JPH03263635A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- JPH03263635A JPH03263635A JP24076290A JP24076290A JPH03263635A JP H03263635 A JPH03263635 A JP H03263635A JP 24076290 A JP24076290 A JP 24076290A JP 24076290 A JP24076290 A JP 24076290A JP H03263635 A JPH03263635 A JP H03263635A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 74
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
〈従来の技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を1μm程度の大きさに
することができるためである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加えることになる。すなわち、ある
定まった場所に情報を記憶したり、あるいは、ある定ま
った場所に記録された情報を再生したりするためには光
ビームを極めて正確に位置決めしなければならないので
ある。一般に再生専用の光メモリでは記録したビットに
あらかじめ番地情報を入れておくことができるので記録
情報を再生しながら光ビ−ムの位置決めをすることがで
きるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
においては情報記録時に番地情報まで一緒に記録するこ
とは極めて困難である。したがって追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板にあらかじめ
何等かのガイド信号及びガイド番地を入れておくという
方法が採られている。例えば第5図に従来の追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の一部
斜視図をしめすが、同図に示すように基板に凹凸の溝を
形成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生す
る方法が一般的である。上記凹凸の清は円周方向に断続
した形状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与え
るのである。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されている。例えば第6図に示すように凹凸の溝の
入ったNiスタンパ−を用い射出成形によりアクリルや
ポリカーボネート等の樹脂基板2に直接凹凸の溝を転写
する方法や、第7図に示すようにガラスあるいはアクリ
ル等の基板4と凹凸の溝の入ったスタンバ−1との間に
紫外線硬化樹脂3を挿入し該紫外線硬化樹脂に凹凸の溝
を転写する方法(2P法)等である。
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を1μm程度の大きさに
することができるためである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加えることになる。すなわち、ある
定まった場所に情報を記憶したり、あるいは、ある定ま
った場所に記録された情報を再生したりするためには光
ビームを極めて正確に位置決めしなければならないので
ある。一般に再生専用の光メモリでは記録したビットに
あらかじめ番地情報を入れておくことができるので記録
情報を再生しながら光ビ−ムの位置決めをすることがで
きるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
においては情報記録時に番地情報まで一緒に記録するこ
とは極めて困難である。したがって追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板にあらかじめ
何等かのガイド信号及びガイド番地を入れておくという
方法が採られている。例えば第5図に従来の追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の一部
斜視図をしめすが、同図に示すように基板に凹凸の溝を
形成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生す
る方法が一般的である。上記凹凸の清は円周方向に断続
した形状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与え
るのである。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されている。例えば第6図に示すように凹凸の溝の
入ったNiスタンパ−を用い射出成形によりアクリルや
ポリカーボネート等の樹脂基板2に直接凹凸の溝を転写
する方法や、第7図に示すようにガラスあるいはアクリ
ル等の基板4と凹凸の溝の入ったスタンバ−1との間に
紫外線硬化樹脂3を挿入し該紫外線硬化樹脂に凹凸の溝
を転写する方法(2P法)等である。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしこれらの方法はいずれも樹脂を用いているので樹
脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するため
記録媒体の品質が劣化するという問題があった。
脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するため
記録媒体の品質が劣化するという問題があった。
本発明は以上の従来技術に改良を加えたものであって、
水分、酸素等による記録媒体の腐食にたいして信頼性の
高い光メモリ素子を作成するための製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
水分、酸素等による記録媒体の腐食にたいして信頼性の
高い光メモリ素子を作成するための製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、本発明は光ビームを照射する
ことで情報を記録しあるいは再生する光メモリ素子の製
造方法において、ガラス基板上にSiの酸化物からなる
膜を形成し、該Siの酸化物からなる膜上にレジスト膜
を被覆し、該レジスト膜に光を照射してガイド溝パター
ンを記Rし、該ガイド溝パターンを記録したレジスト膜
を現像し、現像後の前記レジスト膜の被覆状態において
リアクティブイオンエツチングを行うことによって前記
S1の酸化物からなる膜にガイド溝を形成し、該ガイド
溝を形成した後の前記Siの酸化物からなる膜上に記録
媒体を被覆したことを特徴とする光メモリ素子の製造方
法である。
ことで情報を記録しあるいは再生する光メモリ素子の製
造方法において、ガラス基板上にSiの酸化物からなる
膜を形成し、該Siの酸化物からなる膜上にレジスト膜
を被覆し、該レジスト膜に光を照射してガイド溝パター
ンを記Rし、該ガイド溝パターンを記録したレジスト膜
を現像し、現像後の前記レジスト膜の被覆状態において
リアクティブイオンエツチングを行うことによって前記
S1の酸化物からなる膜にガイド溝を形成し、該ガイド
溝を形成した後の前記Siの酸化物からなる膜上に記録
媒体を被覆したことを特徴とする光メモリ素子の製造方
法である。
〈作用〉
ガラス基板上にSiの酸化物からなる膜を形成した後、
この膜上にレジスト膜を被覆する。このレジスト膜に光
を照射してガイド溝パターンを記録してこれを現像する
。この現像後のレジスト膜の被覆状態においてリアクテ
ィブイオンエツチングを行うことによってSiの酸化物
からなる膜にガイド溝を形成する。こうして作成された
ガイド溝を有するSiの酸化物からなる膜上に記録媒体
を被覆することによって光メモリ素子を製造する。
この膜上にレジスト膜を被覆する。このレジスト膜に光
を照射してガイド溝パターンを記録してこれを現像する
。この現像後のレジスト膜の被覆状態においてリアクテ
ィブイオンエツチングを行うことによってSiの酸化物
からなる膜にガイド溝を形成する。こうして作成された
ガイド溝を有するSiの酸化物からなる膜上に記録媒体
を被覆することによって光メモリ素子を製造する。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
まず第1図を用いて、光メモリ素子の基板の製法の基礎
的な工程を順を追って説明する。
的な工程を順を追って説明する。
工程(1)・・ 酸素、水分等の通過に対して信頼性の
高い(酸素、水分等を通過さ せない)ガラス基板5の上にレジ スト膜6を塗布する。(第1図(a ))。
高い(酸素、水分等を通過さ せない)ガラス基板5の上にレジ スト膜6を塗布する。(第1図(a ))。
工程(2)・・・ 上記ガラス基板5の上に塗布したレ
ジスト膜6にArレーザ等の光 7を対物レンズ8を会して照射し て光メモリ素子用のガイド溝(第 5図参照)の幅と同一の幅を持つ 線(あるいは番地信号を記録する 断続線)を書き込む(第1図(b) )。
ジスト膜6にArレーザ等の光 7を対物レンズ8を会して照射し て光メモリ素子用のガイド溝(第 5図参照)の幅と同一の幅を持つ 線(あるいは番地信号を記録する 断続線)を書き込む(第1図(b) )。
工程(3)・・・ 上記線(若しくは断続線)を書き込
んだレジスト膜6を現像工程に 通すことで上記レジスト膜6に凹 凸の溝の潜像を形成する(第1図 (C))。
んだレジスト膜6を現像工程に 通すことで上記レジスト膜6に凹 凸の溝の潜像を形成する(第1図 (C))。
工程(4)・・・ 上記凹凸の溝を形成したレジスト膜
6の被覆状態においてCF、、 c HF *等のエツチングガス中で スパッタリング(リアクテイブイ オ不ノチング)を行いガラス基板 5に溝9を形成する(第1図(d) )。
6の被覆状態においてCF、、 c HF *等のエツチングガス中で スパッタリング(リアクテイブイ オ不ノチング)を行いガラス基板 5に溝9を形成する(第1図(d) )。
工程(5)・・ 上記レジスト膜6をアセトン等の溶媒
あるいは○、中でのスパッタ リング等により除去する。この結 果ガラス基板5に溝9が残る(第 1図(e))。
あるいは○、中でのスパッタ リング等により除去する。この結 果ガラス基板5に溝9が残る(第 1図(e))。
以上の基板の製法において工程く2)でA、 rレーザ
等の光7でレジスト膜6にガイド溝を形成するための線
潜像を形成したが、この方法以外の方法としてあらかじ
めガイド溝を記録したフォトマスクを製造しておき、該
フォトマスクを利用して紫外線照射によってガイド溝の
潜像を形成してもよい。
等の光7でレジスト膜6にガイド溝を形成するための線
潜像を形成したが、この方法以外の方法としてあらかじ
めガイド溝を記録したフォトマスクを製造しておき、該
フォトマスクを利用して紫外線照射によってガイド溝の
潜像を形成してもよい。
次に上記基礎工程を用いた光メモリ素子の基板の製法の
実施例を第2図を用いて説明する。
実施例を第2図を用いて説明する。
まず酸素、水分等の通過に対して信頼性の高いガラス基
板5の上に5ins膜IOをスノくツタリング法、電子
ビーム蒸着法、CVD法等によって形成する(第2図(
a))、該5iOy膜lOは正確には5iOyでなくと
も良く、上記膜形成法にて生成されるSiOx膜て良い
ことは勿論である。上記5ins膜IOを形成したガラ
ス基板5の上にレノスト膜6を塗布する。以下第1図に
示した工程と同じ工程をたどることによって第2図(b
)に示されるようにガラス基板5上のSiO2膜IOに
溝を形成する(第2図(b))。
板5の上に5ins膜IOをスノくツタリング法、電子
ビーム蒸着法、CVD法等によって形成する(第2図(
a))、該5iOy膜lOは正確には5iOyでなくと
も良く、上記膜形成法にて生成されるSiOx膜て良い
ことは勿論である。上記5ins膜IOを形成したガラ
ス基板5の上にレノスト膜6を塗布する。以下第1図に
示した工程と同じ工程をたどることによって第2図(b
)に示されるようにガラス基板5上のSiO2膜IOに
溝を形成する(第2図(b))。
この第2図に示した製法によれば第1図に示した製法と
比べて基板に凹凸の溝をスパッタエツチングによって形
成する際その速度が速いという利点及び上記凹凸の溝が
Sin!膜単体膜形体されるためエツチング深さの均一
性を得るという利点がある。なお、第1図に示した製法
では基板に凹凸の溝をスパッタエツチングによって形成
する場合そのエツチング速度が比較的遅く、またガラス
基板において組成むらが存在するためエツチング深さか
不均一になるという短所がある。
比べて基板に凹凸の溝をスパッタエツチングによって形
成する際その速度が速いという利点及び上記凹凸の溝が
Sin!膜単体膜形体されるためエツチング深さの均一
性を得るという利点がある。なお、第1図に示した製法
では基板に凹凸の溝をスパッタエツチングによって形成
する場合そのエツチング速度が比較的遅く、またガラス
基板において組成むらが存在するためエツチング深さか
不均一になるという短所がある。
ここで第2図の例ではSin、膜10の膜厚に等しい溝
を形成したが、第3図に示すようにあらかじめSin、
膜10(あるいはS+Ox膜)の膜厚を充分厚く形成し
、凹凸の溝を形成する際のスパッタエツチングをS10
.膜10の膜厚の途中で止めることによってSin、膜
上に凹凸の溝を形成しても構わない。この製法を採用す
ればガラス基板5を構成する金属物質、例えばNa等の
アルカリ金属が基板表面に溶出することがなくなるので
、基板表面上に被覆する記録媒体の金属物質による劣化
等を防止できる。
を形成したが、第3図に示すようにあらかじめSin、
膜10(あるいはS+Ox膜)の膜厚を充分厚く形成し
、凹凸の溝を形成する際のスパッタエツチングをS10
.膜10の膜厚の途中で止めることによってSin、膜
上に凹凸の溝を形成しても構わない。この製法を採用す
ればガラス基板5を構成する金属物質、例えばNa等の
アルカリ金属が基板表面に溶出することがなくなるので
、基板表面上に被覆する記録媒体の金属物質による劣化
等を防止できる。
なお、第2図及び第3図に示した製法ではガラス基板上
にSin、ll110(若しくはSin、膜)を被覆形
成して凹凸の溝を形成したが、上記SiO2膜(若しく
はSiOx膜)以外にSi、N、膜、AiN膜、MgF
膜等の他の誘電体膜を用いても良く、また、これの誘電
体膜を積層しても良い。
にSin、ll110(若しくはSin、膜)を被覆形
成して凹凸の溝を形成したが、上記SiO2膜(若しく
はSiOx膜)以外にSi、N、膜、AiN膜、MgF
膜等の他の誘電体膜を用いても良く、また、これの誘電
体膜を積層しても良い。
第4図は第2図、第3図に示した製法によって得た基板
を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図である
。同図においてガラス基板5上にSi○、膜(若しくは
S+Ox膜〉からなる凹凸の溝(すなわちガイドトラッ
ク)付きの誘電体膜10が被覆され、該誘電体膜10上
に該誘電体膜ioの屈折率より大きな屈折率を有する、
例えばAIN膜、Si○膜等の誘電体膜11が被覆され
る。
を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図である
。同図においてガラス基板5上にSi○、膜(若しくは
S+Ox膜〉からなる凹凸の溝(すなわちガイドトラッ
ク)付きの誘電体膜10が被覆され、該誘電体膜10上
に該誘電体膜ioの屈折率より大きな屈折率を有する、
例えばAIN膜、Si○膜等の誘電体膜11が被覆され
る。
この誘電体膜11の膜厚は500〜1000人程程度あ
る。上記誘電体膜】1上にGdTbFe。
る。上記誘電体膜】1上にGdTbFe。
TbFe5GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金
薄膜12(記録媒体)が被覆される。この合金薄膜12
の膜厚は50〜400人程度であ程度この合金薄膜12
の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件から決まり、上限
は磁気光学効果の増大条件から決まる。よって上記合金
薄膜12の適正膜厚は膜生成方法に依存する。上記合金
薄膜12をスパッタリングによって膜生成する場合その
膜厚が50人程度以下だと垂直磁化膜を得ることが困難
であるのでその膜厚は50人程度より大であることが必
要である。上記合金薄膜12の上にはAI NSS +
Or等の誘電体膜13及びCu、A!、ステンレス、
N1等の金属からなる反射膜14が形成される。上記誘
電体膜13及び反射膜14は磁気光学効果の特性向上を
促すとともに上記合金薄膜12への酸素及び水分の到達
を防止する作用を有する。15は接着層、16は該接着
層15より接着されるガラス、アクリル等からなる保護
板である。この保護板16の代わりにメモリ素子の2枚
を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモリ素子にす
ることも可能である。
薄膜12(記録媒体)が被覆される。この合金薄膜12
の膜厚は50〜400人程度であ程度この合金薄膜12
の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件から決まり、上限
は磁気光学効果の増大条件から決まる。よって上記合金
薄膜12の適正膜厚は膜生成方法に依存する。上記合金
薄膜12をスパッタリングによって膜生成する場合その
膜厚が50人程度以下だと垂直磁化膜を得ることが困難
であるのでその膜厚は50人程度より大であることが必
要である。上記合金薄膜12の上にはAI NSS +
Or等の誘電体膜13及びCu、A!、ステンレス、
N1等の金属からなる反射膜14が形成される。上記誘
電体膜13及び反射膜14は磁気光学効果の特性向上を
促すとともに上記合金薄膜12への酸素及び水分の到達
を防止する作用を有する。15は接着層、16は該接着
層15より接着されるガラス、アクリル等からなる保護
板である。この保護板16の代わりにメモリ素子の2枚
を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモリ素子にす
ることも可能である。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第4図に示した合
金薄膜12の膜厚を厚くして反射膜14を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子あるいはTe5
TeS、TeOx等を記録媒体とする追加記録型の光メ
モリ素子においても適用可能である。
モリ素子について示したが、本発明は第4図に示した合
金薄膜12の膜厚を厚くして反射膜14を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子あるいはTe5
TeS、TeOx等を記録媒体とする追加記録型の光メ
モリ素子においても適用可能である。
〈発明の効果〉
本発明によれば光メモリ素子のガイド信号あるいはガイ
ド番地の形成に樹脂材を用いないので酸素あるいは水分
等が記録媒体に達することを防止でき、そのため信頼性
の高い光メモリ素子を得ることができる。
ド番地の形成に樹脂材を用いないので酸素あるいは水分
等が記録媒体に達することを防止でき、そのため信頼性
の高い光メモリ素子を得ることができる。
また、本発明によれば凹凸の溝をスパッタエツチングに
よって形成する際その速度が速いという効果が得られる
。
よって形成する際その速度が速いという効果が得られる
。
さらに、本発明によれば上記凹凸の溝がSi○、裏車体
に形成されるためエツチング深さの均一性が得られると
いう効果がある。
に形成されるためエツチング深さの均一性が得られると
いう効果がある。
第1図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製法の基礎
工程の一実施例を示す説明図、第2図及び第3図は本発
明に係る光メモリ素子の基板の製法の実施例を示す説明
図、第4図は本発明に係る光メモリ素子の一部側面断面
図、第5図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第6図及
び第7図は従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図で
ある。 1・・・Niスタンバ−12・・・樹脂基板、3・・紫
外線硬化樹脂、4・・・基板、5・・・ガラス基板、6
・・・レジスト膜、7・・光、8・対物レンズ、9 ・
溝、l○・・5rOt膜、11・・・誘電体膜、12・
・・合金薄膜、13・・誘電体膜、14・・・反射膜、
15・・・接着層、16・・・保護膜。
工程の一実施例を示す説明図、第2図及び第3図は本発
明に係る光メモリ素子の基板の製法の実施例を示す説明
図、第4図は本発明に係る光メモリ素子の一部側面断面
図、第5図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第6図及
び第7図は従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図で
ある。 1・・・Niスタンバ−12・・・樹脂基板、3・・紫
外線硬化樹脂、4・・・基板、5・・・ガラス基板、6
・・・レジスト膜、7・・光、8・対物レンズ、9 ・
溝、l○・・5rOt膜、11・・・誘電体膜、12・
・・合金薄膜、13・・誘電体膜、14・・・反射膜、
15・・・接着層、16・・・保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光ビームを照射することで情報を記録しあるいは再
生する光メモリ素子の製造方法において、 ガラス基板上にSiの酸化物からなる膜を形成し、 該Siの酸化物からなる膜上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜に光を照射してガイド溝パターンを記録し
、 該ガイド溝パターンを記録したレジスト膜を現像し、 現像後の前記レジスト膜の被覆状態においてリアクティ
ブイオンエッチングを行うことによって前記Siの酸化
物からなる膜にガイド溝を形成し、 該ガイド溝を形成した後の前記Siの酸化物からなる膜
上に記録媒体を被覆したことを特徴とする光メモリ素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2240762A JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2240762A JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8461383A Division JPS59210547A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03263635A true JPH03263635A (ja) | 1991-11-25 |
JPH0690809B2 JPH0690809B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17064338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2240762A Expired - Lifetime JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0690809B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289386A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Pulstec Industrial Co Ltd | ガラスディスク、ガラスディスクのデータ再生方法、および、ガラスディスクの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52107801A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-09 | Victor Co Of Japan Ltd | Manufacture for information recording media original disc |
JPS54164103A (en) * | 1978-06-16 | 1979-12-27 | Pioneer Electronic Corp | Method of manufacturing information recording carrier |
JPS5940341A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP2240762A patent/JPH0690809B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52107801A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-09 | Victor Co Of Japan Ltd | Manufacture for information recording media original disc |
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JPS5940341A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009289386A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Pulstec Industrial Co Ltd | ガラスディスク、ガラスディスクのデータ再生方法、および、ガラスディスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0690809B2 (ja) | 1994-11-14 |
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