JPS60147946A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- JPS60147946A JPS60147946A JP379784A JP379784A JPS60147946A JP S60147946 A JPS60147946 A JP S60147946A JP 379784 A JP379784 A JP 379784A JP 379784 A JP379784 A JP 379784A JP S60147946 A JPS60147946 A JP S60147946A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
する仁とができるだめである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に情報を記録したシ、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したシするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならないのである。一般
に再生専用の光メモリでは記録したビットに予め番地情
報を入れておく事ができるので記録情報を再生しながら
光ビームの位置決めをすることができるが、追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録
時に番地情報まで一諸に記録する事は極めて困難である
。
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
する仁とができるだめである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に情報を記録したシ、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したシするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならないのである。一般
に再生専用の光メモリでは記録したビットに予め番地情
報を入れておく事ができるので記録情報を再生しながら
光ビームの位置決めをすることができるが、追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録
時に番地情報まで一諸に記録する事は極めて困難である
。
従って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリで
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れておくという方法が採られている。例えば第２図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基板
に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録あ
るいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は円
周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビッ
ト情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はす
でに何種類か提案されている。たとえば第３図に示す如
く凹凸の溝の入ったＮｉスタンパ−１を用い射出成形に
よりアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板２に直接
凹凸の溝を転写する方法や、第４図に示す如くガラスあ
るいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンバ
−１との間に紫外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化樹
脂に凹凸の溝を転写する方法（２Ｐ法）等である。しか
しこれらの方法はいずれも樹脂を用いているので樹脂を
通じて酸素あるいは水分等が記録媒体に達するため記録
媒体の品質が劣化するという欠点を有する。
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れておくという方法が採られている。例えば第２図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基板
に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録あ
るいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は円
周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビッ
ト情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はす
でに何種類か提案されている。たとえば第３図に示す如
く凹凸の溝の入ったＮｉスタンパ−１を用い射出成形に
よりアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板２に直接
凹凸の溝を転写する方法や、第４図に示す如くガラスあ
るいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンバ
−１との間に紫外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化樹
脂に凹凸の溝を転写する方法（２Ｐ法）等である。しか
しこれらの方法はいずれも樹脂を用いているので樹脂を
通じて酸素あるいは水分等が記録媒体に達するため記録
媒体の品質が劣化するという欠点を有する。
この欠点に鑑み本発明者等は既に樹脂材を用いなくとも
光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を
提案している（特願昭５８−８４６１３）。
光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を
提案している（特願昭５８−８４６１３）。
〈目 的〉
本発明は上述した樹脂を用いなくとも光メモリ素子の基
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状の精８度を向上せしめるこ
とを目的とするものである。
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状の精８度を向上せしめるこ
とを目的とするものである。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第５図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製法を工
程順に示す説明図である。
程順に示す説明図である。
次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基板の製法
の一実施例を工程順に説明する。
の一実施例を工程順に説明する。
工程（ｉ）・・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の
高い（酸素、水分等を通過させない） ガラス基板５の上にレジスト膜６を塗 布する（第５図（ａ） ）０ 工程（ｉｉ ）・・・上記ガラス基板５の上に塗布した
レジスト膜６にＡｒレーザ等の光７を対物 レンズ８を介して照射して光メモリ素 子用のガイド溝（第２図参照）の巾と 同一の巾を持つ線（あるいは番地信号 を記録する断続線）を書き込む（第５ 図（ｂ））。
高い（酸素、水分等を通過させない） ガラス基板５の上にレジスト膜６を塗 布する（第５図（ａ） ）０ 工程（ｉｉ ）・・・上記ガラス基板５の上に塗布した
レジスト膜６にＡｒレーザ等の光７を対物 レンズ８を介して照射して光メモリ素 子用のガイド溝（第２図参照）の巾と 同一の巾を持つ線（あるいは番地信号 を記録する断続線）を書き込む（第５ 図（ｂ））。
工程（ｉｉｉ）・・・上記線（若しくは断続線）を書き
込んだレジスト膜６を現像工程に通すこと で上記レジスト膜６に凹凸の溝を形成 する（第５図（Ｃ））。
込んだレジスト膜６を現像工程に通すこと で上記レジスト膜６に凹凸の溝を形成 する（第５図（Ｃ））。
工程（ｉｖ）・・・上記凹凸の溝を形成したレジスト膜
６の被覆状態において、ＣＦ ４ 、 ＣＨＦ ｓ等の
エツチングガス中でスパッタリング （リアクティブイオンエツチング）を 行ないガラス基板５に溝９を形成する （第５図（ｄ））。
６の被覆状態において、ＣＦ ４ 、 ＣＨＦ ｓ等の
エツチングガス中でスパッタリング （リアクティブイオンエツチング）を 行ないガラス基板５に溝９を形成する （第５図（ｄ））。
工程（Ｖ）・・・上記レジスト膜６をアセトン等の溶媒
。
。
０２中でのスパッタリング等により除
去する。この結果ガラス基板５に溝９
が残る（第５図（ｅ））。
次に第６図に、上記リアクティブイオンエツチングを行
ない互いにエツチング条件を変えた時の溝９の断面形状
を示す。この断面形状はタリステップによる測定でめた
。同図（ａ）は溝９の底面が平担に形成された場合の形
状（溝の深さ５００Ａ。
ない互いにエツチング条件を変えた時の溝９の断面形状
を示す。この断面形状はタリステップによる測定でめた
。同図（ａ）は溝９の底面が平担に形成された場合の形
状（溝の深さ５００Ａ。
溝の巾１μｍ）を示し、同図（ｂ）は溝９の底面中央が
凸形に湾曲して形成された場合の形状を示す。
凸形に湾曲して形成された場合の形状を示す。
ここで同図（ａ）の溝と同図（ｂ）の溝とをガイドトラ
ックとして再生光を導き、サーボをかけて再生信号の雑
音を測定したところ同図（ａ）の溝の方が同図（ｂ）の
溝よりも２〜３ｄＢ程度ノイズ成分が低いことが判明し
た。即ち溝９の底面が平担に形成されている事が再生特
性上有効なのである０同図（ａ）の溝と同図伽）の溝と
では上記した如くエツチング条件が異なり、具体的に言
えば同図（ａ）の溝形成の場合はエツチングガス圧を低
くするとともにスパッタ電極の自己バイアスを高く設定
しだが、同図＜ｂ＞の溝形成の場合は相対的にエツチン
グガス圧を高くするとともにスパッタ電極の自己バイア
スを低く設定した。
ックとして再生光を導き、サーボをかけて再生信号の雑
音を測定したところ同図（ａ）の溝の方が同図（ｂ）の
溝よりも２〜３ｄＢ程度ノイズ成分が低いことが判明し
た。即ち溝９の底面が平担に形成されている事が再生特
性上有効なのである０同図（ａ）の溝と同図伽）の溝と
では上記した如くエツチング条件が異なり、具体的に言
えば同図（ａ）の溝形成の場合はエツチングガス圧を低
くするとともにスパッタ電極の自己バイアスを高く設定
しだが、同図＜ｂ＞の溝形成の場合は相対的にエツチン
グガス圧を高くするとともにスパッタ電極の自己バイア
スを低く設定した。
次に第１図にエツチング条件を種々と変えた時の溝形状
の測定結果を示す。溝の底面が平担に形成されたものを
○印で示し、溝の底面中央が凸状に湾曲して形成された
ものをＸ印で示している。
の測定結果を示す。溝の底面が平担に形成されたものを
○印で示し、溝の底面中央が凸状に湾曲して形成された
ものをＸ印で示している。
同図により、リアクティブイオンエツチングの際にエツ
チングガス圧を３０ｍＴｏｒｒ以下で且つ電極の自己バ
イアスが４００ｖ以上とした蒔溝の底面を平担に形成で
き、良好な案内溝を作成できることが判る。
チングガス圧を３０ｍＴｏｒｒ以下で且つ電極の自己バ
イアスが４００ｖ以上とした蒔溝の底面を平担に形成で
き、良好な案内溝を作成できることが判る。
第７図は上記した好ましいエツチング条件によって溝を
形成した基板を具備した光メモリ素子の一部側面断面図
である。５は上記した好ましいエツチング条件によって
溝が形成されたガラス基板、１０はＡ、／１．Ｎ膜＋
ＳＬ＋Ｎ４膜等の窒化膜からなる誘電体膜、１１はＧｄ
ＮｄＦｅ 、 ＧｄＴｂＦｅ 、 ＧｄＣｏ等の希土類
と遷移金属との合金薄膜（記録媒体）、１２はＡｔ膜、
ステンレス膜等からなる反射膜である。上記誘電体膜１
０及び反射膜１２は磁気光学効果の特性向上を促すとと
もに上記合金薄膜１１への酸素及び水分の到達を防止す
る作用を有する。
形成した基板を具備した光メモリ素子の一部側面断面図
である。５は上記した好ましいエツチング条件によって
溝が形成されたガラス基板、１０はＡ、／１．Ｎ膜＋
ＳＬ＋Ｎ４膜等の窒化膜からなる誘電体膜、１１はＧｄ
ＮｄＦｅ 、 ＧｄＴｂＦｅ 、 ＧｄＣｏ等の希土類
と遷移金属との合金薄膜（記録媒体）、１２はＡｔ膜、
ステンレス膜等からなる反射膜である。上記誘電体膜１
０及び反射膜１２は磁気光学効果の特性向上を促すとと
もに上記合金薄膜１１への酸素及び水分の到達を防止す
る作用を有する。
１３は接着層、１４は該接着層１３より接着されるガラ
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板１４
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼り合わせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板１４
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼り合わせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示しだが、本発明は第７図に示しだ合
金薄膜１１の膜厚を厚くして反射膜１２を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ
、ＴｅＳ、ＴｅＯｘ等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。
モリ素子について示しだが、本発明は第７図に示しだ合
金薄膜１１の膜厚を厚くして反射膜１２を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ
、ＴｅＳ、ＴｅＯｘ等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。
〈効 果〉
以上の本発明によれば光メモリ素子の案内溝を良好な形
状に形成でき、再生信号の雑音を低減化することが出来
るものである。
状に形成でき、再生信号の雑音を低減化することが出来
るものである。
第１図は本発明の光メモリ素子の製造方法に係るエツチ
ング条件を示すグラフ図、第２図は従来のメモリ基板の
一部斜視図、第３図及び第４図は従来のメモリ基板の製
造過程を示す説明図、第５図は本発明の光メモリ素子の
製造方法に係る一実施例を示す説明図、第６図は溝の断
面図、第７図は光メモリ素子の一部側面断面図である。 図中、 １ ： Ｎｉスタンバ−２＝樹脂基板 ３：紫外線硬化樹脂 ４：基 板 ５ニガラス基板 ６：レジスト膜 ７：光 ８：対物レンズ ９：溝 １０：透電体膜 １１：合金膜 １２：反射膜 １３：接着層 １４：保護板 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 Ｃ＜ｅ２：＆ｒ第１
図 第２図 第３図 第 ４ 図 第 ５ 区 （Ｑ） （ｂ＞ 第６ 図 第７図
ング条件を示すグラフ図、第２図は従来のメモリ基板の
一部斜視図、第３図及び第４図は従来のメモリ基板の製
造過程を示す説明図、第５図は本発明の光メモリ素子の
製造方法に係る一実施例を示す説明図、第６図は溝の断
面図、第７図は光メモリ素子の一部側面断面図である。 図中、 １ ： Ｎｉスタンバ−２＝樹脂基板 ３：紫外線硬化樹脂 ４：基 板 ５ニガラス基板 ６：レジスト膜 ７：光 ８：対物レンズ ９：溝 １０：透電体膜 １１：合金膜 １２：反射膜 １３：接着層 １４：保護板 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 Ｃ＜ｅ２：＆ｒ第１
図 第２図 第３図 第 ４ 図 第 ５ 区 （Ｑ） （ｂ＞ 第６ 図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜にレーザ光等の光を照射してガイド溝パタ
ーンを記録し、 前記ガイド溝パターンを記録したレジスト膜を現像し、 現像後の前記レジスト膜の被覆状態においてリアクティ
ブイオンエツチングを行なうことによって前記基板にガ
イド溝を形成する工程を備え、 前記リアクティブイオンエツチング時におけるエツチン
グガス圧を３０ｍＴｏｒｒ以下に設定すると共に電極の
自己バイアスを４００Ｖ以上に設定したことを特徴とす
る光メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379784A JPS60147946A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
| US06/606,534 US4544443A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-03 | Method for manufacturing an optical memory element |
| CA000453843A CA1234684A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-08 | Method for manufacturing an optical memory element |
| EP84303176A EP0126594B1 (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Method for manufacturing an optical memory element |
| EP91108307A EP0446967B1 (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | An optical memory element |
| DE8484303176T DE3485354D1 (de) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Verfahren zur erzeugung eines optischen speicherelements. |
| DE3486405T DE3486405T2 (de) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Optisches Speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379784A JPS60147946A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147946A true JPS60147946A (ja) | 1985-08-05 |
| JPH0373938B2 JPH0373938B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=11567181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP379784A Granted JPS60147946A (ja) | 1983-05-13 | 1984-01-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60147946A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195748A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
| JPS6126952A (ja) * | 1984-07-14 | 1986-02-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体の製造法 |
| JPS6350937A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の原盤作成方法 |
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US6254966B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-07-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording mediums, supporter used in the mediums, manufacture methods of the supporter, manufacturing apparatus of the supporter and stampers for producing the mediums |
| JP2006174661A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 系統連系発電装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
| JPS54134603A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Production of information recording medium |
| JPS55101144A (en) * | 1979-01-25 | 1980-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Production of signal recording disc |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP379784A patent/JPS60147946A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
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| JPS55101144A (en) * | 1979-01-25 | 1980-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Production of signal recording disc |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195748A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
| JPS6126952A (ja) * | 1984-07-14 | 1986-02-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体の製造法 |
| JPS6350937A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の原盤作成方法 |
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US5676854A (en) * | 1991-08-09 | 1997-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| US6254966B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-07-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording mediums, supporter used in the mediums, manufacture methods of the supporter, manufacturing apparatus of the supporter and stampers for producing the mediums |
| JP2006174661A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 系統連系発電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373938B2 (ja) | 1991-11-25 |
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