JPS60195751A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- JPS60195751A JPS60195751A JP5197784A JP5197784A JPS60195751A JP S60195751 A JPS60195751 A JP S60195751A JP 5197784 A JP5197784 A JP 5197784A JP 5197784 A JP5197784 A JP 5197784A JP S60195751 A JPS60195751 A JP S60195751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask plate
- film
- memory element
- optical memory
- guide
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるからである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならなくなる。一般に再
生専用の光メモリでは記録したピットに予め番地情報を
入れておく事ができるので記録情報を再生しながら光ビ
ームの位置決めをすることができるが、追加記録メモリ
あるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録時に
番地情報まで一緒に記録する事は極めて困難である。従
って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリでは
メモリ基板に予め何等かのガイドトラック及びガイド番
地を入れておくという方法が採られている。例えば第７
図に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リのメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すピ
ット情報を与える。この凹凸の溝の形成方法はすでに何
種類か提案されており、大きく分けて次の８種類がある
。
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるからである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならなくなる。一般に再
生専用の光メモリでは記録したピットに予め番地情報を
入れておく事ができるので記録情報を再生しながら光ビ
ームの位置決めをすることができるが、追加記録メモリ
あるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録時に
番地情報まで一緒に記録する事は極めて困難である。従
って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリでは
メモリ基板に予め何等かのガイドトラック及びガイド番
地を入れておくという方法が採られている。例えば第７
図に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リのメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すピ
ット情報を与える。この凹凸の溝の形成方法はすでに何
種類か提案されており、大きく分けて次の８種類がある
。
即ち、
（１） アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用い
、射出成形によって上記溝を作成する方法。
、射出成形によって上記溝を作成する方法。
この成形によりガイドトラック及びガイド番地を予め形
成したＮｉスタンバ−の形状を写し取る。
成したＮｉスタンバ−の形状を写し取る。
（１１） アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガイ
ド番地を予め形成したＮ１スタンバ−に流し込み温度を
かけて固まらせるキャスティング法。
ド番地を予め形成したＮ１スタンバ−に流し込み温度を
かけて固まらせるキャスティング法。
（Ｉｉｉ） アクリル樹脂基板やガラス基板等の基板と
上記ガイドトラック及びガイド番地を予め形成したＮｉ
スタンバ−との間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上
記基板ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、そ
の後で上記Ｎｉスタンバ−を取りはずす、所謂２Ｐ法。
上記ガイドトラック及びガイド番地を予め形成したＮｉ
スタンバ−との間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上
記基板ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、そ
の後で上記Ｎｉスタンバ−を取りはずす、所謂２Ｐ法。
である。
しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いるのでその
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する危
険性がある。この為記録媒体の品質が劣化するという欠
点を有する。この欠点に対処する為に本発明者は既にガ
ラス基板上に７オトレジスト材を塗布し、該フォトレジ
スト材に対してレーザ光を照射してガイドパターン（ガ
イドトラック及びガイド番地）を記録し、その後でエツ
チングによってガイドパターン状に溝を形成する方法を
特願昭５８−８４６１３号によって提案している。しか
しこの方法ではレーザ光によって各ガイドパターンをト
ラック毎に順次記録していかわばならないのでその記録
に長い時間を要し、量産には不向きであるという欠点が
ある。
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する危
険性がある。この為記録媒体の品質が劣化するという欠
点を有する。この欠点に対処する為に本発明者は既にガ
ラス基板上に７オトレジスト材を塗布し、該フォトレジ
スト材に対してレーザ光を照射してガイドパターン（ガ
イドトラック及びガイド番地）を記録し、その後でエツ
チングによってガイドパターン状に溝を形成する方法を
特願昭５８−８４６１３号によって提案している。しか
しこの方法ではレーザ光によって各ガイドパターンをト
ラック毎に順次記録していかわばならないのでその記録
に長い時間を要し、量産には不向きであるという欠点が
ある。
〈目 的〉
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり′、上記特
願昭５８−８４６１ｆ１号に記載された製造に改良を加
えることによって、光メモリ素子の基板に対するガイド
トラック、ガイド番地等の情報を示す溝の形成を短時間
で行ない得る新規な製法を提供することをその目的とす
る。
願昭５８−８４６１ｆ１号に記載された製造に改良を加
えることによって、光メモリ素子の基板に対するガイド
トラック、ガイド番地等の情報を示す溝の形成を短時間
で行ない得る新規な製法を提供することをその目的とす
る。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製法を工
程順に示す説明図である。
程順に示す説明図である。
次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基板の製法
の一実施例を工程順に説明する。
の一実施例を工程順に説明する。
工程（１）酸素、水分等の通過に対して信頼性の高い（
酸素、水分等を通過させない）光メモリ素子用のガラス
基板を洗浄し、そのガラス基板１の上に７オトレジスト
膜２を塗布する（第１図（ａ））。この７オトレジスト
膜２の膜厚は１００ｎｍ−５１００ｎ程度が好ましい。
酸素、水分等を通過させない）光メモリ素子用のガラス
基板を洗浄し、そのガラス基板１の上に７オトレジスト
膜２を塗布する（第１図（ａ））。この７オトレジスト
膜２の膜厚は１００ｎｍ−５１００ｎ程度が好ましい。
工程（１１）上記フォトレジスト膜２を塗布したガラス
基板１上に後述するガイドトラック及びガイド情報をパ
ターン化したマスク板３を密着せしめ、該マスク板３ご
しに紫外ＭＡを照射しマスク板３のマスクパターンを上
記フォトレジスト膜２に転写する（第１図（ｂ））。こ
こで光メモリ素子は円板状であるので上記マスク板８も
円板状であることが望ましい。
基板１上に後述するガイドトラック及びガイド情報をパ
ターン化したマスク板３を密着せしめ、該マスク板３ご
しに紫外ＭＡを照射しマスク板３のマスクパターンを上
記フォトレジスト膜２に転写する（第１図（ｂ））。こ
こで光メモリ素子は円板状であるので上記マスク板８も
円板状であることが望ましい。
工程（ｉｉｌ）上記マスクパターンを書き込んだフォト
レジスト膜２を現像工程に通すことで上記フォトレジス
ト膜２に溝を形成する悌１図（Ｃ））。
レジスト膜２を現像工程に通すことで上記フォトレジス
ト膜２に溝を形成する悌１図（Ｃ））。
工程翰 上記溝を形成した７オトレジスト膜２の被覆状
態において、ウニ、７ ）エツチング若しくはＣＦ４．
ＣＨＦ３等のエツチングガス中でのスパッタリング（リ
アクティブイオンエツチング）等のドライエツチングを
行ないガラス基板１に溝４を形成する（第１図（ｄ））
。
態において、ウニ、７ ）エツチング若しくはＣＦ４．
ＣＨＦ３等のエツチングガス中でのスパッタリング（リ
アクティブイオンエツチング）等のドライエツチングを
行ないガラス基板１に溝４を形成する（第１図（ｄ））
。
工程（Ｖ） 上記レジスト膜２をア七トン等の溶媒。
０２中でのスパッタリング等により除去する。この結果
ガラス基板１に溝４が残る（第１図（ｅ））。
ガラス基板１に溝４が残る（第１図（ｅ））。
以上の工程によってガイドトラック及びガイド番地の情
報を示す溝を有するガラス基板が完成する。この工程に
よれば予めガイドトラック及びガイド情報をパターン化
したマスク板を作成しておき、該マスク板を７オトレジ
スト膜が塗布されたガラス基板上に順次密着せしめてマ
スク板のパターンを転写して行けばよいのでガイドパタ
ーンの記録時間を極めて短縮化できるものである。
報を示す溝を有するガラス基板が完成する。この工程に
よれば予めガイドトラック及びガイド情報をパターン化
したマスク板を作成しておき、該マスク板を７オトレジ
スト膜が塗布されたガラス基板上に順次密着せしめてマ
スク板のパターンを転写して行けばよいのでガイドパタ
ーンの記録時間を極めて短縮化できるものである。
次に上記マスク板の製法について工程順に詳細に説明す
る。
る。
第２図はマスク板の製法を示す説明図である。
工程（１） まず円板状の低反射Ｃｒマスクブランク５
を準備する。第２図（ａ）はそのマスクブランク５の一
部側面断面図である。６は紫外線を良く通す石英ガラス
基板（紫外線Ａの種類によっては通常のソーダライ−ム
ガラスを精度良く研磨したものでも良い。）、７はＣｒ
膜、８は反射防止用のＣｒＯｘ膜である。このマスクブ
ランク５の構造としては、Ｃｒ単層膜やＣｒＯｘ膜。
を準備する。第２図（ａ）はそのマスクブランク５の一
部側面断面図である。６は紫外線を良く通す石英ガラス
基板（紫外線Ａの種類によっては通常のソーダライ−ム
ガラスを精度良く研磨したものでも良い。）、７はＣｒ
膜、８は反射防止用のＣｒＯｘ膜である。このマスクブ
ランク５の構造としては、Ｃｒ単層膜やＣｒＯｘ膜。
Ｃｒ膜、ＣｒＯｘ膜の８層膜の構造であっても構わない
。
。
工程（ｉＤ・・上記マスクブランク５上に７オトレジス
ト膜９をコートする（第２図（ｂ））。このフォトレジ
スト膜９としては例えば ５ｈｉｐｊｊｅｙ社製のＡＺ−１４００等のポジ型のも
のを使用すればよい。このフォトレジスト膜９の厚みは
次の工程（＋＋＋）において用いるレーザ光のパワーに
もよるが通常 １１００ｎ〜５００ｎｍ程度が適当である。
ト膜９をコートする（第２図（ｂ））。このフォトレジ
スト膜９としては例えば ５ｈｉｐｊｊｅｙ社製のＡＺ−１４００等のポジ型のも
のを使用すればよい。このフォトレジスト膜９の厚みは
次の工程（＋＋＋）において用いるレーザ光のパワーに
もよるが通常 １１００ｎ〜５００ｎｍ程度が適当である。
工程（ｉｉｌ）・・上記フォトレジスト膜９をコートし
たマスクブランク５にＡｒレーザｌＯの光を集光してガ
イドトラック及びガイド番地を記録する（第２図（Ｃ）
）。波長が４５７９ＡのＡｒレーザを用い対物レンズ１
１で ０５μｍφ程度のスポット径を持つよう集光した場合、
上記７オトレジスト膜９面上では約１０ｍＷのレーザパ
ワーを得、０６μｍ巾のトラックを記録することができ
る。ここで上記パターン形成用の光としては５０００Ａ
より短い波長のレーザであることが上記ガイドトラック
及びガイド番地のパターンを微細化する為及びフォトレ
ジスト膜９の感度の為に適切であり、Ａｒレーザ以外に
はクリプトンレーザが有用である。
たマスクブランク５にＡｒレーザｌＯの光を集光してガ
イドトラック及びガイド番地を記録する（第２図（Ｃ）
）。波長が４５７９ＡのＡｒレーザを用い対物レンズ１
１で ０５μｍφ程度のスポット径を持つよう集光した場合、
上記７オトレジスト膜９面上では約１０ｍＷのレーザパ
ワーを得、０６μｍ巾のトラックを記録することができ
る。ここで上記パターン形成用の光としては５０００Ａ
より短い波長のレーザであることが上記ガイドトラック
及びガイド番地のパターンを微細化する為及びフォトレ
ジスト膜９の感度の為に適切であり、Ａｒレーザ以外に
はクリプトンレーザが有用である。
工程翰・工程（ｉｉ）によって７オトレジスト膜９にガ
イドトラック及びガイド番地が記録されたマスクブラン
ク５を現像工程に通すことで上記フォトレジスト膜９に
溝を形成する（第２図（ｄ））。尚、この第２図（ｄ）
以下第２図（ｆ）までは横方向の倍率を大きくしている
。
イドトラック及びガイド番地が記録されたマスクブラン
ク５を現像工程に通すことで上記フォトレジスト膜９に
溝を形成する（第２図（ｄ））。尚、この第２図（ｄ）
以下第２図（ｆ）までは横方向の倍率を大きくしている
。
工程（Ｖ）・・上記溝を形成したフォトレジスト膜９の
被覆状態においてエツチングを行ない、ガラス基板６上
の所定の部分のＣｒ膜７及びＣｒｕｘ膜８を除去する（
第２図（ｅ））。
被覆状態においてエツチングを行ない、ガラス基板６上
の所定の部分のＣｒ膜７及びＣｒｕｘ膜８を除去する（
第２図（ｅ））。
工程ＩＶＩＩ 残存した上記フォトレジスト膜９をア七
トン等の溶媒、０２中でのスパッタリング等により除去
する（第２図（ｆ））。この結果、ガラス基板６上にガ
イドトラック及びガイド番地の情報を示す溝を有したＣ
ｒ膜７及びＣｒｕｘ膜８の積層膜を得ることができる。
トン等の溶媒、０２中でのスパッタリング等により除去
する（第２図（ｆ））。この結果、ガラス基板６上にガ
イドトラック及びガイド番地の情報を示す溝を有したＣ
ｒ膜７及びＣｒｕｘ膜８の積層膜を得ることができる。
以上の工程によってらせん状のガイドトラックとガイド
トラックの断続形状によるガイド番地が記録された円板
状のマスク板を得る。
トラックの断続形状によるガイド番地が記録された円板
状のマスク板を得る。
第３図は完成したマスク板１２の外観斜視図、第４図（
ａ）はその一部拡大平面図、第４図（ｂ）はそのａ −
ａ ’線での切断断面図を示す。第３図に示される如く
マスク板１２には中央に穴１３が形成される。この穴１
３によってマスク板１２の製造の際の回転駆動が容易に
なる様に工夫されている。即ちマスク板１２の上記中央
の穴１３を利用してネジ押えやマグネットチャックを行
ない、その固定保持によりマスク板１２の回転動作を安
定的に行なうことができるものである。但し、マスク板
１２の外周部分を保持する機構や真空吸引によりマスク
板１２の面全体を保持する機構を採用する場合は必ずし
も上記マスク板の中央の穴１３は必要でない。１４には
光メモリ素子のガイドトラックのパターンが形成され、
１５には光メモリ素子のガイド番地のパターンが形成さ
れる。
ａ）はその一部拡大平面図、第４図（ｂ）はそのａ −
ａ ’線での切断断面図を示す。第３図に示される如く
マスク板１２には中央に穴１３が形成される。この穴１
３によってマスク板１２の製造の際の回転駆動が容易に
なる様に工夫されている。即ちマスク板１２の上記中央
の穴１３を利用してネジ押えやマグネットチャックを行
ない、その固定保持によりマスク板１２の回転動作を安
定的に行なうことができるものである。但し、マスク板
１２の外周部分を保持する機構や真空吸引によりマスク
板１２の面全体を保持する機構を採用する場合は必ずし
も上記マスク板の中央の穴１３は必要でない。１４には
光メモリ素子のガイドトラックのパターンが形成され、
１５には光メモリ素子のガイド番地のパターンが形成さ
れる。
次に第２図（ｃ）において示した、Ａｒレーザ光を集光
してマスクブランク５上にコートしたフォトレジスト膜
９にガイドトラック及びガイド番地を記録する工程を行
なう装置構成について説明する。
してマスクブランク５上にコートしたフォトレジスト膜
９にガイドトラック及びガイド番地を記録する工程を行
なう装置構成について説明する。
第５図にその装置構成の構成説明図を示す。Ａｒレーザ
光源１６から出た波長４５７９Ａのレーザ光は光変調器
Ｉ７の効率を上げるレンズ１８．光変調器１７．光変調
器Ｉ７の効率を上げるレンズ１９を介してビームスプリ
ンタ２０に入射する。該ビームスプリンタ２０で光の一
部が取り出されて光検出器２１でパワーモニタされる。
光源１６から出た波長４５７９Ａのレーザ光は光変調器
Ｉ７の効率を上げるレンズ１８．光変調器１７．光変調
器Ｉ７の効率を上げるレンズ１９を介してビームスプリ
ンタ２０に入射する。該ビームスプリンタ２０で光の一
部が取り出されて光検出器２１でパワーモニタされる。
この光検出器２１の出力により上記光変調器１７が制御
されし動ケ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の゛出射パワーが室温等の環境条件
の変動で変化するので、これを抑制する為に行なわれる
ものである。２２はレーザ光の光路を変えるミラー、２
３は上述したフォトレジスト膜９にガイド番地を記録す
る際に光を変調する変調器、２４．２５は該変調器２３
の効率を上げる為のレンズである。レーザ光はミラー２
６で更に光路を変えられ、変調光モニタ用ビームスプリ
ッタ２７に入射する。該変調光モニタ用ビームスプリッ
タ２７で光の一部が取り出されて光検出器２８でパワー
モニタされる。２９は２色性ミラーであり、レーザ光は
該２色性ミラー２９を通った後にスポットレンズ３０で
集光され偏光ビームスプリッタ３１により対物レンズ３
２に導かれる。３３は後述するサーボ用のＨｅ−Ｎｅレ
ーザ３４の波長に合わせた４分の１波長板、３５は対物
レンズを上下に動かしてマスク板１２の表面に常に光が
集光されるようサーボをかけるための対物レンズ駆動部
である。３４はサーボ用レーザとして使用されるＨｅ−
Ｎｅレーザである。該Ｈｅ−Ｎｅレーザ３４から出た光
はミラー３６で光路を変えられ、２色性ミラー２９でＡ
ｒレーザ光源１６によるレーザ光路と同一の光路に至る
。ここで２色性ミラー２９としてはＡｒレーザ波長光（
４５７９Ａ）を通過せしめＨｅ−Ｎｅレーザ波長光（６
ｆ３２８Ａ）を全反射せしめるものを用いる。又上記偏
光ビームスプリッタ−３１としてはＨｅ−Ｎｅレーザ光
のＳ波を反射し且つＰ波を通過せしめ、Ａｒレーザ光を
全反射せしめるものを用いる。３７はシリンドリカルレ
ンズ、３８は４分割検出器である。該４分割検出器３８
にはマスク板１２から反射された光が入射しこの４分割
検出器３８の出力によってフォーカスサーボがかけられ
る。同図の点線に囲まれた部分３９はエアースライダー
等の移動装置に乗って移動できるようになっている。そ
して回転するマスク板１２の半径方向にこの移動装置を
移動しながらＡｒレーザを操作すればらせん状のガイド
トラックとガイド番地を潜像の形で７オトレジスト膜９
に記録できる。
されし動ケ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の゛出射パワーが室温等の環境条件
の変動で変化するので、これを抑制する為に行なわれる
ものである。２２はレーザ光の光路を変えるミラー、２
３は上述したフォトレジスト膜９にガイド番地を記録す
る際に光を変調する変調器、２４．２５は該変調器２３
の効率を上げる為のレンズである。レーザ光はミラー２
６で更に光路を変えられ、変調光モニタ用ビームスプリ
ッタ２７に入射する。該変調光モニタ用ビームスプリッ
タ２７で光の一部が取り出されて光検出器２８でパワー
モニタされる。２９は２色性ミラーであり、レーザ光は
該２色性ミラー２９を通った後にスポットレンズ３０で
集光され偏光ビームスプリッタ３１により対物レンズ３
２に導かれる。３３は後述するサーボ用のＨｅ−Ｎｅレ
ーザ３４の波長に合わせた４分の１波長板、３５は対物
レンズを上下に動かしてマスク板１２の表面に常に光が
集光されるようサーボをかけるための対物レンズ駆動部
である。３４はサーボ用レーザとして使用されるＨｅ−
Ｎｅレーザである。該Ｈｅ−Ｎｅレーザ３４から出た光
はミラー３６で光路を変えられ、２色性ミラー２９でＡ
ｒレーザ光源１６によるレーザ光路と同一の光路に至る
。ここで２色性ミラー２９としてはＡｒレーザ波長光（
４５７９Ａ）を通過せしめＨｅ−Ｎｅレーザ波長光（６
ｆ３２８Ａ）を全反射せしめるものを用いる。又上記偏
光ビームスプリッタ−３１としてはＨｅ−Ｎｅレーザ光
のＳ波を反射し且つＰ波を通過せしめ、Ａｒレーザ光を
全反射せしめるものを用いる。３７はシリンドリカルレ
ンズ、３８は４分割検出器である。該４分割検出器３８
にはマスク板１２から反射された光が入射しこの４分割
検出器３８の出力によってフォーカスサーボがかけられ
る。同図の点線に囲まれた部分３９はエアースライダー
等の移動装置に乗って移動できるようになっている。そ
して回転するマスク板１２の半径方向にこの移動装置を
移動しながらＡｒレーザを操作すればらせん状のガイド
トラックとガイド番地を潜像の形で７オトレジスト膜９
に記録できる。
以上の光メモリ素子の基板に対するガイドトラツク、ガ
イド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は同心円状でも
良く、又ガイド番地の情報は１周に１度に限らず、２周
あるいは３周に１度に設けても良く、更には１周に数度
設けても構わない。
イド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は同心円状でも
良く、又ガイド番地の情報は１周に１度に限らず、２周
あるいは３周に１度に設けても良く、更には１周に数度
設けても構わない。
第６図は第１図に示した製法によって得た基板を用いて
構成した光メモリ素子の一部側面断面図を示す。同図に
おいてガラス基板１上に凹凸の溝４（即ちガイドトラッ
ク）が形成され、該ガラス基板１上に該ガラス基板１の
屈折率より大きな屈折率を有する例えば、ＩＮ膜、Ｓｉ
Ｏ膜等の誘電体膜４０が被覆される。この誘電体膜４０
の膜厚は５００〜１００ＯＡ程度である。上記誘電体膜
４０上にＧｄＴｂＦｅ 、ＴｂＦｅ 、ＧｄＣｏＦｅ等
の希土類と遷移金属との合金薄膜４１（記録媒体）が被
覆される。
構成した光メモリ素子の一部側面断面図を示す。同図に
おいてガラス基板１上に凹凸の溝４（即ちガイドトラッ
ク）が形成され、該ガラス基板１上に該ガラス基板１の
屈折率より大きな屈折率を有する例えば、ＩＮ膜、Ｓｉ
Ｏ膜等の誘電体膜４０が被覆される。この誘電体膜４０
の膜厚は５００〜１００ＯＡ程度である。上記誘電体膜
４０上にＧｄＴｂＦｅ 、ＴｂＦｅ 、ＧｄＣｏＦｅ等
の希土類と遷移金属との合金薄膜４１（記録媒体）が被
覆される。
この合金薄膜４１の膜厚は５０〜４００Ａ程度である。
この合金薄膜４１の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件
から決まり、上限は磁気光学効果の増大条件から決まる
。よって上記合金薄膜４１の適正膜厚は膜生成方法に依
存する。上記合金薄膜４１をスパッタリングによって膜
生成する場合その膜厚が５０λ程度以下だと垂直磁化膜
を得る事が困難であるのでその膜厚は５０Ａ程度より大
であることが必要である。上記合金薄膜４１の上にはＡ
ｕＮ 。
から決まり、上限は磁気光学効果の増大条件から決まる
。よって上記合金薄膜４１の適正膜厚は膜生成方法に依
存する。上記合金薄膜４１をスパッタリングによって膜
生成する場合その膜厚が５０λ程度以下だと垂直磁化膜
を得る事が困難であるのでその膜厚は５０Ａ程度より大
であることが必要である。上記合金薄膜４１の上にはＡ
ｕＮ 。
５ｉ０２等の誘電体膜４２．及びＣｕ、Ａｆｌ、ステン
レス、Ｎｉ等の金属からなる反射膜４３が形成される。
レス、Ｎｉ等の金属からなる反射膜４３が形成される。
上記誘電体膜４２及び反射膜４３は磁気光学効果の特性
向上を促すとともに上記合金薄膜４１への酸素及び水分
の到達を防止する作用を有する。
向上を促すとともに上記合金薄膜４１への酸素及び水分
の到達を防止する作用を有する。
４４は接着層、４５は該接着層４４より接着されるガラ
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板４５
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼り合わせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板４５
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼り合わせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第６図に示した合
金薄膜４１の膜厚を厚くして反射膜４３を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ
、ＴｅＳ、ＴｅＯｘ等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。
モリ素子について示したが、本発明は第６図に示した合
金薄膜４１の膜厚を厚くして反射膜４３を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ
、ＴｅＳ、ＴｅＯｘ等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。
〈効 果〉
本発明によれば光メモリ素子のガイド信号あるいはガイ
ド番地の形成に際して樹脂材を用いなくともよいので酸
素あるいは水分等が記録媒体に達することを防止でき、
その為信頼性の高い光メモリ素子を得ることができるも
のである。又光メモリ素子の基板に形成するガイドパタ
ーンの溝を効率良く形成でき、光メモリ素子の量産化を
大いに高めることができるものである。
ド番地の形成に際して樹脂材を用いなくともよいので酸
素あるいは水分等が記録媒体に達することを防止でき、
その為信頼性の高い光メモリ素子を得ることができるも
のである。又光メモリ素子の基板に形成するガイドパタ
ーンの溝を効率良く形成でき、光メモリ素子の量産化を
大いに高めることができるものである。
第１図は本発明に係る光メモリ素子の製法の一実施例の
基板の製法を工程順に示す説明図、第２図はマスク板の
製法を示す説明図、第３図はマスク板の外観斜視図、第
４１１（ａ）はマスク板の一部拡大平面図、第４図（ｂ
）はそのａ−ａ’線での切断断面図、第５図はガイドト
ランク及びガイド番地を記録する工程を行なう装置構成
の構成説明図、第６図は光メモリ素子の一部側面断面図
、第７図は従来のメモリ基板の一部斜視図を示す。 図中、１ニガラス基板 ２ニアオドレジスト膜８：マス
ク板 ４．溝 ５：マスクブランク ６：ガラス基板 １：Ｃｒ膜 ８ ： Ｃｒｕｘ膜 ９：フォトレジスト膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｖｃ１図 第２図
基板の製法を工程順に示す説明図、第２図はマスク板の
製法を示す説明図、第３図はマスク板の外観斜視図、第
４１１（ａ）はマスク板の一部拡大平面図、第４図（ｂ
）はそのａ−ａ’線での切断断面図、第５図はガイドト
ランク及びガイド番地を記録する工程を行なう装置構成
の構成説明図、第６図は光メモリ素子の一部側面断面図
、第７図は従来のメモリ基板の一部斜視図を示す。 図中、１ニガラス基板 ２ニアオドレジスト膜８：マス
ク板 ４．溝 ５：マスクブランク ６：ガラス基板 １：Ｃｒ膜 ８ ： Ｃｒｕｘ膜 ９：フォトレジスト膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｖｃ１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光メモリ素子用のガラス基板上に第１の７オトレジ
スト膜を塗布し、 透明基板上にガイドパターン状に欠如された金属膜が被
覆されてなるマスク板を前記第１の７オトレジスト膜が
塗布されたガラス基板上に重ね、 前記マスク板を介して前記第１の７オトレジスト膜に紫
外線を照射し、 前記マスク板のガイドパターンを前記第１の７オトレジ
スト膜に転写し、 該第１の７オトレジスト膜を現像した後でエツチングに
より前記ガラス基板にガイドパターンを堀りこんだこと
を特徴とする光メモリ素子の製造方法。 ２ 前記マスク板が、透明基板上に形成された金属膜上
に第２の７オトレジスト膜を塗布し、レーザ光ビームに
て前記第２の７オトレジスト膜にガイドパターンを記録
し、前記第２の７オトレジスト膜を現像した後でエツチ
ングにより前記金属膜にガイドパターン状の欠如部分を
形成することにより構成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光メモリ素子の製造方法。 ８ 前記マスク板が円形状の回転体であると共に前記レ
ーザ光ビームが前記マスク板の半径方向に移動する構造
体から照射されることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の光メモリ素子の製造方法。 ４、前記マスク板に回転駆動体に対する固定保持を行な
う為の穴が形成されることを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の光メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051977A JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
| EP85102922A EP0155000B1 (en) | 1984-03-16 | 1985-03-14 | Method of manufacturing optical memory element |
| DE8585102922T DE3583754D1 (de) | 1984-03-16 | 1985-03-14 | Verfahren zur herstellung eines optischen speicherelements. |
| CA000476648A CA1225467A (en) | 1984-03-16 | 1985-03-15 | Method of manufacturing optical memory element |
| US07/017,456 US4778747A (en) | 1984-03-16 | 1987-02-24 | Method of manufacturing optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051977A JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12077691A Division JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195751A true JPS60195751A (ja) | 1985-10-04 |
| JPH0685237B2 JPH0685237B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=12901922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59051977A Expired - Fee Related JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685237B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61162844A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-23 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| US5128922A (en) * | 1987-09-29 | 1992-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk with glass substrate and method of producing same |
| JPH07800U (ja) * | 1992-12-10 | 1995-01-06 | 有限会社井上貝細工製作所 | 観賞用置物 |
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| JP2008128748A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Ground Design Kenkyusho:Kk | 簡易計量容器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS57189893A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Duplication of optical information |
| JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP59051977A patent/JPH0685237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS57189893A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Duplication of optical information |
| JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61162844A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-23 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| US5128922A (en) * | 1987-09-29 | 1992-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk with glass substrate and method of producing same |
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US5676854A (en) * | 1991-08-09 | 1997-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| JPH07800U (ja) * | 1992-12-10 | 1995-01-06 | 有限会社井上貝細工製作所 | 観賞用置物 |
| JP2008128748A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Ground Design Kenkyusho:Kk | 簡易計量容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685237B2 (ja) | 1994-10-26 |
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|---|---|---|---|
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