５・・・・
・・Ａｌ膜、２６・・・・・・透明プラスチツク膜、２
８・・・・・・ＡＳ３，Ｔｅ６，，Ｃｄ３ＯＴｅ７Ｏ，
Ｇｅｌ３Ｔｅ８７またはＴｌｌ，Ｔｅ８，の蒸着膜、２
９，３２・・・・・・ネガ形フオトレジスト膜、３１、
１０ＡＳ２０ｓｅ５０Ｔｅ３０？ＧｅｓｅＰＧｅ３ＯＡ
ｓｌ２ｓｅ５８９ｓｎ７Ｏｓｅ３Ｏ９Ｇｅ２Ｏｓｎ５Ｏ
ｓｅ３Ｏ９Ａｓ５Ｏｓｅ３Ｏｓ２Ｏ９ＴｌｌＯＳｅ９Ｏ
またはＴｅ３Ｏｓｅ７Ｏの蒸着膜、３３，３７・・・・
・・Ｎｉマスター３５・・・・・・蒸着膜、３６・・・
・・・ポジ形フオトレジスト膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に、第１の材料から成る第１層の薄膜
   を形成する工程と、上記第１層薄膜にエネルギービーム
   を照射し、前記第１層薄膜に開孔部を形成する工程と、
   上記開口部によつて露出せしめられた上記基板表面上及
   び前記第１層薄膜上に、露光・現像により凹部を形成し
   得る第２の材料から成る第２層の薄膜を形成する工程と
   、前記基板側より前記第１層薄膜及び上記第２層薄膜を
   光照射する工程と、前記第２層薄膜の、可溶化部分を除
   去する工程とを有する凹凸画像の形成方法において、上
   記第１の材料としてＴｅを原子数パーセントで５０パー
   セント以上含有する、Ａｓ−Ｔｅ系材料、Ｓｅ−Ｔｅ系
   材料、及びＴｌ−Ｔｅ系材料；Ｔｅを原子数パーセント
   で７０パーセント以上含有する、Ｇｅ−Ｔｅ系材料、Ｃ
   ｄ−Ｔｅ系材料、及びＺｎ−Ｔｅ系材料；これらの混合
   材料；及び上記の各材料に少量のＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｇ
   ａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓ、Ｏ
   、及びＩから選ばれた少なくとも一元素が含有され、実
   質的に前記各材料と同質とみなし得る材料もしくは、Ｓ
   ｅ；Ｓｅを原子数パーセントで５０パーント以上含有す
   る、Ｓｂ−Ｓｅ系材料、Ａｓ−Ｓｅ系材料、Ｇｅ−Ｓｅ
   系材料、Ｉｎ−Ｓｅ系材料、Ｔｌ−Ｓｅ系材料、及びＳ
   ｉ−Ｓｅ系材料；Ｓｅを原子数パーセントで３０パーセ
   ント以上含有し、且つ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｓの少なくとも一
   元素を合計量として原子数パーセントで２０パーセント
   以上含有する材料；これらの混合材料；及び上記の各材
   料に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐ、Ｔｅ、Ｚｎ
   、Ｃｄ、Ｏ、及びＩから選ばれた少なくとも一元素が含
   有され、実質的に前記各材料と同質とみなし得る材料、
   群より選ばれるいずれかであることを特徴とする凹凸画
   像の形成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の凹凸画像の形成方法に
   おいて、第１の材料は、Ｔｅを原子数パーセントで５０
   パーセント以上含有する、Ａｓ−Ｔｅ系材料、Ｓｅ−Ｔ
   ｅ系材料、及びＴｌ−Ｔｅ系材料；Ｔｅを原子数パーセ
   ントで７０パーセント以上含有する、Ｇｅ−Ｔｅ系材料
   、Ｃｄ−Ｔｅ系材料、及びＺｎ−Ｔｅ系材料；これらの
   混合材料；及び上記の各材料に少量の、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
   ｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐ、
   Ｓ、Ｏ、及びＩから選ばれた少なくとも一元素が含有さ
   れ、実質的に前記各材料と同質とみなし得る材料のいず
   れかであることを特徴とする凹凸画像の形成方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の凹凸画像の形成方法に
   おいて、第１の材料は、Ｓｅ；Ｓｅを原子数パーセント
   で５０パーセント以上含有する、Ｓｂ−Ｓｅ系材料、Ａ
   ｓ−Ｓｅ系材料、Ｇｅ−Ｓｅ系材料、Ｉｎ−Ｓｅ系材料
   、Ｔｌ−Ｓｅ系材料、及びＳｉ−Ｓｅ系材料；Ｓｅを原
   子数パーセントで３０パーセント以上含有し、且つ、Ｇ
   ａ、Ｓｎ、Ｓの少なくとも一元素を合計量として、原子
   数パーセントで２０パーセント以上含有する材料；これ
   らの混合材料；及び上記の各材料に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ
   、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐ、Ｔｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｏ、及びＩから
   選ばれた少なくとも一元素が含有され、実質的に前記各
   材料と同質とみなし得る材料のいずれかであることを特
   徴とする凹凸画像の形成方法。 ４ 特許請求の範囲第２項記載の凹凸画像の形成方法に
   おいて、第２の材料はネガ形フォトレジストあるいはエ
   ネルギービーム照射によりアルカリ性溶液に溶けにくく
   なる材料であり、しかも第２層薄膜の可溶化せしめられ
   た部分を除去する工程の後、第１層薄膜を除去する工程
   を有することを特徴とする凹凸画像の形成方法。 ５ 特許請求の範囲第３項記載の凹凸画像の形成方法に
   おいて、第２の材料はネガ形フォトレジストあるいはエ
   ネルギービーム照射によりアルカリ性溶液に溶けにくく
   なる材料であることを特徴とする凹凸画像の形成方法。 ６ 特許請求の範囲第３項記載の凹凸画像の形成方法に
   おいて、第２の材料はポジ形フォトレジストあるいはエ
   ネルギービーム照射によりアルカリ性溶液に溶け易くな
   る材料であることを特徴とする凹凸画像の形成方法。