JPS60135951A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
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- JPS60135951A JPS60135951A JP24673183A JP24673183A JPS60135951A JP S60135951 A JPS60135951 A JP S60135951A JP 24673183 A JP24673183 A JP 24673183A JP 24673183 A JP24673183 A JP 24673183A JP S60135951 A JPS60135951 A JP S60135951A
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- Japan
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- thin film
- pattern
- film
- etching
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は光ヒームで微細な凹凸パターンを形成する方法
に関する。
に関する。
解決すべき問題点
本発明者等は無機材料薄膜に光ビームを照射し結晶の相
変化を起生せしめ、これにともないエツチング速度差が
光照射部と未照射部に生ずることを利用して、エツチン
グにより微細なノくターンを形成する方法を開発した。
変化を起生せしめ、これにともないエツチング速度差が
光照射部と未照射部に生ずることを利用して、エツチン
グにより微細なノくターンを形成する方法を開発した。
第１図にこれを示し、図Ａでガフスの基板１にＴｅＧａ
Ｓｎ等の薄膜２を形成し、光ビームを照射して図Ｂのよ
うに照射部を結晶化し、結晶化部６のエツチング速度が
遅くなることを利用してエツチングで図Ｃの凹凸パター
ンを作成する。また、第２図には別の方法が示され、図
Ａで基板１にＴａＧａＳｎ等の薄膜２を形成し、図Ｂで
全体を一様に加熱して結晶化せしめ、図Ｃで光ビームを
ごく短時間大きなパワーで照射し照射部４を非晶質化せ
しめ、照射部４のエツチング速度が未照射部より大きく
なることを利用してエツチングで図りの凹凸ノくターン
を作成する。ところが、これらの方法゛では、パターン
凹凸の深さは光照射部と未照射部とのエツチングレート
の差で決定され、光照射条件や薄膜の無機材料薄膜の種
類や成膜条件さらにはエツチング条件等によってエツチ
ング深さが不均一になる事態が生ずることがある。
Ｓｎ等の薄膜２を形成し、光ビームを照射して図Ｂのよ
うに照射部を結晶化し、結晶化部６のエツチング速度が
遅くなることを利用してエツチングで図Ｃの凹凸パター
ンを作成する。また、第２図には別の方法が示され、図
Ａで基板１にＴａＧａＳｎ等の薄膜２を形成し、図Ｂで
全体を一様に加熱して結晶化せしめ、図Ｃで光ビームを
ごく短時間大きなパワーで照射し照射部４を非晶質化せ
しめ、照射部４のエツチング速度が未照射部より大きく
なることを利用してエツチングで図りの凹凸ノくターン
を作成する。ところが、これらの方法゛では、パターン
凹凸の深さは光照射部と未照射部とのエツチングレート
の差で決定され、光照射条件や薄膜の無機材料薄膜の種
類や成膜条件さらにはエツチング条件等によってエツチ
ング深さが不均一になる事態が生ずることがある。
発明の目的
本発明は上記欠点を除去し、無機材料薄膜の結晶の相変
化を利用したより安定な微細な凹凸パターンの形成方法
を提供することを目的とする。
化を利用したより安定な微細な凹凸パターンの形成方法
を提供することを目的とする。
発明の構成及び作用
本発明は無機材料の簿膜を基板上に形成し、レーザ光を
照射することによシ相変化を起生させ、しかる後に適当
な気体中のプラズマ中にさらす等のエツチング手段によ
り光照射部と未照射部のエツチングレートの差を利用し
て凹凸パターンを形成するものであるが、無機材料薄膜
の下にさらに別のガスプラズマによりエツチングされる
薄膜を設けて、無機材料薄膜のパターンをマスクとして
丁の薄膜層をエツチングしてパターンを形成するように
したものである。
照射することによシ相変化を起生させ、しかる後に適当
な気体中のプラズマ中にさらす等のエツチング手段によ
り光照射部と未照射部のエツチングレートの差を利用し
て凹凸パターンを形成するものであるが、無機材料薄膜
の下にさらに別のガスプラズマによりエツチングされる
薄膜を設けて、無機材料薄膜のパターンをマスクとして
丁の薄膜層をエツチングしてパターンを形成するように
したものである。
以下、より詳細に本発明を説明するために実施例を示す
。第６図〜第６図に示す第１の実施例において、研磨し
、よく洗浄したガラス基板（外径６５６ｍｍ、 Ｊ！ｊ
’さ６ｍｍの円＆）１を回転せしめて（図示せず）フォ
トレジスト（例えば、（２１３５０Ｊ）を滴下し、所定
の膜厚の（例えば１５００，４ ）薄膜５を形成しく第
４図Ａ）、次にこれを第６図の真空蒸着機９に入れＧａ
ＴａＳｎ合金薄腺２ （５００，（、）を形成した（第
４図Ｂ）。第５図において、ガラス基板１を高速（１８
ＱＱｒｐｍ）で回転する回転台にのせて、薄）換２の光
面に集束したＡｒイオンレーザ７からの光ビームを変調
器６で強度変調して照射した（第４図Ｃ）。
。第６図〜第６図に示す第１の実施例において、研磨し
、よく洗浄したガラス基板（外径６５６ｍｍ、 Ｊ！ｊ
’さ６ｍｍの円＆）１を回転せしめて（図示せず）フォ
トレジスト（例えば、（２１３５０Ｊ）を滴下し、所定
の膜厚の（例えば１５００，４ ）薄膜５を形成しく第
４図Ａ）、次にこれを第６図の真空蒸着機９に入れＧａ
ＴａＳｎ合金薄腺２ （５００，（、）を形成した（第
４図Ｂ）。第５図において、ガラス基板１を高速（１８
ＱＱｒｐｍ）で回転する回転台にのせて、薄）換２の光
面に集束したＡｒイオンレーザ７からの光ビームを変調
器６で強度変調して照射した（第４図Ｃ）。
波長は４８８ｎｍであり、集束用のレンズ８の開口数は
０．９５のものを使った。光が照射された部分は反射率
が増加し透過率が減少した。これは無機材料薄膜２に微
細な結晶が生じたものと思われる。次にこれを平行平板
型のプラズマエツチング装置１２（第６図）に入れ、エ
ツチングガスとしてまず（７４を導入した。圧力１０〜
１００ｍＴｏｒｒ、 ＲＦパワー５０〜２００ｍＷにて
プラズマを発生させ、ＧｇＴｇＳｎの薄膜２をエツチン
グした。光照射したことによシ結晶化した部分６は未照
射部に比較してエツチング速度が１／３〜１／１ｏ と
遅くなる。光来照射部のＧａＴａＳｎの薄膜がエツチン
グされてその部分の下地薄膜５が露出したとき放電を中
止しく第４図Ｄ）、エツチングガスを０２に置換した。
０．９５のものを使った。光が照射された部分は反射率
が増加し透過率が減少した。これは無機材料薄膜２に微
細な結晶が生じたものと思われる。次にこれを平行平板
型のプラズマエツチング装置１２（第６図）に入れ、エ
ツチングガスとしてまず（７４を導入した。圧力１０〜
１００ｍＴｏｒｒ、 ＲＦパワー５０〜２００ｍＷにて
プラズマを発生させ、ＧｇＴｇＳｎの薄膜２をエツチン
グした。光照射したことによシ結晶化した部分６は未照
射部に比較してエツチング速度が１／３〜１／１ｏ と
遅くなる。光来照射部のＧａＴａＳｎの薄膜がエツチン
グされてその部分の下地薄膜５が露出したとき放電を中
止しく第４図Ｄ）、エツチングガスを０２に置換した。
圧力、パワーはほぼ同一条件でＧｅＴｇＳｎの膜５をマ
スクとして下地のフォトレジスト層をエツチングし、基
板１が露出した時点でエツチングを停止した（第４図Ｅ
）。最後に再びエツチングガスをＣＦ４に置換し、残シ
のＧｇＴｇＳｎＪｐを完全に除去した（第４図Ｆ）。こ
のようにしで作った凹凸パターンの深さは最初に作った
１ｉ％ ５の厚さによって完全に決定される。
スクとして下地のフォトレジスト層をエツチングし、基
板１が露出した時点でエツチングを停止した（第４図Ｅ
）。最後に再びエツチングガスをＣＦ４に置換し、残シ
のＧｇＴｇＳｎＪｐを完全に除去した（第４図Ｆ）。こ
のようにしで作った凹凸パターンの深さは最初に作った
１ｉ％ ５の厚さによって完全に決定される。
次に本発明の理解をよシ明確にするため、各部に分けて
以下解説する。
以下解説する。
（１）基板と光照射について
基板はガラス基板に限らず薄膜５及び２が形成できる基
板なら種々使えるが、熱伝導率が低い方が感度向上のた
め良い。本発明はホトレジストの場合と違い、薄膜２は
光エネルギを熱エネルザ゛として受けて概念的には溶け
て冷える状態で結晶化する。したがって弱い光を長時間
あてても熱が逃げるばかシでだめである。レーザパワー
１０〜３０ ｍＷで前述のように１００１ＬＳ〜１？１
ｌｔ５の短時間に強い光をあてることが必要である。ト
ータルエネルギとしては同じでも短いパルスで照射した
方が熱の逃げが少なくエネルギ感度としては良くなる。
板なら種々使えるが、熱伝導率が低い方が感度向上のた
め良い。本発明はホトレジストの場合と違い、薄膜２は
光エネルギを熱エネルザ゛として受けて概念的には溶け
て冷える状態で結晶化する。したがって弱い光を長時間
あてても熱が逃げるばかシでだめである。レーザパワー
１０〜３０ ｍＷで前述のように１００１ＬＳ〜１？１
ｌｔ５の短時間に強い光をあてることが必要である。ト
ータルエネルギとしては同じでも短いパルスで照射した
方が熱の逃げが少なくエネルギ感度としては良くなる。
この観点から基板の熱伝導率が低い方が良いわけで、ア
クリル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の有機物を
用いることができる。
クリル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の有機物を
用いることができる。
（２）無機材料薄膜の組成について
ＴｇＧａＳｎは書込みが鮮明にできる利点がある。第８
図はスライドガラスに非晶質のＴａＧａＳｎ膜をつけて
恒温槽に入れてアニール（５分間）して放冷した場合の
アニーリング温度と加熱前の透過率に対する透過率比を
示しく計測用の光の波長λ＝６６６ｎｍ）、ＴａＧａＳ
ｎの組成比はＴεを１としたとき原子組成比でＧｇは０
．５． Ｓｎは０．２５である。図のようにきわめてシ
ャープに相転移が生ずることがわかる。
図はスライドガラスに非晶質のＴａＧａＳｎ膜をつけて
恒温槽に入れてアニール（５分間）して放冷した場合の
アニーリング温度と加熱前の透過率に対する透過率比を
示しく計測用の光の波長λ＝６６６ｎｍ）、ＴａＧａＳ
ｎの組成比はＴεを１としたとき原子組成比でＧｇは０
．５． Ｓｎは０．２５である。図のようにきわめてシ
ャープに相転移が生ずることがわかる。
１２５°Ｃ以上では透過率がきわめて小さくなシ、結晶
化したことが明らかである。ＴｇＧａＳｎの適用可能な
範囲はＴｇを１とすると原子組成比でＳｒｂが０．０１
〜０．５． Ｇａは０，１〜０．８であシ、その範囲で
鮮明な光書込みができる。その他Ｔｇ −Ｇｍ 、 ７
’ｇ −５ｅ 、 Ａｓ−５，、イ８−５ｓ、 ５ｈ−
５，５４−５ｇ、 Ｔｅ、およびそれらに”＋Ｖ＊Ｓｈ
。
化したことが明らかである。ＴｇＧａＳｎの適用可能な
範囲はＴｇを１とすると原子組成比でＳｒｂが０．０１
〜０．５． Ｇａは０，１〜０．８であシ、その範囲で
鮮明な光書込みができる。その他Ｔｇ −Ｇｍ 、 ７
’ｇ −５ｅ 、 Ａｓ−５，、イ８−５ｓ、 ５ｈ−
５，５４−５ｇ、 Ｔｅ、およびそれらに”＋Ｖ＊Ｓｈ
。
Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｉを加えたもの、および、さらに
合金の構成成分のうちの少なくとも１つが酸素を含むも
のであっても良い。なお、上記においてＴａ−Ｇａ−５
ｈはエツチングレート比が１０以上と大きい特徴がある
。
合金の構成成分のうちの少なくとも１つが酸素を含むも
のであっても良い。なお、上記においてＴａ−Ｇａ−５
ｈはエツチングレート比が１０以上と大きい特徴がある
。
（３）膜厚について
無機材料の薄膜２の厚さは５００，４〜３０００，４位
いてあり、ビ”−ムを細く絞るうえでは薄い方が良い。
いてあり、ビ”−ムを細く絞るうえでは薄い方が良い。
次に第２の実施、例を第７図に示す。これは無機材料薄
膜２の結晶の相変化が第２図の場合に和尚するものであ
る。第７図Ａにおいて、ガラス基板１にフ第１・レジス
ト薄膜５を形成し、図Ｂにおいてその上に無機材料薄膜
（ＴｓＧａ５ｙＬ） ２を形成して一様に加熱して結晶
化せしめる。次にｐｑ ｃでごく短時間に強いレーザ光
を照射しく第５図において基板１を１８０Ｏｒｐｍで回
転せしめ、照射部において２０〜１００ｍＦのレーザパ
ワーを１０１．５以下の短時間照射）、照射部４を非晶
質化し、［ン１Ｄ〜図Ｆは第１の実施例と同様にして凹
凸のパターンを得る。なお、薄膜２の素材は前述の各種
が使える。
膜２の結晶の相変化が第２図の場合に和尚するものであ
る。第７図Ａにおいて、ガラス基板１にフ第１・レジス
ト薄膜５を形成し、図Ｂにおいてその上に無機材料薄膜
（ＴｓＧａ５ｙＬ） ２を形成して一様に加熱して結晶
化せしめる。次にｐｑ ｃでごく短時間に強いレーザ光
を照射しく第５図において基板１を１８０Ｏｒｐｍで回
転せしめ、照射部において２０〜１００ｍＦのレーザパ
ワーを１０１．５以下の短時間照射）、照射部４を非晶
質化し、［ン１Ｄ〜図Ｆは第１の実施例と同様にして凹
凸のパターンを得る。なお、薄膜２の素材は前述の各種
が使える。
次に本発明において第７図Ｂでは加熱で薄膜の結晶化が
生じ、図Ｃでは逆にレーザビームの照射で非晶質化が生
ずることを解説する。図Ｂで加熱により薄膜が結晶化す
るのは概念的に加熱で薄膜の無機材料が溶融し、冷却で
結晶化することとして理解されるだろう。ところで結晶
化するか非晶質化するかは冷却速度によって決まるので
ある。
生じ、図Ｃでは逆にレーザビームの照射で非晶質化が生
ずることを解説する。図Ｂで加熱により薄膜が結晶化す
るのは概念的に加熱で薄膜の無機材料が溶融し、冷却で
結晶化することとして理解されるだろう。ところで結晶
化するか非晶質化するかは冷却速度によって決まるので
ある。
薄膜にレーザビームを照射したとき一般には結晶化が生
ずるが、照射時間がきわめて短いときは照射部以外は全
く加熱されておらず、照射後急速に熱が奪われる結果溶
融部はごく急冷され、非晶質化するものと概念的に説明
できる。第７図Ｃにおいて、レーザビームの照射を１０
０ｎＳ以下の短時間２０〜１００ｍＦのパワーでなせば
照射部が非晶質化する。要はきわめて短時間に大きなレ
ーザパワーをかけることであシ、光照射部を局所的に瞬
時に溶融化し、その周囲には熱が伝導しない状態をつく
れば溶融部がきわめて急冷されて非晶質化する。
ずるが、照射時間がきわめて短いときは照射部以外は全
く加熱されておらず、照射後急速に熱が奪われる結果溶
融部はごく急冷され、非晶質化するものと概念的に説明
できる。第７図Ｃにおいて、レーザビームの照射を１０
０ｎＳ以下の短時間２０〜１００ｍＦのパワーでなせば
照射部が非晶質化する。要はきわめて短時間に大きなレ
ーザパワーをかけることであシ、光照射部を局所的に瞬
時に溶融化し、その周囲には熱が伝導しない状態をつく
れば溶融部がきわめて急冷されて非晶質化する。
以上本発明の実施例を示したが、以上の実施例の他、本
発明において、１地に形成するパターンの深さを決定す
る薄膜５は、フォトレジストに限らず薄膜化が可能な有
機物材料が使える。また、前述のスピンコーディングに
限らず蒸着やＣＶＤ。
発明において、１地に形成するパターンの深さを決定す
る薄膜５は、フォトレジストに限らず薄膜化が可能な有
機物材料が使える。また、前述のスピンコーディングに
限らず蒸着やＣＶＤ。
プラズマ車台等の方法も使える。特に、溶液を使わない
方法で成膜すれば、全工程をドライ化できるため機械化
、自動化が容易である。具体的例としでは、無定形カー
ボンの蒸着膜、スチレン、ポリスチレン、パリレン／？
！ｒ槙染利の蒸着膜が使える。
方法で成膜すれば、全工程をドライ化できるため機械化
、自動化が容易である。具体的例としでは、無定形カー
ボンの蒸着膜、スチレン、ポリスチレン、パリレン／？
！ｒ槙染利の蒸着膜が使える。
該各種染料としては、フルオレセイン、フタロシアニン
、ローダミン、ギニザリン等が用いられる。
、ローダミン、ギニザリン等が用いられる。
次に第９図により本発明を光ディスクの整形用のスタン
パ及びビデオディスク用のスタンパ作成に利用すること
を欽１明する。本発明方法により形成された微細は凹凸
パターンが形成された第４図Ｆ又は第７図Ｆの基板１を
第９図７４に示す。次にＩ板１の表面にＮｉ蒸着層１６
を形成して図Ｂのごとくなし、Ｎｉ蒸漸層１６を一方の
電極として厚いＮｉメッキ層１４を形成して図Ｃの構造
となす。例えばＮｉメッキ層１４はＯ，３ｍｍ程度に厚
く形成する。
パ及びビデオディスク用のスタンパ作成に利用すること
を欽１明する。本発明方法により形成された微細は凹凸
パターンが形成された第４図Ｆ又は第７図Ｆの基板１を
第９図７４に示す。次にＩ板１の表面にＮｉ蒸着層１６
を形成して図Ｂのごとくなし、Ｎｉ蒸漸層１６を一方の
電極として厚いＮｉメッキ層１４を形成して図Ｃの構造
となす。例えばＮｉメッキ層１４はＯ，３ｍｍ程度に厚
く形成する。
次にガラス基板１とニッケル層１３．１４を剥離して図
りのＮｉメッキ層１４とニッケル蒸着層１６が一体とな
ったスタンパ１５を得る。
りのＮｉメッキ層１４とニッケル蒸着層１６が一体とな
ったスタンパ１５を得る。
図丘においてプレス装置にメタ１ンパ１５を支持し、熱
可塑性樹脂１６を入れて加圧・加熱して図Ｆの凹凸パタ
ーン１８．１９が形成された円板１７を得る。この凹凸
パターン１８．１９を情報に従って形成し、表面にＡｔ
等の金属２０を蒸着すればビデオディスクが得られる（
図Ｇ）。また、礪込みができるタイプ所開光ディスクの
場合は、凹凸パターン１８’、１９’で形成される溝を
書込公用の光ビームが追跡するための案内溝、所謂プリ
グループとし、図Ｈのとと（Ｔｇ等を樹脂の円板に蒸着
し情報記録層２１を形成して光ディスクを得る。
可塑性樹脂１６を入れて加圧・加熱して図Ｆの凹凸パタ
ーン１８．１９が形成された円板１７を得る。この凹凸
パターン１８．１９を情報に従って形成し、表面にＡｔ
等の金属２０を蒸着すればビデオディスクが得られる（
図Ｇ）。また、礪込みができるタイプ所開光ディスクの
場合は、凹凸パターン１８’、１９’で形成される溝を
書込公用の光ビームが追跡するための案内溝、所謂プリ
グループとし、図Ｈのとと（Ｔｇ等を樹脂の円板に蒸着
し情報記録層２１を形成して光ディスクを得る。
なお、本発明は上記例に限らず広く凹凸パターン形成に
適用できるものである。また、本発明の説明のために結
晶化または非晶質化なる言葉を使用しているが必ずしも
厳密に結晶又は非晶質をいうのではなく、光照射により
結晶の相変化が生じエツチングレートが変われば良いわ
けで、その意味で、結晶化とはエツチングレートが遅く
なる方向の相変化、非晶賀化とはエツチングレートが速
くなる方向の相変化を：は味するものである。
適用できるものである。また、本発明の説明のために結
晶化または非晶質化なる言葉を使用しているが必ずしも
厳密に結晶又は非晶質をいうのではなく、光照射により
結晶の相変化が生じエツチングレートが変われば良いわ
けで、その意味で、結晶化とはエツチングレートが遅く
なる方向の相変化、非晶賀化とはエツチングレートが速
くなる方向の相変化を：は味するものである。
発明の効果
本発明によればドライな現像法でパターンが形成でき、
次の効果が得られる。
次の効果が得られる。
（１）明るい場所で処理でき取扱いが容易削述のように
本発明の露光用ＷＩ膜（’ｒｇａｓ ｓｎ ’ｊ４ ：
、）Ｑ：１弱い光ではいかに長ＲｆｆＡｌ照射しても結
晶の相変化は生じないから、従来ホトレジストを熱光用
薄膜として使うときのように居所での処理を要しない。
本発明の露光用ＷＩ膜（’ｒｇａｓ ｓｎ ’ｊ４ ：
、）Ｑ：１弱い光ではいかに長ＲｆｆＡｌ照射しても結
晶の相変化は生じないから、従来ホトレジストを熱光用
薄膜として使うときのように居所での処理を要しない。
（２）ホトレジストを熱光する場合、水銀ランプ等短波
長側の光を便って処理しなければならなかったが、本発
明では波長は比較的自由に選定できる。
長側の光を便って処理しなければならなかったが、本発
明では波長は比較的自由に選定できる。
それは、本発明では光が熱に変換されて結晶の相転移が
生ずるからである。本発明におけるパターニング精度は
光の波長よシむしろ結晶の粒度や第８図に示したような
相変化の鋭さがきいてくる。
生ずるからである。本発明におけるパターニング精度は
光の波長よシむしろ結晶の粒度や第８図に示したような
相変化の鋭さがきいてくる。
本発明では容易に１μｍ以ｆのパターンが形成でき、０
．４μｍの高精度パターンも形成可能である。そして微
細なパターンが安定にできる。
．４μｍの高精度パターンも形成可能である。そして微
細なパターンが安定にできる。
（３）特に、所定のパターンの深さを安定に形成するこ
とができる。
とができる。
第１図Ａ−Ｃ及び第２図Ａ−Ｄは本発明者等が開発した
各々別のパターン形成法の工程図、第６図は本発明で用
いる真空蒸着装置の一例を示す概要図、第４図Ａ−Ｆは
本発明のパターン形成法の第１の実施例の工程図、第５
図は本発明における露光工程の一例を示す概要図、第６
図はプラズマエツチング装置の概要図、第７図Ａ−Ｆは
本発明のパターン形成方法の第２の実施例の工程図、第
８図はＴｇＧａ Ｓｎ薄膜のアニーリング特性を示す図
、第９図Ａ−Ｈは、本発明をビデオディスク原盤又は光
デイスク用プリグループ原盤に利用した例を示す工程図
Ｏ 主な符号 １・・・基板（ガラス）、２・・・無機材料薄膜（薄膜
）、３・・・結晶化した部分、４・・・照射部（非晶質
化）、５・・・薄膜（下地階層）、６・・・変調器、７
・・・、４ｒイオンレ〜ザ、８・・・レンズ、１６・・
・Ｎｉ蒸着層、１４・・・Ｎｉ メッキ層、１５・・・
スタンパ、１６・・・熱可塑性樹脂、１７・・・円板、
２ｏ・・・金属、２１・・・情報記録層 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士玉 八人丘部（外１名） 第 １ 図 第 ２ 図 ゛１ 第３図 第４図 ′１Ｊｓ７ 図 第８図 アニーリング温度 第 ９ 図 第９図
各々別のパターン形成法の工程図、第６図は本発明で用
いる真空蒸着装置の一例を示す概要図、第４図Ａ−Ｆは
本発明のパターン形成法の第１の実施例の工程図、第５
図は本発明における露光工程の一例を示す概要図、第６
図はプラズマエツチング装置の概要図、第７図Ａ−Ｆは
本発明のパターン形成方法の第２の実施例の工程図、第
８図はＴｇＧａ Ｓｎ薄膜のアニーリング特性を示す図
、第９図Ａ−Ｈは、本発明をビデオディスク原盤又は光
デイスク用プリグループ原盤に利用した例を示す工程図
Ｏ 主な符号 １・・・基板（ガラス）、２・・・無機材料薄膜（薄膜
）、３・・・結晶化した部分、４・・・照射部（非晶質
化）、５・・・薄膜（下地階層）、６・・・変調器、７
・・・、４ｒイオンレ〜ザ、８・・・レンズ、１６・・
・Ｎｉ蒸着層、１４・・・Ｎｉ メッキ層、１５・・・
スタンパ、１６・・・熱可塑性樹脂、１７・・・円板、
２ｏ・・・金属、２１・・・情報記録層 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士玉 八人丘部（外１名） 第 １ 図 第 ２ 図 ゛１ 第３図 第４図 ′１Ｊｓ７ 図 第８図 アニーリング温度 第 ９ 図 第９図
Claims (1)
- 基板上にパターン形成層、その上に無機材料の薄膜を順
に形成し、該無機材料薄膜に光ビームを照射することに
より照射部分に結晶の相変化を生じさせ、次にこれをガ
スプラズマ中でエツチングして光照射部と未照射部のエ
ツチングスピードの差により前記無機材料薄膜に所定パ
ターンの窓を形成し、次にこれをマスクとして前記パタ
ーン形成層をエツチングし、最後にマスクとした無機材
料薄膜の残りの部分を除去して凹凸パターンを形成する
ことを特徴とするパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24673183A JPS60135951A (ja) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24673183A JPS60135951A (ja) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135951A true JPS60135951A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17152803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24673183A Pending JPS60135951A (ja) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE42222E1 (en) * | 1985-09-25 | 2011-03-15 | Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. | Reversible optival information-recording medium |
| JP2014145659A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ｘ線反射装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-12-24 JP JP24673183A patent/JPS60135951A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE42222E1 (en) * | 1985-09-25 | 2011-03-15 | Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. | Reversible optival information-recording medium |
| JP2014145659A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ｘ線反射装置及びその製造方法 |
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