JPS5953615B2 - 情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
情報記録媒体の製造方法Info
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- JPS5953615B2 JPS5953615B2 JP1358675A JP1358675A JPS5953615B2 JP S5953615 B2 JPS5953615 B2 JP S5953615B2 JP 1358675 A JP1358675 A JP 1358675A JP 1358675 A JP1358675 A JP 1358675A JP S5953615 B2 JPS5953615 B2 JP S5953615B2
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- Japan
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- layer
- ges
- information recording
- glass plate
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基体に情報トラックが設けられた情報記録媒体
の製造方法に関するものであつて、特に、音声及び／又
はビデオの情報トラックをピット（凹部）又はブロック
（凸部）として有し、この記録された情報を光学システ
ムによつて書込み及び読取るようにしたディスク記録盤
に適用するのに最適な方法を提供するものである。
の製造方法に関するものであつて、特に、音声及び／又
はビデオの情報トラックをピット（凹部）又はブロック
（凸部）として有し、この記録された情報を光学システ
ムによつて書込み及び読取るようにしたディスク記録盤
に適用するのに最適な方法を提供するものである。
従来此種のディスク記録盤からはメッキ等の方法によつ
てスタンバーが得られ、このスタンバーを順次転写して
多数のプレス成形されたビデオディスク等を製作するよ
うにしている。
てスタンバーが得られ、このスタンバーを順次転写して
多数のプレス成形されたビデオディスク等を製作するよ
うにしている。
このディスク記録盤を製造するに際し、ガラス基板表面
に記録用材料として金属又はこの合金層を形成し、この
層を変調されたレーザー光で部分的に除去してピット等
に形成し、これによつて情報を記録するようにしている
。
に記録用材料として金属又はこの合金層を形成し、この
層を変調されたレーザー光で部分的に除去してピット等
に形成し、これによつて情報を記録するようにしている
。
上記記録用材料の記録特性は溶解（溶融）除去型と昇華
型とに大別される。前者の例としてはＴｅ、Ｂ１、Ｐｂ
又は低融点合金等が挙げられるが、これらはいずれも解
像度が不充分であり、記録ピットの型が悪いためにＳ／
Ｎ比も良くない。これに対し後者としてはＡｓ又はこの
合金等が知られ、記録＄７）Ｓ／Ｎ比が良くかつ解像度
も高いが、毒性が強いために記録用材料としては不適当
である。その他の記録用材料としてはフォトレジストが
挙げられる。
型とに大別される。前者の例としてはＴｅ、Ｂ１、Ｐｂ
又は低融点合金等が挙げられるが、これらはいずれも解
像度が不充分であり、記録ピットの型が悪いためにＳ／
Ｎ比も良くない。これに対し後者としてはＡｓ又はこの
合金等が知られ、記録＄７）Ｓ／Ｎ比が良くかつ解像度
も高いが、毒性が強いために記録用材料としては不適当
である。その他の記録用材料としてはフォトレジストが
挙げられる。
この場合、ガラス基板上に塗布したフォトレジスト層を
間欠的Ｉ（露光した後現像処理によつて例えば非露光部
分を除去するようにしている。フォトレジストを用いれ
ば解像度力琲常に高いが、現像処理を行う必要があるた
めスタンパーを得るための次のメッキ工程を直ちに行う
ことが出来ないという欠点がある。本発明は上述の如き
欠陥を是正すべく発明されたものであつて、基体に情報
トラックが設けられた情報記録媒体の製造方法において
、毒性の少ない昇華性金属化合物層を前記基体上に形成
し、次いで前記情報トラック相当部分に沿つて前記金属
化合物層を選択的に加熱してこの加熱部分を昇華除去せ
しめるようにしたことを特徴とする情報記録媒体の製造
方法に係るものである。
間欠的Ｉ（露光した後現像処理によつて例えば非露光部
分を除去するようにしている。フォトレジストを用いれ
ば解像度力琲常に高いが、現像処理を行う必要があるた
めスタンパーを得るための次のメッキ工程を直ちに行う
ことが出来ないという欠点がある。本発明は上述の如き
欠陥を是正すべく発明されたものであつて、基体に情報
トラックが設けられた情報記録媒体の製造方法において
、毒性の少ない昇華性金属化合物層を前記基体上に形成
し、次いで前記情報トラック相当部分に沿つて前記金属
化合物層を選択的に加熱してこの加熱部分を昇華除去せ
しめるようにしたことを特徴とする情報記録媒体の製造
方法に係るものである。
この方法によつて、解像度が良くなつてＳ ／Ｎ比が向
上し、然も取扱いが安全であり、製造工程も大巾に簡略
化される。なお上述の基体はガラス、金属、高分子等の
如゜ く所望の精度に加工出来然も途中の工程で腐食し
ないものからなつていてよい。
上し、然も取扱いが安全であり、製造工程も大巾に簡略
化される。なお上述の基体はガラス、金属、高分子等の
如゜ く所望の精度に加工出来然も途中の工程で腐食し
ないものからなつていてよい。
また上述の昇華性金属化合物層はレーザー光の吸収が良
くかつ毒性の極めて少ないＧｅＳ（昇華温度４５０℃）
又はＧｅ０（昇華温度７５０℃）等からなつているのが
’ 好ましく、工ｎ２ｏ３、ＩｎＳ３等からなつていて
もよい。次に本発明をビデオディスク記録盤に適用した
実施例を図面に付き述べる。
くかつ毒性の極めて少ないＧｅＳ（昇華温度４５０℃）
又はＧｅ０（昇華温度７５０℃）等からなつているのが
’ 好ましく、工ｎ２ｏ３、ＩｎＳ３等からなつていて
もよい。次に本発明をビデオディスク記録盤に適用した
実施例を図面に付き述べる。
第１図〜第３図は本発明の第１の実施例を示すものであ
る。
る。
まず第１Ａ図に示す如く、透明な盤体であるガラス板１
の表面にＧｅＳ層２を１６００Ｘ程度の厚さに一様に形
成する。
の表面にＧｅＳ層２を１６００Ｘ程度の厚さに一様に形
成する。
この形成は真空蒸着により極めて容易に行うことが出来
る。なおＧ田は毒性が極めて少なくかつまた４５０℃程
度の低い温度で昇華し、然もその表面での光反射率も高
い。次いで第２図に示す装置を用いて変調されたＡｒレ
ーザー光３をＧｅＳ層２に対し垂直上方から間欠的に照
射し、これによつてこの照射部分をＧｄり昇華温度以上
に加熱する。この結果、ＧｅＳ層２の所定部分が昇華除
去（カツテイング）され、第１Ｂ図に示す如く例えば巾
１μ程度、ピツチ２μ程度の開口４が形成される。この
開口４はピツト状になつていて螺旋状の情報トラツクを
構成するものであり、その深さはモニタリング用のレー
ザー光（後述）の波長の１，４程度である０ＧｅＳま昇
華性が良いので、低パワーのレーザー光の照射でもカラ
ス板１に対して垂直方向に昇華除去され易く、１０００
Ｘ以上の厚さでもカツテイング可能である。従つて第１
Ｂ図に示すＧ田層２のエツジは非常にシヤープなものと
なり、開口４に臨む側面はガラス板１に対し垂直に形成
される。従つて後述するモニタリングをカツテイングと
同時に行うに際し、解像度が非常に良好なものとなり、
Ｓ／Ｎ比も良好となる。即ちＧｅＳ層２はモニタリング
用のレーザー光（レツドビーム）に対して反射率が充分
高いから、上述のカツテイングされた部分を．カツテイ
ング直後に走査ずれば、反射光を利用してモニタリング
を同時に行うことが可能となる。またＧｅＳま毒性が極
めて少ないために、上述の各操作に際し昇華物質による
危険性が全く存在せず、記録用材料として好適なもので
ある。次にこのようにして得られた原盤５からスタンパ
一を製作するには、まず第１Ｃ図に示すようにガラス板
１表面にＮｉ等の金属層６を５〜１０μ、例えば７μ程
度の厚さに真空蒸着か或いは無電解メツキにより形成す
る。
る。なおＧ田は毒性が極めて少なくかつまた４５０℃程
度の低い温度で昇華し、然もその表面での光反射率も高
い。次いで第２図に示す装置を用いて変調されたＡｒレ
ーザー光３をＧｅＳ層２に対し垂直上方から間欠的に照
射し、これによつてこの照射部分をＧｄり昇華温度以上
に加熱する。この結果、ＧｅＳ層２の所定部分が昇華除
去（カツテイング）され、第１Ｂ図に示す如く例えば巾
１μ程度、ピツチ２μ程度の開口４が形成される。この
開口４はピツト状になつていて螺旋状の情報トラツクを
構成するものであり、その深さはモニタリング用のレー
ザー光（後述）の波長の１，４程度である０ＧｅＳま昇
華性が良いので、低パワーのレーザー光の照射でもカラ
ス板１に対して垂直方向に昇華除去され易く、１０００
Ｘ以上の厚さでもカツテイング可能である。従つて第１
Ｂ図に示すＧ田層２のエツジは非常にシヤープなものと
なり、開口４に臨む側面はガラス板１に対し垂直に形成
される。従つて後述するモニタリングをカツテイングと
同時に行うに際し、解像度が非常に良好なものとなり、
Ｓ／Ｎ比も良好となる。即ちＧｅＳ層２はモニタリング
用のレーザー光（レツドビーム）に対して反射率が充分
高いから、上述のカツテイングされた部分を．カツテイ
ング直後に走査ずれば、反射光を利用してモニタリング
を同時に行うことが可能となる。またＧｅＳま毒性が極
めて少ないために、上述の各操作に際し昇華物質による
危険性が全く存在せず、記録用材料として好適なもので
ある。次にこのようにして得られた原盤５からスタンパ
一を製作するには、まず第１Ｃ図に示すようにガラス板
１表面にＮｉ等の金属層６を５〜１０μ、例えば７μ程
度の厚さに真空蒸着か或いは無電解メツキにより形成す
る。
この金属層６はＧｅＳ２の形状に対応して開口４と同一
サイズの凹部７を有した状態で付着する。真空蒸着によ
れば蒸着金属がガラス板１に対して垂直に付着するので
、凹部７の周囲は垂直となりかつまたその底面はガラス
ｊ板１と平行なものとなる。
サイズの凹部７を有した状態で付着する。真空蒸着によ
れば蒸着金属がガラス板１に対して垂直に付着するので
、凹部７の周囲は垂直となりかつまたその底面はガラス
ｊ板１と平行なものとなる。
次いでこの金属層６表面にＮｉ等の電解メツキを施こし
、しかる後このメツキ層を金属層６及びガラス板１から
剥離することにより第１Ｄ図に示す如く金属層６と逆パ
ターンのスタンパ一８を製作することが出来る。
、しかる後このメツキ層を金属層６及びガラス板１から
剥離することにより第１Ｄ図に示す如く金属層６と逆パ
ターンのスタンパ一８を製作することが出来る。
なお上述のカツテイング及びモニタリングに用いる装置
を第２図に付き説明すれば、第１Ａ図に示す状態のガラ
ス板１を電動機９の回転軸に連結して回転可能に配し、
ガラス板１のＧ侶層２側にはガラス板１の径方向に開口
１０を有するダストカバー１１を近接配置する。
を第２図に付き説明すれば、第１Ａ図に示す状態のガラ
ス板１を電動機９の回転軸に連結して回転可能に配し、
ガラス板１のＧ侶層２側にはガラス板１の径方向に開口
１０を有するダストカバー１１を近接配置する。
この開口１０内には移動台１２に固定された空気ベアリ
ングヘツド１３を配し、ガラス板１に近接する対物レン
ズ（図示せず）を空気ベアリングによつて位置保持する
。ＧｅＳ層２のカツテイングを行うには、Ａｒレーザー
１４からのレーザー光３を電気シヤツタ１５により変調
してからプリズム１６、レンズ１７、ダイクロイツクミ
ラー１８に夫々通じ、ミラー１９によつてヘツド１３の
対物レンズに導びいてガラス板１上の所定位置に導びく
。
ングヘツド１３を配し、ガラス板１に近接する対物レン
ズ（図示せず）を空気ベアリングによつて位置保持する
。ＧｅＳ層２のカツテイングを行うには、Ａｒレーザー
１４からのレーザー光３を電気シヤツタ１５により変調
してからプリズム１６、レンズ１７、ダイクロイツクミ
ラー１８に夫々通じ、ミラー１９によつてヘツド１３の
対物レンズに導びいてガラス板１上の所定位置に導びく
。
この際ガラス板１を回転させかつ移動台１２を等速移動
させるようにすればＧｅＳ層２のカツテイングを螺旋状
に行うことが出来る。またこれと同時にモニタリングを
行うには、Ｈｅ−Ｎｅレーザー２０からのレーザー光２
１をミラー２２に（レンズ２３に導びき、これをミラー
２４，１８，１９にて夫々反射させて既にカツテイング
されたＧｅＳ層２上に導びく。この場合レーザー光２１
のＧｅＳ層２上への照射点がレーザー光３による照射点
からずらすようにすれば、カツテイングされた表面から
の反射光をトラツキングトランスデユーサ２５で検出す
ることが出来る。なお各レーザー光の集点を調節するに
はレンズ１７，２３を移動させればよい。本実施例によ
れば、上述した如く、昇華温度の低いＧｅＳをカツテイ
ングするようｌζしているから、記録像のエツジを非常
にシヤープにし得、Ｓ／Ｎ比が良くてフオトレジストを
用いる場合と同程度の解像度を得ることが出来る。
させるようにすればＧｅＳ層２のカツテイングを螺旋状
に行うことが出来る。またこれと同時にモニタリングを
行うには、Ｈｅ−Ｎｅレーザー２０からのレーザー光２
１をミラー２２に（レンズ２３に導びき、これをミラー
２４，１８，１９にて夫々反射させて既にカツテイング
されたＧｅＳ層２上に導びく。この場合レーザー光２１
のＧｅＳ層２上への照射点がレーザー光３による照射点
からずらすようにすれば、カツテイングされた表面から
の反射光をトラツキングトランスデユーサ２５で検出す
ることが出来る。なお各レーザー光の集点を調節するに
はレンズ１７，２３を移動させればよい。本実施例によ
れば、上述した如く、昇華温度の低いＧｅＳをカツテイ
ングするようｌζしているから、記録像のエツジを非常
にシヤープにし得、Ｓ／Ｎ比が良くてフオトレジストを
用いる場合と同程度の解像度を得ることが出来る。
またＧｅＳ層２は反射率が良いのでカツテイングと同時
にモニタリングも行え、毒性の極めて少ないＧ｝を真空
蒸着にて容易に形成し得るから、原盤の製造を簡単で安
全かつ正確に行うことが出来る。更にまたＧｅＳ層によ
り情報トラツクを構成しているから次のスタンパ一製作
のためのメツキ工程を行うことが出来、従つて従来のフ
オトレジストを用いた場合のようにメツキ工程前に現像
処理等を施こす必要がなく工程が更に簡略化される。次
に本発明の第２の実施例を第３図に付き述べる。
にモニタリングも行え、毒性の極めて少ないＧ｝を真空
蒸着にて容易に形成し得るから、原盤の製造を簡単で安
全かつ正確に行うことが出来る。更にまたＧｅＳ層によ
り情報トラツクを構成しているから次のスタンパ一製作
のためのメツキ工程を行うことが出来、従つて従来のフ
オトレジストを用いた場合のようにメツキ工程前に現像
処理等を施こす必要がなく工程が更に簡略化される。次
に本発明の第２の実施例を第３図に付き述べる。
まず第３Ａ図に示す如く、ガラス板３１表面に厚さ３０
０〜４００ＸのＧ侶層３２を均一に真空蒸着し、次いで
前記第１の実施例で述べたと同様にしてＧｅＳ層３２を
カツテイングし、これによつて開口３４を１μ程度の幅
、２μ程度のピツチにて形成し、情報の記録を行う。
０〜４００ＸのＧ侶層３２を均一に真空蒸着し、次いで
前記第１の実施例で述べたと同様にしてＧｅＳ層３２を
カツテイングし、これによつて開口３４を１μ程度の幅
、２μ程度のピツチにて形成し、情報の記録を行う。
次いで第３Ｂ図に示す如く、ガラス板３１表面にフオト
レジスト層３０を１３００Ｘ程度の厚さに塗布する。
レジスト層３０を１３００Ｘ程度の厚さに塗布する。
この場合、フオトレジスト層３０の表面はガラス板３１
と平行になるようにしておく。次いでガラス板３１の裏
面から紫外線３３を照射すると、Ｇ田層３２がマスクと
して作用し、ガラス板３１内を進行した紫外線はＧｅＳ
層３２の存在しない部分のみを通過してこの部分のフオ
トレジスト層３０を露光せしめる。しかる後に現像処理
を行うことにより、フオトレジスト層３０の露光部分を
除去する。この結果（ト）Ｓ層３２上にのみフオトレジ
スト層３０を残すことが出来、これら両層による厚み１
６００〜１７００Ｘがモニタリング用レーザー光の波長
のいに丁度対応している。なおフオトレジスト層３０と
しては、ＡＺ（アソプレートシツプレ一社製）、ＫＯＲ
（イーストマン・コダツク社製）、０ＰＦＲ（東京応化
株式会社製）等のボジタイプのものからなつている。
と平行になるようにしておく。次いでガラス板３１の裏
面から紫外線３３を照射すると、Ｇ田層３２がマスクと
して作用し、ガラス板３１内を進行した紫外線はＧｅＳ
層３２の存在しない部分のみを通過してこの部分のフオ
トレジスト層３０を露光せしめる。しかる後に現像処理
を行うことにより、フオトレジスト層３０の露光部分を
除去する。この結果（ト）Ｓ層３２上にのみフオトレジ
スト層３０を残すことが出来、これら両層による厚み１
６００〜１７００Ｘがモニタリング用レーザー光の波長
のいに丁度対応している。なおフオトレジスト層３０と
しては、ＡＺ（アソプレートシツプレ一社製）、ＫＯＲ
（イーストマン・コダツク社製）、０ＰＦＲ（東京応化
株式会社製）等のボジタイプのものからなつている。
本実施例においても前記第１の実施例と同様の効果が得
られると共に、フオトレジスト層により厚みをかせいで
いる点でＧ侶層３２の厚みが小さくてよく、従つて蒸着
も容易である。以上本発明を一実施例：・こ基いて説明
したが、本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能で
あることが理解されよう。
られると共に、フオトレジスト層により厚みをかせいで
いる点でＧ侶層３２の厚みが小さくてよく、従つて蒸着
も容易である。以上本発明を一実施例：・こ基いて説明
したが、本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能で
あることが理解されよう。
例えば螺線状トラツクに限らず同心円状にしてもよい。
なお本発明はディスク記録盤に限定することなく、例え
ば円筒状の記録体及び音声情報の記録体に適用すること
も可能である。本発明は上述の如く、毒性の少ない昇華
性金属化合物層を選択的に加熱して昇華除去せしめるよ
う（こしているので、言？像の工゛ンジをシャープ０な
ものとなし得て解像度良く、Ｓ／Ｎ比の良い記録媒体を
提供することが出来る。
なお本発明はディスク記録盤に限定することなく、例え
ば円筒状の記録体及び音声情報の記録体に適用すること
も可能である。本発明は上述の如く、毒性の少ない昇華
性金属化合物層を選択的に加熱して昇華除去せしめるよ
う（こしているので、言？像の工゛ンジをシャープ０な
ものとなし得て解像度良く、Ｓ／Ｎ比の良い記録媒体を
提供することが出来る。
また毒性の少ない金属化合物を用い、然もカツテイング
後に引続いてメツキ工程を行うことが出来るから、取扱
い安全にして製造工程を著しく簡略化することが出来る
。
後に引続いてメツキ工程を行うことが出来るから、取扱
い安全にして製造工程を著しく簡略化することが出来る
。
第１図及び第２図は本発明をデイスク記録盤に適用した
第１の実施例を示すものであつて、第１Ａ図〜第１Ｄ図
ばデイスク記録盤の製造工程を概略的に示す断面図、第
２図はカツテイング及びモニタリングに用いる装置の概
略図である。 第３図は本発明をデイスク記録盤に適用した第２の実施
例を示すものであつて、デイスク記録盤の製造工程を示
す断面図である。なお図面に用いられている符号におい
て、１，３１はガラス板、２，３２はＧ侶層、３はレー
ザー光、６は金属層、８はスタンパ一、１４はＡｒレー
ザー、２０はＨｅ−Ｎｅレーザー、２５はトランスデユ
ーサ、３０はフオトレジスト層、３３は紫外線である。
第１の実施例を示すものであつて、第１Ａ図〜第１Ｄ図
ばデイスク記録盤の製造工程を概略的に示す断面図、第
２図はカツテイング及びモニタリングに用いる装置の概
略図である。 第３図は本発明をデイスク記録盤に適用した第２の実施
例を示すものであつて、デイスク記録盤の製造工程を示
す断面図である。なお図面に用いられている符号におい
て、１，３１はガラス板、２，３２はＧ侶層、３はレー
ザー光、６は金属層、８はスタンパ一、１４はＡｒレー
ザー、２０はＨｅ−Ｎｅレーザー、２５はトランスデユ
ーサ、３０はフオトレジスト層、３３は紫外線である。
Claims (1)
- １ 基体に情報トラックが設けられた情報記録媒体の製
造方法において、毒性の少ない昇華性金属化合物層を前
記基体上に形成し、次いで前記情報トラック相当部分に
沿つて前記金属化合物層を選択的に加熱してこの加熱部
分を昇華除去せしめるようにしたことを特徴とする情報
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1358675A JPS5953615B2 (ja) | 1975-01-31 | 1975-01-31 | 情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1358675A JPS5953615B2 (ja) | 1975-01-31 | 1975-01-31 | 情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5188203A JPS5188203A (en) | 1976-08-02 |
| JPS5953615B2 true JPS5953615B2 (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=11837279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1358675A Expired JPS5953615B2 (ja) | 1975-01-31 | 1975-01-31 | 情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953615B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966326U (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-04 | 未来工業株式会社 | 可撓性自由端部を有する支持部付き電線管用ノ−マルベンド |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54156608A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-10 | Pioneer Electronic Corp | Information recording carrier |
| US4285056A (en) * | 1979-10-17 | 1981-08-18 | Rca Corporation | Replicable optical recording medium |
-
1975
- 1975-01-31 JP JP1358675A patent/JPS5953615B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966326U (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-04 | 未来工業株式会社 | 可撓性自由端部を有する支持部付き電線管用ノ−マルベンド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5188203A (en) | 1976-08-02 |
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